JPS5897820A - コンデンサ用半導体磁器 - Google Patents
コンデンサ用半導体磁器Info
- Publication number
- JPS5897820A JPS5897820A JP56197313A JP19731381A JPS5897820A JP S5897820 A JPS5897820 A JP S5897820A JP 56197313 A JP56197313 A JP 56197313A JP 19731381 A JP19731381 A JP 19731381A JP S5897820 A JPS5897820 A JP S5897820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- porcelain
- pbo
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 4
- 238000003869 coulometry Methods 0.000 claims description 3
- 230000001055 chewing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 241001385733 Aesculus indica Species 0.000 description 1
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 235000010469 Glycine max Nutrition 0.000 description 1
- 244000068988 Glycine max Species 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000535 Tan II Polymers 0.000 description 1
- 241000375392 Tana Species 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000012358 sourcing Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
- H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
不発＃４ｔａＸ、粒界絶縁型の５ｒＴｉ０１系コンデン
サ用千尋体ａａ及びその製造方法に関し、更に詳細に汀
、見如けの比誘電率（む）が大きく、その比誘電率の温
度変化率（１）が小さく、シかも酵電体横失ｔｔａｏ＃
参】が少ない半導体磁器及びその製造方法に関する。 特公昭５５−２４２５３号公報に、ＳｒＴ’ｉ０．、Ｗ
Ｏ，。 Ｇｅ０１から成る半導体磁器の結晶粒界に）’ｂＯ、Ｈ
ｉ、０゜Ｂ、ｏ畠Ｙ含有させた粒界絶縁型のＳｒ’ｌ”
ｉｏ、糸コンデンサ用半導体ａ器即ち半導体磁器組成物
が開示されている。この磁器組成物の蒐！Ｉけの比誘電
率（ε）１了５０．０００〜６４．０００であり、この
比誘電率の温［４１性を１±］５憾（−２５℃〜＋８５
で）以内であり、詐電体損失を闘ａｔゴ０．８係以下で
あるので、比較的特性の優れた磁器コンデンサを提供す
ることができる。しかし、半導体磁器ｆ）Ｍ晶粒子の平
均粒砂目４０〜６０μｍであり、これＫｎ応した見摸け
の比誘電率しか得られない。こσ）ため、今日要求され
ている見ＩＩ４けの比誘電率の極めて高い磁器朝成物を
提供することができない。 そこで、本発明の目的を了、見ｍけの比誘電率（１１が
極めて商いＳｒｉ’ｉ０１糸コンデンサ用半導体＠８器
及びその製造方法Ｖ提供することにある。 上記目的を達成するための本願の第１番目の発ＱｊＪｔ
２ 、’Ｓｒ’ｌ’ｉ０３９４−５０〜９９−８２ Ｎ
量’６ トＷＯＩ０．１３〜２．５０１ｔｌとＧｅｍ、
０．０５〜３．００重量部とで１００Ｊｉｌｉｉ優と
なる主成分１００電量部、５ｉ（Ｊｌ Ｏ，０２〜ｏ、
Ｊｏａｔ部、ＡＩ、０．０．０３〜０．０３菖菫部、（
但し、前記Ｓｉｎ、の重量部、及び前記ＡＩ。 ０１の電重都を１、Ｓｉｎ、の重量部／ Ａｌ、０．の
重量部が１．５〜β、０となる範囲内である）Ｖ含有し
、更に、罰配主取分と前記Ｓｉｎ、と前記ＡＩ、０．と
の合ｌｒｉｍ童に対して０．０３〜２．９０重重量部ｐ
ｂｏと、０．１θ〜４．２８１ｉ［量畳のＢｉ、０１と
、０．００１〜０．１８束ｍ優のＢρ１とを含有してい
ることｔ％黴とするコンデンサ相手導体磁器に係わるも
のである。 上記発明によれば、見損けの比誘電率が約ｓｏ、ｏｏｏ
以上、ｔａｎ ＩＩが］鳴以下、抵抗率が１．０×】０
Ω・ｃｍ以上のような良品基準を上回るコンデンサ相手
導体磁器な得ることができる。 本願の第２番目の発明ｔ１、半導体ａ器を製造する方法
