JPS5892367A - アクロマテイツク平行対平行装置のための４重極シングレツト集束 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、荷電粒子ビームの光学及び輸送に関する。特
に、放射線処置装置に使用するために特に適したアクロ
マチイックビーム偏向に関する。

〔発明の背景〕

アクロマチイック光学素子は商業的医用治療装置に必須
なものである。そのような治療装置の主要な特性は、比
較的高いビーム強度とその制御である。マイクロ波線形
加速器などの代表的な高いビーム電流の加速器が、要求
されるビーム強度を達成するが、エネルギー分布はむし
ろ広い。入手テキるビームを利用するために、ビームの
エネルギー分布に比較的鈍感な光学素子を導入すること
が必要である。特ＩＫ、Ｘ線装置に、２：っては、Ｘ線
ターゲット上の小さなピー、Ｘ〉ポットに強力なビーム
を集中させて、そのターゲット照射領域に関して充分に
小さいＸ線源を得ることが望まれる。

商業用照射及び医用治療への応用におけるビーム偏向装
置は、その装置の操作可能性、照射束の遮蔽及び規準並
びに装置構造の経済的考察などにより、機械的及び幾何
学的な束縛が課される。

従来技術の１つのアクロマチイックビーム偏向装置が、
本出願人に譲渡された米国特許第３．８６７Ｊ）５５号
に記載されている。この装置においてビームは、うつの
一様磁場セクター磁石及び２つの中間ドリフト空間を横
切り、２７０の偏向を受けてＸ線ターゲットに入射する
。セクター磁石ボールは、セクター角度に関して正確に
特定される。各セクター及び複・線形状の分路に関する
ビームの入射角及び射出角が、偏向器の入射及び射出領
域だけでなく中間の空間も占めることになり、磁場のな
いドリフト空間を保証する。この装置の性能を発揮させ
るために、偏向器の全部品の内部相互整合が必須である
。

他の従来技術が米国特許第１７’１９１１号によって知
られる。そこでは、偏向の中間点（１ｓｒ）の付近に勾
配領域が導入され、その勾配領域内の磁場は偏向平面内
の半径方向に変化し軌跡通過可能な外方部分に向けて増
大する。かくして、太きな曲率半径によって特徴づけら
れる軌跡は、小さな曲率半径が受けるよりも強い磁場を
感する。勾配シムを適当に調整することにより、所望角
度の１次アクロマチイック偏向がもたらされる。

−これらの従来技術において、ビームの実質的運′動量
分散を導入すべきでなく、また装置の入射平面で生じた
状況を射出平面であシのまま再生することが望まれる。

〔発明の概要〕

本発明の主目的は、４鴬粒子照射装置り１ける特に簡単
な１次アクロマデイラク偏向装置を提供″することであ
る。

本発明の１特色において、偏向磁石が、第１の一様磁場
領域及びそこから離れて境界に沿った第２の一様磁場領
域を構成する。第１の領域を通過する粒子の軌跡は、大
きな曲率半径で管機づけられ、第２の領域内では小さな
曲率半径となり、再び第１の領域を横切る際には大きな
曲率半径となる。

他の特色において、第１及び第２の領域内の磁場の比は
、一定であり、ステップボール面の間の第１の間隙（広
い）及び第２の間隙（狭い）によって定まる。

他の特色において第１の領域と第２の領域との間の境界
が直線である。

他の特色において、第２の領域の比較的狭い間隙内にエ
ネルギー選択スリットが配置される。それにより第２の
（狭い間隙の）磁場領域の磁性ポールピースの大きな質
量によって、スリットからの放射が効果的に遮蔽される
。

他の特色において、偏向磁石の屈曲平面が粒子加速器の
軸に対して正確に整合される。この整合性は、屈曲平面
を通る軸のまわりに磁石を回転することによって達成さ
れる。磁石部品の内部整合は必要ない。

他の特色において、磁石の儂平面における中央軌道から
の軌跡の変位量は、磁石の入射平面における中央軌道か
らの軌跡の変位量に等しい。それにより入射平面での平
行線は、射出平面でも平行になる。

他の特色において、単一の４電極素子が用いられて、ア
クロマチイック荷電粒子ビーム偏光装置における半径方
向のウェストと横方向ウェストとを同一ターゲット平面
上に生じさせている。

