JPS5893194A - Ｅｌ発光素子 - Google Patents
Ｅｌ発光素子Info
- Publication number
- JPS5893194A JPS5893194A JP56189526A JP18952681A JPS5893194A JP S5893194 A JPS5893194 A JP S5893194A JP 56189526 A JP56189526 A JP 56189526A JP 18952681 A JP18952681 A JP 18952681A JP S5893194 A JPS5893194 A JP S5893194A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＬ発光素子の新規な構造に関する。
詳しくは、］１１１１発光と−の電極との間の周辺位置
に集電帯を形成し九ＩｅＬ発光素子において、該集電帯
と他方の電極との間の絶縁性をよシ完全なものとした新
規なＩＬ発光素子を提供しよ′うとするものである。
に集電帯を形成し九ＩｅＬ発光素子において、該集電帯
と他方の電極との間の絶縁性をよシ完全なものとした新
規なＩＬ発光素子を提供しよ′うとするものである。
第１図は有機分散型ＩＬ発光素子・の構造を模型的に示
す４のである。このＩＬ発光素子１は、アル１＝ウム箔
等の導電性金属箔あるいは導電性プラスチックシート等
から成る背面電極すの上に、チタン酸パリクムや酸化チ
タンといった高誘電物質を熱可塑性シアノエチルセルロ
ース系の高誘電樹脂材料中に分散して形成される白色銹
電体層Ｃ１螢光体粉末を同じくシアノエチルセルロース
系高誘電樹脂材料中に分散して形成されるＫＬ発光層４
、及び酸化インジウムなどの導電物質を透明フィルムに
蒸着等により形成した透明導電フィルム（透明電極）＃
を順次に積み重ね、そして、鍛後に１この積層体を防湿
、保−用透明フイル五１１１で密封して形成される。そ
して、透明電極−及び背繭電極１から取）出され九す−
ド熾子関に交流電圧を印加すると、ＩＬ発光層ｄの螢光
体粉末が励起されて発光する。
す４のである。このＩＬ発光素子１は、アル１＝ウム箔
等の導電性金属箔あるいは導電性プラスチックシート等
から成る背面電極すの上に、チタン酸パリクムや酸化チ
タンといった高誘電物質を熱可塑性シアノエチルセルロ
ース系の高誘電樹脂材料中に分散して形成される白色銹
電体層Ｃ１螢光体粉末を同じくシアノエチルセルロース
系高誘電樹脂材料中に分散して形成されるＫＬ発光層４
、及び酸化インジウムなどの導電物質を透明フィルムに
蒸着等により形成した透明導電フィルム（透明電極）＃
を順次に積み重ね、そして、鍛後に１この積層体を防湿
、保−用透明フイル五１１１で密封して形成される。そ
して、透明電極−及び背繭電極１から取）出され九す−
ド熾子関に交流電圧を印加すると、ＩＬ発光層ｄの螢光
体粉末が励起されて発光する。
ところで、第１・図に示し九ような構造のＭＬ発光素子
＠において、透明導電−（透明電極）−は、膜厚ｔｏｏ
ｏ−ａｏｏｏｌ、ｌ［抵抗約ＩＯ’ｔ１／口テアシ、こ
の抵抗による電圧降下によって発光ムラが生ずる仁とが
あるので、これを防ぐために、透明電極−の側縁に沿っ
て銀ペースト等の導電性材料を印刷して幅ｌ〜−一の集
電帯４が付与されている。ｔた、一方で、このようなＫ
Ｌ発光素子藝において、前記積層体の実用上必要な各層
の厚さは、背面電極！ｒＯｓ、誘電体層コＯ〜３０μ、
発光層コＯ〜３０μ、集電帯／１μ、透明電極１０μで
ある。そして、これら各層＆、’ｃ、シ、−から成る積
層体は防湿、保−用フィルムｆ１りで密封され（勿論リ
ード端子’、／け外へ引き出される。）て完成するので
あるが、このフィルムＬｔで密封する工程においてミ前
記積層体はフィルムｆ１１のシールの九めに１熱プレス
、熱ロール法などＫよシ、必要な加熱＜ｉｏｏ〜ｉｔｏ