に係わるものであり、第】番目の発明と同一の組成比で
ｓｒ’ｒｊｏ、、Ｗｏ、、Ｇｅｍ、、５ｉ０１． Ａｊ
ｌＯ。 を含む内職又Ｉ了円筒等の半導体ｍｓ”ｒ作製し、しか
る後、ＰｂＯ１Ｈｉ、０１及びＢ！０１又Ｉ了これ郷を
得ることが出来る物質を含むｌＩ！！縁化＠Ｉ［（拡散
物質２を半導体ｉＩｉ器の表面に付着させ、こ１１を熱
拡散することによって半導体磁器の結晶粒界に）’ｂＯ
、Ｂｉ＠（）８、及びＢ、０．？！／含有させるごと奮
特徴とするものである。この方法によれば、本発明で目
的とす・る見贅けの比酵電率の高い半導体磁器を容易に
得ることができる。 次に本発明の好ましい実施１ｐＨｋついて述べる。 実施９１】 １条項のＳ ｒ ｉ’ｉ ０Ｂ （不純物として、Ｂａ
％Ｆｅ 、 Ｍｎ。 Ｃａ−八ａ％に等χ微量含有） 、Ｓｉｎ、、及びＡＩ
、０１’Ｑ＃＆１表に示す組成となるように配合し、こ
ｎ等に不純物が混入すること馨防止するためにゴムライ
ニングボール使用のゴムライニングミルで湿式混合をし
、乾燥させた後、有機バインダとしてポリビニルアルコ
ールヶ加え、加圧成形機にて円板状に＆彬し、１０００
℃、１一時間の熱処理によりバインダを除去し九後、９
９畳へ、−１鳴へ、の弱Ｒ元性の雰囲気中において、】
３５０〜１４５０℃、２〜ＪｗＰ間焼結し、大きさがそ
れぞれ直径約８ ｍｍ ｓ厚さ約０．４ｍｍの円板状半
導体磁器をｆｆ、Ｈシた。なお、ＪＪＡ科をゴムライニ
ングミルで混合したので、磁器製ボール等のメディアか
ら不純物が混入することが阻止され、ＳｉＯ２とＡＩ、
０１との量のコントロールを正確に行うことが可能にな
った。 次ニ、ｐｂｏ粉禾５０１量醤、Ｂｔ、Ｏ，粉末４５重重
置部Ｂ、０．粉末５重置部で１００重量畳となるように
配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチルカ
ルピトールを加えてペース）Ｙ作ルし。 こｒｔ ｖ ｓｔｒの工程で作製した円板状半導体磁器
の片主面にスクリーン印刷で塗布した。なぶ、１００ｍ
ｇの円板状半導体磁器に対して絶縁化物質ヲ】Ｏｍｇ
（］ ０ ）ｉ１１ｉ鳴） １１布シ丸。 次に、絶縁化物質’ｋｍＷした半導体磁器を酸化＃囲気
中において１１５０〜１３００℃の範囲の一定温度で２
時間加熱処理し、半導体磁器の粒界層にＰｂＯ１Ｂｉ、
０．、及びＢ、０１を拡散させ、粒界層の絶縁体化を図
った。これにより、第１図に模式的に示す半導体結晶粒
子（１）と絶縁化された粒界層＋２１とから成る半導体
ｍ器１３１’、が得られた。しかる後、この半導体磁器
（３）の両主面に銀ペーストを塗布し、焼付けることに
よって一対のコ・ンデンサ電極＋４１ ｔｆ５１を形成
し、半導体磁器コンデンサを完成させた。 上述のような磁器コンデンサの製造に於いて、主成分、
Ｓ ｉＯ，、及びＡＩ、０．は原料の組成比の状態で完
成した磁器に宮家れるが、絶縁化物質としてのＰｂＯ１
ｔｓｔ、ｏｌ及びＢ、０１を１塗布後の加熱処理の工程
で全部拡散されない、即ち拡散のための加熱処理時の蒸
発等のために、塗布し九絶縁化物質の一部のみがａ器中
に残存する。３００ｍｇ１１磁器に対する絶縁化物質の
拡散量（残存量）は成分によって異なり、Ｐｂ０ｔ２＃
０．３３〜０．８６ ｌ１１ｓ ｔ Ｏ，３］〜０．
８６ｍｇ ） ｔｎ範囲、Ｂ１，０ｓｔＸ ０．５７〜
３．６ ］ １重量重置部０．５’？ 〜Ｌ６１ ｍｇ
Ｊ ｔ＞範囲、Ｂ嘗Ｏｓ ４２０−０ ］へ０．０６
重量藝（０，０１〜０．０６ ｍｇ ）の範囲である。 このようにして得られ九谷試、Ｉｆ）Ｋついて、見揖け
の比誘電＄ａ、誘電体損失ｔａｎ ａ 、抵抗率−を測
定し九ところ、第１表に示す結果が得られた。 尚、０とｔ閣Ｉは］ ｋＨｚで測定し、−は直流５゜■
を印加して１分間経過した後に測定した。またｊＩＪ表
に於Ｖｈテ、主成分＃） ５ｒＴｉ０１ トＷｏ、 ト
Ｇｅｍ。 と０１量鳴の総和が１００重量電量部る。また副成分の
５ｉ０１とＡＩ、０．とは、主成分１００重量部に一対
する電量部で示されている。ま九、電気的特性を１同一
試料３０個の平均値で示されている。 第】表から明らかなように、主成分の組成比がＳｒｌ”
ｉｏｌ ９４．５０〜９９．８２電量噛、Ｗｏ、 ０．
１３〜２．５０１１１１、Ｇｅ０ｔ Ｏ−０５〜３−０
０重量部の範囲にあり、且つ１００１量部の主成分に対
してＳｉｎ。 が０．０２〜０．１０１１量部、Ａｌ童０１が０・０１
〜０・０３〜童部（但し、ＳｉＯ＊ ／ ＡＩＨＯＢの
重量比ｔ２１．５〜５．０）の範囲にある試料番号８〜
ＩＪ、３３〜】６．１８．２０〜２２．２５〜２７．２
９、及び３０Ｆ）磁器によれば、結晶の平均粒径が６０
〜１２０μ、Ｃが８４．０００〜１３９．０００、ｔａ
ｎｇが０．４〜０．６１．−が１．１ Ｘ ］ ０Ω、
ｃｍ以上となり、前述した良品基準を上（ロ）るコンデ
