JPH01125909A - 積層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド - Google Patents
積層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツドInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高飽和磁束密度、高透磁率を有する積層磁性薄
膜に関し、特に磁気ディスク装置、 ＶＴＲなどに用い
る磁気ヘッドおよび磁気ヘッドのコア材料に適した積層
磁性薄膜に関する。
膜に関し、特に磁気ディスク装置、 ＶＴＲなどに用い
る磁気ヘッドおよび磁気ヘッドのコア材料に適した積層
磁性薄膜に関する。
磁気ヘッドの記録時における磁気飽和を防ぐために、磁
気ヘッド材料は高飽和磁束密度を有することが必要であ
る。またヘッドの再生効率の面から低保磁力、高透磁率
の特性を有することも必要である。
気ヘッド材料は高飽和磁束密度を有することが必要であ
る。またヘッドの再生効率の面から低保磁力、高透磁率
の特性を有することも必要である。
高飽和磁束密度を有する磁性材料を得るため、Ｆａを主
成分とする合金の開発が進められている。
成分とする合金の開発が進められている。
しかしこれらの合金の中で飽和磁束密度が１．８層以上
の材料の多くは保磁力が大きく、磁気ヘッド材料として
は不十分である。そこで特開昭５２−１１２７９７に論
じられているように、低保磁力、高透磁率の特性を得る
ために、磁性薄膜をＳｉＯ２を介して積層構造とするこ
とが行なわれてきた。
の材料の多くは保磁力が大きく、磁気ヘッド材料として
は不十分である。そこで特開昭５２−１１２７９７に論
じられているように、低保磁力、高透磁率の特性を得る
ために、磁性薄膜をＳｉＯ２を介して積層構造とするこ
とが行なわれてきた。
しかし．Ｆｅを主成分とする合金薄膜を５ｉＯｚ＊ＡＱ
ｚＯδ等の非磁性酸化物を介して積層構造としても、Ｆ
ｅ系合金の組成によっては、保磁力が十分に小さくなら
ないという問題があった。また、Ｓ ｉｏ２．ＡＱｘＯ
ｓ等の酸化物は多孔質であり、そのためこれらの酸化物
の直上に蒸着したＦｅ系合金も空孔などの欠陥を多く含
み、飽和磁束密度が大幅に低下するという問題もあった
。
ｚＯδ等の非磁性酸化物を介して積層構造としても、Ｆ
ｅ系合金の組成によっては、保磁力が十分に小さくなら
ないという問題があった。また、Ｓ ｉｏ２．ＡＱｘＯ
ｓ等の酸化物は多孔質であり、そのためこれらの酸化物
の直上に蒸着したＦｅ系合金も空孔などの欠陥を多く含
み、飽和磁束密度が大幅に低下するという問題もあった
。
本発明の目的は、上述の従来技術の欠点を解消し、低保
磁力、高透磁率ならびに高飽和磁束密度を有する積層磁
性薄膜およびこれを用いた高密度磁気記録用の磁気ヘッ
ドを提供することにある。
磁力、高透磁率ならびに高飽和磁束密度を有する積層磁
性薄膜およびこれを用いた高密度磁気記録用の磁気ヘッ
ドを提供することにある。
本発明は、Ｆｅ薄膜あるいはＦｅを主成分とする合金薄
膜に、Ｂ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉの群より選ばれる少なくとも１
種以上の元素で構成される非磁性物質を介して積層構造
とすることにより、低保磁力、高透磁率の特性が得られ
る。また積層化の影響により飽和磁束密度は低下するが
、ＳｉＣ２゜ＡＱｘＯｓ等を介した積層膜の場合よりも
飽和磁束密度を高くすることができる。
膜に、Ｂ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉの群より選ばれる少なくとも１
種以上の元素で構成される非磁性物質を介して積層構造
とすることにより、低保磁力、高透磁率の特性が得られ
る。また積層化の影響により飽和磁束密度は低下するが
、ＳｉＣ２゜ＡＱｘＯｓ等を介した積層膜の場合よりも
飽和磁束密度を高くすることができる。
