JPS5891639A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS5891639A JPS5891639A JP19041381A JP19041381A JPS5891639A JP S5891639 A JPS5891639 A JP S5891639A JP 19041381 A JP19041381 A JP 19041381A JP 19041381 A JP19041381 A JP 19041381A JP S5891639 A JPS5891639 A JP S5891639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- electron beam
- time
- unit
- correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）＝・発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光方法に係り、特にベクトル走査
方式の電子ビーム露光装置を用いて長時間露光を行う際
の露光制御方法に関する。
方式の電子ビーム露光装置を用いて長時間露光を行う際
の露光制御方法に関する。
（２）従来技術と問題点
ベクトル走査方式の電子ビーム露光装置は被処理基板を
搭載したステージを描画すべきパターンの位置に応じて
移動せしめ、その位置に必要な開停止させておくことが
出来る。従って低感度電子レジストを使用する場合のよ
うに長時間露光を要するときは、従来はステージを所定
位置に移動させ、位置補正を加えた後、電子ビームを所
要時間連続的に照射して必要な露光量を与えていた。こ
のように１シ１ツトの露光時間を長くすると、露光装置
の系全体が完全な静止状態のときには問題はないが、ス
テージまたは露光装置系が振動する等、完全な静止状態
でないときは、描画されたパターンの寸法に誤差が発生
する。
搭載したステージを描画すべきパターンの位置に応じて
移動せしめ、その位置に必要な開停止させておくことが
出来る。従って低感度電子レジストを使用する場合のよ
うに長時間露光を要するときは、従来はステージを所定
位置に移動させ、位置補正を加えた後、電子ビームを所
要時間連続的に照射して必要な露光量を与えていた。こ
のように１シ１ツトの露光時間を長くすると、露光装置
の系全体が完全な静止状態のときには問題はないが、ス
テージまたは露光装置系が振動する等、完全な静止状態
でないときは、描画されたパターンの寸法に誤差が発生
する。
例えば所要露光時間が５０〔μｓｅｃ ）で、このとき
のステージの振動速度が１００〔鶴／５ｅｃ）であれば
、ｔ＃ｉＩｌされたパターンには約５ 〔μｍ〕の寸法
誤差を生じる。同じ条件でも所要露光時間が１〔μｓｅ
ｃ ）であれば寸法誤差は凡そ０．１〔μｍ〕に過ぎな
い。前者の事態は例えばＰＭＭＡ （ポリメチル・メタ
アクリレート）のような低感度電子レジストを使用した
場合に、後者は例えばＰＧＭＡ（ポリ・グリシジル・メ
タ・アクリレート）のような高感度電子レジストを使用
した場合に生じる。なお前者の場合電子ビーム露光装置
のクロック周波数がｌ（ＭＨｚ）であれば、前記露光時
間はクロック周期（１（μｓｅｃ ） ）よりはるかに
長いことになる。
のステージの振動速度が１００〔鶴／５ｅｃ）であれば
、ｔ＃ｉＩｌされたパターンには約５ 〔μｍ〕の寸法
誤差を生じる。同じ条件でも所要露光時間が１〔μｓｅ
ｃ ）であれば寸法誤差は凡そ０．１〔μｍ〕に過ぎな
い。前者の事態は例えばＰＭＭＡ （ポリメチル・メタ
アクリレート）のような低感度電子レジストを使用した
場合に、後者は例えばＰＧＭＡ（ポリ・グリシジル・メ
タ・アクリレート）のような高感度電子レジストを使用
した場合に生じる。なお前者の場合電子ビーム露光装置
のクロック周波数がｌ（ＭＨｚ）であれば、前記露光時
間はクロック周期（１（μｓｅｃ ） ）よりはるかに
長いことになる。
上述の如〈従来の電子ビーム露光方法では、長時間露光
の場合にパターンの寸法誤差を生じ、描画精度が低下す
ると言う問題があった。
の場合にパターンの寸法誤差を生じ、描画精度が低下す
ると言う問題があった。
（３） 発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して長い露光時間を要
する場合にも描画精度の低下することの（ない電子ビー
ム露光方法を提供することにある。
する場合にも描画精度の低下することの（ない電子ビー
ム露光方法を提供することにある。
（４） 発明の構成
本発明の特徴は、所定の露光量を与えるための露光所要
時間が電子ビーム露光装置のクロック周期より長いとき
は、単位露光シ替ソトの露光時間を前記クロック周期に