ンサを得ることが出来る。 −１、本発明の範囲外である試料番号１〜７、】２．１
７．１９．２３．２４．２８．３１〜３４の磁器から明
らかなようＫ 、 Ｓ ｉ ＯＢ ／ Ａｌ ＠ ０＠
の１量比が１．５未満範囲では８０．０００以上のｇｖ
得ることが出来ず、また上記比が５１に越えた範囲でを
ゴ、ｔａｎ ａが１．０憾以上となるか又ｔ；Ｐが１．
ＯＸ ］ Ｏ”Ω・ｃｍ以下と愚（なる、１１良、別０
３が１００菖量部の主成分に対して０．０２重量部未満
であるとＣｖｓｏ、ｏｏｏ以上にすることが出来ず、ま
九こｎがＯ・１重量部を越丁と、大ぎなＣが得られなく
なゐ。またＡＩ、Ｏ，が０．０量重量部未満であると、
ｇ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上のＣを得るこ煮が不可能になり
、Ｃｎが０．０３菖量部を越えると、Ｃがｓ ｏ、ｏ
ｏ 。 以下になる。従って、ｓｉｏ、及びＡｌ、０．の好まし
い範囲會１別０禦／ Ａ１＊Ｏｓの重量比が】、５〜５
であると共に、８１０．が０．０２〜０．１菖量部、Ａ
Ｉ、０．が０．０１〜０・０３重量部の範囲である。 なお・主成分の組成比を本発明の範囲外にした場合にも
、勿論良品基準を上回るコンデンサな得ることが不可能
になる。 第１表に於いて、本発明の範囲に入を試料の見Ｓｔけの
比誘電率εの温度特性１に：醐足したところ、総ての試
料の見如けの比誘電率ｇｉｎ温度変化率は第２図の斜線
領域に含まれた。即ち％２０℃の比誘電率を基準にして
、−２５℃〜＋８５℃の範囲での比誘電率の変化率は±
１５畳以内であった。 実施例 ２ 実施？ｌＪ ］に於ける絶縁化物質
サ用千尋体ａａ及びその製造方法に関し、更に詳細に汀
、見如けの比誘電率（む）が大きく、その比誘電率の温
度変化率（１）が小さく、シかも酵電体横失ｔｔａｏ＃
参】が少ない半導体磁器及びその製造方法に関する。 特公昭５５−２４２５３号公報に、ＳｒＴ’ｉ０．、Ｗ
Ｏ，。 Ｇｅ０１から成る半導体磁器の結晶粒界に）’ｂＯ、Ｈ
ｉ、０゜Ｂ、ｏ畠Ｙ含有させた粒界絶縁型のＳｒ’ｌ”
ｉｏ、糸コンデンサ用半導体ａ器即ち半導体磁器組成物
が開示されている。この磁器組成物の蒐！Ｉけの比誘電
率（ε）１了５０．０００〜６４．０００であり、この
比誘電率の温［４１性を１±］５憾（−２５℃〜＋８５
で）以内であり、詐電体損失を闘ａｔゴ０．８係以下で
あるので、比較的特性の優れた磁器コンデンサを提供す
ることができる。しかし、半導体磁器ｆ）Ｍ晶粒子の平
均粒砂目４０〜６０μｍであり、これＫｎ応した見摸け
の比誘電率しか得られない。こσ）ため、今日要求され
ている見ＩＩ４けの比誘電率の極めて高い磁器朝成物を
提供することができない。 そこで、本発明の目的を了、見ｍけの比誘電率（１１が
極めて商いＳｒｉ’ｉ０１糸コンデンサ用半導体＠８器
及びその製造方法Ｖ提供することにある。 上記目的を達成するための本願の第１番目の発ＱｊＪｔ
２ 、’Ｓｒ’ｌ’ｉ０３９４−５０〜９９−８２ Ｎ
量’６ トＷＯＩ０．１３〜２．５０１ｔｌとＧｅｍ、
０．０５〜３．００重量部とで１００Ｊｉｌｉｉ優と
なる主成分１００電量部、５ｉ（Ｊｌ Ｏ，０２〜ｏ、
Ｊｏａｔ部、ＡＩ、０．０．０３〜０．０３菖菫部、（
但し、前記Ｓｉｎ、の重量部、及び前記ＡＩ。 ０１の電重都を１、Ｓｉｎ、の重量部／ Ａｌ、０．の
重量部が１．５〜β、０となる範囲内である）Ｖ含有し
、更に、罰配主取分と前記Ｓｉｎ、と前記ＡＩ、０．と
の合ｌｒｉｍ童に対して０．０３〜２．９０重重量部ｐ
ｂｏと、０．１θ〜４．２８１ｉ［量畳のＢｉ、０１と
、０．００１〜０．１８束ｍ優のＢρ１とを含有してい
ることｔ％黴とするコンデンサ相手導体磁器に係わるも
のである。 上記発明によれば、見損けの比誘電率が約ｓｏ、ｏｏｏ
以上、ｔａｎ ＩＩが］鳴以下、抵抗率が１．０×】０
Ω・ｃｍ以上のような良品基準を上回るコンデンサ相手
導体磁器な得ることができる。 本願の第２番目の発明ｔ１、半導体ａ器を製造する方法
に係わるものであり、第】番目の発明と同一の組成比で
ｓｒ’ｒｊｏ、、Ｗｏ、、Ｇｅｍ、、５ｉ０１． Ａｊ
ｌＯ。 を含む内職又Ｉ了円筒等の半導体ｍｓ”ｒ作製し、しか
る後、ＰｂＯ１Ｈｉ、０１及びＢ！０１又Ｉ了これ郷を
得ることが出来る物質を含むｌＩ！！縁化＠Ｉ［（拡散
物質２を半導体ｉＩｉ器の表面に付着させ、こ１１を熱
拡散することによって半導体磁器の結晶粒界に）’ｂＯ
、Ｂｉ＠（）８、及びＢ、０．？！／含有させるごと奮
特徴とするものである。この方法によれば、本発明で目
的とす・る見贅けの比酵電率の高い半導体磁器を容易に
得ることができる。 次に本発明の好ましい実施１ｐＨｋついて述べる。 実施９１】 １条項のＳ ｒ ｉ’ｉ ０Ｂ （不純物として、Ｂａ
％Ｆｅ 、 Ｍｎ。 Ｃａ−八ａ％に等χ微量含有） 、Ｓｉｎ、、及びＡＩ