本発明のさらに他の特色は、以下の記述からより明らか
となろう。

〔好適実施例の説明〕

第１図は、磁気偏向装置１２を組入れたＸ線治療機−械
１０を余す。治療機械１０は、はぼＣ字状の回転可能な
ガントリー１４から成る。ガントリーｉｌｌは、水平方
向の回転軸線１６のまわシに回転する。ガントリー１４
は、支柱２０を介して床１８から支持される。支柱２０
は、ガントリーｉｌｌを回転可能に支持するためのトラ
ニオン２２を有する。ガントリーＩｌｌは、はぼ水平方
向の一対の平行腕２Ｌｌ及び２６を含む。４重極子２８
に連なる線形電子加速器２７が腕２６内部に収容される
。

磁気偏向装置１１及びターゲット２９が、水平腕２６の
外方端に配置されて、腕２６の外方端と水平腕２１１の
外方端に支持されたＸ線吸収素子５０との間にＸ線のビ
ームを４射する。治療処置のためターゲット２つから発
するＸ線のロープ内の寝台５４に、患者５２が支えられ
ている。

次に第２及びう図を参照すると、本発明のポールピース
のボールキャップ（ｐｏｌｅ　ｃａｐ）　５０が、示さ
れている。ステップ５２が、ポールキャップ５０を領域
５１１及び５６へと分割している。領域５６内のポール
キャップ５０は、領域５１Ｉのそれよりもステップ５２
の高さｈだけ厚い。故に、ポールキャップ５０及び５０
′から成る磁石は、領域５６における幅ｄの比較的狭す
間隙及び領域５１ｊにおける幅ｄ＋２ｈの比較的広い間
隙によって、特徴づけられる。従って、磁石は、比較的
低い磁場の一様領域５１Ｉと比較的高い磁場の一様領域
５６とを構成する。軸方向に離れたコイル構造半休５８
及び５ｔに電流を供給することによって、磁石の励磁が
達成される。構造半休５８及び５８′はそれぞれ、各外
方ボール６０及び６０′のまわりに配置されている。ポ
ールキャップ５０及び５０′は、外方ボール６０及び６
０′に固着されている。磁気回帰路はヨーク６２により
もたらさ九る。トリムコイル（ｔｒｉｍ　ｃｏｉｌ）　
（、ｑ及びも鱗′は、領域５１１及び５も内の磁場の比
を調節するためのバーニヤをもた、らす。

真空エンベロープ６７が、磁石の両ボールの間に位置さ
れ、そして４電極子Ｑを通じてマイクロ波線形加速器空
胴６８と連通している。

以下に議論するように、他の重要なパラメータは、電子
が偏向器に進入するときの軌跡が磁場に対してもつ角度
（入射角度）である。入射領域に関しての外方の仮想的
磁場境界６つを所望の位置及び方向に維持するために、
フリンジ磁場を制御する。この制御は、アルミニウムス
ペーサ６６′によってポールキャップから離れた磁場ク
ランプ６６によって達成される。同様にして、出口磁場
境界の位置及び方向は、この領域の磁場クランプららの
適当な形状及び位置によって制御される。

内部の仮想的磁場境界５５が、ステップ表面５５及び５
３′の適切な曲率によって、ステップ５２に関して画成
され得る。この曲率は、飽和が近づいたときの磁場の振
舞いを補償し、又この領域のフリンジ磁場を制御する。

このような形状は、当技術分野において周知である。

磁場境界６つ及び５５はともに、場所的に明確に画成さ
れた構成ではなく、それ故それらを慣習どおり「仮想的
Ｊ　（ｖｉｒｔｕａｌ）　　と呼ぶ。各仮想的磁場境界
に関連するパラメータが、１つの磁場領域から他の磁場
領域への遷移領域におけるフリンジ磁場を特徴づける。

かくして、パラメータＫ。

が、入射ドリフト空間１．から領域５ｑへの磁場の滑ら
かな遷移な記述する単一のパラメータである。この滑ら
かな遷移は、例えば中心軌道Ｐ０のように選択された軌
跡に沿っている。領域５１１と射出ドリフト空間ｔ、と
の間も同様である。フリンジ磁場パラメータに、は、磁
場領域５１１と５６との間の同様な振舞いを記述する。