対応する時間となし、該単位露光ショットを複数回加え
ることにより、電子レジスト膜に所定の露光量を与える
ことにある。
時間が電子ビーム露光装置のクロック周期より長いとき
は、単位露光シ替ソトの露光時間を前記クロック周期に
対応する時間となし、該単位露光ショットを複数回加え
ることにより、電子レジスト膜に所定の露光量を与える
ことにある。
（５１発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
第１図は本発明の電子ビーム露光方法の一実施例に使用
した電子ビーム露光装置を示すシステム構成図、第２図
は上記一実施例の露光方法を示すタイミング・チャート
である。
した電子ビーム露光装置を示すシステム構成図、第２図
は上記一実施例の露光方法を示すタイミング・チャート
である。
第１図において、ｌは表面に低感度の電子レジスト膜が
形成された被処理基板、２は電子ビーム、３はステージ
、４は前記ステージ３の駆動モータ、５はレーザーカウ
ンタ、６はステージ制御回路、７は中央処理装置（ＣＰ
Ｕ） 、８パターンジェネレ−１（ＰＧ） 、９は偏向
補正ユニット、１０はディジタル・アナログ変換器（Ｄ
ＡＣ） 、１１は増幅器（ＡＭＰ） 、１２は偏向器で
ある。、また第２図において、２１はクロック・パルス
、２２は偏向補正期間、２３は本実施例の露光のための
単位ショット、２４は比較のために掲げた従来方法にお
ける露光シ替ット、２５はステージ３の移動期間を示す
。
形成された被処理基板、２は電子ビーム、３はステージ
、４は前記ステージ３の駆動モータ、５はレーザーカウ
ンタ、６はステージ制御回路、７は中央処理装置（ＣＰ
Ｕ） 、８パターンジェネレ−１（ＰＧ） 、９は偏向
補正ユニット、１０はディジタル・アナログ変換器（Ｄ
ＡＣ） 、１１は増幅器（ＡＭＰ） 、１２は偏向器で
ある。、また第２図において、２１はクロック・パルス
、２２は偏向補正期間、２３は本実施例の露光のための
単位ショット、２４は比較のために掲げた従来方法にお
ける露光シ替ット、２５はステージ３の移動期間を示す
。
本実施例においては、第２図に見られる如くステージ３
がパターンを描画すべき位置に移動し停止すると、クロ
ック２１に同期して直ちに偏向補正（図の２２で示す期
間）が行われ、次いで露光（図の２３の期間）が行われ
る。この偏向補正は、ステージ３の位置を常に監視して
いるレーザーカウンタ５からステージ３の位置を示す信
号が送出され、これを受けて補正ユニット９がＰＧ８か
ら送られたパターンデータに補正を加えた信号を送出す
ることによって行なわれ、引き続く露光は前記補正を加
えられた信号がＤ Ａ Ｃ１０によりアナログ信号に変
換され、更にＡＭＰＩＩにより増幅され、偏向′ａ１２
はこの偏向電流により電子ビーム２偏向することによっ
て行なわれる。
がパターンを描画すべき位置に移動し停止すると、クロ
ック２１に同期して直ちに偏向補正（図の２２で示す期
間）が行われ、次いで露光（図の２３の期間）が行われ
る。この偏向補正は、ステージ３の位置を常に監視して
いるレーザーカウンタ５からステージ３の位置を示す信
号が送出され、これを受けて補正ユニット９がＰＧ８か
ら送られたパターンデータに補正を加えた信号を送出す
ることによって行なわれ、引き続く露光は前記補正を加
えられた信号がＤ Ａ Ｃ１０によりアナログ信号に変
換され、更にＡＭＰＩＩにより増幅され、偏向′ａ１２
はこの偏向電流により電子ビーム２偏向することによっ
て行なわれる。
上記中偏向補正については従来と変るところはないが、
そのあとに引き続く露光を、従来方法では電子レジスト
の露光感度によって定まる露光量を与えるのに必要な時
間連続するｌシ９ソトで行っていたのを、本実施例では
ｌシ１ットの長さをクロック周期に対応する長さく凡そ
クロック周期から補正期間２１を差し引いた長さで、ｌ
〔μｓｅｃ〕弱）とし、この単位シ９ントを上記露光
感度によって定まる露光量を与えるのに必要な回数だけ
繰り返し加える点が異なる。
そのあとに引き続く露光を、従来方法では電子レジスト
の露光感度によって定まる露光量を与えるのに必要な時
間連続するｌシ９ソトで行っていたのを、本実施例では
ｌシ１ットの長さをクロック周期に対応する長さく凡そ
クロック周期から補正期間２１を差し引いた長さで、ｌ
〔μｓｅｃ〕弱）とし、この単位シ９ントを上記露光
感度によって定まる露光量を与えるのに必要な回数だけ
繰り返し加える点が異なる。
このように必要な露光量を複数ショットに分割して与え
るようにしたことにより、各シコソト毎に位置補正を行
うことが可能となる。そのためたとえステージ３が完全
に静止状態でなく、前述の如く微小振動をしていたとし
ても、本実施例の単位シｍットの間のパターンの寸法誤
差はたかだか０．１〔μｍ〕にすぎない。しかも各ショ
ット毎に位置補正を加えるので、上記ステージ３の微小
振動によって生じた位置ずれは補正され、次の単位シ冒
ットの間の誤差も０．１（μｍ〕を越えることはない。
るようにしたことにより、各シコソト毎に位置補正を行
うことが可能となる。そのためたとえステージ３が完全
に静止状態でなく、前述の如く微小振動をしていたとし
ても、本実施例の単位シｍットの間のパターンの寸法誤
差はたかだか０．１〔μｍ〕にすぎない。しかも各ショ
ット毎に位置補正を加えるので、上記ステージ３の微小
振動によって生じた位置ずれは補正され、次の単位シ冒
ットの間の誤差も０．１（μｍ〕を越えることはない。
従ってこれを繰り返すことにより、当該パターンの寸法
誤差は最大０．１〔μｍ〕、つまり単位ショットにおい
て生じる誤差を越えることはない。
誤差は最大０．１〔μｍ〕、つまり単位ショットにおい
て生じる誤差を越えることはない。
（６） 発明の詳細
な説明した如く本発明により、クロック周期を越える長
時間露光を必要とする場合にも、クロックに対応して定
まる時間を露光時間とする単位シロットを、複数回照射
することにより、各シ碧ソト毎に位置補正が可能となり
、描画精度を低下させることがない。
時間露光を必要とする場合にも、クロックに対応して定
まる時間を露光時間とする単位シロットを、複数回照射
することにより、各シ碧ソト毎に位置補正が可能となり
、描画精度を低下させることがない。
第１図は本発明の電子ビーム露光方法の一実施例に使用
した電子ビーム露光装置を示すシステム構成図、第２図
は上記一実施例の露光方法のタイミング・チャートであ
る。 図において、ｌは被処理基板、２は電子ビーム、３はス
テージ、５はレーザーカウンタ、７は中央処理装置（Ｃ
ＰＵ） 、８パターンジエネレータ（ＰＧ）、９は偏向
補正ユニット、１０はディジタル・（・アナログ変換器
、１１は増幅器、２１はクロック・パルス、２２は偏向
補正期間、２３は本実施例の露光のための単位シーソト
、２４は比較のために掲げた従来方法における露光シ町
ソト、２５はステージ３の移動期間を示す。
した電子ビーム露光装置を示すシステム構成図、第２図
は上記一実施例の露光方法のタイミング・チャートであ
る。 図において、ｌは被処理基板、２は電子ビーム、３はス
テージ、５はレーザーカウンタ、７は中央処理装置（Ｃ
ＰＵ） 、８パターンジエネレータ（ＰＧ）、９は偏向
補正ユニット、１０はディジタル・（・アナログ変換器
、１１は増幅器、２１はクロック・パルス、２２は偏向
補正期間、２３は本実施例の露光のための単位シーソト
、２４は比較のために掲げた従来方法における露光シ町
ソト、２５はステージ３の移動期間を示す。
Claims (1)
- 被処理基板の位置検出手段と、電子ビームの偏向補正手
段とを有する電子ビーム露光装置を用い、前記位置検出
手段により検出された被処理基板の位置に応じて前記偏
向補正手段により電子ビームあ照射位置の補正を行い、
しかる後所定時間電子ビームを照射することにより、被
処理基板表面を被覆する電子レジスト膜に所要の露光量
を与えて所望のパターンを描画する電子ビーム露光方法
において、前記所定の露光量を与えるための露光所要時
間が前記電子ビーム露光装置のクロック周期より長いと
きは、露光シ碧ソトの露光時間を前記クリック周期に対
応する時間となし、これを単位露光シ１ソトとして、該
単位露光シロットを複数回加えることにより、前記電子
レジスト膜に所定の露光量を与えることを特徴とする電
子ビーム１光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19041381A JPS5891639A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19041381A JPS5891639A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891639A true JPS5891639A (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=16257721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19041381A Pending JPS5891639A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891639A (ja) |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP19041381A patent/JPS5891639A/ja active Pending
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