、０１’Ｑ＃＆１表に示す組成となるように配合し、こ
ｎ等に不純物が混入すること馨防止するためにゴムライ
ニングボール使用のゴムライニングミルで湿式混合をし
、乾燥させた後、有機バインダとしてポリビニルアルコ
ールヶ加え、加圧成形機にて円板状に＆彬し、１０００
℃、１一時間の熱処理によりバインダを除去し九後、９
９畳へ、−１鳴へ、の弱Ｒ元性の雰囲気中において、】
３５０〜１４５０℃、２〜ＪｗＰ間焼結し、大きさがそ
れぞれ直径約８ ｍｍ ｓ厚さ約０．４ｍｍの円板状半
導体磁器をｆｆ、Ｈシた。なお、ＪＪＡ科をゴムライニ
ングミルで混合したので、磁器製ボール等のメディアか
ら不純物が混入することが阻止され、ＳｉＯ２とＡＩ、
０１との量のコントロールを正確に行うことが可能にな
った。 次ニ、ｐｂｏ粉禾５０１量醤、Ｂｔ、Ｏ，粉末４５重重
置部Ｂ、０．粉末５重置部で１００重量畳となるように
配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチルカ
ルピトールを加えてペース）Ｙ作ルし。 こｒｔ ｖ ｓｔｒの工程で作製した円板状半導体磁器
の片主面にスクリーン印刷で塗布した。なぶ、１００ｍ
ｇの円板状半導体磁器に対して絶縁化物質ヲ】Ｏｍｇ
（］ ０ ）ｉ１１ｉ鳴） １１布シ丸。 次に、絶縁化物質’ｋｍＷした半導体磁器を酸化＃囲気
中において１１５０〜１３００℃の範囲の一定温度で２
時間加熱処理し、半導体磁器の粒界層にＰｂＯ１Ｂｉ、
０．、及びＢ、０１を拡散させ、粒界層の絶縁体化を図
った。これにより、第１図に模式的に示す半導体結晶粒
子（１）と絶縁化された粒界層＋２１とから成る半導体
ｍ器１３１’、が得られた。しかる後、この半導体磁器
（３）の両主面に銀ペーストを塗布し、焼付けることに
よって一対のコ・ンデンサ電極＋４１ ｔｆ５１を形成
し、半導体磁器コンデンサを完成させた。 上述のような磁器コンデンサの製造に於いて、主成分、
Ｓ ｉＯ，、及びＡＩ、０．は原料の組成比の状態で完
成した磁器に宮家れるが、絶縁化物質としてのＰｂＯ１
ｔｓｔ、ｏｌ及びＢ、０１を１塗布後の加熱処理の工程
で全部拡散されない、即ち拡散のための加熱処理時の蒸
発等のために、塗布し九絶縁化物質の一部のみがａ器中
に残存する。３００ｍｇ１１磁器に対する絶縁化物質の
拡散量（残存量）は成分によって異なり、Ｐｂ０ｔ２＃
０．３３〜０．８６ ｌ１１ｓ ｔ Ｏ，３］〜０．
８６ｍｇ ） ｔｎ範囲、Ｂ１，０ｓｔＸ ０．５７〜
３．６ ］ １重量重置部０．５’？ 〜Ｌ６１ ｍｇ
Ｊ ｔ＞範囲、Ｂ嘗Ｏｓ ４２０−０ ］へ０．０６
重量藝（０，０１〜０．０６ ｍｇ ）の範囲である。 このようにして得られ九谷試、Ｉｆ）Ｋついて、見揖け
の比誘電＄ａ、誘電体損失ｔａｎ ａ 、抵抗率−を測
定し九ところ、第１表に示す結果が得られた。 尚、０とｔ閣Ｉは］ ｋＨｚで測定し、−は直流５゜■
を印加して１分間経過した後に測定した。またｊＩＪ表
に於Ｖｈテ、主成分＃） ５ｒＴｉ０１ トＷｏ、 ト
Ｇｅｍ。 と０１量鳴の総和が１００重量電量部る。また副成分の
５ｉ０１とＡＩ、０．とは、主成分１００重量部に一対
する電量部で示されている。ま九、電気的特性を１同一
試料３０個の平均値で示されている。 第】表から明らかなように、主成分の組成比がＳｒｌ”
ｉｏｌ ９４．５０〜９９．８２電量噛、Ｗｏ、 ０．
１３〜２．５０１１１１、Ｇｅ０ｔ Ｏ−０５〜３−０
０重量部の範囲にあり、且つ１００１量部の主成分に対
してＳｉｎ。 が０．０２〜０．１０１１量部、Ａｌ童０１が０・０１
〜０・０３〜童部（但し、ＳｉＯ＊ ／ ＡＩＨＯＢの
重量比ｔ２１．５〜５．０）の範囲にある試料番号８〜
ＩＪ、３３〜】６．１８．２０〜２２．２５〜２７．２
９、及び３０Ｆ）磁器によれば、結晶の平均粒径が６０
〜１２０μ、Ｃが８４．０００〜１３９．０００、ｔａ
ｎｇが０．４〜０．６１．−が１．１ Ｘ ］ ０Ω、
ｃｍ以上となり、前述した良品基準を上（ロ）るコンデ
ンサを得ることが出来る。 −１、本発明の範囲外である試料番号１〜７、】２．１
７．１９．２３．２４．２８．３１〜３４の磁器から明
らかなようＫ 、 Ｓ ｉ ＯＢ ／ Ａｌ ＠ ０＠
の１量比が１．５未満範囲では８０．０００以上のｇｖ
得ることが出来ず、また上記比が５１に越えた範囲でを
ゴ、ｔａｎ ａが１．０憾以上となるか又ｔ；Ｐが１．
ＯＸ ］ Ｏ”Ω・ｃｍ以下と愚（なる、１１良、別０
３が１００菖量部の主成分に対して０．０２重量部未満
であるとＣｖｓｏ、ｏｏｏ以上にすることが出来ず、ま
九こｎがＯ・１重量部を越丁と、大ぎなＣが得られなく
なゐ。またＡＩ、Ｏ，が０．０量重量部未満であると、
ｇ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上のＣを得るこ煮が不可能になり
、Ｃｎが０．０３菖量部を越えると、Ｃがｓ ｏ、ｏ