ここで、積層磁性薄膜の積層構造の１周期の厚さによっ
て磁気特性は変化する、この積層構造の１周期の厚さを
２５００Å以下とした場合、軟磁気特性が特に向上する
。但し、磁性薄膜の製造プロセスの面からは、１周期の
厚さを５００人より大きくすることが好ましい。
て磁気特性は変化する、この積層構造の１周期の厚さを
２５００Å以下とした場合、軟磁気特性が特に向上する
。但し、磁性薄膜の製造プロセスの面からは、１周期の
厚さを５００人より大きくすることが好ましい。
また上記非磁性物質の１層当りの厚さを２人未満あるい
は５０人より大きくすると、２〜５０人とした積層磁性
薄膜と比較して保磁力が大きくなる。従って上記非磁性
物質の１層当りの厚さは２〜５ｏ人が好ましい。
は５０人より大きくすると、２〜５０人とした積層磁性
薄膜と比較して保磁力が大きくなる。従って上記非磁性
物質の１層当りの厚さは２〜５ｏ人が好ましい。
さらに、上記積層磁性薄膜のＦｅあるいはＦｅを主成分
とする合金薄膜にＣを１〜２０ａｔ％添加することによ
り、さらに低保磁力、高透磁率を有する積層磁性薄膜が
得られる。
とする合金薄膜にＣを１〜２０ａｔ％添加することによ
り、さらに低保磁力、高透磁率を有する積層磁性薄膜が
得られる。
本発明の積層磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気回路に用いる
ことにより、記録特性の優れた磁気ヘッドを得ることが
できる。
ことにより、記録特性の優れた磁気ヘッドを得ることが
できる。
以下に本発明の一実施例を挙げ９図表を参照しながらさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
［実施例１］
積層磁性薄膜の作製にはデュアル・イオンビーム・スパ
ッタリング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件
で行った。
ッタリング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件
で行った。
イオンガス ・・・・・・Ａｒ装装置内
方ガス圧力 ・・・・・・２．５ Ｘ １０−″２Ｐａ
蒸着用イオンガン加速電圧 ・・・・・・１２００Ｖ蒸
着用イオンガンイオン電流 ・・・・・・１２０ｍＡタ
ーゲット電流 ・・・・・・７０ｍＡ基
板照射用イオンガン加速電圧・・・・・・２００Ｖ基板
照射用イオンガンイオン電流・・・・・・４０ｍＡター
ゲット・基板間距離 ・・・・・・１２７ｒｎｍ本
実験に用いたデュアル・イオンビーム・スパッタリング
装置は、スパッタリング中にターゲットホルダーを反転
することにより、積層膜を作製することができる。
方ガス圧力 ・・・・・・２．５ Ｘ １０−″２Ｐａ
蒸着用イオンガン加速電圧 ・・・・・・１２００Ｖ蒸
着用イオンガンイオン電流 ・・・・・・１２０ｍＡタ
ーゲット電流 ・・・・・・７０ｍＡ基
板照射用イオンガン加速電圧・・・・・・２００Ｖ基板
照射用イオンガンイオン電流・・・・・・４０ｍＡター
ゲット・基板間距離 ・・・・・・１２７ｒｎｍ本
実験に用いたデュアル・イオンビーム・スパッタリング
装置は、スパッタリング中にターゲットホルダーを反転
することにより、積層膜を作製することができる。
このようにして作製した積層磁性薄膜の断面図を第１図
に示す。本実施例では主磁性＠１１としてＦｅ薄膜、中
皿層１２としてＢ、Ｃ，ＢＮ。
に示す。本実施例では主磁性＠１１としてＦｅ薄膜、中
皿層１２としてＢ、Ｃ，ＢＮ。
ＳｉＣならびに従来例のＳ ｉ０２．ＡＱｘＯｓ、基板
１３としてコーニング社１１１７０５９ガラス基板を用
いた。また主磁性膜１１の層数を５層、１層当りの膜厚
を９５０人、中間Ｍ！Ｊ１２の膜厚を５０人、積層磁性
薄膜の総膜厚を約５０００人一定とした。
１３としてコーニング社１１１７０５９ガラス基板を用
いた。また主磁性膜１１の層数を５層、１層当りの膜厚
を９５０人、中間Ｍ！Ｊ１２の膜厚を５０人、積層磁性
