JPS5891171A - アルミニウムおよびアルミニウム合金のプラズマエツチング方法 - Google Patents
アルミニウムおよびアルミニウム合金のプラズマエツチング方法Info
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- JPS5891171A JPS5891171A JP19028381A JP19028381A JPS5891171A JP S5891171 A JPS5891171 A JP S5891171A JP 19028381 A JP19028381 A JP 19028381A JP 19028381 A JP19028381 A JP 19028381A JP S5891171 A JPS5891171 A JP S5891171A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタ、集積回路（ＩＣ）などの半導体
素子のアルミニウム（Ａｔ）またはＡ７合金の配線１弾
性穴面波素子のＡｔ電極の形成をガスプラズマを用いた
ドライエツチングにより行なう加工方法に関するもので
ある。
素子のアルミニウム（Ａｔ）またはＡ７合金の配線１弾
性穴面波素子のＡｔ電極の形成をガスプラズマを用いた
ドライエツチングにより行なう加工方法に関するもので
ある。
従来ＡｔまたはＡｔ合金のガスプラズマによるエツチン
グ加工ではエツチングガスとして四塩化炭素（ＣＣ１４
）や三塩化硼素（ＢＣｌ２）が用いられてきた。ＣＣｔ
４ガスを用いた場合、ＡｔまたはＡｔ合金のエッチ速度
は約１５０〜２００ ｎｍ／分 と比較的大きい。しか
しエツチングのためのマスクとなるホトレジスト膜やＡ
ｌまたはＡｔ合金のエツチング終了後に露出してくる下
地の二酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜やシリコン（Ｓｔ
）膜に対するエソチ速度比（選択性）はあま９大きくな
いの、でＡｔまたはＡｔ合金のみをエツチングし、下地
の５ｊ０２やＳｉはエツチングしないために実用上使い
にくい欠点がある。これらの欠点を解消するためにＣＣ
４４に塩素（Ｃ１２”）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスを
添加することが試みられており、多少の改善は見られる
がまだ不充分である。その他にもｈ ＣＣｌ４ガスを用
いるとエッチした後、下地の面にポリマーが堆積したシ
エッチ残渣が生じることが多い。
グ加工ではエツチングガスとして四塩化炭素（ＣＣ１４
）や三塩化硼素（ＢＣｌ２）が用いられてきた。ＣＣｔ
４ガスを用いた場合、ＡｔまたはＡｔ合金のエッチ速度
は約１５０〜２００ ｎｍ／分 と比較的大きい。しか
しエツチングのためのマスクとなるホトレジスト膜やＡ
ｌまたはＡｔ合金のエツチング終了後に露出してくる下
地の二酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜やシリコン（Ｓｔ
）膜に対するエソチ速度比（選択性）はあま９大きくな
いの、でＡｔまたはＡｔ合金のみをエツチングし、下地
の５ｊ０２やＳｉはエツチングしないために実用上使い
にくい欠点がある。これらの欠点を解消するためにＣＣ
４４に塩素（Ｃ１２”）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスを
添加することが試みられており、多少の改善は見られる
がまだ不充分である。その他にもｈ ＣＣｌ４ガスを用
いるとエッチした後、下地の面にポリマーが堆積したシ
エッチ残渣が生じることが多い。
ざらにＣＣ４４を主成分にしたガスを用いたエツチング
室内ではＣ２Ｃ４６の固体が生成され、とのＣ２Ｃｔ６
は悪臭がひどく、かつ猛毒であるという新たな欠点が発
生する。
室内ではＣ２Ｃ４６の固体が生成され、とのＣ２Ｃｔ６
は悪臭がひどく、かつ猛毒であるという新たな欠点が発
生する。
またＢＣｌ３ガスを用いた場合、 ＣＣｌ４ガスを用い
た場合に比較して、ＡｔまたはＡ７合金と他のＳｉ ０
２ ｓ Ｓｔ ％ホトレノスト膜に対するエツチング
の選択性はやや大きく、この点での実用上の問題は少な
いが、ＡｔまたはＡｔ合金のエッチ速度が５０ ｎｍ７
分以下と小さいことが大きな問題である。
た場合に比較して、ＡｔまたはＡ７合金と他のＳｉ ０
２ ｓ Ｓｔ ％ホトレノスト膜に対するエツチング
の選択性はやや大きく、この点での実用上の問題は少な
いが、ＡｔまたはＡｔ合金のエッチ速度が５０ ｎｍ７
分以下と小さいことが大きな問題である。
ＢＣｌ３カスに四７７化炭素（ＣＦ４）や酸素（ｏ２）
の添加も試みられているが、エッチ速度が２〜３倍にな
る程度で、エツチングの選択性はあまり向上しない。
の添加も試みられているが、エッチ速度が２〜３倍にな
る程度で、エツチングの選択性はあまり向上しない。
本発明は上記の欠点をすべて解消する新しい混合ガスを
使用したドライエツチングによる加工方法を提供するも
のである。すなわちＡｔのエッチ速度を大にしてゾロセ
ス処理時間を短縮すると共に、ホトレジスＦ ＊ ５
ｔ０２ ｓ Ｓｌに対するＡｔま゛たはＡｔ合金のエ
ッチ速度比を充分大きくすることによシエッチングの安
定性を得ることである。また、エツチング後の下地面に
ポリマーの堆積や、残渣も見られない。もちろん上記の
目的を達成した上で、さらにＡｔｉたはＡｔ合金の微細
な加工性がそこなわれていないことも必要条件である。
使用したドライエツチングによる加工方法を提供するも
のである。すなわちＡｔのエッチ速度を大にしてゾロセ
ス処理時間を短縮すると共に、ホトレジスＦ ＊ ５
ｔ０２ ｓ Ｓｌに対するＡｔま゛たはＡｔ合金のエ
ッチ速度比を充分大きくすることによシエッチングの安
定性を得ることである。また、エツチング後の下地面に
ポリマーの堆積や、残渣も見られない。もちろん上記の
目的を達成した上で、さらにＡｔｉたはＡｔ合金の微細
な加工性がそこなわれていないことも必要条件である。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。まず最初に
本実施例の試料について説明する。直径１００ｆｉのＳ
ｉウェハに厚さ約３００ ｎｍの４ｍｏｔ％ノリンヲ含
ムＳｉＯ２膜（ＰＳＧ） を形成し、その上にＳｉ２
％を含むＡｔ−Ｓｔ合金（以下Ａｔ二元合金という）を
１μｍの厚さにス・母ツタ蒸着によシ均一な膜を付着形
成したものを試料とした。・この試料に所望の形状のパ
ターンをホトレジス）（ＡＺ１４７０を使用）で通常の
露光現像法によ多形成した。この時のホトレジストの厚
さは１．２μｍである。
本実施例の試料について説明する。直径１００ｆｉのＳ
ｉウェハに厚さ約３００ ｎｍの４ｍｏｔ％ノリンヲ含
ムＳｉＯ２膜（ＰＳＧ） を形成し、その上にＳｉ２
％を含むＡｔ−Ｓｔ合金（以下Ａｔ二元合金という）を