双極磁気光学素子の議論において、座標系の２軸を参照
軌跡の接線に選び、入射平面でｚ　＝　Ｑ、射出平面で
ｚ　＝　ｌにとることは、在来の方法である。入射平面
及び射出平面は、一般的に、図示のようにドリフト空間
によって磁場境界から離れている。入射及び射出平面を
磁場境界であると認識すべきではない。屈曲平面の偏向
の平面内の変位軸としてＸ軸を選ぶ。次にｙ軸は、屈曲
平面を横切る方向にある。慣例的に、ｙ軸方向は「垂直
」と、Ｘ軸方向は「水平」と呼ばれている。

偏向の平面において、中心軌道軸が参照運動量の矢印Ｐ
。で水含れている。Ｐｏに平行な初期軌跡（屈曲平面内
にあり、そこを通過する）を有する変位された軌跡Ｃｘ
及びＣｙが、偏向器の出口のところでも同様な変位を生
ずることが、望まれる。磁場境界に対して角度β、をも
ってこの系に入射する軌跡が、角度βｆをもって射出す
る。ここで議論する実施例においては、β、＝β、＝β
であることが望まれる。軌跡は、磁場Ｂ、である磁石の
領域５ＩＩ内における曲率半径ρ１で特徴づけられる。

領域５６内においては、対応する曲率半径はρ２であり
、これは磁場Ｂ２に依存する。

記号ρ。、１（第２図参照）は、低磁場領域５社内の参
照軌跡Ｐ。の曲率半径を表わす。曲率半径ρ。５、及び
ρ。、２によって決定される直線が、仮想的磁場境界５
５と交差して、領域５６への入射角β２を決定する。軌
跡が再び領域５１１へ入射するときの磁場境界５５への
入射角も、対称性の理由によりβ２である。簡単のため
に添字「。」を省略する。

領域５４にやってきたときのその領域内の偏向平面にお
ける偏向角は、α１である。同様に、領域５４を出てい
くときのその領域内における偏向角は、やはりα電であ
る。高磁場領域５６において、粒子は全偏角２α、だけ
偏向される。偏向系を通った総偏角は、ｖ＝２（α１　
＋α！　）となる。アクロマチイック偏向素子のための
必要十分条件は、以下の通りである。初期の中心軌跡方
向にＰ０＋ΔＰの値を有する粒子は偏向角α重　＋α宜
の中点くすなわち、対称平面）において、運動量分散軌
跡ｄｘへと分散されて中心軌跡Ｐ。に平行である。

さらに、屈曲平面において軌跡Ｐ。と平行に初期的に変
位した粒子の軌跡は、対称平面のところで軌跡Ｐ０に重
なるように集束される。これらの軌跡は、当技術におい
て「コサイン状」として知られ、ＣＸで表わされる。こ
こに添字は屈曲平面を意味する。磁石の入射平面のとこ
ろで、初期的に軌跡Ｐ０から（屈曲平面内において）相
異している軌跡が、第２図に示されている。これらの軌
跡は当該技術において「サイン状」として知られ、、屈
曲平面内のＳｘで表わされる。最大分散及び平行から点
への集束の状況は、対称平面で生じる。

この平面内に画成スリット７２が位置されて、運動量の
範囲及びこの系で許される角度変位を限界づける。同様
な他の光学系におけると同様に、輻射の２次源となるス
リット７２は、ターゲットから離され、磁石のポールピ
ースによって遮蔽される。本発明においては、この領域
における間隙が狭く、そのため大きな質量のポールピー
ス５０及び５０′が環境をスリット輻射から効果的に遮
蔽する。

軌跡Ｃｙ及びＳｙは、垂直（ｙ−２）平面内におけるコ
サイン状及びサイン状の軌跡を表わす。

運動量分散軌跡が屈曲平面内において対称平面（偏向角
Ｆ／２）のところで角度変位が零である（δｄｘ／θ２
−ｏ）という条件の下で、曲率半径ρ菫とρ２との関係
、α１及びα２のパラメータに対する磁場Ｂ１及びＢ２
、Ｐｏ、並びに仮想的磁場境界の磁場延在パラメータに
、及びに２を、得ることが要求される。対称平面のとこ
ろで課されるこの条件から、ｄＸ及びその発散ｄ′工が
磁石の出口のところで零になることが示され得る。