℃）と加圧（ｌ〜コ００／ｃｄ ）を受ける。この加熱
と加圧によシ、前記積層体は、第参図に示すように、発
光層ｄ及び誘電体層Ｃが集電帯五に押圧されて当該部分
で極端に薄くなるように変形してしまい、この部分での
絶縁性が低下してしまうという問題があつ九。
＠において、透明導電−（透明電極）−は、膜厚ｔｏｏ
ｏ−ａｏｏｏｌ、ｌ［抵抗約ＩＯ’ｔ１／口テアシ、こ
の抵抗による電圧降下によって発光ムラが生ずる仁とが
あるので、これを防ぐために、透明電極−の側縁に沿っ
て銀ペースト等の導電性材料を印刷して幅ｌ〜−一の集
電帯４が付与されている。ｔた、一方で、このようなＫ
Ｌ発光素子藝において、前記積層体の実用上必要な各層
の厚さは、背面電極！ｒＯｓ、誘電体層コＯ〜３０μ、
発光層コＯ〜３０μ、集電帯／１μ、透明電極１０μで
ある。そして、これら各層＆、’ｃ、シ、−から成る積
層体は防湿、保−用フィルムｆ１りで密封され（勿論リ
ード端子’、／け外へ引き出される。）て完成するので
あるが、このフィルムＬｔで密封する工程においてミ前
記積層体はフィルムｆ１１のシールの九めに１熱プレス
、熱ロール法などＫよシ、必要な加熱＜ｉｏｏ〜ｉｔｏ
℃）と加圧（ｌ〜コ００／ｃｄ ）を受ける。この加熱
と加圧によシ、前記積層体は、第参図に示すように、発
光層ｄ及び誘電体層Ｃが集電帯五に押圧されて当該部分
で極端に薄くなるように変形してしまい、この部分での
絶縁性が低下してしまうという問題があつ九。
１＋、発光層ｄ及び誘電体層Ｑはスクリーン印刷法、ロ
ールコータ−法、スプレー法等により形成されるもので
あるから、ピンホールを完全に無くすことは麹かしく、
第参図のように変形したとき、集電ｌｌＡの導電性材料
がこれらピンホールを背面電極番の方へと浸透して電流
の導通路を形成してしまい、絶縁低下や電極間ショート
などの原因となるという欠点を有していた。
ールコータ−法、スプレー法等により形成されるもので
あるから、ピンホールを完全に無くすことは麹かしく、
第参図のように変形したとき、集電ｌｌＡの導電性材料
がこれらピンホールを背面電極番の方へと浸透して電流
の導通路を形成してしまい、絶縁低下や電極間ショート
などの原因となるという欠点を有していた。
そこで、本考案は、上記した従来のｍｂ発光素子の欠点
に鑑みて為されたものであシ、集電帯と他方の電極との
間の絶縁性をよ）完全なものとし九新規なＭＬ発光素子
を提供しようとするもので、一対の電極間にエレクトロ
ル建ネセンス発光層と誘電体層とを挟持して成り、発光
層と一方の電極との間の周辺部に集電帯を介在させたＫ
Ｌ発光素子において、発一層の集電帯と接触する位置に
、発光層と誘電体層との・１間の集電帯形成位置に対応
した箇所に又社霞・電体層と他方の電極との間の集電帯
形成位置に対応した部所に絶縁被膜を形成し良ことを特
徴とする。
に鑑みて為されたものであシ、集電帯と他方の電極との
間の絶縁性をよ）完全なものとし九新規なＭＬ発光素子
を提供しようとするもので、一対の電極間にエレクトロ
ル建ネセンス発光層と誘電体層とを挟持して成り、発光
層と一方の電極との間の周辺部に集電帯を介在させたＫ
Ｌ発光素子において、発一層の集電帯と接触する位置に
、発光層と誘電体層との・１間の集電帯形成位置に対応
した箇所に又社霞・電体層と他方の電極との間の集電帯
形成位置に対応した部所に絶縁被膜を形成し良ことを特
徴とする。
以下に、本考案ＩＬ発光素子の詳細について実施例を示
す添付図面に従って説明する。
す添付図面に従って説明する。
第３図及び第６図は本考案１ｔＬ発光素子ｊの第１Ｏ実
施例１を示すものである。
施例１を示すものである。
−は、アルミニウム箔等の導電性金属箔あるいは導電性
プラスチックシート等から成る背面電極である。３はチ
タン酸バリウムや酸化チタンといつ九高−電物質を熱可
纏性シアノエチルセルロース系の高誘電樹脂材料中に分