１μｍの厚さにス・母ツタ蒸着によシ均一な膜を付着形
成したものを試料とした。・この試料に所望の形状のパ
ターンをホトレジス）（ＡＺ１４７０を使用）で通常の
露光現像法によ多形成した。この時のホトレジストの厚
さは１．２μｍである。
実施例１． 上記試料の１枚を平行平板型プラズマエツ
チング装置の円形のカソード電極上の中央部に載置する
。その後に上記電極を内蔵する室を密閉し、−たん室内
を０．１ Ｐａまで排気したのち。
チング装置の円形のカソード電極上の中央部に載置する
。その後に上記電極を内蔵する室を密閉し、−たん室内
を０．１ Ｐａまで排気したのち。
ＢＣｌ３を１６０ｍ１７２％）、ＣＣｌ２を４５ｍ１（
２０％）＝ＣＦ４に５％の０２を含んだ混合ガスを１８
ｍ／（８％）の組成の混合ガスを上記室内に導入し、排
気との均衡で１２Ｐａに保持し、直ちに周波数１３．５
６ＭＨｚ １２藺の電力をカソード。
２０％）＝ＣＦ４に５％の０２を含んだ混合ガスを１８
ｍ／（８％）の組成の混合ガスを上記室内に導入し、排
気との均衡で１２Ｐａに保持し、直ちに周波数１３．５
６ＭＨｚ １２藺の電力をカソード。
アノード間に印加し、プラズマ放電を行わせる。
このときＡＡのエツチングの進行中にのみ発光するＡｔ
の原子スペクトルである３ ９６．１ ｎｍの波長の光
をモニターしているとエツチングの開始、終了が明瞭に
観測できる。このモニターによると約１分でＡｔ二元合
金表面の自然酸化膜がエツチングで除去されてＡｔ二元
合金のエツチングが開始する。前記１μｍの厚さのＡｔ
二元合金は約４分でエツチングが終了するので、そのエ
ッチ速度は約２５０ ｎｍ／分である。本実施例におけ
るエツチング特性と、従来ガスによるエツチング特性と
の比較は第１表の通りであり、本発明のがメでＢ Ｃ１
ｓ十１０ ％ ＣＦ４＋０．５チ０２の混合ガスに対す
るＣＣｌ２の混合比とこの混合ガスのエッチ速度との関
係は第１図の通シである。
の原子スペクトルである３ ９６．１ ｎｍの波長の光
をモニターしているとエツチングの開始、終了が明瞭に
観測できる。このモニターによると約１分でＡｔ二元合
金表面の自然酸化膜がエツチングで除去されてＡｔ二元
合金のエツチングが開始する。前記１μｍの厚さのＡｔ
二元合金は約４分でエツチングが終了するので、そのエ
ッチ速度は約２５０ ｎｍ／分である。本実施例におけ
るエツチング特性と、従来ガスによるエツチング特性と
の比較は第１表の通りであり、本発明のがメでＢ Ｃ１
ｓ十１０ ％ ＣＦ４＋０．５チ０２の混合ガスに対す
るＣＣｌ２の混合比とこの混合ガスのエッチ速度との関
係は第１図の通シである。
実施例２．実際の生産規模による実験で平行平板型プラ
ズマエツチング装置の円形のカソード電極上に前記試料
１０枚を電極と同心円状に配列載置した。その後は実施
例１の場合と同一の状態でエツチングを開始する。プラ
ズマ放電開始から約１分でＡｔ二元合金表面の自然酸化
膜のエツチングが終了し、Ａｔ二元合金のエツチングが
開始され、６．６分でＡ／＝二元合金のエツチングが完
了した。さらにオーバーエツチング５０％、すなわち３
．３分エツチングを行ってから高周波出力をとめ、エツ
チング室から試料を空気中に取り出して触針法により表
面の凹凸を記録し、赤外線の反、射を用いた厚さの測定
、屈折率を用い数十λの厚さの測定の結果、ホトレノス
トの膜べり量は合計１０．９分のプラズマ露出に対して
約２２０ ｎｍの膜ベシが観測された。一方５ｉ０２お