ｏ 。 以下になる。従って、ｓｉｏ、及びＡｌ、０．の好まし
い範囲會１別０禦／ Ａ１＊Ｏｓの重量比が】、５〜５
であると共に、８１０．が０．０２〜０．１菖量部、Ａ
Ｉ、０．が０．０１〜０・０３重量部の範囲である。 なお・主成分の組成比を本発明の範囲外にした場合にも
、勿論良品基準を上回るコンデンサな得ることが不可能
になる。 第１表に於いて、本発明の範囲に入を試料の見Ｓｔけの
比誘電率εの温度特性１に：醐足したところ、総ての試
料の見如けの比誘電率ｇｉｎ温度変化率は第２図の斜線
領域に含まれた。即ち％２０℃の比誘電率を基準にして
、−２５℃〜＋８５℃の範囲での比誘電率の変化率は±
１５畳以内であった。 実施例 ２ 実施？ｌＪ ］に於ける絶縁化物質
【拡散物質Ｊとして
のゼｂＯ１Ｂｉ、ｏ、、及びＢ、０１の比率のみを第２
表に示すように変化させ、製造方法を１実施例１と同一
として牛専体磁器コンデンＶを作製し、電気的特性’ｔ
’ｌｌＪ足したところ、第２表に示す結果が得られ九、
なお、第２表に於けるａＳの欄は絶縁化物質ｔ’塗布す
る半導体磁器【示す、また絶縁化物質１２１ｍ１１ ｔ
］ ００ｍｇ ） Ｋ対して）Ｏ］［ｊｉ鳴（］Ｏｍ
ｇノ塗布した。 この第２表の試料番号３６〜４０．４２〜４６．４８．
４９．５】〜５３．５５〜６４．６６〜６８から明らか
なように％ＰｂＯが３２〜６】重量鳴、用意Ｏｊが３２
〜６０１量嗟、Ｂ曾０１が２〜】Ｏｌ［童鳴の範囲でＩ
ゴ大きな＃を有し、ｔｕｆｌａ及びＰも優れている磁器
を得ることが出来る。−万、本発明の範囲外である試料
番号３５．４］、４７．５０．５４．６５．６９から明
らかなように、ＰｂＯ、Ｂｉ。 ０□、Ｂ、Ｏｓの比が上記の範囲外となれば所望の％性
ｔ−得ることが不可能になる。従って、塗布する絶縁化
物質の好ましい組成比は、ＰｂＯが３２〜６１重遣鳴、
Ｂ１，０．が３２〜６０１１量鳴％Ｂ、０．が２〜１０
菖量鳴である。 この実施ガ２に於ける本発明の範囲内の試料の磁器に対
するｐｂｏ、ｌｌｉ、０．、及びＢ、０１の拡散當Ｙ求
メタトコロ、）’ｂｏｔ２０．０６〜１．４５１１量参
、Ｂｉ。 ０．４２０．２１〜２．１４１１ｔ ４、Ｂ、０．ｔ’
！ ０．００２〜０．１０電貢曝の範囲であった。 実施例 ３ 実施例２で示した本発明の範囲内の組成比の絶縁化物質
の塗布量を半導体磁器（重量的１００ｍｍｇＪに対して
、］ｌ［童１（］ｍｍｇＪ〜１５重量畳（１５ｍｍｇ）
の範囲で変化させ、また加熱温度を】】５０〜１３０つ
℃、加熱時間’ｋｌ〜４時間の範囲で変化させることに
よって絶縁化物質の拡散量が異なる多数の＠８器を作製
し、Ｃがｇ ｏ、ｏ ｏ ｏ以よ、ｔａｎζが】優以下
、−が１．０Ｘ３０Ω”ａｍ以上の牛導体磁＊１に得る
ことが可能な絶縁化物質の拡散蓋を求めたところ、半導
体磁器の１童（１００ｔＦＪｌ ’ｌ ） ＫＷ Ｌ
テ）’ｂ０２＞Ｉ Ｏ，０３〜２．９０電量鳴、Ｂｉ、
０．が０．１０〜４．２８８電量鳴Ｂ、０１が０．００
】〜ｏ、１８ｍ：１畳であった。 以上、本発明のｌ！ｊｌｉＮＫついて述べたが、本発明
ヲ；これに＠足されるもので＋２な（、更に変形可能な
ものである。？１１えは、本発明の％ＩＩＶ阻害しなめ
範囲で他の特性改畳物質を付加しても差支えない、！友
、ＰｂＯ％Ｂｉ、ｏ、、Ｂ、０１の粉末にてペース）１
＝作裂せずに、絶縁化のための拡散加熱で）’ｂＯ，Ｂ
ｉ、０．、１３，０．Ｋ［換される例えば、ｐｂ、ｏ、
、ＰｂＦ茸、）’ｂ （ＢＯ，Ｊ、、 ＢｉＦ、等の物
質を磁器の一万又１１両万の主面に塗布して、最終的に
ｉｌｍの中にＰｂｏ、Ｂｉ、０．、ＨｍＯｓｔ’（ｉ？
Ｅ’８ｆ ”Ｃ％ Ｊ Ｖ＞、 ｔ ｆｔニー、）’ｂ
Ｏ１Ｂ１．０．、Ｂ、Ｏａに変換することが出来る物質
の配合物な作り、これを例えば】０００℃で焼成し、Ｐ
ｂＯ−Ｂｉ、０．− Ｂ、０．の組成物を作り、これを
粉砕した粉末でペースドナ作って塗布してもよい、ま、
た絶鰍比物′Ｘを蒸着又は浸漬勢で磁器に付着させて％
＋よい。また、最初の原料ｖＳｒＴｉＯい冑（λ１、ｚ
ｎ（）、Ｓ４０．、ＡＩ、Ｏ，、ＰｂＯ％Ｂｉ、０１、
Ｂ、０１トせずに、これ等？得るた約の物質ｔ−原料と
してもよい。例えば５ｒＴｉＯＢ’に炭酸ストロンチウ
ムと酸化チタンとから得るようにしてもよい、ま九ゴム
ライニングボールに限らずに％ＳｊＯ，とＡＩ 、 ０
．とが不純物として混入する恐れのない他の容器を使用
して主成分と副成分とり）原料な混合するようにしても
よい。
のゼｂＯ１Ｂｉ、ｏ、、及びＢ、０１の比率のみを第２
表に示すように変化させ、製造方法を１実施例１と同一
として牛専体磁器コンデンＶを作製し、電気的特性’ｔ
’ｌｌＪ足したところ、第２表に示す結果が得られ九、
なお、第２表に於けるａＳの欄は絶縁化物質ｔ’塗布す
る半導体磁器【示す、また絶縁化物質１２１ｍ１１ ｔ
］ ００ｍｇ ） Ｋ対して）Ｏ］［ｊｉ鳴（］Ｏｍ