薄膜の総膜厚を約５０００人一定とした。
本発明の積層磁性薄膜の中間層材料と磁化困難方向の保
磁力、飽和磁束密度との関係を第１表に示す、また同表
には中間層なし、すなわちＦ” ｅｌｌｊ層膜の特性も
示しである。
磁力、飽和磁束密度との関係を第１表に示す、また同表
には中間層なし、すなわちＦ” ｅｌｌｊ層膜の特性も
示しである。
第１表
第１表に示すごとく、Ｆｅ＠膜をｔｌ、Ｃ，ＢＮ。
ＳｉＣを介して積層膜とすると、保磁力が減少し、１０
０ｅ以下となる。これらの保磁力は中間層として５ｉＯ
１，ＡΩｓｏｎを用いた場合よりも小さい、また中間層
としてＳ ｉ Ｏｘ、 Ａ Ｍ’１０ｇを用いた積層磁
性薄膜は飽和磁束密度が大幅に低下し、１．９５Ｔ以下
となっている。これはこれらの酸化物が多孔質であり、
そのためこれらの直上に蒸着したｐｅＷＩＷＩＡも空孔
などの欠陥を多く含むためと考えられる。これに対して
Ｂ、Ｃ，ＢＮ、ＳｉＣを中間層として用いると飽和磁束
密度は比較的高く、２Ｔ程度となる。これはＦｅとＢ、
Ｃ，ＢＮ。
０ｅ以下となる。これらの保磁力は中間層として５ｉＯ
１，ＡΩｓｏｎを用いた場合よりも小さい、また中間層
としてＳ ｉ Ｏｘ、 Ａ Ｍ’１０ｇを用いた積層磁
性薄膜は飽和磁束密度が大幅に低下し、１．９５Ｔ以下
となっている。これはこれらの酸化物が多孔質であり、
そのためこれらの直上に蒸着したｐｅＷＩＷＩＡも空孔
などの欠陥を多く含むためと考えられる。これに対して
Ｂ、Ｃ，ＢＮ、ＳｉＣを中間層として用いると飽和磁束
密度は比較的高く、２Ｔ程度となる。これはＦｅとＢ、
Ｃ，ＢＮ。
ＳｉＣの界面のエネルギーが低く、Ｆｅ薄膜とこれらの
非磁性物質が密着し、欠陥が生じにくいためと考えられ
る。
非磁性物質が密着し、欠陥が生じにくいためと考えられ
る。
以上述べたように、Ｆθ薄膜をＢ、Ｃ，ＢＮ。
ＳｉＣを介して積層構造とすることにより、低保磁力の
特性が得られる。また上記以外のＢ、Ｃ。
特性が得られる。また上記以外のＢ、Ｃ。
Ｎ、Ｓｉの群より選ばれる少なくとも１種以上の元素で
構成される非磁性物質を用いてもよい。
構成される非磁性物質を用いてもよい。
さらに本発明の積層磁性薄膜に対し、熱処理を行うとさ
らに保磁力を低減させることができる。
らに保磁力を低減させることができる。
−例を挙げると１例えば中間層としてＣを用いた積層磁
性薄膜に対し、３００℃、１時間の熱処理を行うことに
より、保磁力２．１０ａ 、５ＭＨｚでの比透磁率７
００の特性を得た。
性薄膜に対し、３００℃、１時間の熱処理を行うことに
より、保磁力２．１０ａ 、５ＭＨｚでの比透磁率７
００の特性を得た。
［実施例２］
実施例１と同様の方法でＦｅ−１２ａｔ％Ｓｉ。
Ｆｅ−１，５ａｔ％Ｎｉ、Ｆｅ−２．Ｏａｔ％Ｖ。
Ｆａ−１，７ａｔ％Ｃｒ 、 Ｆ ａ−１、３ａ ｔ
％ｐｔ。
％ｐｔ。
合金をＣを介して５層膜とした。主磁性膜と磁化困難方
法の保磁力との関係を第２表に示す、また同表には中間
層なしの単層膜の保磁力も示しである。
法の保磁力との関係を第２表に示す、また同表には中間
層なしの単層膜の保磁力も示しである。
第２表
第２表に示すごとく、Ｆｅ系合金をＣを介して積層化す
ることにより保磁力が減少する。また。
ることにより保磁力が減少する。また。
主磁性膜の材料を第２表以外のＦｅ系合金としても、Ｃ
中間層を用いた積層化により保磁力が減少する。さらに
中間層材料としてＢ、Ｃ，、Ｎ、Ｓｉの群より選ばれる
少なくとも１種以上の元素より構成される非磁性物質を
用いても積層化の効果により保磁力が減少する。
中間層を用いた積層化により保磁力が減少する。さらに
中間層材料としてＢ、Ｃ，、Ｎ、Ｓｉの群より選ばれる
少なくとも１種以上の元素より構成される非磁性物質を
用いても積層化の効果により保磁力が減少する。
また本発明の積層磁性薄膜を熱処理することにより、保
磁力をさらに低減することが可能である。
磁力をさらに低減することが可能である。
例えば、Ｆ−１２ａｔ％Ｓｉ台金とＣ中間層を用いた積
