JPS5894218A - フオトカツプラ - Google Patents

フオトカツプラ

Info

Publication number
JPS5894218A
JPS5894218A JP56192415A JP19241581A JPS5894218A JP S5894218 A JPS5894218 A JP S5894218A JP 56192415 A JP56192415 A JP 56192415A JP 19241581 A JP19241581 A JP 19241581A JP S5894218 A JPS5894218 A JP S5894218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
gate
photocoupler
transistor
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56192415A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Nishizawa
潤一 西澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Research Foundation
Original Assignee
Semiconductor Research Foundation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=16290936&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS5894218(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Semiconductor Research Foundation filed Critical Semiconductor Research Foundation
Priority to JP56192415A priority Critical patent/JPS5894218A/ja
Priority to PCT/JP1982/000456 priority patent/WO1983002039A1/ja
Priority to US06/519,779 priority patent/US4629901A/en
Priority to DE8282903475T priority patent/DE3278528D1/de
Priority to EP82903475A priority patent/EP0094972B1/en
Publication of JPS5894218A publication Critical patent/JPS5894218A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/1124—Devices with PN homojunction gate
    • H01L31/1126—Devices with PN homojunction gate the device being a field-effect phototransistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier formed in, or on, a common substrate

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ーザダイオード，伝送線路としての光ファイバ及び受光
素子としてのｐ　−　ｉ　−　ｎダイオード及びアバラ
ンシェフォトダイオードは，今日世界的にコストの低い
大容量通信ンステムとして開発され，大規模な実用化が
各所で推進されている。
従来のフォトカップラの受光素子であるｐ−ｉ　−　ｎ
　ｌイオード，アバランシエフォトダイオリスクは多く
の欠点を有している。
ｐ　−　ｉ　−　ｎダイオード，アバランシェフォトダ
イオードは，二端子素子であるために次段の素子とのフ
インレーション作用がないという欠点を有している。ｐ
−ｉ　−　ｎダイオードと７ハランシエフオトダイオー
ドは，空乏層に光を照射して動作させる為に比較的大き
な電圧を印加している。アバランシェフォトダイオード
は。
光により雪崩増倍をさせている為に非常に雑音が大きい
という重大な欠点を有している。
ハイポーラトランジスタを用いたフォトトランジスタは
利得が１００程度と小さく，ベース抵抗が大きいために
非常に低速であるという欠点を有している。
第１図（イ）、（口）は従来のフォトカップラの一例で
ある。
第１図（イ）は発光素子としてＧａＡｓの発光ダイオー
ド１，受光素子としてｐ−ｉ−ｎダイオード２を用いた
フォトカップラである。
イオードを収容する容器（外囲器）である。２はアバラ
ンノエフォトダイオードの場合もある。動作は入力信号
１１が発光ダイオード１に流れ、ｈ−という光が発生し
、２のｐ　−ｉ　−ｎフォトダイオードに■、という電
流が流れ、負荷抵抗ＲＬに出力信号が出てくる。比較的
大きなバイアス電源を必要とすることと、ダイオードが
二端子素子であるために９次段の回路との結合に工夫を