ｇノ塗布した。 この第２表の試料番号３６〜４０．４２〜４６．４８．
４９．５】〜５３．５５〜６４．６６〜６８から明らか
なように％ＰｂＯが３２〜６】重量鳴、用意Ｏｊが３２
〜６０１量嗟、Ｂ曾０１が２〜】Ｏｌ［童鳴の範囲でＩ
ゴ大きな＃を有し、ｔｕｆｌａ及びＰも優れている磁器
を得ることが出来る。−万、本発明の範囲外である試料
番号３５．４］、４７．５０．５４．６５．６９から明
らかなように、ＰｂＯ、Ｂｉ。 ０□、Ｂ、Ｏｓの比が上記の範囲外となれば所望の％性
ｔ−得ることが不可能になる。従って、塗布する絶縁化
物質の好ましい組成比は、ＰｂＯが３２〜６１重遣鳴、
Ｂ１，０．が３２〜６０１１量鳴％Ｂ、０．が２〜１０
菖量鳴である。 この実施ガ２に於ける本発明の範囲内の試料の磁器に対
するｐｂｏ、ｌｌｉ、０．、及びＢ、０１の拡散當Ｙ求
メタトコロ、）’ｂｏｔ２０．０６〜１．４５１１量参
、Ｂｉ。 ０．４２０．２１〜２．１４１１ｔ ４、Ｂ、０．ｔ’
！ ０．００２〜０．１０電貢曝の範囲であった。 実施例 ３ 実施例２で示した本発明の範囲内の組成比の絶縁化物質
の塗布量を半導体磁器（重量的１００ｍｍｇＪに対して
、］ｌ［童１（］ｍｍｇＪ〜１５重量畳（１５ｍｍｇ）
の範囲で変化させ、また加熱温度を】】５０〜１３０つ
℃、加熱時間’ｋｌ〜４時間の範囲で変化させることに
よって絶縁化物質の拡散量が異なる多数の＠８器を作製
し、Ｃがｇ ｏ、ｏ ｏ ｏ以よ、ｔａｎζが】優以下
、−が１．０Ｘ３０Ω”ａｍ以上の牛導体磁＊１に得る
ことが可能な絶縁化物質の拡散蓋を求めたところ、半導
体磁器の１童（１００ｔＦＪｌ ’ｌ ） ＫＷ Ｌ
テ）’ｂ０２＞Ｉ Ｏ，０３〜２．９０電量鳴、Ｂｉ、
０．が０．１０〜４．２８８電量鳴Ｂ、０１が０．００
】〜ｏ、１８ｍ：１畳であった。 以上、本発明のｌ！ｊｌｉＮＫついて述べたが、本発明
ヲ；これに＠足されるもので＋２な（、更に変形可能な
ものである。？１１えは、本発明の％ＩＩＶ阻害しなめ
範囲で他の特性改畳物質を付加しても差支えない、！友
、ＰｂＯ％Ｂｉ、ｏ、、Ｂ、０１の粉末にてペース）１
＝作裂せずに、絶縁化のための拡散加熱で）’ｂＯ，Ｂ
ｉ、０．、１３，０．Ｋ［換される例えば、ｐｂ、ｏ、
、ＰｂＦ茸、）’ｂ （ＢＯ，Ｊ、、 ＢｉＦ、等の物
質を磁器の一万又１１両万の主面に塗布して、最終的に
ｉｌｍの中にＰｂｏ、Ｂｉ、０．、ＨｍＯｓｔ’（ｉ？
Ｅ’８ｆ ”Ｃ％ Ｊ Ｖ＞、 ｔ ｆｔニー、）’ｂ
Ｏ１Ｂ１．０．、Ｂ、Ｏａに変換することが出来る物質
の配合物な作り、これを例えば】０００℃で焼成し、Ｐ
ｂＯ−Ｂｉ、０．− Ｂ、０．の組成物を作り、これを
粉砕した粉末でペースドナ作って塗布してもよい、ま、
た絶鰍比物′Ｘを蒸着又は浸漬勢で磁器に付着させて％
＋よい。また、最初の原料ｖＳｒＴｉＯい冑（λ１、ｚ
ｎ（）、Ｓ４０．、ＡＩ、Ｏ，、ＰｂＯ％Ｂｉ、０１、
Ｂ、０１トせずに、これ等？得るた約の物質ｔ−原料と
してもよい。例えば５ｒＴｉＯＢ’に炭酸ストロンチウ
ムと酸化チタンとから得るようにしてもよい、ま九ゴム
ライニングボールに限らずに％ＳｊＯ，とＡＩ 、 ０
．とが不純物として混入する恐れのない他の容器を使用
して主成分と副成分とり）原料な混合するようにしても
よい。
第１図は本発明の実施例に係わる磁器コンデンサを模式
的に示す断面図、＃！２−は温度変化に対する比誘電率
の変化率な示す特性図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、（１１４２粒子
、１２＋ ＋２粒界層、ｔａｎｓａａ、 １４１ｔ５１
ｔ２１Ｈ＆テアル。 代理人 高野則次 第２ｖＩＪ 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月１日 特許庁長官 着杉和犬 殿 １ 事件の表示 昭和５６隼 特 奸 願第１９７３１３号２、 発明の
名称 コンデンサ用半導体一番及びその製造方法３ 補
正をする者 事件との関係 出 緘 人 ４、代理１人 ５、 補正命令の日付 自 発 ６、 補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明＃１ｌｌＩの発明の詳細な説明の欄。 （１）明細書第１２負第１表（２）の試料査号７の−６
の欄のｒ ６，２Ｊ ｔｒＯ，５Ｊに補正する。 （２）明細書第１２員第１表（２）の試料査号７のｐの
欄の［０，５Ｊｔｒ ２．ＯＪに補正する。
的に示す断面図、＃！２−は温度変化に対する比誘電率
の変化率な示す特性図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、（１１４２粒子
、１２＋ ＋２粒界層、ｔａｎｓａａ、 １４１ｔ５１