層磁性薄膜に対し、３００℃、１時間の熱処理を行うと
保磁力１．２０ｅ 、５ＭＨｚでの比透磁率１３００
の特性が得られた。
層磁性薄膜に対し、３００℃、１時間の熱処理を行うと
保磁力１．２０ｅ 、５ＭＨｚでの比透磁率１３００
の特性が得られた。
［実施例３］
実施例１と同じスパッタリング条件でＦｅ−１，５ａｔ
％Ｎｉ 合金を主磁性膜とし、Ｃを中間層として用いた
積層磁性薄膜を作製した。Ｃ中間層は一層当り２５人、
積層磁性薄膜の総膜厚は５０００人一定とし、積層構造
の周期を変化した。
％Ｎｉ 合金を主磁性膜とし、Ｃを中間層として用いた
積層磁性薄膜を作製した。Ｃ中間層は一層当り２５人、
積層磁性薄膜の総膜厚は５０００人一定とし、積層構造
の周期を変化した。
実験結果を第２図に示す、同図において周期が５０００
人の場合は、中間層を介さない単層膜を示す。
人の場合は、中間層を介さない単層膜を示す。
同図の保磁力の周期依存性２１に示すように、周期を短
かくするに従い、保磁力が減少する。また、周期２５０
０Å以下の時、保磁力が比較的小さい、従って、積層構
造の周期は２５００Å以下が好ましい、但し、磁性薄膜
を製造する容易さの面から、周期は長い方が好ましく、
これらの点を考慮すると積層構造の周期は５００人より
長く。
かくするに従い、保磁力が減少する。また、周期２５０
０Å以下の時、保磁力が比較的小さい、従って、積層構
造の周期は２５００Å以下が好ましい、但し、磁性薄膜
を製造する容易さの面から、周期は長い方が好ましく、
これらの点を考慮すると積層構造の周期は５００人より
長く。
２５００Å以下であることが好ましいと考えられる。ま
た積層磁性薄膜の総膜厚を５０００〜２００００人と変
化した場合にも、積層構造の１周期の厚さを５００人よ
り大きく、２５００Å以下とすることにより、優れた軟
磁気特性が得られることがわかった。
た積層磁性薄膜の総膜厚を５０００〜２００００人と変
化した場合にも、積層構造の１周期の厚さを５００人よ
り大きく、２５００Å以下とすることにより、優れた軟
磁気特性が得られることがわかった。
また主磁性膜としてＦｅ−Ｎｉ系合金以外の種種のＦｅ
系合金、中間層としてＢ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉより構成される
種々の非磁性物質用いても、保磁力の積層周期依存性は
上述の結果とほぼ同様であった。
系合金、中間層としてＢ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉより構成される
種々の非磁性物質用いても、保磁力の積層周期依存性は
上述の結果とほぼ同様であった。
［実施例４］
実施例１と同じスパッタリング条件で、Ｆｅ−１，５ａ
ｔ％Ｎｉ 合金を主磁性膜とし、Ｃを中間層として用い
た積層磁性薄膜を作製した。積層磁性薄膜の総膜厚を５
０００人、主磁性膜の層数を５層（周期１０００人）一
定とし、Ｃ中間層の１層当りの膜厚を変化した。第３図
にＣ中間層膜厚と磁化困難方向の保磁力との関係を示す
。同図において、Ｃ中間層膜厚が０人の場合は、中間層
を介さない単層膜を示す、同図の保磁力の中間層膜厚依
存性３１のように、Ｃ中間層の膜厚が２〜５０人の範囲
で比較的保磁力が小さい。Ｃ中間層膜厚が７０Å以上に
なると保磁力が大きくなる。
ｔ％Ｎｉ 合金を主磁性膜とし、Ｃを中間層として用い
た積層磁性薄膜を作製した。積層磁性薄膜の総膜厚を５
０００人、主磁性膜の層数を５層（周期１０００人）一
定とし、Ｃ中間層の１層当りの膜厚を変化した。第３図
にＣ中間層膜厚と磁化困難方向の保磁力との関係を示す
。同図において、Ｃ中間層膜厚が０人の場合は、中間層
を介さない単層膜を示す、同図の保磁力の中間層膜厚依
存性３１のように、Ｃ中間層の膜厚が２〜５０人の範囲
で比較的保磁力が小さい。Ｃ中間層膜厚が７０Å以上に
なると保磁力が大きくなる。
これは中間層をはさんだ２層のＦｅ膜の磁気的相互作用
が断ち切られているためと思われる。またＣ中間層膜厚
