JPS5891686A - ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS5891686A JPS5891686A JP56190325A JP19032581A JPS5891686A JP S5891686 A JPS5891686 A JP S5891686A JP 56190325 A JP56190325 A JP 56190325A JP 19032581 A JP19032581 A JP 19032581A JP S5891686 A JPS5891686 A JP S5891686A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
不発明はゲルマニウム半導体装置及びその製造方法に関
するものである口 近年、光通信の実用化がめざましく波長１〜１．６μｍ
帯の受光材料としてゲルマニウムがあげられ、ゲルマニ
ウム受光素子の開発が進められているが、素子特性、信
頼性の同上の点で、これら素子はプレーナ化が望ましい
。受光素子を含むゲルマニウム半導体素子のプレーナ化
を図るうえで重要な技術の１つに、表面不活性化膜の形
成があげられるが、ゲルマニウムはシリコンの場合とは
１４なり。
するものである口 近年、光通信の実用化がめざましく波長１〜１．６μｍ
帯の受光材料としてゲルマニウムがあげられ、ゲルマニ
ウム受光素子の開発が進められているが、素子特性、信
頼性の同上の点で、これら素子はプレーナ化が望ましい
。受光素子を含むゲルマニウム半導体素子のプレーナ化
を図るうえで重要な技術の１つに、表面不活性化膜の形
成があげられるが、ゲルマニウムはシリコンの場合とは
１４なり。
その熱酸化膜（（Ｊｅｓｔ ）はドアツブ準位が多く、
ゲルマニウム半導体との界面における界面準位密度も１
０１２〜１０１４鐸−２ｅｙ １と非常に多い。また、
粗悪な熱酸化膜は水醪性を有し、ゲルマニウム半導体装
置の製造上好ましくない。そのため、ゲルマニウム半導
体の表面不活性化は従来力）ら、二酸化シリコン膜のよ
うな異種絶縁膜をＣＶ帳によって形成してきたが、該絶
縁膜とゲルマニウム半導体との界面における界面準位密
度は熱酸化膜の場合と同様に１０ ’ ２〜１０” ’
ｃｍ ”ｅＶ−’であり、著しい改善は図られていない
。従って本発明の目的は、界面準位留置の小さいゲルマ
ニウム半導体装置及び表面不活性化膜の形成工程を有す
るゲルマニウム半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
ゲルマニウム半導体との界面における界面準位密度も１
０１２〜１０１４鐸−２ｅｙ １と非常に多い。また、
粗悪な熱酸化膜は水醪性を有し、ゲルマニウム半導体装
置の製造上好ましくない。そのため、ゲルマニウム半導
体の表面不活性化は従来力）ら、二酸化シリコン膜のよ
うな異種絶縁膜をＣＶ帳によって形成してきたが、該絶
縁膜とゲルマニウム半導体との界面における界面準位密
度は熱酸化膜の場合と同様に１０ ’ ２〜１０” ’
ｃｍ ”ｅＶ−’であり、著しい改善は図られていない
。従って本発明の目的は、界面準位留置の小さいゲルマ
ニウム半導体装置及び表面不活性化膜の形成工程を有す
るゲルマニウム半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
本発明の半導体装置はゲルマニウム半導体表面上曇こ醸
化ゲルマニウム層を具備し、さらｌここの酸化ゲルマニ
ウム膜上に酸化ゲルマニウムとは組Ｋが異なる誘電体膜
を備えた構造を有するもの・で、これを作る第１の方法
はゲルマニウム半導体表面に誘′一体＠を形成する工程
において該誘電体膜形成の前に酸素雰囲気にて熱処理を
行なう工程を有することを特徴とするゲルマニウム半導
体装置の製造方法である。また本発明の第２の方法は、
ゲルマニラ合手導体表面に誘電体膜を形成した後酸＊豚
囲気にて熱処理を行ない咳誘電体膜とゲルマニウム半導
体との界面に酸化ゲルマニウムを形成する工＃Ｍを有す
ることを特徴とするゲルマニウム半導体装置の製造方法
である。
化ゲルマニウム層を具備し、さらｌここの酸化ゲルマニ
ウム膜上に酸化ゲルマニウムとは組Ｋが異なる誘電体膜
を備えた構造を有するもの・で、これを作る第１の方法
はゲルマニウム半導体表面に誘′一体＠を形成する工程
において該誘電体膜形成の前に酸素雰囲気にて熱処理を
