JPS5892256A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5892256A JPS5892256A JP56191149A JP19114981A JPS5892256A JP S5892256 A JPS5892256 A JP S5892256A JP 56191149 A JP56191149 A JP 56191149A JP 19114981 A JP19114981 A JP 19114981A JP S5892256 A JPS5892256 A JP S5892256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- diode
- semiconductor layer
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000010365 information processing Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は絶縁膜で分離された半導体層を多層に積み上
げて形成さ口る半導体装置における半導体層間の信号の
授受に１するものである。
げて形成さ口る半導体装置における半導体層間の信号の
授受に１するものである。
従来この種の装置としては第１図に示すものがあった。
図において、（１）は第１の半導体層、（２）は館２の
半導体層、（３）と（５）はこの半導体層間を絶縁する
絶縁膜である。第１と第２の半導体層間の信号の授受は
、絶縁膜（３）と（５ンに部分的にあけられたコンタク
ト（４）を通じて行われる。
半導体層、（３）と（５）はこの半導体層間を絶縁する
絶縁膜である。第１と第２の半導体層間の信号の授受は
、絶縁膜（３）と（５ンに部分的にあけられたコンタク
ト（４）を通じて行われる。
次に従来の装置の製作方法について第２図によシ説明す
る。第２図（ａ）に示すように、先ず、第１の半導体層
（１）に能動素子を含む集積回路が通常の半導体製造プ
ロセスで形成される。こｎを第２図（ｂ）の（３）で示
される絶縁膜でおおった後、第２図（ｃ）に示すように
、通常の写真製版工程を経てコンタクトホール（４）を
形成する。この後第２の半導体層（２）を形成するが、
これは、通常低温ＣＶＤ法により形成される多結晶半導
体層であるため、レーザー等のエネルギー線で単結晶化
さｎる工程が追加される。第１と第２の半導体層間の信
号の授受は、コンタクトホール（４）によって第１と第
２の半導体層を直接接触させるかまたはコンタクトホー
ル内に埋め込ま口た金鵬を介して行う。
る。第２図（ａ）に示すように、先ず、第１の半導体層
（１）に能動素子を含む集積回路が通常の半導体製造プ
ロセスで形成される。こｎを第２図（ｂ）の（３）で示
される絶縁膜でおおった後、第２図（ｃ）に示すように
、通常の写真製版工程を経てコンタクトホール（４）を
形成する。この後第２の半導体層（２）を形成するが、
これは、通常低温ＣＶＤ法により形成される多結晶半導
体層であるため、レーザー等のエネルギー線で単結晶化
さｎる工程が追加される。第１と第２の半導体層間の信
号の授受は、コンタクトホール（４）によって第１と第
２の半導体層を直接接触させるかまたはコンタクトホー
ル内に埋め込ま口た金鵬を介して行う。
このコンタクトホール形成にあたっては写真製版工程が
必聾でかつ厚い絶縁膜に穴をあけるために行われるエツ
チング工程によって下部の半導体層に形成さｎた素子動
作に悪影昏を与えることがアシ、また上層の半導体層に
とってはコンタクトを下部からとることになり、製造工
程が複雑になるばかシでなく、回路設計上も困難さを伴
う等の欠点があった。
必聾でかつ厚い絶縁膜に穴をあけるために行われるエツ
チング工程によって下部の半導体層に形成さｎた素子動
作に悪影昏を与えることがアシ、また上層の半導体層に
とってはコンタクトを下部からとることになり、製造工
程が複雑になるばかシでなく、回路設計上も困難さを伴
う等の欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、絶縁膜へのコンタクト工程をなく
し、能動素子を含む各半導体層間の信号の授受を光によ
って行うことで製造工程上の繁雑さと回路設計上の困難
さを除去することを目的とする。
めになされたもので、絶縁膜へのコンタクト工程をなく
し、能動素子を含む各半導体層間の信号の授受を光によ
って行うことで製造工程上の繁雑さと回路設計上の困難
さを除去することを目的とする。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第８図において、絶縁膜０υによって分離された下方部
分は通常の二層ポリシリコンプロセスの半導体メモリー
を示す。基板はシリコン（２）、活性領域は酸化腺峙に
よって分離されておシ、導電層は下方からシリコン基板
の導電型とは異なる導電型を有する拡散層■、第１？リ
シリコン層（至）、第２ポリシリコン層（至）より形成
されている。さらにこの半導体メモリーの周辺部にはダ
イオード（ロ）が形成さｎている。この半導体メモリー
と絶縁膜Ｃ１ηを介し、上方の半導体層（７）には固体
の撮像素子、その情報処理を行うマイクロコンピュータ
領域及びそｎらの周辺には下方の受光ダイオード（ロ）
に対向して発光ダイオード（２）が形成されており情報
処理された撮像素子による信号を発光ダイオード（２）
及び受光ダイオード（ロ）を介して下方の半導体メモリ
ーへと送る構成になっている。
分は通常の二層ポリシリコンプロセスの半導体メモリー
を示す。基板はシリコン（２）、活性領域は酸化腺峙に
よって分離されておシ、導電層は下方からシリコン基板
の導電型とは異なる導電型を有する拡散層■、第１？リ
シリコン層（至）、第２ポリシリコン層（至）より形成
されている。さらにこの半導体メモリーの周辺部にはダ
イオード（ロ）が形成さｎている。この半導体メモリー
と絶縁膜Ｃ１ηを介し、上方の半導体層（７）には固体
の撮像素子、その情報処理を行うマイクロコンピュータ
領域及びそｎらの周辺には下方の受光ダイオード（ロ）
に対向して発光ダイオード（２）が形成されており情報
処理された撮像素子による信号を発光ダイオード（２）
及び受光ダイオード（ロ）を介して下方の半導体メモリ
ーへと送る構成になっている。
以上のように、この発明によｎば、能動素子の上層に能
動素子を積み上けて積層構造の三次元回路素子を形成す
るにあたり、各層間での信号の授受にスルーホール等の
技術を用いたコンタクトを用いず、発光素子と受光素子
を対向させて信号を授受するようにしたのでプロセスが
簡単になり、安価で信頼性の高いものが得られる効果が
ある。
動素子を積み上けて積層構造の三次元回路素子を形成す
るにあたり、各層間での信号の授受にスルーホール等の
技術を用いたコンタクトを用いず、発光素子と受光素子
を対向させて信号を授受するようにしたのでプロセスが