を必要以上に厚くすると、積層磁性薄膜全体の飽和磁束
密度が低下する。このため、Ｃ中間層膜厚は５０Å以下
とすることが好ましい。
が断ち切られているためと思われる。またＣ中間層膜厚
を必要以上に厚くすると、積層磁性薄膜全体の飽和磁束
密度が低下する。このため、Ｃ中間層膜厚は５０Å以下
とすることが好ましい。
また主磁性膜としてＦａ−Ｎｉ系合金以外の種種のＦｅ
系合金、中間層としてＢ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉより構成される
種々の非磁性物質を用いても、保磁力の中間層膜厚依存
性は上述の結果とほぼ同様であった。
系合金、中間層としてＢ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉより構成される
種々の非磁性物質を用いても、保磁力の中間層膜厚依存
性は上述の結果とほぼ同様であった。
［実施例５］
実施例１と同様のスパッタリング条件で、Ｆｅ−Ｖ−Ｃ
系合金薄膜を主磁性膜とし、Ｃを中間層として用いた積
層磁性薄膜を作製した。総膜厚は５０００人、主磁性膜
の層数は５層（周期１０００人）、中間層膜厚は５０人
とした。またＦｅ系合金のＶ濃度を２ａｔ％一定とし、
Ｃｍ度を０〜３０ａｔ％の範囲で変化した。
系合金薄膜を主磁性膜とし、Ｃを中間層として用いた積
層磁性薄膜を作製した。総膜厚は５０００人、主磁性膜
の層数は５層（周期１０００人）、中間層膜厚は５０人
とした。またＦｅ系合金のＶ濃度を２ａｔ％一定とし、
Ｃｍ度を０〜３０ａｔ％の範囲で変化した。
磁化困難方向の保磁力とＣ濃度との関係を第４図に示す
、同図に示すようにＣを１ａ″ｔ％未満添加しても保磁
力はほとんど変化しない、これに対し、Ｃをｌａｔ％以
上添加すると保磁力は大幅に減少する。しかしＣを２０
ａｔ％より多く添加すると膜が基板よりはく離した。こ
れはＣがＦｅに侵入型で固溶するため、Ｃの量が多いと
膜中の内部応力が大きくなり、はく離すると考えられる
。
、同図に示すようにＣを１ａ″ｔ％未満添加しても保磁
力はほとんど変化しない、これに対し、Ｃをｌａｔ％以
上添加すると保磁力は大幅に減少する。しかしＣを２０
ａｔ％より多く添加すると膜が基板よりはく離した。こ
れはＣがＦｅに侵入型で固溶するため、Ｃの量が多いと
膜中の内部応力が大きくなり、はく離すると考えられる
。
上述の結果より．Ｆｅ−Ｖ系合金薄膜をＣ薄膜を介して
積層化した磁性膜において、Ｆ ｅ −Ｖ系合金にＣを
１〜２０ａｔ％添加するとさらに小さい保磁力が得られ
ることがわかった。またＣ添加により比透磁率も高くな
った。
積層化した磁性膜において、Ｆ ｅ −Ｖ系合金にＣを
１〜２０ａｔ％添加するとさらに小さい保磁力が得られ
ることがわかった。またＣ添加により比透磁率も高くな
った。
また主磁性膜がＦｅ、あるいはＦｅ−Ｖ基以外のＦ ｅ
系合金でもＣ添加により軟磁気特性が向上する。またこ
の場合、中間層はＢ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉより構成される種々
の非磁性物質でもよい。
系合金でもＣ添加により軟磁気特性が向上する。またこ
の場合、中間層はＢ、Ｃ，Ｎ、Ｓｉより構成される種々
の非磁性物質でもよい。
［実施例６コ
本発明のＦｅ−１，５ａｔ％Ｎｉ−５，５ａｔ％Ｃ合金
薄展をＣを介して３層積層した磁性薄膜（膜厚０．１８
μｍ）ないし従来の実用材料であるパーマロイ（Ｎｉ−
１９，８ａｔ％Ｆｅ）合金薄膜（膜厚０．１８μｍ）を
用いて第５図に示す構造の垂直磁気記録用単磁極型磁気
ヘッド７１を作製した。この磁気ヘッド７１の作製工程
を以下に述べる。
薄展をＣを介して３層積層した磁性薄膜（膜厚０．１８
μｍ）ないし従来の実用材料であるパーマロイ（Ｎｉ−
１９，８ａｔ％Ｆｅ）合金薄膜（膜厚０．１８μｍ）を
用いて第５図に示す構造の垂直磁気記録用単磁極型磁気
ヘッド７１を作製した。この磁気ヘッド７１の作製工程
を以下に述べる。