行なう工程を有することを特徴とするゲルマニウム半導
体装置の製造方法である。また本発明の第２の方法は、
ゲルマニラ合手導体表面に誘電体膜を形成した後酸＊豚
囲気にて熱処理を行ない咳誘電体膜とゲルマニウム半導
体との界面に酸化ゲルマニウムを形成する工＃Ｍを有す
ることを特徴とするゲルマニウム半導体装置の製造方法
である。
本発明によｎば、誘電体膜形成前にゲルマニウム半導体
表面に酸素雰囲気熱処理を施すことによってゲルマニウ
ム表面に薄い酸化ゲルマニウム層を形成し、該酸化ゲル
マニウム層の上に誘電体膜を形成するために、上記酸化
ゲルマニウム層は直接外気に接することがない力）ら、
従来の熱酸化膜に比べて界面不安定性は生じない。
表面に酸素雰囲気熱処理を施すことによってゲルマニウ
ム表面に薄い酸化ゲルマニウム層を形成し、該酸化ゲル
マニウム層の上に誘電体膜を形成するために、上記酸化
ゲルマニウム層は直接外気に接することがない力）ら、
従来の熱酸化膜に比べて界面不安定性は生じない。
第２の方法によっても誘一体膜とゲルマニウム半導体と
の界面に酸化ゲルマニウム層が形成され該酸化ゲルマニ
ウム層は先の方法と同様に外気に接することはなく、安
輩な界面特性が得ら１しる。
の界面に酸化ゲルマニウム層が形成され該酸化ゲルマニ
ウム層は先の方法と同様に外気に接することはなく、安
輩な界面特性が得ら１しる。
第１図は上記効果を実証した結果を示している。
第１図はＮｆＪ８Ｘ１０１５ω−３キャリア績度のゲル
マニウム半導体に通常の熱分解ＣＶＤ法により、二酸化
シリコン挨ヲ形成し、該二酸化シリコン膜の上にＡｌｌ
他極形成した云わゆるＭＩ ８ （Ｍｅｔａｌ−１ｎｓ
ｕｌａｔｏｒ−８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）ダイオ
ードの容蓋−電圧特性から界面準位着度を導出した結果
である。二酸 □化シリコン映は４５０℃に吃い
てＡｒで３％に希釈さｚｌ、りＳ ｉ Ｈａ ｉ 毎分
５００ｃｃ 、 ０２ ｙｌ；−毎分３００ＣＣ，Ｎ２
キャリアガスを毎分８０を流して１２０ＯＡの厚さに形
成した。第１図において曲線１は１１本発明によらない
、すなわちゲルマニウム半導体に二酸化シリコン［’）
形成したのみの場合の界面準位密度分ａ’ｊ：示Ｌｔテ
ィ６ｂｓ、最小テも３ Ｘ １０ ” ２ｃｍ−２ｅＶ
”程度である。曲線２は、本発明の第１の方法でゲル
マニウム半導体の表面不活性化を行なった場合、すなわ
ち、４５０℃のもとで０２を毎分２．５ｔｉｌｌｔ量で
５分間流した後、先の曲線ｌの場合と同一条件で二酸化
シリコン膜を修成した場合の界面単位密度分布を示して
おり、最小で５Ｘ１０”国−２ｅｙ−１にまで低減され
た。曲ＩＩ３は、本発明の第２の方法、すなわち、先の
曲線１の場合と同一条件で二酸化シリコン膜を形成した
後、６００℃のもとで０２を毎分２．５を流量で３０分
間流して熱処理を施した場合の界面準位密度分布を示し
ており、最小で８×１０ α ｅＶ−にまで低減された
。このように本発明によって界面特性が改善されること
が明らかである。
マニウム半導体に通常の熱分解ＣＶＤ法により、二酸化
シリコン挨ヲ形成し、該二酸化シリコン膜の上にＡｌｌ
他極形成した云わゆるＭＩ ８ （Ｍｅｔａｌ−１ｎｓ
ｕｌａｔｏｒ−８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）ダイオ
ードの容蓋−電圧特性から界面準位着度を導出した結果
である。二酸 □化シリコン映は４５０℃に吃い
てＡｒで３％に希釈さｚｌ、りＳ ｉ Ｈａ ｉ 毎分
５００ｃｃ 、 ０２ ｙｌ；−毎分３００ＣＣ，Ｎ２
キャリアガスを毎分８０を流して１２０ＯＡの厚さに形
成した。第１図において曲線１は１１本発明によらない
、すなわちゲルマニウム半導体に二酸化シリコン［’）
形成したのみの場合の界面準位密度分ａ’ｊ：示Ｌｔテ
ィ６ｂｓ、最小テも３ Ｘ １０ ” ２ｃｍ−２ｅＶ
”程度である。曲線２は、本発明の第１の方法でゲル
マニウム半導体の表面不活性化を行なった場合、すなわ
ち、４５０℃のもとで０２を毎分２．５ｔｉｌｌｔ量で
５分間流した後、先の曲線ｌの場合と同一条件で二酸化
シリコン膜を修成した場合の界面単位密度分布を示して
おり、最小で５Ｘ１０”国−２ｅｙ−１にまで低減され
た。曲ＩＩ３は、本発明の第２の方法、すなわち、先の