ｔ２１Ｈ＆テアル。 代理人 高野則次 第２ｖＩＪ 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月１日 特許庁長官 着杉和犬 殿 １ 事件の表示 昭和５６隼 特 奸 願第１９７３１３号２、 発明の
名称 コンデンサ用半導体一番及びその製造方法３ 補
正をする者 事件との関係 出 緘 人 ４、代理１人 ５、 補正命令の日付 自 発 ６、 補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明＃１ｌｌＩの発明の詳細な説明の欄。 （１）明細書第１２負第１表（２）の試料査号７の−６
の欄のｒ ６，２Ｊ ｔｒＯ，５Ｊに補正する。 （２）明細書第１２員第１表（２）の試料査号７のｐの
欄の［０，５Ｊｔｒ ２．ＯＪに補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌｌ ｂｒ’ｌ’ｔＯａ ９４．５０〜９９−８２
ｇ 量’６ トＷＯｍ Ｏ−］ ３〜２．５０７１ｉ
ｊｉｉ４とＧｅｍ、 ０．０５〜３−００３１量嘔とで
１００菖童優となる主成分３００重量部、ＳｉＯ，０−
０２〜０−１ ＯＩＩ重量部ＡＩ、０１０．０１〜０．
０３重量部、（但し％前記Ｓ ｉＯ＊ ）ｌＫ ｌ Ｎ
＆ Ｕ Ｍ Ｗｅ Ａｌ 、０． ノ重蓋部を１、：
ＳｉＯ，の電重都／ ＡＩ、０．の重量部が１．５〜５
．０となる範囲内である】 を含有し、史に、前記主成分とｍ配Ｓｉｎ、と前記ＡＩ
、０．とり）合ｔｉｎｔに対しテ０．０３〜２．９０１
．量優ノＰｂＯト、０．１０〜４．２８ ｆ量優ノａｔ
、ｏ、と、０．００３〜０．１８３１量畳ｔｎ Ｂｏｏ
、 トＹ含有していることｔ％黴とするコンデンサ用牛
導体帽Ｌ１２１ ５ｒＴｉ０，９４．５０−９９．８２
電量鳴トＷＯｊＯ，１３〜２．５００電量噛Ｇｅｍ、
０．０５〜３．００電量噛とで１００１量参となる主成
分１００］ｉｌ１部、Ｓｉｎ、 ０．０２〜０．１０
重量部、ＡＩ、０．０．０１〜０．０３電量部、（但し
、前記Ｓｉｎ、の重量部及び前記ＡＩ、０．の重量部は
、ＳｉＯ，の重量部／ Ａｌ、０．のム童部が１．５〜
５．０となる範囲内であるＪ から成る半導体磁器を作製すること、 前記半導体磁器の少なくとも一万の主面に、ＰｂＯ又は
加熱処理によってＰｂＯになる物質と、ｌ：ｌｉ、０゜
又は加熱処理によってＨｉｌｏｇになる物質と、Ｂ、０
゜又１１加熱処理によってＢ、０．になる物質とを、Ｐ
ｂ０に換算して３２〜６１電童鳴、Ｂ１１０ｇに換算し
て３２〜ｂ 参重置部０電１ｉｒＩｓとなるような比で含む絶縁化物
質を、１００重量部の前記半導体磁器に突して１〜１５
Ｎ！菫都の割合で付着させ、しかる後加熱処理すること
によって前記半導体磁器の結晶粒界にＰｂＯ１Ｂｉ、０
．、及びＨ，０畠を拡散させること、ρ・ら成るコンデ
ンサ相手導体磁器の製造方法。 １３１ ＠記牛導ｔｇｍ器に前記絶縁化物質を付着さ
せることは、前記絶縁化物質を含むペースｉｆ塗布する
ことである％！ＦＦＩ′ｉｖ求の範囲第２項記載のコン
デンサ相手導体磁器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197313A JPS5897820A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ用半導体磁器 |
| EP82108979A EP0076456B1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| DE8282108979T DE3274734D1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| US06/443,777 US4405476A (en) | 1981-12-08 | 1982-11-22 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197313A JPS5897820A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ用半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897820A true JPS5897820A (ja) | 1983-06-10 |
| JPS6242364B2 JPS6242364B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=16372373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197313A Granted JPS5897820A (ja) | 1981-10-01 | 1981-12-08 | コンデンサ用半導体磁器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4405476A (ja) |