第５図（ａ）に示すＭ ｎ −Ｚ ｎフェライ゛トロ１
および高融点ガラス６２からなる基板６３を用い、その
表面に第５図（ｂ）に示すように上記磁性薄膜６４をイ
オンビームスパッタリング法で作製した。さらにこの上
に接着用ｐｂ系ガラス膜をイオンビームスパッタリング
法により形成し、第５図（ａ）に示す基板６３を重ね合
わせて４５０℃で３０分間加熱し、上記ｐｂ系ガラス膜
を溶融固着させ、第５図（ｏ）に示す主磁極ブロック６
５を作製した。そして第５図（ｄ）に示すＭ ｎ −Ｚ
ｎフェライト６６および高融点ガラス６７からなる補
助コアブロック６８を用意し、接合面７０に上記と同様
の接着用ｐｂ系ガラス膜を形成した後。
および高融点ガラス６２からなる基板６３を用い、その
表面に第５図（ｂ）に示すように上記磁性薄膜６４をイ
オンビームスパッタリング法で作製した。さらにこの上
に接着用ｐｂ系ガラス膜をイオンビームスパッタリング
法により形成し、第５図（ａ）に示す基板６３を重ね合
わせて４５０℃で３０分間加熱し、上記ｐｂ系ガラス膜
を溶融固着させ、第５図（ｏ）に示す主磁極ブロック６
５を作製した。そして第５図（ｄ）に示すＭ ｎ −Ｚ
ｎフェライト６６および高融点ガラス６７からなる補
助コアブロック６８を用意し、接合面７０に上記と同様
の接着用ｐｂ系ガラス膜を形成した後。
主磁極ブロック６５を補助コアブロック５８の接合面に
よって挟み、４５０℃で３０分間加熱することにより、
上記ｐｂ系ガラス膜を溶融固着させ、 て接合ブロック
６９を作製した０次に第５図（ｄ）に示す２点鎖線部を
切断し、第５図（６）に示す垂直磁気記録用単磁極型ヘ
ッド７１を得た。
よって挟み、４５０℃で３０分間加熱することにより、
上記ｐｂ系ガラス膜を溶融固着させ、 て接合ブロック
６９を作製した０次に第５図（ｄ）に示す２点鎖線部を
切断し、第５図（６）に示す垂直磁気記録用単磁極型ヘ
ッド７１を得た。
上述の工程によって作製した本発明の積層磁性薄膜を用
いたヘッドおよびパーマロイ薄膜を用いたヘッドの記録
特性をＧｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体を用いて測定した。
いたヘッドおよびパーマロイ薄膜を用いたヘッドの記録
特性をＧｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体を用いて測定した。
再生ヘッドにはノ七−マロイ薄膜を有するヘッドを用い
た。そあ結果、本発明の積層磁性薄膜を用いたヘッドは
、従来の実用材料であるパーマロイ合金薄膜を用いたヘ
ッドと比較して約４ｄＢ高い出力を示した。このように
本発明の積層磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは優れた記録
特性を有することが明らかとなった。
た。そあ結果、本発明の積層磁性薄膜を用いたヘッドは
、従来の実用材料であるパーマロイ合金薄膜を用いたヘ
ッドと比較して約４ｄＢ高い出力を示した。このように
本発明の積層磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは優れた記録
特性を有することが明らかとなった。
また中間層のＣを電気抵抗率の高い非晶質、あるいはダ
イヤモンドライクとすることにより、うず電流を防止し
、高周波特性の優れた磁気ヘッドを得ることもできる。
イヤモンドライクとすることにより、うず電流を防止し
、高周波特性の優れた磁気ヘッドを得ることもできる。
以上詳細に説明したごとく、Ｆｅ＠ｆ４あるいはＦｅを
主成分とする合金薄膜を、Ｂ、Ｃ，Ｎ。
主成分とする合金薄膜を、Ｂ、Ｃ，Ｎ。
Ｓｉの群より選ばれる少なくとも１種以上の元素で構成
される非磁性物質を介して積層することにより、低保磁
力、高透磁率、高飽和磁束密度を有する積層磁性ａｍが
得られる。また積層構造の１周期の厚さを５００人より
長く、２５００Å以下とすることにより、作製が容易な
軟磁気特性の優れた積層磁性薄膜が得られる。また上記