要する欠点がある。
第１図（ロ）はバイポーラトランジスタ４を受光素子と
した従来のフォトカップラである。発光ダイオードｌか
らの光ｈ＋はベースをフルーティングにしたバイポーラ
フォトトランジスタによって増幅される。バイポーラト
ランジスタはベース抵抗が大きく、動作速度が遅いとい
う欠点を有している。
このように従来のフォトカップラは、実用上大きな欠点
を有している。
本発明の目的は、静電誘導トランジスタ、静りにより受
光素子を形成することによ１ハ従来得られなかった高感
度、高速度、低電圧、低電流で動作するフォトカップラ
を提供することにある。
以下図面を参照して本発明を説明する。
第２図（イ）乃至（ハ）は２本発明のフォトカップラの
一実施例である。１１は信号光を発生する発光ダイオー
ド又はレーザダイオードであり、１３は受光素子として
のｎチャンネルの静電誘導トランジスタないしは電界効
果トランジスタで、　１４．１５．１６はそれぞれドレ
イン、ソース。
ゲート電極である。Ｖ（１＠　Ｉ　Ｖ（ＩＢはそれぞれ
ドレイハンース間電圧源、ゲート・ソース間電圧源であ
り、ＲＬは負荷抵抗である。又ＲＧはゲートに接続した
ゲート抵抗で０から可変できる抵抗である。１ｚはフォ
トカップラとして外光を遮断するための容器（外囲器）
である。第２図（イ）乃至（ハ）は受光素子としての静
電誘導トランジスタのゲート・ソース間をそれぞれフロ
ーティングた動作例を示している。静電誘導トランジス
タはゲート間隔、ゲートの厚み、チャンネルの不純物密
度を変化させることによって、ゲート電圧が００ときに
よく電流が流れゲート電圧を逆バイアスにしたときに電
流が流れにくくなるノーマリオン型の工〜■特性を有す
るものと、ゲート電圧が０のとぎＫは電流が流れないで
、ゲート電圧を順ノ・イアスにしたときに電流がよくな
いしは電界効果トランジスタであり、ｐチャノ不ルの静
電誘導トランジスタの場合には電源の極性を逆にすれば
良い。
静電誘導トランジスタが光に対して増幅する機構は、フ
ローテづングゲートの場合は、光がチャンネルに照射し
て電子、正孔対が生起し。
少数キャリアの正孔はゲートに集まりゲートが正に帯電
し、ゲート・ソース間の電位が下がり良に出力電圧Ｖｏ
ｕｔが生じる。順方向ノ・イアスの場合には、チャンネ
ルに照射された光により電子、正孔対が生起し、ゲート
・ソース間に電流が流れ、ゲート間のチャンネル領域（
真性ゲート領域）の電位が下がり、電子がソースからド
レインに流れることによって、負荷抵抗ＲＬに出力電圧
Ｖ　ｏ　ｕ　ｔが生じる。逆方向ノ・イアスの場合には
、チャンネルに照射された光により生起した電子、正孔
対のうち少数キャリアである正孔は買電゛位のゲートに
引き寄せられゲート・ソース間に電流が流れゲート抵抗
Ｒ６に電圧降下が生じゲートバイアスを浅くするように
なり、ソースよりトルインへよく電流が流れるようにな
り負荷抵抗ＲＬに出力電圧を生ずる。
第２図ビ）乃至（→におけるように静電誘導トランジス
タをフォトトランジスタにしたときには、バイポーラト
ランジスタのようにベース抵抗が大きくないので、非常
に高速、高感度なフォトカップラが得られる。
てきだが、ＭＩ　Ｓゲートのものでも良い。又静電誘導
トランジスタの構造は、埋込みゲート。
表面ゲート、切り込みゲート等で良いことはもちろんで
ある。Ｓｌの場合ゲートνンース、ドレイノの不純物密
度はおおよそ１０゛〜１０”ｃｍ−″・チャンネルの不
純物密度はおおよそ１×ｌＯ°ａｃ１１．−を以下とす
れば良い。
表面ゲート構造の静電誘導トランジスタを第２図（イ）
及び（ハ）の実施例、に従って測定をした結果、１０“
　以上の増幅度が得られ１本発明のフォトカップラは従
来のフォトカップラよりも十分に利得が大きいことが判
明した。
第３図は本発明の別の実施例で、ゲートが接合ゲートで
はなくＭＩＳゲート、構造の静電誘導トランジスタを受
光素子としたフォトカップラである。
２０はＭＩＳゲート構造の静電誘導トランジスタ＋２１
は発光素子で例えばＧａＡｓの発光ダイオード、　２２
．２３．２４はそれぞれドレイン２１、受光素子２０を
外光から遮断するための容器（外囲器）である。フォト
カップラとしての動作は第２図のものとほぼ同じである
。
第４図は受光素子と今静電誘導サイリスタとした本発明
の別の実施例である。
第４図（イ）はノーマリオフ型の静電誘導サイリスタ３
３と発光素子３１及び光を遮光する外囲器３２よりなる
フォトカップラである。３４はアノード、３５はカンー
ド、３６はゲート端子であり、アノード・カンード間に
ｖＡ３　　という電源と負荷抵抗ＲＬが接続され、ゲー
ト・カンード間にはゲート抵抗Ｒ０が接続されている。
光が照射されないときには、３３のサイリスタはノーマ
リオフであるので電流は流れな−い。光が照射され、ゲ
ート・カンード間に電流が流れ、Ｒｏに電圧降下が生じ
、ゲート・カンード間が導通状態になり７ノーＦ・カン
ード間に大きな電流が流れ、負荷抵抗ＲＬに出力信号が
生じる。
次に光が照射されなくなると、ゲート・カン−て放電す
ることによって、ゲート・カン−１間は元の状態に戻り
、電流は遮断される。
第４図（ロ）は遮断状態を更に早くするためにゲート・
カン−）間に■。１の逆方向バイアス電源を接続したも
のである。３８はノーマリオンあるいはノーマリオフ型
のｎチャンネルの静電誘導サイリスタである他は第４図
と同じ構成のフｔトカノブラ亭ある。　　　　　　　−
。
ノーマリオン型の静電誘導サイリスクの場合には、希望
する阻止電圧を与えるゲート・カンード間電圧を与えて
おく。オンするときは第４図計）と同じであるが、光が
消えて遮断するとぎには、ゲート・カンード１ｓｆ１．
に逆方向電圧が加わっているので、Ｗ、４図＠）Ｋ示−
す実施夢［のものより有していする。静電誘導サイリス
クは、従来のｐ−ｎ　−ｐ　−ｎサイリスタがゲートに
よるター７オフ能力がないのにくらべて、完全にゲート
でターンオフさせることができること、オン電圧がと非
常に短くできるので、非常に能率の高（・スイッチング
ができるので、フォトカップラとした場合に大電力用に
非常に価値が高いといえる第６図は発光素子と受光素子
゛の静電誘導トランジスタ、電界効果トランジスタ、な
いしは静電誘導サイリスクを光、ファイノ・で接続した
構造の〕、オトカノズラである。゛３゛゛ ４０社０発光素子、で例え１イ発光ダイオードやレーザ
ダイオード、４１は光ファイノ・であって。
任意の、長さのものであり、４２は帯電誘導）う７ノス
ター、電界効象トランジスタな〜・しは帯電誘導サイリ
スクである。４２は本発明の実１例。
第２図乃至第４図のように・電源、負荷抵抗を、普続し
ておく。４０に′より人力信号によって発光され゛だ光
は光デアイバ緋゛伝幡して４２の静電誘導トランジスタ
、静電誘導サイリスタないしは電界効果トランジスタに
よって増幅され出力信号が得られる。光ファイ／・を発
光素子４０から地からの信号伝送等には非常にＳ／Ｎ比
良く高速なフォトカップラとすることができる。
受光素子としての静電誘導トラ／ジスク、静電誘導サイ
リスタあるいは電界効果トランジスタはＳｌに限らず他
の半導体でも良いし、ｎチャンネルに限らすｐチャンネ
ルでも良いことは勿論である。
外囲器は気密性、耐久力を増すために、光を減衰させな
い程度に樹脂等を入れたものでも良い。
以上説明したように本発明のフォトカップラは、一つの
発光素子と光を通す絶縁物を介して結合された静電誘導
トランジスタないしは電界効果トランジスタ、或いは静
電誘導サイリスクを接続した部分を有しており、非常に
高感度。
高速度、低電圧、低電流で動作を行うと共に。
受光素子以降の回路構成が簡単である等の利点を有し、
工業的価値は非常に高いものである。
【図面の簡単な説明】
１柵ＩＩａ５８−９４２１８　　（４）、＋、ｉｊ’Ｊ
Ｍ　１図（イ）１従来０受光素子と１に端子０タイオー
ドを用いたフォトカップラの構造図、第１図（１）は従
来の受光素子としてノ；イポーラトランジスタのフォト
トランジスタを用いたフォトカップラの構造図、第２図
乃至（ハ）（ま本発明の静電誘導トランジスタないしは
電界効果トランジスタを受光素子として用いたフォトカ
ップラのノプラの実施例、第４図（イ）、（ロ）は静電
誘導サイリスクを受光素子とした本発明のフォトカップ
ラの別の実施例、第５図は光の伝送路を光ファイかとし
たことを特徴とする本発明の別の実施例のフォトカップ
ラである。 １、１１．２１，３１．４０・・・・・・発光素子、　
３．１２．２５．３２　・・　光を遮断する外囲器、１
３．２０・・・・・・静電誘導トランジスタないしは電
界効果トランジスタ、　１４．２２　・・・・・・ドレ
イ７　、１５．２３・・・・・・ンース、１６．２５・
・・・・・ゲート、　３３．３８・・・・・・静カンー
ド、３６・・・・・・ゲート、４２・・・・電源、抵抗
を含む本発明の第２〜４図に示す受光素子。 ４１・・・・・・光ファイ／； 特許出願人 第７図 酊２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）一つの発光素子と光を通す絶縁物を介して結合さ
    れた静電誘導トランジスタ゛ないしは電界効果トランジ
    スタを接続した部分を有することを特徴とするフォトカ
    ップラ。
  2. （２）一つの発光素子と光を通す絶縁物を介して結合さ
    れた静電誘導サイリスクを接続した部分を有することを
    特徴とするフォトカップラ。
JP56192415A 1981-11-30 1981-11-30 フオトカツプラ Pending JPS5894218A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192415A JPS5894218A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 フオトカツプラ
PCT/JP1982/000456 WO1983002039A1 (en) 1981-11-30 1982-11-30 Photocoupler
US06/519,779 US4629901A (en) 1981-11-30 1982-11-30 Photo coupler with static induction transistor type detector
DE8282903475T DE3278528D1 (en) 1981-11-30 1982-11-30 Photocoupler
EP82903475A EP0094972B1 (en) 1981-11-30 1982-11-30 Photocoupler