| JP (1) | JPS5897820A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
| JPS5524253B2 (ja) * | 1973-07-16 | 1980-06-27 |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56197313A patent/JPS5897820A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-22 US US06/443,777 patent/US4405476A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242364B2 (ja) | 1987-09-08 |
| US4405476A (en) | 1983-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3495996A (en) | Ceramic composition,improved electronic devices employing same,and method of fabrication | |
| JPS60226102A (ja) | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 | |
| JPH0524646B2 (ja) | ||
| JPS5897820A (ja) | コンデンサ用半導体磁器 | |
| JPH0226775B2 (ja) | ||
| US4405478A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| Eyraud et al. | Influence of the initial lead content on the properties of doped PZT ceramics prepared by wet or dry methods | |
| US4405480A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| JPH05343202A (ja) | 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器 | |
| US4405479A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| US4405474A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| KR20210048292A (ko) | Cc 구조의 3원계 상유전체 및 그 제조방법 | |
| US4405473A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| US4405472A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| JPS58103116A (ja) | コンデンサ用半導体磁器 | |
| US4405475A (en) | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation | |
| JPS5857722A (ja) | 半導体磁器コンデンサの半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPS6045150B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| TW202136175A (zh) | 陶瓷組成物、陶瓷燒結體及疊層型陶瓷電子元件 | |
| JPH02305417A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPH03211703A (ja) | 粒界バリア型高静電容量セラミックバリスタの製造方法 | |
| JPS63285920A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS6045149B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| JPH01203266A (ja) | 焦電素子用酸化物磁器材料 | |
| JPS63301410A (ja) | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 |