層間に介在せしめる非磁性物質の厚さを２〜５０人の範
囲とすると、さらに軟磁気特性が向上する。またさらに
Ｆｅ＊ＪＩＩあるいはＦｅ主成分とする合金薄膜にＣを
１〜２０ａｔ％添加することにより、さらに軟磁気特性
が向上する。また上記ｆＪ層磁性薄膜を磁気ヘッドの磁
気回路に用いた本発明の磁気ヘッドは優れた記録特性を
有する。
される非磁性物質を介して積層することにより、低保磁
力、高透磁率、高飽和磁束密度を有する積層磁性ａｍが
得られる。また積層構造の１周期の厚さを５００人より
長く、２５００Å以下とすることにより、作製が容易な
軟磁気特性の優れた積層磁性薄膜が得られる。また上記
層間に介在せしめる非磁性物質の厚さを２〜５０人の範
囲とすると、さらに軟磁気特性が向上する。またさらに
Ｆｅ＊ＪＩＩあるいはＦｅ主成分とする合金薄膜にＣを
１〜２０ａｔ％添加することにより、さらに軟磁気特性
が向上する。また上記ｆＪ層磁性薄膜を磁気ヘッドの磁
気回路に用いた本発明の磁気ヘッドは優れた記録特性を
有する。
第１図は本発明の積層磁性薄膜の断面図、第２図は本発
明の実施例３におけるＦａ−Ｎｉ系合金にＣを介して積
層化した磁性膜の保磁力と周期との関係を示すグラフ、
第３図は本発明の実施例４におけるＦｅ−Ｎｉ系合金に
Ｃを介して積層化した磁性膜の保磁力とｃｇ厚との関係
を示すグラフ。 第４図は本発明の実施例５におけるＦ ａ −Ｖ −Ｃ
系合金にＣを介して積層化を行った磁性膜の保磁力とＣ
濃度との関係を示すグラフ、第５図は本発明の実施例６
における垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの作製工程
を示す斜視図である。 １１・・・主磁性膜、１２・・・中間層、１３・・・基
板。 ２１・・・保磁力の周期依存性、３１・・・保磁力の中
間層膜厚依存性、４１・・・保磁力のＣ濃度依存性。 ６１．６６−Ｍｎ−Ｚｎフェライト、６２．６７・・・
高融点ガラス、６３・・・基板、６４・・・磁性薄膜、
６５・・・主磁極ブロック、６８・・・補助コアブロッ
ク、６９・・・接合ブロック、７０・・・接合面、７１
・・・垂直第 ！ 巴 第 ２ 固 ０ １０００ ２θｌ）ＯＪθｏ ４にｏ５
ρ００ｎ層槽透め局側＜Ａ＞ 第 ３ 凹 ｖＪ４［！１ ｃｐｓ康（社％）
明の実施例３におけるＦａ−Ｎｉ系合金にＣを介して積
層化した磁性膜の保磁力と周期との関係を示すグラフ、
第３図は本発明の実施例４におけるＦｅ−Ｎｉ系合金に
Ｃを介して積層化した磁性膜の保磁力とｃｇ厚との関係
を示すグラフ。 第４図は本発明の実施例５におけるＦ ａ −Ｖ −Ｃ
系合金にＣを介して積層化を行った磁性膜の保磁力とＣ
濃度との関係を示すグラフ、第５図は本発明の実施例６
における垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの作製工程
を示す斜視図である。 １１・・・主磁性膜、１２・・・中間層、１３・・・基
板。 ２１・・・保磁力の周期依存性、３１・・・保磁力の中
間層膜厚依存性、４１・・・保磁力のＣ濃度依存性。 ６１．６６−Ｍｎ−Ｚｎフェライト、６２．６７・・・
高融点ガラス、６３・・・基板、６４・・・磁性薄膜、
６５・・・主磁極ブロック、６８・・・補助コアブロッ
ク、６９・・・接合ブロック、７０・・・接合面、７１
・・・垂直第 ！ 巴 第 ２ 固 ０ １０００ ２θｌ）ＯＪθｏ ４にｏ５
ρ００ｎ層槽透め局側＜Ａ＞ 第 ３ 凹 ｖＪ４［！１ ｃｐｓ康（社％）
Claims (5)
- １．Ｆｅ薄膜あるいはＦｅを主成分とする合金薄膜を、
Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｓｉの群より選ばれる少なくとも１種以上
の元素で構成される非磁性物質を介して積層構造とした
ことを特徴とする積層磁性薄膜。 - ２．積層構造の１周期の厚さが５００Åより大きく、２
