JPS5895861A - 積層構造を有する半導体装置 - Google Patents
積層構造を有する半導体装置Info
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- JPS5895861A JPS5895861A JP56194714A JP19471481A JPS5895861A JP S5895861 A JPS5895861 A JP S5895861A JP 56194714 A JP56194714 A JP 56194714A JP 19471481 A JP19471481 A JP 19471481A JP S5895861 A JPS5895861 A JP S5895861A
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- Japan
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- photocoupler
- semiconductor device
- single crystal
- laminated structure
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、積層構造を有する半導体装置に関するもの
である。
である。
この発明は、積層構造を有する半導体装置において、層
間の信号伝達をフォトカブラを用いて行うことによって
、層間の配線を省略した半導体装置を提供することを目
的としている。
間の信号伝達をフォトカブラを用いて行うことによって
、層間の配線を省略した半導体装置を提供することを目
的としている。
以下、この発明の一実施例を示す第１図について説明す
る。
る。
図において、単結晶シリコン基板（１）上に、回路を構
成する半導体素子とともに、不純物拡散によりフォトカ
ブラ（４ａ）が形成されておシ、この上に酸化によって
形成さｎ、エツチングによってスルー・ホールの−けら
ｎた酸化膜（２）が形成される。
成する半導体素子とともに、不純物拡散によりフォトカ
ブラ（４ａ）が形成されておシ、この上に酸化によって
形成さｎ、エツチングによってスルー・ホールの−けら
ｎた酸化膜（２）が形成される。
この上に、デポジットされてレーザーアニール等により
単結晶化されたシリコン層に、回路を構成する半導体素
子とともに不純物拡散により、フォトカブラ（４ａ）と
対向するフォトカブラ（４ｂ）が形成されている。
単結晶化されたシリコン層に、回路を構成する半導体素
子とともに不純物拡散により、フォトカブラ（４ａ）と
対向するフォトカブラ（４ｂ）が形成されている。
第２図は、第１図で示した構造と同様の工程で形成さｎ
るが、酸化膜のエツチングは行わない。
るが、酸化膜のエツチングは行わない。
第１図において、第１層目（１）と第２胴目（３）の間
で信号の伝達を行う場合、第１層目に形成されたフォト
カブラ（４ａ）と第２層目に形成されたフォトカブラ（
４ｂ）の間でスルー・ホール（５）を通過する光による
信号伝達が行われる。
で信号の伝達を行う場合、第１層目に形成されたフォト
カブラ（４ａ）と第２層目に形成されたフォトカブラ（
４ｂ）の間でスルー・ホール（５）を通過する光による
信号伝達が行われる。
また、伝達に用いる光の波長を適当に選べは、スルー・
ホールのない第２図の場合でも同様の信号伝達を行うこ
とができる。
ホールのない第２図の場合でも同様の信号伝達を行うこ
とができる。
以上のように、層間の信号伝達をフォト・カプラーを用
いて行うことにより、層間の配線を省略することができ
る。また、層間配線材料として、以後の熱処理の自由度
が増すという効果がある。
いて行うことにより、層間の配線を省略することができ
る。また、層間配線材料として、以後の熱処理の自由度
が増すという効果がある。
また、第２図の例のようにすれば、スルー・ホールをも
省略することができる。
省略することができる。
第１図及び第２図は、本発明の一実施例を示す図である
。 （１）は単結晶シリコン基板、（２）は絶縁膜（二酸化
シリコン） 、（３）は第２胸目の単結晶シリコン、（
４ａ）は第１層目に形成されたフォトカプラー、（４ｂ
）は第２層目に形成さ１１ （４ａ）と対向するフォト
カプラー、（５）はスルー・ホールである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図
。 （１）は単結晶シリコン基板、（２）は絶縁膜（二酸化
シリコン） 、（３）は第２胸目の単結晶シリコン、（
４ａ）は第１層目に形成されたフォトカプラー、（４ｂ
）は第２層目に形成さ１１ （４ａ）と対向するフォト
カプラー、（５）はスルー・ホールである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図
Claims (1)
- 層間の信号伝達にフォトカブラを用いることを特徴とす
る槓Ｎ１１′ＷＪ造を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194714A JPS5895861A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 積層構造を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194714A JPS5895861A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 積層構造を有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895861A true JPS5895861A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16329022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56194714A Pending JPS5895861A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 積層構造を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895861A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56194714A patent/JPS5895861A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
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