問題の簡単な解析的処置において、領域５１１へとやっ
てくる軌跡、領域５６の部分に入シ対称乎面へ進み、次
に領域５６から領域５１１との境界へ進み、再び領域５
１＋を通る軌跡についての、移送行列（ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ　ｍａｔｒｉｘ）が書き表わされる。屈曲平面に対す
る行列は、第４図に示す４つの領域５１１、　５６．．
５６゜、５１１ｏ、を、通るビームの伝播に対応する移
送行列の行列積として書き表わされる。

ここで、ＣＩ％Ｓ、、Ｃ，、Ｓ、はそれぞれ、低磁場領
域（１）及び高磁場領域（２）におけるＣ０ＩＩα及び
８１αを表わす。βは、ｔａｎβを表わす。変数ρ１及
びρ２は、領域５１１及び５６に対応する領域１及び２
における曲率半径である。Ｃ，及びＳ、のパラメータは
、在来的には参照軌跡に関しての変位として表現される
。（１）式は、以下のように約すことができる。

行列要素Ｒ１１は、Ｃｘ軌跡の相対的空間的変位を記述
する係数を表現する。Ｒ１２要素は、Ｓｘの相対的変位
を記述する。同様にして、要素Ｒｚ＋はＣｘの相対的角
度変位と、要素ＲＺｔはＳｘの軌跡の相対的角度変位を
記述する。要素ＲｔＸは、運動量分散軌跡ｄｘ（物干面
のところで初期的に中心軌跡と一致する）の屈曲平面に
おける変位を記述し、ＲＨはその発散を記述する。光学
系を簡単にするような幾、つかの条件がある。（８）装
置は、入射平面における平行軌跡を射出平面における平
行軌跡に対応させる。このことは、行列要素Ｒ，，＝０
を導く。（ｂ）偏向磁石は、軌跡の向きに依存しない。

このことは、Ｒ１２”’Ｒ１１を導く（光学系の対称性
からも明らか）。（Ｃ）この行列の行列式は、リウヴイ
ルの定理により常に１である。条件（ｂ）及び（Ｃ）よ
り、Ｒ１１”　　１が導か庇る〇 行列の最後の行は、両平面における運動量を記述する。

これらの要素は常に０．０及び１である。

何故ならば、倒れの静磁系を通過する際にもビームのエ
ネルギー（運動量の値）は、増減しないからである。

アクロマチイック系の場合には、分散変位環Ｒｕ及びそ
の発散Ｒａｍは、零でなければならない。上述したよう
に、光学系の設計パラメータの間の関係をもたらすため
に１．対称平面のところでのＲ１についての条件が解析
的に展開される。その結果として次の表現を得る。

ｄｘ＝−（−→（１−ｃｉ）　（１１２＋　Ａ　Ｃ２）
　＋（！！　８１　＋　０２　Ａ　（１−Ｃ１）ρ２ ＋　ｓ　＊　＝　ｏ　　　　　　　　　　　　　　　　
（５）式これを解いて次の条件を得る。

／ｊｔ　　　　　　　　ｌ　−’１ 在来の手続に従って、領域５４（入射）、５６（入射）
、５６（射出）及び５４（射出）についての対応する垂
直平面行列を書き表わすことができ、それから、光学系
を通って伝播する横方向平面のための行列方程式が得ら
れる。

Ｙ（１）＝　Ｒｙｙ（ｏ） ここにｒｌＪは、入射平面Ｚ≦０に対する射出平面の２
座標の位置である。射出平面において平行から平行に集
束することが、主要な設計条件である。磁石の幾何形状
から導かれる偏向平面の場合の条件と比較されたい。

かくして、転移行列Ｒｘ及びＲｙは、磁場境界６つのと
ころで内方に方向づけられる運動量ベクトルＰ（ｉｔ）
に演算して、磁石通過後の磁場境界６つのところに射出
運動量ベクトルｐ（ｚりを生成するという転移機能を記
述する。

好適実施例において、入射ドリフト空間及び射出ドリフ
ト空間として、それぞれドリフト空間１゜及びり、が含
まれる。ドリフト行列は以下の形をもつ。

ドリフト哲列は、Ｒ，ｙ　行列に演算する。Ｒ，ｙ行列
はともに（２）式の形を示し、すなわち以下の形をもつ
。

磁石転移行列は、等価なドリフト空間の形を有する。か
くして、ドリフト空間１．及びβ２を伴う全光学系を通
った変形は、以下のように与えられる屈曲平面及び横平
面についての全転警行列をもたらす。

ここに、負の符号は行列Ｒ工、を、正の符号は行列Ｒｙ
、ｒ　　を表わす。長さＬｘ及びＬｙは、射出平面から
Ｓｘ及びＳｙ軌跡の突出クロスオーツ（−（ｐｒｏｊｅ
ｃｔｅｄ　ｃｒｏｓａｏｖｅｒ）　　までの距離である
。

第５図を参照すると、屈曲平面又は半径方向平面内のウ
ェスト（くびれ部分、ｗａｉｓｔ）及び横方向平面（横
断面）内のつ、エストが、ｚ軸上の異なる位置で達成さ
れている一般的状況が示されている。かくして、成る平
面においてビーム包絡線が収束していても、他の平面で
は収束しない。上述のように、複数の４電極素子が都合
良く配列されて、これらのつ゛エストを共通の位置２に
一致させる。好適実施例において、磁場出口境界におけ
るｄ　、＝：Ｑ　の結果とともに、ｄ’　、　＝＝　Ｏ
及びＣ７＝０の条件が対称平面のところで満足される。

さらに、このことがらＣ工が、磁石を通して屈曲平面内
で　。

平行対平行変換を特徴づける。横断面内における平行対
平行変換が、機械設計に条件づけられる。

故に、横断面又は屈曲平面の何れかを記述する行列は、
上述のような形態をとる。本装置の入口における４電極
シングレット（ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ　ｓｉｎｇｌｅｔ
）の効果は、次の形態をとる。

ここで、ｆ、は、４重極可嚢焦点距離に等しくとること
ができる。ビームのウェストは、以下の式の表現から得
られる。

ＩＸ（旧２＝　　ＩＣＸＸ（Ｏ１１２＋１ＳＸｘ’（０
）１２ＩＹ（１）＋２＝　　ＩｃｙＹ（０）＋２＋ＩＳ
、ｙ’（０）１２Ｓｘ及びＳｙの軌跡は定義よシ、ｚ　
＝　０のところで振幅が零なので、Ｓ工及びＳｙは４重
極子により影響されない。軌跡Ｃｙ及びＣｘの変位は、
逆の性質である。もし範囲１．　　＋１．が適正に選択
されるならば、４１極の焦点距離を都合良く調整するこ
とができ、半径方向ウェスト及び横方向ウェストを一致
させることが可能となる。

以下の行列方程式は、垂直平面及び屈曲平面内において
−ドリフト空間を含む全光学系を記述する。

Ｘ（１）　＝　ＲｘＸ（ｏ） Ｙ（Ｌ）＝　ＲｙＴＹ（Ｑ） この行列方程式は、例えばｃｏｄｅ　ＴＲＡＮＳＰＯＲ
Ｔ（使用方法は、スタンフォード線形加速器センターか
ら入手可能な５ＬＡＣＲｅｐｏｒｔ　　９１に記述°さ
れている）などの適切な磁気光学プログラムによって、
都合良く解くことができる。ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ　ｃｏ
ｄｅは、パラメータの調和した組を探すのに用いられる
。

パラメータとしては、以下のようなものがある。

ハ　、領域５鱗内でのＰ。の曲率半径。

ρ４２．領域５１１内のＰ。の曲率半径の、領域５６内
の曲率半径に対する比。

β１　、仮想的磁場境界への軌跡Ｐ０の入射角。

Ｃ２，高磁場領域５６内での中心軌跡Ｐ。の回転角。Ｃ
２は、内方仮想的磁場境界へのＰｏの入射角β２を決定
する。

α重　、低磁場領域５．−１１−内での参照軌跡Ｐ０の
回″　転角。

ＫＩ＋低磁場領域５１＋と外方の自由磁場領域との間の
仮想的磁場境界についてのパラメータ。

Ｋ４＋高磁場領域と低磁場領域との間の仮想的内方磁場
境界を記述する相対的パラメータ。

好適実施例では、対称性が、条件とされている。

すなわち、ｖ＝２（α、＋α２　）である。電子偏向２
７０についての１組の代表的設計パラメータにおいては
、所望の平均電子エネルギーは６Ｍ、Ｖとｌｌ　０．５
　ＭｅＶとの間で可変である。この範囲にわたって、１
次アクロマチイック条件が要求される。

