JPS5892688A - 亜ホスホン酸の製造法 - Google Patents
亜ホスホン酸の製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/48—Phosphonous acids [RP(OH)2] including [RHP(=O)(OH)]; Thiophosphonous acids including [RP(SH)2], [RHP(=S)(SH)]; Derivatives thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
亜ホスホン酸(phoaphonige 5auren
)は、一般式 (ここでR#i有機残基を示す。)の化合物である。そ
れは、種々の分野における中間生閥−彎であったり、あ
るいは最終生成物である。亜ホスホン酸は、たとえば防
燃分計及び植物保護の分野における中間生成物であシ、
安定剤及び静電防止剤の分野における最終生成物である
。たと、ttfベンゼン亜本亜ホスホン酸その塩ハ、ホ
リアミドなどのための価値ある安定剤である。
)は、一般式 (ここでR#i有機残基を示す。)の化合物である。そ
れは、種々の分野における中間生閥−彎であったり、あ
るいは最終生成物である。亜ホスホン酸は、たとえば防
燃分計及び植物保護の分野における中間生成物であシ、
安定剤及び静電防止剤の分野における最終生成物である
。たと、ttfベンゼン亜本亜ホスホン酸その塩ハ、ホ
リアミドなどのための価値ある安定剤である。
亜ホスホン酸の製造はなかんずく、下記の反応式に従う
ジハロゲンホスファンの加水分解により行われることが
できる( Houben−Weyl。
ジハロゲンホスファンの加水分解により行われることが
できる( Houben−Weyl。
Methoden der organischen
Chemie、第XII/1巻(1965)を第294
ページ):(ここでHaLはハロゲン原子を意味する)
。
Chemie、第XII/1巻(1965)を第294
ページ):(ここでHaLはハロゲン原子を意味する)
。
上述の文献によれば、その際に出来るだけ温和な条件、
すなわち室温又はそれよ)少し高い温度で実施されなけ
ればな゛らない。何故なら、反応の際に生じる亜ホスホ
ン酸は高い温度では、対応するホスホン酸ならびに(悪
臭を持ち、毒性であり、従って極めて望ましくない)第
一本スフアンへと不均化されるにちがいないからである
;不均化は、下記の反応式に基づ゛欠;上述の文献に挙
げられている。クロルメチル−ジクロル本スフアンの加
水分解にヨルゾロルメタンー亜本ス本ン酸の製造の例(
濃塩酸中へのクロルメチル−ジクロルホスファンのM下
)において、反応温度は20〜50℃と示されており、
続いてさらに短時間50℃で攪拌される。
すなわち室温又はそれよ)少し高い温度で実施されなけ
ればな゛らない。何故なら、反応の際に生じる亜ホスホ
ン酸は高い温度では、対応するホスホン酸ならびに(悪
臭を持ち、毒性であり、従って極めて望ましくない)第
一本スフアンへと不均化されるにちがいないからである
;不均化は、下記の反応式に基づ゛欠;上述の文献に挙
げられている。クロルメチル−ジクロル本スフアンの加
水分解にヨルゾロルメタンー亜本ス本ン酸の製造の例(
濃塩酸中へのクロルメチル−ジクロルホスファンのM下
)において、反応温度は20〜50℃と示されており、
続いてさらに短時間50℃で攪拌される。
続いて6減圧下での水及び塩酸の留去後に、理論値の9
9 %(1りクロルメタン亜ホスホン酸が残る。
9 %(1りクロルメタン亜ホスホン酸が残る。
この例には、ホスホン酸及びホスファンの起シ得る形成
(クロルメタン−亜ホスホン酸の不均化による)は言及
されていない。
(クロルメタン−亜ホスホン酸の不均化による)は言及
されていない。
対応スる亜ホスホン酸へのジハロゲン本スフアンの加水
分解の通常の低い反応温度においても亜ホスホン酸の不
均化が完全に或いはほとんど起きたシはしないという事
は、06M、KosolapoffとJ、8.Powe
ll の文献(J、Am、Soc、72(195す。
分解の通常の低い反応温度においても亜ホスホン酸の不
均化が完全に或いはほとんど起きたシはしないという事
は、06M、KosolapoffとJ、8.Powe
ll の文献(J、Am、Soc、72(195す。
第4291ページ)から推論される。この文献の実験の
ケ所において、フェニルジクロルホスファンの「慣用の
加水分解」一つまジフェニルジクロルホスファンの室温
又は僅か高められた温度下での加水分解−の研究が報告
されておす、ソの際、フェニルホスファンの著しく不快
な臭が発生したことが報告されている;この結果は、我