５００Å以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の積層磁性薄膜。 - ３．Ｆｅ薄膜あるいはＦｅを主成分とする合金薄膜を、
Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｓｉの群より選ばれる少なくとも１種以上
の元素で構成される非磁性物質を介して積層構造とした
磁性薄膜において、上記非磁性物質の１層当りの厚さが
２〜５０Åであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第２項に記載の積層磁性薄膜。 - ４．Ｆｅを主成分とする合金薄膜がＣを１〜２０原子％
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
項に記載の積層磁性薄膜。 - ５．磁性薄膜を磁気回路の少なくとも一部に用いる磁気
ヘッドにおいて、上記磁性薄膜はＦｅ薄膜あるいはＦｅ
を主成分とする合金薄膜に、Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｓｉの群より
選ばれる少なくとも１種以上の元素で構成される非磁性
物質を介した積層磁性薄膜であることを特徴とする磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283252A JP2568592B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 積層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283252A JP2568592B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 積層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125909A true JPH01125909A (ja) | 1989-05-18 |
| JP2568592B2 JP2568592B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17663050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283252A Expired - Fee Related JP2568592B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 積層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568592B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300504A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性多層膜 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG91343A1 (en) | 2000-07-19 | 2002-09-17 | Toshiba Kk | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62283252A patent/JP2568592B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPH01300504A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性多層膜 |
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| JP2568592B2 (ja) | 1997-01-08 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |