JPS5897120A

JPS5897120A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPS5897120A
Application number: JP19542681A
Authority: JP
Inventors: Osamu Ishikawa; 理石川; Masaharu Sato; 正治佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1981-12-03
Filing date: 1981-12-03
Publication date: 1983-06-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は磁性合金材料からなる複数のコア材を互いに積
層してヘツドコアな形成してなる磁気ヘツドに関し、と
くに耐摩耗性な向上させたものである。

磁気ヘツドのコア材としては、パーマロイ、センダスト
、フエライトおよびアモルフアス磁性材料が実用化され
ている。こちらコア材はフエライトをのぞけば耐摩耗性
の点で問題を有している。

そして、耐摩耗性を改善するために種々の方法が提案さ
れている。しかし、これらの提案には一長一短がある。

すなわち、１つの方法は磁性材料中に耐摩耗性を向上さ
せる金属を添加して磁性材料そのものの耐摩耗性な向上
させようとするものである。この場合には、そのような
金属により磁気特性が劣化することが多く、また添加の
量や種類に制約がある。

他の方法はコア材を積層するための樹脂ＫＡｇ２ｏ３゜
ｊ−Ｆｅ２０３等の微粉末を混入させて全体としての磁
気ヘツドの耐摩耗性な向上させるものである。この場合
、樹脂層を厚くして結果として実効透磁率や飽和磁束密
度等の磁気特性な劣化させるおそれがある。

また、もう１つの方法はコア材の表面にＣｒ、Ｔｉ等耐
摩耗性のある物質をメツキ、蒸着、スパツタリングによ
り付着させるものである。この場合、付着強度や付着方
法により付着させる物質に制約が生じてしまう。また、
アモルフアス磁性材料では処塩装置の限界が３００〜４
００Ｃと低いため、一層の制約か要請されてしまう。

本考案はこのような事情を考慮してなされたものであり
、添加物質や付着物質の制約の問題がはとんとなく、ま
た磁気特性の劣化もほとんどないようにしようとするも
のである。

以下、本発明磁気ヘツドの一実施例について図面を参照
しながら説明しよう。

第１図において、（１）、（２）はコアン示し、これら
コア［１）、＋２１ｋたとえばＣｏ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂの
４元合金からなるアモルフアス磁性材料製のコア材（３
）を積層して形成する。これらコアｔｌ）、＋２）にコ
イル１４）、ｔ５Ｊを装着し、さらにギヤツプ・スペー
サ（６）、（７）を付して磁気ヘツド（８）を構成する
。なお、図中コア抑え等は省略する。

本例では、第２図に示すよ５に、コア材（３）をイオン
窒化による硬化層（３ｂ）とアモルフアス層（３ａ）と
から構成する。この場合、アモルフアス層（３ａ）と硬
化層（３ｂ）とが交互に重なるよ５にコア材（３）を積
層する。

具体的には、コア材（３）の製造およびコア材（３）の
積層は以下のように行われる。すなわち、第３図に示す
ように、リボン状のアモルフアス材料（９）を破線に示
すように打ち抜き、コア材１３１と連結部（１１とを一
体に得る。そして、コア材（３）を連結部（１０）で連
結したままの状態でコア材（３）を積層し、こののち連
結部（１０）を取り除くのである。

ここで、アモルフアス材料（９）には第４図に示すよう
にイオン窒化を施こしておく。まず、アモルフアス材料
（９）を低圧の窒素ガス雰囲気中に配置し、アモルフア
ス材料を陰極、炉体（図示罎）ｒ陽極としてグロー放電
を行う。そうすると、窒素ガスがイオン化してこれがア
モルフアス材料（９１の表面に衝突する（第４図Ａ）。

このときの運動エイルギが熱エネルギとなり、アモルフ
アス材料（９１の表面を加熱する。同時にイオンが直接
アモルフアス材料（９）内に注入され、また、スパツタ
リングにより、たとえば上１ｅかたたき出される（第４
図Ｂ）。

とのＦｅが窒素と結合して上”ｅＮが形成される。そし
て、このＦｅＮがアモルフアス材料（９］に吸着される
（第４図Ｃ）。最終的には、アモルフアス材料（９）内
に電送注入層（９ａ）が形成され、その表面に化合物／
ｍ（９ｂ）が形成される。Ｃれら窒素注入層（９ａ）お
よび化合物層（９ｂ）が硬化層（３ｂ）となる。この場
合、硬化層（３ｂ）は数μ〜数１０μである。

なお、このイオン窒化によるアモルフアス材料（９）の
加熱温度は３５０＝４００ｔ：’とする。このようにす
ればアモルフアス材料（９１の限界温度内に処理温度【
抑えることができる。イオン窒化は３５０〜５９０Ｃで
実現できるので、このようにすることが可能である。

斯る構成によれば、コア材（３）の表面をイオン窒化に
より硬化させているので、表面に耐摩耗性のある物質を
付着させる従前の場合に起こりやすい付着物の剥離が起
こらない。また、アモルフアス材料１９Ｊ中のＦｅ等の
存在によりイオン窒化による硬化か可能であり、他に添
加物を要しないため、その分磁気特性の劣化が少ない。

さらに、コア材（３）の硬化層（３ｂ）は数μ〜数１０
μであり、その他はアモルフアス材料そのものであるた
め、一層磁気特性の劣化が少ない。また、イオン窒化の
硬化層（３ｂ）Ｋより防錆効果を実現しえる。また、処
理温度を３５０〜４００Ｃの低温に抑えられるので、ア
モルフアス材料（９）をそのまま用いえ、耐摩耗性のほ
か透磁率や飽和礁束密度の十分に大きなコア材（３）を
実現しえ、優れた磁気ヘツド（８）を提供しうる。

以上述べたように、本発明磁気ヘツド（８）ｋよればコ
ア材（３）の表面にイオン窒化による硬化層（３ｂ）を
形成しているため、磁気ヘツド（８）の耐摩耗性を向上
させることができる。しかも、磁性材料中にＦｅ、Ｎｉ
、Ｏｒ等が存在していれば何ら添加物を施こすことなく
イオン窒化を行いうるので、添加物による磁気特性の劣
化のおそれかない。かりに、添加物な用いたとしても、
それはごく少量であるためほとんど問題とならない。さ
らに、硬化層は数μ〜数１０μであるため、一層磁気特
性の劣化が少ない。また、従前のように耐摩耗性のある
物質を付着させる場合のように、付看層が剥離してしま
うという不都合もない。また、添加物や付着物の選定上
の制約が問題とならず、容易に製造を行える。とくに、
処理温度を３５０〜４００Ｃとすることが可能なため、
磁性材料としてアモルフアス磁性材料を用いることがで
き、この結果、耐摩耗性および磁気特性の双方に優れた
磁気ヘツドを実現しうる。また、硬化層により耐摩耗性
の向上にあわせて防錆効果も期待できる。

なお、本発明は上述実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。た
とえば、センダストやパーマロイを磁性材料として用い
た場合にも本発明を適用しうろことはもちろんである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明磁気ヘツドを示す斜視図、第２図は第１
図例の一部の断面図、第３図および第４図はそれぞれ第
１図例の説明に供する線図である。（１）、（２）はコア、（３）はコア材、（３ｂ）は硬
化層、（８）は磁気ヘツドである。第Ａ４図手続補正書昭和ｓ７年２月８日１、事件の表示昭和ｉｓ年特許願第１９Ｉ４１・号２、発明の名称磁気、ツト。３、補正をする者事件との関係特許出願人住所Ｅ’、Ｅ’：’、’ｊ１ｚ’ｌ川１＜４’−：ｌ’
ｌ’ｌ＋！！ｆ’１−１−ｉ’１７ｉ７’：’）５号名
作（！、・ソニー（：；コ１．：会社Ｉ（、：；４．り
：、：：昌（’、’ｉｉ：：、、１夫４、代理人東京都
新宿区西新宿１丁目８番１号（新宅ビル））シロ、補正により増加する発明の数７、補正の対象明細書の発明の詳細な説明の欄８、補正
の内容（１）明細書中、第１頁１３〜１４行に「センゲスト」
とあるな「センダスト」に訂正する。（２）同、第２頁１９行Ｋ「本考案」とあるな「本発明
」に訂正する。（３）同、第４頁１９行Ｋ「電送注入層」とあるを「窒
素注入層」Ｋ訂正する。（４）同、第５頁１行および１５行にそれぞれ「数μ〜
数１０声」とあるな［０，数μ〜数μＪＫ［Ｔ圧する。（５）同、第５頁１９〜２０行に「アモルフアス材料」
とあるな「アモルフアス材料」に訂正する。以上

Claims

【特許請求の範囲】

磁性合金材料からなる複数のコア材を互いに積層してヘ
ツドコアＶ形成するようｋした磁気ヘツドにおいて、前
記コア材の表面にイオン窒化による硬化層を形成したこ
とｖ特徴とする磁気ヘツド。