々の研究によっても十分に確認□ された。
ケ所において、フェニルジクロルホスファンの「慣用の
加水分解」一つまジフェニルジクロルホスファンの室温
又は僅か高められた温度下での加水分解−の研究が報告
されておす、ソの際、フェニルホスファンの著しく不快
な臭が発生したことが報告されている;この結果は、我
々の研究によっても十分に確認□ された。
しかしその他の点では、ジハロゲンホスファンの対応す
る亜ホスホン酸への加水分解は不経済でない故に、この
反応を更に改良して、その際に亜ホスホン酸の不均化が
もれや起きないようにすることはtllましい事であシ
、これが本発明の峰題である。
る亜ホスホン酸への加水分解は不経済でない故に、この
反応を更に改良して、その際に亜ホスホン酸の不均化が
もれや起きないようにすることはtllましい事であシ
、これが本発明の峰題である。
このa題は、本発明に従い、従来慣用の反応温度よりも
高い反応温度を用いることにより解決された。
高い反応温度を用いることにより解決された。
従って本発明の対象は、水によるジクロルホスファンの
加水分解によって亜ホスホン酸を作る方法において、加
水分解を約60〜約1ooc。
加水分解によって亜ホスホン酸を作る方法において、加
水分解を約60〜約1ooc。
好ましくは約80〜約95℃の温度において行うことを
特徴とする方法である。
特徴とする方法である。
この温度範囲において亜ホスホン酸の不均化が全く又は
ある場合には事実上全く起らないことは実に篇ろくべき
ことであり、予測されえなかった。なぜなら、上述した
Houben−Weylによれば著しい不均化が予測さ
れるべきはずであるからである。
ある場合には事実上全く起らないことは実に篇ろくべき
ことであり、予測されえなかった。なぜなら、上述した
Houben−Weylによれば著しい不均化が予測さ
れるべきはずであるからである。
本方法の出発吻質としては、原則として総ての可能なジ
クロルホスファンが用いられることができる;しかじ下
記式 %式% (ここでRは、01〜C1,とくにc、 7− c4の
アルキル基、 07〜CI!のアラルキル基とくに ベンジル基又は 06〜C111のアリール基とくにフ ェニル基を意味する。) により示されるジクロルホスファンの使用が好ましい。
クロルホスファンが用いられることができる;しかじ下
記式 %式% (ここでRは、01〜C1,とくにc、 7− c4の
アルキル基、 07〜CI!のアラルキル基とくに ベンジル基又は 06〜C111のアリール基とくにフ ェニル基を意味する。) により示されるジクロルホスファンの使用が好ましい。
ジクロルホスファンは、公知法で得られる。
たとえばアルカン、好ましくはメタン、又Lベンゼンと
三塩化リンとの約60DCにおける反応により(西独国
特許出願公開第2046514号、西独−特許第262
9299号公報参照)、又はクロルメンゼンと三塩化リ
ン及びリンとの300〜550℃における反応によシ(
西独国特許出願公開第2452582号公報参照)作ら
れる。加水分解のために用いられる水は、有利には過剰
に用いられる。この過剰は、少くとも約ionでなけれ
ばならない。約500sまでの過剰も、技術的に有意で
ありうる。よシ多い過剰は必要でない。
三塩化リンとの約60DCにおける反応により(西独国
特許出願公開第2046514号、西独−特許第262
9299号公報参照)、又はクロルメンゼンと三塩化リ
ン及びリンとの300〜550℃における反応によシ(
西独国特許出願公開第2452582号公報参照)作ら
れる。加水分解のために用いられる水は、有利には過剰
に用いられる。この過剰は、少くとも約ionでなけれ
ばならない。約500sまでの過剰も、技術的に有意で
ありうる。よシ多い過剰は必要でない。
本方法ハ、ジクロル本スフアンを約60〜約1ooc、
好ましくは約80〜約95℃において水中に攪拌しなが
ら配量することにより簡単に実施される。選択し九温度
及び用いられた木蓋に従って一定時間後に、反応の過程
で形成された塩化水素ガスが発生する。
好ましくは約80〜約95℃において水中に攪拌しなが
ら配量することにより簡単に実施される。選択し九温度
及び用いられた木蓋に従って一定時間後に、反応の過程
で形成された塩化水素ガスが発生する。
反応の開始時にしばしば大きな熱発生(形成された塩化
水素の溶解熱)が起り、これは反応の初期においてジク
ロル本スフアンの配量速度を小さくすることを余儀なく
するか、又は反応容器の冷却を必要とする。そこでこの
大きな熱発生を避けるために、純粋の水の代シに濃塩酸
を、反応のために必要な水の量を保証するような量で用
いることができる。
水素の溶解熱)が起り、これは反応の初期においてジク