軌跡の入射及び射出部分に対する入射角βは１４５であ
シ、外方仮想的磁場境界６９は、入射コリメータ（ｚ＝
０）の開口に対してｚ＝１ｏｃｒｎのところに位置され
る。中心軌跡は、４．１７キロガウスの磁場Ｂ、の影響
の下で１１Ｌ５の角度αｌだけ回転し、ｚ＝３５ｃｍの
ところでろ、うであるβ、＝９０−α、の角度をもって
つ方仮想的磁場境界５５と交差し、Ｚ　＝　５７．４−
のところで対称平面に到達し、１５９キロガウスの磁場
Ｂｔの影響の下に角界の内で対称であシ、ターゲットは
外方仮想的磁場境界を越えて位置される。入射コリメー
タのところで、ビーム包絡線は、直径２．５１１１１で
あり、２．４ｍｒ　の両面において発散する性質を有す
る。

磁石の幾何形状は、偏向平面による平行対平行変換を保
証する。対称平面におけるｄ’　、　＝　０の条件は、
運動量独立をもたらす。横断面における平行対平行条件
は、拘束条件である。所望の設計パラメータの組を得る
ために、屈曲角αｌ及びα２並びに磁場強度比が変化さ
れる。

２７０の偏向角についての１次アクロマチイック偏向系
が、くつ）式で示す種々の磁場比ＢＩ／Ｂ、とともに達
成され得る。

さらに、水平及び垂直平面の両方についての対応する行
列要素の絶対値が得られ、それらはほとんど同一であり
、対称な像ビームスポットをもたらす。

同様に建造された偏向系によって他の偏向角度が達成さ
れ得ることが、当業者に認識されるであろう。さらに、
内方磁場境界は、°所望の曲線の形態をとることもでき
る。従って、前述したところは本発明の単なる１実施例
であり、本廃明の真の範囲は特許請求の範囲によって定
まる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の特色を用いたＸ線治療機械の概略側
面図である。 第２図は、本発明の屈曲平面における各軌跡を示す。 第５Ａ図は、第２図のボールキャップを含６磁石の断面
図（屈曲平面に垂直）である。 第５Ｂ図は、好適実施例の磁場クランプを示す。 第４図は、全中心軌跡に沿って、折り曲げられていない
、横方向に張シ出した軌跡である。 第５図は、半径方向ウェスト及び横方向ウェストの関係
を示す。 〔主要符号の説明〕 １０　　　　Ｘ線治療機械 １１　　　磁気偏向装置 １１Ｉ　　　ガントリー １６　　　回転軸線 １ｇ床 ２０　　　支柱 ２２　　　トラニオン ２４．２６腕 ２７　　　線形電子加速器 ２８　　　１１重極子 ２つ　　　ターゲット ５０　　　　Ｘ線吸収素子 ３２　　　患者 う４　　　寝台 ５０．５０　　ボールキャップ ５２．５２’　　ステップ ５３．５５’　　ステップ表面 ５１１．５６　　領域 ５５　　　磁場境界 ５８．５ｔｉ　　コイル構造半休 ６０．６０’　　外方ボール ６２　　　ヨーク ６６　　　磁場クランブ ６７　　　真空エンベロープ− ６８空胴 ６９　　　磁場境界 ７２　　　スリット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 運動量ベクトルＰ０の荷電粒子の参照軌跡を画成し、荷
   電粒子ビームに対して動作するため、の、荷電粒子ビー
   ム搬送成分体であって：ａ）入射平面を画成する入射ド
   リフト空間；ｂ）少なくとも１次のアクロマチイックで
   ある磁性搬送素子であり、前記入射平面のところゼ初期
   的にＰ。に平行な入射軌跡部分を、前記参照運動量を含
   む第１及び第２の平面の各々内の射出平面のところでＴ
   。に平行な軌跡部分へと変換し、前記第１及び第２の平
   面は相互に直交し、該磁性搬送素子は伝播する荷電粒子
   ビームを前記第１の平面内でウェストを生じさせ前記第
   ２・の平面内で他のウェストを生じさせ、該ウェストは
   互いに離れた位置に生ずる、ところの磁性搬送素子； Ｃ）前記射出平面から距離をおいた射出ドリフト空間；
   並びに ｄ）前記ウェストを一致させるために実質的に前記入射
   平面のところに配置された、焦点距離の調節が可能な４
   電極シングレット　−素子； から成る荷電粒子搬送成分体。 υん千７佑臼）