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192415A JPS5894218A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 フオトカツプラ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63225429A Division JPH01110780A (ja) 1988-09-08 1988-09-08 フォトカップラ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5894218A true JPS5894218A (ja) 1983-06-04

Family

ID=16290936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56192415A Pending JPS5894218A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 フオトカツプラ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4629901A (ja)
EP (1) EP0094972B1 (ja)
JP (1) JPS5894218A (ja)
DE (1) DE3278528D1 (ja)
WO (1) WO1983002039A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6319914A (ja) * 1986-07-14 1988-01-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレ−

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988006386A1 (en) * 1985-04-08 1988-08-25 Rapitech Systems Inc. Telephone network coupler
FR2587841B1 (fr) * 1985-09-24 1988-09-16 Efcis Composant semi-conducteur de puissance et logique de commande associee
FR2621708B1 (fr) * 1987-10-13 1991-08-16 Thomson Csf Photocoupleur et procede de fabrication de ce photocoupleur
JPH02188020A (ja) * 1989-01-17 1990-07-24 Fuji Electric Co Ltd ホトカプラ回路および電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路
FR2642885B1 (fr) * 1989-02-07 1991-04-12 Thomson Hybrides Microondes Echantillonneur-bloqueur hyperfrequence a transistor
JPH0575110A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US5189307A (en) * 1992-03-13 1993-02-23 Empi, Inc. Isolated current mirror with optical insulator generating feedback signal
US5317469A (en) * 1992-03-19 1994-05-31 Lu Chao Cheng Arrangement of an over-voltage protection circuit
EP3081963B1 (en) * 2015-04-15 2020-11-11 ams AG Avalanche diode arrangement and method for providing a detection signal
FR3059439B1 (fr) * 2016-11-30 2019-08-09 Stmicroelectronics Sa Generateur de signal d'horloge

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320885A (en) * 1976-08-11 1978-02-25 Semiconductor Res Found Electrostatic induction type semiconductor device
JPS5426876A (en) * 1977-08-01 1979-02-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd Surface-protected plastic plate and its preparation
JPS5449085A (en) * 1977-09-26 1979-04-18 Sharp Corp Field effect semiconductor device
JPS5619749A (en) * 1979-07-26 1981-02-24 Toto Ltd Building blank