散して形成され九白色−電体層であり、背面電極コの上
に積み重ねられる。ダは絶縁被膜であり、背面電極２と
誘電体層Ｊとの間の後述の集電体形成位置に対応した箇
所に形成される。この絶縁被膜ダは、背面電極λ上に絶
縁フェス等の高耐熱性絶縁塗料をスクリーン印刷法等の
方法によプ付与して彦成する。そして、この絶縁被膜ダ
は後述の集電帯Ｑ幅よシ檜広く形成されることが好まし
い０例えば集電帯の幅がｌ〜コ一である場合は、絶縁被
膜ダの幅をコ〜Ｊａｓとするのが好ましい。ま九、この
絶縁被膜ダの厚さは２０〜３０声位が良い、尚、上記し
た絶縁被ＷＩＸ参の形成方法は、はんの−例を示すもの
にすぎず、その他の方法、例えば、高耐熱絶縁テープを
貼付する等の方法によっても良い。
プラスチックシート等から成る背面電極である。３はチ
タン酸バリウムや酸化チタンといつ九高−電物質を熱可
纏性シアノエチルセルロース系の高誘電樹脂材料中に分
散して形成され九白色−電体層であり、背面電極コの上
に積み重ねられる。ダは絶縁被膜であり、背面電極２と
誘電体層Ｊとの間の後述の集電体形成位置に対応した箇
所に形成される。この絶縁被膜ダは、背面電極λ上に絶
縁フェス等の高耐熱性絶縁塗料をスクリーン印刷法等の
方法によプ付与して彦成する。そして、この絶縁被膜ダ
は後述の集電帯Ｑ幅よシ檜広く形成されることが好まし
い０例えば集電帯の幅がｌ〜コ一である場合は、絶縁被
膜ダの幅をコ〜Ｊａｓとするのが好ましい。ま九、この
絶縁被膜ダの厚さは２０〜３０声位が良い、尚、上記し
た絶縁被ＷＩＸ参の形成方法は、はんの−例を示すもの
にすぎず、その他の方法、例えば、高耐熱絶縁テープを
貼付する等の方法によっても良い。
ｔは螢光体粉末をシアノエチルセルロース系の高誘電樹
脂材料中に分散して形成され九ｌｉＬ発光層であシ、前
記誘電体層３の上に積層される。≦は酸化インジウムな
どの導電物質を透明フィルムに蒸着すること等によに形
成した透明電極であり、そのＩＩＬ発光層ｊ側の面の側
縁部に集電帯７が形成される。？：、の集電帯７は銀ペ
ースト等の導電性材料を印刷して形成される。そして、
このような透明電極乙はｍｕ発光層ｊの上に積層される
。
脂材料中に分散して形成され九ｌｉＬ発光層であシ、前
記誘電体層３の上に積層される。≦は酸化インジウムな
どの導電物質を透明フィルムに蒸着すること等によに形
成した透明電極であり、そのＩＩＬ発光層ｊ側の面の側
縁部に集電帯７が形成される。？：、の集電帯７は銀ペ
ースト等の導電性材料を印刷して形成される。そして、
このような透明電極乙はｍｕ発光層ｊの上に積層される
。
しかして、背面電極コ、−電体層３、ＩＬ発光層弘及び
透明電極６から成る積層体が防湿、保嚢用の透明フィル
ムＩ、９で密封されてＩＬ発光素子ｌが形成される。
透明電極６から成る積層体が防湿、保嚢用の透明フィル
ムＩ、９で密封されてＩＬ発光素子ｌが形成される。
この積層体を透明フィルムＩ、９で密封する際、熱プレ
ス、熱ロール法などに多シ加熱と加圧を受けて、集電帯
７形ＩＩｔａ位で第参図に示したような変形が生ずるが
、この薄膜発光素子／においては、背面電ｆ＃ｉコと誘
電体層３との間の集電帯７形成位置に対応し九箇所に絶
縁被膜ダが形成されているため、ｌ妃変１！！ｆ式を一
葛ターノ上記変形により集電帯７形成位置で誘電体層３
及びＩＬ発光ｊｉｌｊは押し潰されて薄くなるが、絶縁
被膜ｌが集電帯７形成物質の浸透を防膜し、よって 集
電体７と第７図及び第を図は本考案薄膜発光素子の別の
実施例１８を示す亀のである。この実施例１６は絶縁被
膜ダをＫＬ発光層ｊの透明電極６側に、即ち、集電帯７
と直接接触するように形成した点が、前記の実施例と異
なる。
ス、熱ロール法などに多シ加熱と加圧を受けて、集電帯
７形ＩＩｔａ位で第参図に示したような変形が生ずるが
、この薄膜発光素子／においては、背面電ｆ＃ｉコと誘