ロル本スフアンの配量速度を小さくすることを余儀なく
するか、又は反応容器の冷却を必要とする。そこでこの
大きな熱発生を避けるために、純粋の水の代シに濃塩酸
を、反応のために必要な水の量を保証するような量で用
いることができる。
濃塩酸と、先行の仕込物からのまだ塩化水素−を含んで
いる反応生成物の一部との混合物が特に望ましいことが
判った。この場合、ジクロル本スフアンを一定流として
、反応容器の冷却なしで配量することができる。
いる反応生成物の一部との混合物が特に望ましいことが
判った。この場合、ジクロル本スフアンを一定流として
、反応容器の冷却なしで配量することができる。
本方法を不連続的に、あるいは連続的に行うことができ
る。
る。
しかしどちらの場合でも、不活性ガス雰囲気で行うのが
好ましく、不活性ガスとしてたとえば窒素、アルゴン及
び/又は二酸化炭素力ぶ考慮される。
好ましく、不活性ガスとしてたとえば窒素、アルゴン及
び/又は二酸化炭素力ぶ考慮される。
反応終了後に、反応混合物中になお存在する塩化水素は
、慣用の方法で過剰の水と共に除去される。これはたと
えば不連続的に減圧下で留去又は不活性ガスを用いるス
トリ・ソビンク゛で、或は連続的に加熱したスリ・ノブ
塔で減圧ドに及び/又は不活性ガスを向流に流して行わ
れる。
、慣用の方法で過剰の水と共に除去される。これはたと
えば不連続的に減圧下で留去又は不活性ガスを用いるス
トリ・ソビンク゛で、或は連続的に加熱したスリ・ノブ
塔で減圧ドに及び/又は不活性ガスを向流に流して行わ
れる。
本発明方法によシ得られる亜ホスホン酸は、(一般に)
少量のホスホン酸並びに場合により亜リン酸を含む。こ
れらは、出発ジクロフレホスファンの僅かな酸化・(ホ
スホン酸の生成)ならびに三塩化リンの夾−(亜リン酸
の生成)に由来する。
少量のホスホン酸並びに場合により亜リン酸を含む。こ
れらは、出発ジクロフレホスファンの僅かな酸化・(ホ
スホン酸の生成)ならびに三塩化リンの夾−(亜リン酸
の生成)に由来する。
本発明に従う方法による亜ホスホノ酸の不均化の減少の
故に、本発明はジ/10ゲンホスファンの公知の加水分
解の顕著な改善及びそれによる著しい進歩を意味する。
故に、本発明はジ/10ゲンホスファンの公知の加水分
解の顕著な改善及びそれによる著しい進歩を意味する。
本発明を下記の実施例により更に説明する。
本発明の実施例において副生成物として少量得られるホ
スホン酸及び亜リン酸は、出発ジクロル本スフアンの僅
かな酸化ならびにそれO少量〇三塩化リンの夾雑に由来
する。どの場合でもホスファン臭は検知されなかった。
スホン酸及び亜リン酸は、出発ジクロル本スフアンの僅
かな酸化ならびにそれO少量〇三塩化リンの夾雑に由来
する。どの場合でもホスファン臭は検知されなかった。
これは、比較例(慣用の条件、たとえば最大的50℃ま
で)温度におけるフェニルジクロルホスファンの加水分
解)の場合とは対照的でおる。
で)温度におけるフェニルジクロルホスファンの加水分
解)の場合とは対照的でおる。
実施例1
475tの99チジクロルーメチルーホスフアンを窒素
雰囲気下で攪拌下に18ofの水に85〜95℃で4時
間かけて滴下する。その際始めにはまず極めてゆつくシ
とのみ滴下する。
雰囲気下で攪拌下に18ofの水に85〜95℃で4時
間かけて滴下する。その際始めにはまず極めてゆつくシ
とのみ滴下する。
15分後に塩化水素の発生が始まる。全反志の間の漏出
ガスはメチルホ・スフアンを含まない。
ガスはメチルホ・スフアンを含まない。
反応終了後に冷却する。14チの塩化水素含量を持つ反
応溶液408fが得られる。水流アスピレータ−を取付
けて、塩化水素を過剰の水と共に着しく除く。その際、
内部温度は嬌次に95℃まで上けられる。6時間後に、
15%の塩化水素残留含量を有するメタン亜ホスホン酸
522tが得られる。この生成物は容易に流れ、水のよ
うに直間でかつ無臭の液体である。それは、”P−NM
Rスペクトルによると07%のメタンホスホン酸及び0
.5%の亜リン酸を含む。
応溶液408fが得られる。水流アスピレータ−を取付
けて、塩化水素を過剰の水と共に着しく除く。その際、
内部温度は嬌次に95℃まで上けられる。6時間後に、
15%の塩化水素残留含量を有するメタン亜ホスホン酸
522tが得られる。この生成物は容易に流れ、水のよ
うに直間でかつ無臭の液体である。それは、”P−NM
Rスペクトルによると07%のメタンホスホン酸及び0
.5%の亜リン酸を含む。
収率は、理論値の約100チである。
実施例2
180fの水−を含む282tの濃塩酸(56%)を窒
素雰囲気下で85℃に加熱する。加熱をやめ、470f
の99.7%ジクゾロレーメチlレーホスファンを16
0t/時の速度で配量する。
素雰囲気下で85℃に加熱する。加熱をやめ、470f
の99.7%ジクゾロレーメチlレーホスファンを16
0t/時の速度で配量する。
その際まず反応温度は85Cに保たれることができる。
約50分後に、反応温度を85℃に保持するために反応
容器社再び加熱されなければならない。滴下の終了後(
3時間後)に冷却する。なお114%の塩化水素及び過
剰の水を含む反応混合物を、2時間かけて連続的に、1
00℃に加熱されたス)9ツブ塔に4〜5kPaで約5
5t/時の窒素の向流のもとで導入する。
容器社再び加熱されなければならない。滴下の終了後(
3時間後)に冷却する。なお114%の塩化水素及び過
剰の水を含む反応混合物を、2時間かけて連続的に、1
00℃に加熱されたス)9ツブ塔に4〜5kPaで約5
5t/時の窒素の向流のもとで導入する。
521tのメタン亜ホスホン酸を得る。これはなおtl
−の塩化水嵩と、” P −N M Rスペクトルによ
ればα1−のメタンホスホン酸及び0.1−の亜リン酸
を含む。収率は、理論値の約100−である。
−の塩化水嵩と、” P −N M Rスペクトルによ
ればα1−のメタンホスホン酸及び0.1−の亜リン酸
を含む。収率は、理論値の約100−である。
実施例5
先行の実施後の仕込物に由来する。粗メタン亜ホスホン
酸(17,4−の塩化水素及び7−の水を含む、)15
0tと湊塩@2B29から成る混合物を85CK加熱す
る。5時間かけて470fの99.7tsジクロル−メ
チル−ホスファンを一定速度で滴下する。その際始めに
反応容器管熱浴Pに置く。
酸(17,4−の塩化水素及び7−の水を含む、)15
0tと湊塩@2B29から成る混合物を85CK加熱す
る。5時間かけて470fの99.7tsジクロル−メ
チル−ホスファンを一定速度で滴下する。その際始めに
反応容器管熱浴Pに置く。
実施112に記載したのと同様に後処理して419tの
メタン亜ホスホン酸を得る。これはなお1−の塩化水素
及び、” P −N M Rスペクトルによればα11
のメタンホスホン酸及びal 5%の亜リン酸を含む。
メタン亜ホスホン酸を得る。これはなお1−の塩化水素
及び、” P −N M Rスペクトルによればα11
のメタンホスホン酸及びal 5%の亜リン酸を含む。
始めに存在した量を考慮して収率は、理論値の約100
チである。
チである。
実施例4
600tのジクロル−エチル−ホスファンを窒素雰囲気
下で攪拌下に105tの水に2.5時間かけて90℃で
滴下する。50分後に塩化水素発生が始まる。全反応の
間の漏出ガスはエチルホスファンを含まない。反応終了
後に冷却する。生じた反応溶液はなおI S、8%の塩
化水素を含む。さらに後処理を実施例1のように行う。
下で攪拌下に105tの水に2.5時間かけて90℃で
滴下する。50分後に塩化水素発生が始まる。全反応の
間の漏出ガスはエチルホスファンを含まない。反応終了
後に冷却する。生じた反応溶液はなおI S、8%の塩
化水素を含む。さらに後処理を実施例1のように行う。
α7チの残留塩化水嵩含量を持つ215fのメタン亜ホ
スホン酸が得られる。生成物は、水のように澄明で無臭
の液体である。それは、11 p−NMRによるとas
Lsのメタンホスホン酸、a5%の亜リン酸及びα3チ
のリン酸を含む。
スホン酸が得られる。生成物は、水のように澄明で無臭
の液体である。それは、11 p−NMRによるとas
Lsのメタンホスホン酸、a5%の亜リン酸及びα3チ
のリン酸を含む。
収率は理論値の約100優である。
□
実施例5
660tのジクロル−フェニル−ホスファンを窒素雰囲
気下で攪拌下に180tの水に25時間かけて95℃で
滴下する。約50分後に塩化水素発生が始まる。90℃
で1時間さらに攪拌する。次に冷却する。この水性反応
溶液はなお1 t996の塩化水素を含む。水流アスピ
レターを用い80〜100℃までの内部温度で塩化水素
を過剰の水と共に除く。α8sのベンゼンホスホン酸含
量(IIP−NMRスペクトルによる。)を持つベンゼ
ン亜ホスホン酸280tが得られる。収率紘、理論値の
約9&5−である。
気下で攪拌下に180tの水に25時間かけて95℃で
滴下する。約50分後に塩化水素発生が始まる。90℃
で1時間さらに攪拌する。次に冷却する。この水性反応
溶液はなお1 t996の塩化水素を含む。水流アスピ
レターを用い80〜100℃までの内部温度で塩化水素
を過剰の水と共に除く。α8sのベンゼンホスホン酸含
量(IIP−NMRスペクトルによる。)を持つベンゼ
ン亜ホスホン酸280tが得られる。収率紘、理論値の
約9&5−である。
比較例
560fのジクロルーフエニールーネスファンを窒素雰
囲気下で加熱なしで、攪拌下に180tの水に25時間
かけて滴下す′る。短い時間後にホスファン臭が現われ
る。温度を始めから最高50℃に上ける。次に塩化水素
発生−゛始tシ、温度が下る。生じた水性反応溶液は、
なお14.9憾の塩化水嵩を含む。後処理を実施例Sの
ように、行5゜1291Gのベンゼンホスホン酸含量(
al’P−NMRスペクトルによる。)ヲ持つベンゼン
亜ホスホン酸2’80 Fが得られる。本スフアン臭な
らびに一実施例5と比べると−14−高いホスホン酸含
量紘、比較例においてベンゼン亜ホスホン酸の現実の不
均化が起ったことを示すものである。
囲気下で加熱なしで、攪拌下に180tの水に25時間
かけて滴下す′る。短い時間後にホスファン臭が現われ
る。温度を始めから最高50℃に上ける。次に塩化水素
発生−゛始tシ、温度が下る。生じた水性反応溶液は、
なお14.9憾の塩化水嵩を含む。後処理を実施例Sの
ように、行5゜1291Gのベンゼンホスホン酸含量(
al’P−NMRスペクトルによる。)ヲ持つベンゼン
亜ホスホン酸2’80 Fが得られる。本スフアン臭な
らびに一実施例5と比べると−14−高いホスホン酸含
量紘、比較例においてベンゼン亜ホスホン酸の現実の不
均化が起ったことを示すものである。
同じ仕込物を用いで冷却して実施するなら、窒素流によ
って装置から運び出されるフェニルホスファンの発生量
は非常に多く、ために反応社途中で中断されなければな
らない。 ′。
って装置から運び出されるフェニルホスファンの発生量
は非常に多く、ために反応社途中で中断されなければな
らない。 ′。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t 水によるジクロルホスファンの加水分解によって亜
ホスホン酸を作る方法において、加水分解を約60〜約
100℃の温度で行うことを特徴とする方法。 2 ジクロルホスファンとして式 (こむで只はC2〜(1gのアルキル基、C丁〜C1m
の1ラルキル基又はC・〜C1oの7リール基を意味す
る。) により示される化合物を用いる特許請求の範囲第1項記
載の方法。 1 加水分解後に、形成されたところの、反応混合物中
にまだ存在する塩化水素を除く特許請求の範囲第1項又
は第2項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3146196.4 | 1981-11-21 | ||
DE19813146196 DE3146196A1 (de) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | Verfahren zur herstellung phosphoniger saeuren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5892688A true JPS5892688A (ja) | 1983-06-02 |
JPH036155B2 JPH036155B2 (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=6146900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57202248A Granted JPS5892688A (ja) | 1981-11-21 | 1982-11-19 | 亜ホスホン酸の製造法 |
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---|---|
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EP (1) | EP0080149B1 (ja) |
JP (1) | JPS5892688A (ja) |
CA (1) | CA1195339A (ja) |
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---|---|---|---|---|
DE3402018A1 (de) * | 1984-01-21 | 1985-07-25 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung alkanphosphoniger saeuren |
WO2001019837A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Lupin Laboratories Limited | An improved regiospecific synthesis of phosphonous acids |