曲線１の場合と同一条件で二酸化シリコン膜を形成した
後、６００℃のもとで０２を毎分２．５を流量で３０分
間流して熱処理を施した場合の界面準位密度分布を示し
ており、最小で８×１０ α ｅＶ−にまで低減された
。このように本発明によって界面特性が改善されること
が明らかである。
以下に夾ＩＭｎとしてゲルマニウム・アバランシェフォ
トダイオード（以下ＧトλＰ１）と称す）の製造に応用
して詳細に説明するが、実施、ガのみが本発明を限定す
るものでない事は容易に理解されなければならない。第
２図はその製造工程の途中からを示した一例である。準
備されたゲルマニウム基板２１はｎ型でキャリア濃度が
８Ｘ１０ ｃＭｌである。該ゲルマニウム基板２１に
増倍特性の改善のために設けられるｐ導′ｌ１ａｃ型の
ガードリング部２２、および受光部であ６１）４電層２
３を各々べ１んム及びボロンのイオン打ち込み法により
形成した（第２図（ａ））。ベリリウムイオン打ち込み
の加速電圧とドース量は各々、１００ｋｅＶ、ｌＸｌ０
”ｃｍ−”に選んだ。またボロンイオン打ち込みの加速
電圧とドースｔは各々、４０ｋｅＶ、 ２ Ｘ １０
ｃｔｎに選んだ。イオン打ち込ろのｉ、６５０℃で４
５分間窒素雰囲気中で加熱することにより、打ち込みイ
オンの活性化を行なった。このときのガードリングｓ２
２の接合深さは約３μｍ％ｐ受光部２３の接合深さは約
０．３μｍである。次に、本発明の第１の方法によりゲ
ルマニウム・表面の不活性化を行なった。すなわち、４
５０℃のもとで０２を毎分２．５ｔ流量で５分間流して
該ゲルマニウム表面に薄い酸化ゲルマニウム層２４を形
成した後、直ちに二酸化シリコン誘電体膜２５を前述の
条件で形成し、全体の厚さを２３００１にした（第２図
（ｂ））。次に従来まり周知の露光技術により電極形成
用の窓あけを行ない、Ａｌ成極２６を形成してＧｅ −
Ａ Ｐ Ｄを完成させた（第２図（Ｃ））。
トダイオード（以下ＧトλＰ１）と称す）の製造に応用
して詳細に説明するが、実施、ガのみが本発明を限定す
るものでない事は容易に理解されなければならない。第
２図はその製造工程の途中からを示した一例である。準
備されたゲルマニウム基板２１はｎ型でキャリア濃度が
８Ｘ１０ ｃＭｌである。該ゲルマニウム基板２１に
増倍特性の改善のために設けられるｐ導′ｌ１ａｃ型の
ガードリング部２２、および受光部であ６１）４電層２
３を各々べ１んム及びボロンのイオン打ち込み法により
形成した（第２図（ａ））。ベリリウムイオン打ち込み
の加速電圧とドース量は各々、１００ｋｅＶ、ｌＸｌ０
”ｃｍ−”に選んだ。またボロンイオン打ち込みの加速
電圧とドースｔは各々、４０ｋｅＶ、 ２ Ｘ １０
ｃｔｎに選んだ。イオン打ち込ろのｉ、６５０℃で４
５分間窒素雰囲気中で加熱することにより、打ち込みイ
オンの活性化を行なった。このときのガードリングｓ２
２の接合深さは約３μｍ％ｐ受光部２３の接合深さは約
０．３μｍである。次に、本発明の第１の方法によりゲ
ルマニウム・表面の不活性化を行なった。すなわち、４
５０℃のもとで０２を毎分２．５ｔ流量で５分間流して
該ゲルマニウム表面に薄い酸化ゲルマニウム層２４を形
成した後、直ちに二酸化シリコン誘電体膜２５を前述の
条件で形成し、全体の厚さを２３００１にした（第２図
（ｂ））。次に従来まり周知の露光技術により電極形成
用の窓あけを行ない、Ａｌ成極２６を形成してＧｅ −
Ａ Ｐ Ｄを完成させた（第２図（Ｃ））。
才た不発明の第２の方法を用いてもう１つのＧｅ −Ａ
Ｐ Ｄを製造した。第３図はその製造工程の途中からを
示している。第３図（ａ）は第２図（ａ）と全く同じ工
程である。次いで前述の条件で二酸化シ１７′ コン
ｄ電体膜２５を形成した後（第３図（ｂ））６００℃の
もとで０２を毎分２．５を流量３０分間流して、二酸化
シリコン膜２“５とゲルマニウム基板２１との中間に酸
化ゲルマニウム層２４を形成しく１３３図＜Ｃ）） 、
全体の不活性化膜厚２３００Ａにした。次にｆｇ２図（
Ｃ）と同様に、ＡＩ電極２６を形成してαＦＩ
ＡＰＤを完成させた。−（第３図（ｄυ。第４図は
第２凶および第３図で示した工程で装造したアバランシ
ェフォトダイオードのａｆ電流−電圧特性を示しており
、同図には不発明によらないで、ただ二酸化シリコン膜
を形成したのみの場合の暗電流−電圧特性をも示してい
る。＠４図からＧｅ −ＡＰ Ｄの降伏電圧ＶＢは約−
３０Ｖである。曲線４１は本発明によらない従来方法で
製造したＧｅ−ＡＰＤの暗電・流−電圧曲線であり、暗
１１１１１流は０．９ＶＢにおいて０．５〜０．６μ人
と非常に多い。それに対して、本発明の第１の方法を適
用して製造した（ト）−ＡＰＤの暗電流は曲線４２に示
してありｓ ０．９ＶＢで０．３〜０．４μＡにまで低
減されまた本発明の第２の方法を適用して製造した（ト
）−ＡＰＤでは暗１１ＡＩ５！は、曲線４３に示スヨう
ニ０．９ＶＢ ｔ’ ０．１−０．２μＡｆ（マチ低減
され第１１１に示した結果と矛盾しない結果が得られ、
（ｊｅ−ＡＰＤの特性向上が図れた。
Ｐ Ｄを製造した。第３図はその製造工程の途中からを
示している。第３図（ａ）は第２図（ａ）と全く同じ工
程である。次いで前述の条件で二酸化シ１７′ コン
ｄ電体膜２５を形成した後（第３図（ｂ））６００℃の
もとで０２を毎分２．５を流量３０分間流して、二酸化
シリコン膜２“５とゲルマニウム基板２１との中間に酸
化ゲルマニウム層２４を形成しく１３３図＜Ｃ）） 、
全体の不活性化膜厚２３００Ａにした。次にｆｇ２図（
Ｃ）と同様に、ＡＩ電極２６を形成してαＦＩ
ＡＰＤを完成させた。−（第３図（ｄυ。第４図は
第２凶および第３図で示した工程で装造したアバランシ
ェフォトダイオードのａｆ電流−電圧特性を示しており
、同図には不発明によらないで、ただ二酸化シリコン膜
を形成したのみの場合の暗電流−電圧特性をも示してい
る。＠４図からＧｅ −ＡＰ Ｄの降伏電圧ＶＢは約−
３０Ｖである。曲線４１は本発明によらない従来方法で
製造したＧｅ−ＡＰＤの暗電・流−電圧曲線であり、暗
１１１１１流は０．９ＶＢにおいて０．５〜０．６μ人
と非常に多い。それに対して、本発明の第１の方法を適
用して製造した（ト）−ＡＰＤの暗電流は曲線４２に示
してありｓ ０．９ＶＢで０．３〜０．４μＡにまで低
減されまた本発明の第２の方法を適用して製造した（ト
）−ＡＰＤでは暗１１ＡＩ５！は、曲線４３に示スヨう
ニ０．９ＶＢ ｔ’ ０．１−０．２μＡｆ（マチ低減
され第１１１に示した結果と矛盾しない結果が得られ、
（ｊｅ−ＡＰＤの特性向上が図れた。
上ｅ実ａ例では、誘電体として二酸化シリコン膜の場合
について説明したが、他の誘電体ガえば窒化シリコン１
３ （ＳｉｓＮ４） 、窒化ゲルマニウム膜（Ｇｅ３
Ｎすｔ 酸化アルミニウム（Ａｌｔｏｓ ） ４（ツい
ても全く同様の効果が得られた。
について説明したが、他の誘電体ガえば窒化シリコン１
３ （ＳｉｓＮ４） 、窒化ゲルマニウム膜（Ｇｅ３
Ｎすｔ 酸化アルミニウム（Ａｌｔｏｓ ） ４（ツい
ても全く同様の効果が得られた。
以上のように、本発明によれば酸化ゲルマニウム層を外
気に接することなく、誘電体とゲルマニウム半導体との
界面に形成することができるため界面準位密度の小さい
曳好な界面特性が得られるという利点を有する。
気に接することなく、誘電体とゲルマニウム半導体との
界面に形成することができるため界面準位密度の小さい
曳好な界面特性が得られるという利点を有する。
第１図は界面準位密度分布を示しており、１は本発明に
よらない場合の界面準位密度分布曲線、２は本発明の第
１の方法による場合、３は本発明の第２の方法による場
合の界面準位密度分布曲線である。第２図、第３図はそ
れぞれ本発明の第１の方法、第２の方法を適用した（ト
）−ＡＰＤの製造工程の一部を示しており、２１はゲル
マニウム基板。 ２２はガードリング層、２３は受光部、２４は酸化ゲル
マニウム層、２５は二酸化シリコン膜、２６はＡｌ１極
である。第４図はＧｅ−ＡＰＤの暗電流−電圧特性を示
しており、４１は本発明によらない場合、４２は本発明
の＠１の方法、４３は本発明発Ｚ図 （α） ＜ｂ＞ （Ｃ） も３図 ７（ｂ） （Ｏ乙ン
よらない場合の界面準位密度分布曲線、２は本発明の第
１の方法による場合、３は本発明の第２の方法による場
合の界面準位密度分布曲線である。第２図、第３図はそ
れぞれ本発明の第１の方法、第２の方法を適用した（ト
）−ＡＰＤの製造工程の一部を示しており、２１はゲル
マニウム基板。 ２２はガードリング層、２３は受光部、２４は酸化ゲル
マニウム層、２５は二酸化シリコン膜、２６はＡｌ１極
である。第４図はＧｅ−ＡＰＤの暗電流−電圧特性を示
しており、４１は本発明によらない場合、４２は本発明
の＠１の方法、４３は本発明発Ｚ図 （α） ＜ｂ＞ （Ｃ） も３図 ７（ｂ） （Ｏ乙ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ゲルマニウム半導体表面に酸化ゲルマニウム膜を形