電体層３との間の集電帯７形成位置に対応し九箇所に絶
縁被膜ダが形成されているため、ｌ妃変１！！ｆ式を一
葛ターノ上記変形により集電帯７形成位置で誘電体層３
及びＩＬ発光ｊｉｌｊは押し潰されて薄くなるが、絶縁
被膜ｌが集電帯７形成物質の浸透を防膜し、よって 集
電体７と第７図及び第を図は本考案薄膜発光素子の別の
実施例１８を示す亀のである。この実施例１６は絶縁被
膜ダをＫＬ発光層ｊの透明電極６側に、即ち、集電帯７
と直接接触するように形成した点が、前記の実施例と異
なる。
この実施例／Ｓにおいても、絶縁複１１７形成物質の背
面電極コ方向への浸透を防−する点は前記実施例１と同
様である。
面電極コ方向への浸透を防−する点は前記実施例１と同
様である。
第９図及び第１Ｏ図は本考案薄膜発光素子の更に別の実
施例／ｈを示すものであ、る。
施例／ｈを示すものであ、る。
この実施例のものｉｈは前記第１の実施例１の絶縁被膜
参を背面電極コの側端縁にまで回り込ませて、よ如完全
な絶縁性を図ろうとするものである。
参を背面電極コの側端縁にまで回り込ませて、よ如完全
な絶縁性を図ろうとするものである。
第１／図及び第１コ図は本考案薄膜発光素子の更Ｋまた
別の実施例１＃を示すものである。
別の実施例１＃を示すものである。
この実施例のものｌ＃は前記した第コの実施例１＠にお
ける絶縁被膜参をＫＬ発光層５．ＩＩ誘電体層及び背面
電極コの側端縁Ｋまで回り込ませたもので、これ亀より
完全な絶縁を図ろうとするものである。尚、この場合、
絶縁波膜ダを第１３図に示すように％ ＩＩ Ｌ発光要
事及び背面電極コの側縁部に回シ込ませても良い。
ける絶縁被膜参をＫＬ発光層５．ＩＩ誘電体層及び背面
電極コの側端縁Ｋまで回り込ませたもので、これ亀より
完全な絶縁を図ろうとするものである。尚、この場合、
絶縁波膜ダを第１３図に示すように％ ＩＩ Ｌ発光要
事及び背面電極コの側縁部に回シ込ませても良い。
以上に起重したように１本発明ＩＬ発光素子においては
、発光層の集電帯と接触する位置に１発光層と誘電体層
との間の集電帯形成位置に対応した箇″ＷｔＫ又は誘電
体層と他方の電極との間の集電帯形成位置に対組した箇
所に絶縁被膜を形成し九ので、集電帯によシ変形され九
箇所からの絶縁不良が防止される効果を奏す：）、る。
、発光層の集電帯と接触する位置に１発光層と誘電体層
との間の集電帯形成位置に対応した箇″ＷｔＫ又は誘電
体層と他方の電極との間の集電帯形成位置に対組した箇
所に絶縁被膜を形成し九ので、集電帯によシ変形され九
箇所からの絶縁不良が防止される効果を奏す：）、る。
尚、上記実施例の説明では示さなかったが、絶縁被膜は
発光層と誘電体層との関に形成して４良いこと勿論であ
る。
発光層と誘電体層との関に形成して４良いこと勿論であ
る。
第１ＩｇはＮＬ発光素子の一般構造を断面で示す模型図
、第一図はＫＬ発光素子の平面図、第３図及び第参図は
従来のＭＬ発光素子を示し、第３図は製造途中における
状態を模型的に示す断面図、第参図は部分的断面図、第
３図及び第６図は本発明ＭＬ発光素子の実施の一例を示
し、第３図は要部の分解斜視図、第を図は要部の拡大断
面図、第７図及び第１図は本発明ＭＬ発光素子の別の実
施例を示し、第７図は要部の分解斜視図、第１図は要部
の拡大断面図、第９図及び第１０図は本発明ＸＸａ発光
素子の更に別の実施例を示し、第９図は要部の分解斜視
図、第１０図は要部の拡大断面図、第１１図及び第１コ
図は本発明１１１発光素子の更にｔ九別の実施例を示し
、第１／図は要部の分解斜視図、第１λ図は要部の拡大
断面図、第１３図は第１１図及び第１コ図の実施例の変
形例を示す要部の斜視図である。 符号の説明 ／、 ／６、／！、 ／＃・・・・・・ＩｅＬ発光素子
、 −・・・・・・他方の電極、 ３・曲・誘電体層、
ダ・・川・絶縁被膜、 ！・・・・・・エレクトロ
ルＺネセンス発光層、 ト・・・・一方の電極、 ７