CN102351900A (zh) * | 2011-08-18 | 2012-02-15 | 江苏优士化学有限公司 | 一种单烷基次膦酸酯的合成方法 |
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US10196410B2 (en) | 2015-09-02 | 2019-02-05 | Bayer Cropscience Aktiengesellschaft | Process for producing phosphorus-containing cyanohydrin esters |
WO2017037033A1 (de) | 2015-09-02 | 2017-03-09 | Bayer Cropscience Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung von phosphorhaltigen cyanhydrinestern |
EP3344635B1 (de) | 2015-09-02 | 2019-08-07 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von phosphorhaltigen cyanhydrinestern |
ES2754603T3 (es) | 2015-09-29 | 2020-04-20 | Basf Se | Procedimiento para la preparación de fosfinatos |
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US2605280A (en) * | 1948-01-13 | 1952-07-29 | Irving M Klotz | p-aminobenzenephosphonous acid |
US3557202A (en) * | 1967-01-03 | 1971-01-19 | Stauffer Chemical Co | Halovinylphosphonous dihalides and a process for the preparation thereof |
GB1372528A (en) * | 1970-10-22 | 1974-10-30 | Sandoz Ltd | Benzene phosphonous acid compounds their production and use as stabilizers for organic materials |
US3714043A (en) * | 1971-05-28 | 1973-01-30 | Monsanto Co | Polyphenyl thioether lubricating compositions |
US3974217A (en) * | 1974-07-31 | 1976-08-10 | Monsanto Company | Preparation of substituted phenyl phosphonous dichlorides |
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- 1981-11-21 DE DE19813146196 patent/DE3146196A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-11-16 DE DE8282110561T patent/DE3261860D1/de not_active Expired
- 1982-11-16 EP EP82110561A patent/EP0080149B1/de not_active Expired
- 1982-11-19 CA CA000415972A patent/CA1195339A/en not_active Expired
- 1982-11-19 US US06/443,133 patent/US4485052A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-19 JP JP57202248A patent/JPS5892688A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4485052A (en) | 1984-11-27 |
EP0080149A1 (de) | 1983-06-01 |
DE3261860D1 (en) | 1985-02-21 |
CA1195339A (en) | 1985-10-15 |
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