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2155137A5 (ja) * 1971-10-08 1973-05-18 Radiotechnique Compelec
DE2345686A1 (de) * 1972-09-22 1974-04-04 Philips Nv Bildwiedergabe- und/oder -umwandlungsvorrichtung
US3801837A (en) * 1972-12-07 1974-04-02 Eaton Corp Photocoupling line isolation
US3868719A (en) * 1973-04-02 1975-02-25 Kulite Semiconductor Products Thin ribbon-like glass backed transducers
US4122479A (en) * 1975-01-31 1978-10-24 Hitachi, Ltd. Optoelectronic device having control circuit for light emitting element and circuit for light receiving element integrated in a semiconductor body
JPS52122089A (en) * 1975-07-31 1977-10-13 Handotai Kenkyu Shinkokai Semiconductor device
FR2322382A1 (fr) * 1975-08-29 1977-03-25 Radiotechnique Compelec Conduit optique
GB1518258A (en) * 1977-05-20 1978-07-19 Siliconix Ltd Field effect transistor opto-coupler
US4227098A (en) * 1979-02-21 1980-10-07 General Electric Company Solid state relay
US4378629A (en) * 1979-08-10 1983-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology including permeable base transistor, fabrication method
GB2078440B (en) * 1980-03-31 1984-04-18 Nippon Telegraph & Telephone An optoelectronic switch
US4369371A (en) * 1980-11-24 1983-01-18 Canadian Patents & Dev. Limited Broadband high speed optoelectronic semiconductor switch

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320885A (en) * 1976-08-11 1978-02-25 Semiconductor Res Found Electrostatic induction type semiconductor device
JPS5426876A (en) * 1977-08-01 1979-02-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd Surface-protected plastic plate and its preparation
JPS5449085A (en) * 1977-09-26 1979-04-18 Sharp Corp Field effect semiconductor device
JPS5619749A (en) * 1979-07-26 1981-02-24 Toto Ltd Building blank

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6319914A (ja) * 1986-07-14 1988-01-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレ−

Also Published As

Publication number Publication date
EP0094972A4 (en) 1984-06-13
EP0094972A1 (en) 1983-11-30
DE3278528D1 (en) 1988-06-23
EP0094972B1 (en) 1988-05-18
US4629901A (en) 1986-12-16
WO1983002039A1 (en) 1983-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3304431A (en) Photosensitive transistor chopper using light emissive diode
WO1989012323A1 (en) Novel high-speed integrated heterostructure transistors, photodetectors, and optoelectronic circuits
US4427990A (en) Semiconductor photo-electric converter with insulated gate over p-n charge storage region
US4651180A (en) Semiconductor photoelectric transducer
JPS5894218A (ja) フオトカツプラ
US4074143A (en) Optoelectronic device with optical feedback
Garrett et al. A silicon-based integrated NMOS-pin photoreceiver
Ghazi et al. CMOS photodiode with enhanced responsivity for the UV/blue spectral range
KR970011140B1 (ko) 공명 투과광전 소자의 구조
Berger MSM photodiodes
JPS6290967A (ja) 受光用半導体集積回路
US10636918B2 (en) Single electron transistor triggered by photovoltaic diode
Snyman et al. Optical sources, integrated optical detectors, and optical waveguides in standard silicon CMOS integrated circuitry
US3452206A (en) Photo-diode and transistor semiconductor radiation detector with the photodiode biased slightly below its breakdown voltage
EP0877426B1 (en) A method for shortening the time response of a radiation detector and a detector using that method
JPS63160270A (ja) フオトセンサと信号処理用素子を有する半導体装置
EP0706225A1 (en) Optical communication system comprising a resonant tunneling diode
US5019876A (en) Semiconductor photo-electric converter
Le et al. CMOS integrated optical isolator for power transistor gate driver
Snyman et al. 200-Mbps optical integrated circuit design and first iteration realizations in 1.2-and 0.8-micron Bi-CMOS technology
Kostov et al. High-speed PNP PIN phototransistors in a 0.18 μm CMOS process
Zimmermann et al. Basics and Theory
の特性評価と最適化 CHARACTERIZATION AND OPTIMIZATION OF AVALANCHE PHOTODIODES FABRICATED BY STANDARD CMOS PROCESS FOR HIGH-SPEED PHOTORECEIVERS
JPH0423334Y2 (ja)
Ross Solid State Photodetectors—The Photodiode and Phototransistor