成し、さらにこの酸化ゲルマニウム膜上に酸化ゲルマニ
ウムとは違う組成のｌ！誘電体膜形成した構造を具備し
ていることを特徴とするゲルマニウム半導体装置。 ２、ゲルマニウム半導体表面に誘電体膜を形成する工程
において、該誘電体膜形成の前に酸素裏囲気に６て熱処
理を行なう工程を有することを特徴とするゲルマニウム
半導体装置の製造方法。 ゛３．ゲルマニウム牛導体表面に誘電体膜を形成した後
、酸素雰囲気にて熱処理を行ない、該誘電体膜とゲルマ
ニウム半導体との界面に、酸化ゲルマニ、ラムを形成す
る工程を有することを特徴とするゲルマニウム半導体装
置の製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190325A JPS5891686A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190325A JPS5891686A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891686A true JPS5891686A (ja) | 1983-05-31 |
| JPH0474872B2 JPH0474872B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=16256297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190325A Granted JPS5891686A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | ゲルマニウム半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891686A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058566A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Univ Of Tokyo | 光電変換素子、光検出器及び太陽電池 |
| JP2022500882A (ja) * | 2018-09-10 | 2022-01-04 | ザ ユニバーシティー コート オブ ザ ユニバーシティー オブ グラスゴー | 単一光子アバランシェ検出器、その使用方法および製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111379A (en) * | 1974-07-17 | 1976-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochino seizohoho |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190325A patent/JPS5891686A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111379A (en) * | 1974-07-17 | 1976-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochino seizohoho |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058566A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Univ Of Tokyo | 光電変換素子、光検出器及び太陽電池 |
| JP2022500882A (ja) * | 2018-09-10 | 2022-01-04 | ザ ユニバーシティー コート オブ ザ ユニバーシティー オブ グラスゴー | 単一光子アバランシェ検出器、その使用方法および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474872B2 (ja) | 1992-11-27 |
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