簡単になり、安価で信頼性の高いものが得られる効果が
ある。
第１図は従来の積層構造半導体装置の断面図、第２図は
従来の積層構造半導体装置の製造工程を示す工程別断面
図、第８図はこの発明の一実施例の半導体装置を示す断
面図である。 内申、（１）はシリコン基板、（２）は上層の半導体層
、（３）は絶縁層、（４）はコンタクトホール、（５）
は平担化の目的をもって形成された絶線層、３つは熱酸
化膜、（イ）はポリシリコンゲート、鱒は拡散層、Ｃ１
１ｌ絶縁層、（２）はシリコン基板、（至）は分離用酸
化膜、■をよ拡散層、（至）は第１ポリシリコンゲート
、ｇ４１よ第２ポリシリコンゲート、（ロ）は受光用ダ
イオード、（至）は上部に積まｎた半導体層、■は発光
ダイオードである。 代理人 葛 野 信 − 第２図 第３図
従来の積層構造半導体装置の製造工程を示す工程別断面
図、第８図はこの発明の一実施例の半導体装置を示す断
面図である。 内申、（１）はシリコン基板、（２）は上層の半導体層
、（３）は絶縁層、（４）はコンタクトホール、（５）
は平担化の目的をもって形成された絶線層、３つは熱酸
化膜、（イ）はポリシリコンゲート、鱒は拡散層、Ｃ１
１ｌ絶縁層、（２）はシリコン基板、（至）は分離用酸
化膜、■をよ拡散層、（至）は第１ポリシリコンゲート
、ｇ４１よ第２ポリシリコンゲート、（ロ）は受光用ダ
イオード、（至）は上部に積まｎた半導体層、■は発光
ダイオードである。 代理人 葛 野 信 − 第２図 第３図
Claims (1)
- 絶縁膜によって、電気的に完全に分離された能動素子を
含む半導体層を二層以上有し、各々の半導体層相互の、
または、第１の半導体層から第２の半導体層の方向への
信号の授受を絶縁膜をはさんで設けられた発光素子と受
光素子を使用して行うことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191149A JPS5892256A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191149A JPS5892256A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892256A true JPS5892256A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16269707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191149A Pending JPS5892256A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466948A (en) * | 1994-10-11 | 1995-11-14 | John M. Baker | Monolithic silicon opto-coupler using enhanced silicon based LEDS |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56191149A patent/JPS5892256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466948A (en) * | 1994-10-11 | 1995-11-14 | John M. Baker | Monolithic silicon opto-coupler using enhanced silicon based LEDS |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2660300B2 (ja) | 集積回路チップの製造方法 | |
| JP2660299B2 (ja) | 複合ウェーハ型集積回路チップの製造方法 | |
| JP2001345436A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| CN112117373B (zh) | 热电堆传感器的制作方法 | |
| KR100541708B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| CN112117370B (zh) | 热电堆传感器的制作方法 | |
| CN112038476B (zh) | 热电堆传感器的制作方法 | |
| JP5629906B2 (ja) | 薄型基板上の画像センサのための接続パッド構造 | |
| JPS5892256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS607149A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2850558B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| US7144757B1 (en) | Circuit suitable for vertical integration and method of producing same | |
| JP5369196B2 (ja) | 赤外線撮像素子及びその製造方法 | |
| KR20070012919A (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JPS5837977A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07112052B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS607148A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2840488B2 (ja) | 半導体集積回路とその製造方法 | |
| JPH03142869A (ja) | 複合型半導体装置 | |
| JPH10308448A (ja) | 半導体デバイスの隔離膜及びその形成方法 | |
| JPH0396243A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5892255A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6240765A (ja) | 読み出し専用半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| JPS5892260A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09139478A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 |