・・・・・・集電帯特許出願人 株式会社小糸製作所 第７図 第９図 第１１図 第１３図
、第一図はＫＬ発光素子の平面図、第３図及び第参図は
従来のＭＬ発光素子を示し、第３図は製造途中における
状態を模型的に示す断面図、第参図は部分的断面図、第
３図及び第６図は本発明ＭＬ発光素子の実施の一例を示
し、第３図は要部の分解斜視図、第を図は要部の拡大断
面図、第７図及び第１図は本発明ＭＬ発光素子の別の実
施例を示し、第７図は要部の分解斜視図、第１図は要部
の拡大断面図、第９図及び第１０図は本発明ＸＸａ発光
素子の更に別の実施例を示し、第９図は要部の分解斜視
図、第１０図は要部の拡大断面図、第１１図及び第１コ
図は本発明１１１発光素子の更にｔ九別の実施例を示し
、第１／図は要部の分解斜視図、第１λ図は要部の拡大
断面図、第１３図は第１１図及び第１コ図の実施例の変
形例を示す要部の斜視図である。 符号の説明 ／、 ／６、／！、 ／＃・・・・・・ＩｅＬ発光素子
、 −・・・・・・他方の電極、 ３・曲・誘電体層、
ダ・・川・絶縁被膜、 ！・・・・・・エレクトロ
ルＺネセンス発光層、 ト・・・・一方の電極、 ７
・・・・・・集電帯特許出願人 株式会社小糸製作所 第７図 第９図 第１１図 第１３図
Claims (1)
- 一対の電極間にエレクトロルミネセンス発光層と誘電体
層とを挟持して成り、発光層と一方の電極との間の周辺
部に集電帯を介在させ７ｊｌＩ、発光素子において、発
光層の集電帯と接触する位置に、発光−と−電体−との
間の集電帯形成位置に対応した箇所Ｋ又は誘電体層と他
方の電極との間の集電帯形成位置に対応した箇所に絶縁
被膜を形成し良ことを特徴とするｌｌｌＩＪ発光素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189526A JPS5893194A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | Ｅｌ発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189526A JPS5893194A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | Ｅｌ発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893194A true JPS5893194A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16242759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189526A Pending JPS5893194A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | Ｅｌ発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02197079A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Toshiba Corp | Ｅｌパネル |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP56189526A patent/JPS5893194A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02197079A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Toshiba Corp | Ｅｌパネル |
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