よびＳｔの膜べり厚さはそれぞれ１８ ｎｍおよび４５
ｎｍであった。この８ｊ０２およびＳｉの膜ベシは３
．３分のオーバーエッチ時に減少した量である。そこで
それぞれのエッチ速度を求めると Ａ／＝二元合金：１５０ｎｍ／分、 ５ｉＯ２（ＰＳ
Ｇ）：５．５ｎｍ／分＊ Ｓｔ（＃リシリコン）：
１５ｎｍ／分、 ホトレジスト ２０．２ ｎｍ／分
この値から Ａ２二元合金／５ｉ０２中２７、 Ａｌｌ二元合金／Ｓ
手中１０％Ａｔ二元合金／ホトレジストキ７のエッチ速
度比が得られる。
ズマエツチング装置の円形のカソード電極上に前記試料
１０枚を電極と同心円状に配列載置した。その後は実施
例１の場合と同一の状態でエツチングを開始する。プラ
ズマ放電開始から約１分でＡｔ二元合金表面の自然酸化
膜のエツチングが終了し、Ａｔ二元合金のエツチングが
開始され、６．６分でＡ／＝二元合金のエツチングが完
了した。さらにオーバーエツチング５０％、すなわち３
．３分エツチングを行ってから高周波出力をとめ、エツ
チング室から試料を空気中に取り出して触針法により表
面の凹凸を記録し、赤外線の反、射を用いた厚さの測定
、屈折率を用い数十λの厚さの測定の結果、ホトレノス
トの膜べり量は合計１０．９分のプラズマ露出に対して
約２２０ ｎｍの膜ベシが観測された。一方５ｉ０２お
よびＳｔの膜べり厚さはそれぞれ１８ ｎｍおよび４５
ｎｍであった。この８ｊ０２およびＳｉの膜ベシは３
．３分のオーバーエッチ時に減少した量である。そこで
それぞれのエッチ速度を求めると Ａ／＝二元合金：１５０ｎｍ／分、 ５ｉＯ２（ＰＳ
Ｇ）：５．５ｎｍ／分＊ Ｓｔ（＃リシリコン）：
１５ｎｍ／分、 ホトレジスト ２０．２ ｎｍ／分
この値から Ａ２二元合金／５ｉ０２中２７、 Ａｌｌ二元合金／Ｓ
手中１０％Ａｔ二元合金／ホトレジストキ７のエッチ速
度比が得られる。
なおとの試料でＡｔ二元合金のエツチングの様子を顕微
鏡で観察してもアンダーカットはなかった。また１０枚
のウェハ間について同様の測定を行ったところ、その測
定結果のばらつきは±３３分内で一致した。
鏡で観察してもアンダーカットはなかった。また１０枚
のウェハ間について同様の測定を行ったところ、その測
定結果のばらつきは±３３分内で一致した。
実施例３．前記と同一仕様の試料を実施例２と同様に１
０枚を載置し、ガス圧を１５Ｐａとしてガス組成、流量
は同じとした。その結果Ａｔ二元合金のエツチングは実
質的に５．７分で完了した。
０枚を載置し、ガス圧を１５Ｐａとしてガス組成、流量
は同じとした。その結果Ａｔ二元合金のエツチングは実
質的に５．７分で完了した。
この時のＡｔ二元合金のエツチング速度は１７５ｎｍ／
分であシ、同様に各材料とのエッチ速度比を求めると Ａｔ二元合金／５ｉ０２キ３５． Ａｔ二斤合金ＺＳ
ｉ中１１、 Ａｔ二元合金／ホトレジストキ９が得られ
た。
分であシ、同様に各材料とのエッチ速度比を求めると Ａｔ二元合金／５ｉ０２キ３５． Ａｔ二斤合金ＺＳ
ｉ中１１、 Ａｔ二元合金／ホトレジストキ９が得られ
た。
実施例４．銅（Ｃｕ）２％を含むＡ４−Ｃｕ−Ｓｉ合金
（以下Ａｔ三元合金という）１μｍの厚さの膜を表面に
付着させた直径７６論のシリコンウェハ１０枚を実施例
２と同様に載置し、ガス圧は１０ Ｐａとし、ガス組成
、流量とも実施例１と同一条件で、ホトレジストマスク
として微細パターンのエツチング加工を行なった。エツ
チングは５．５分で完了した。この時のＡｔ三元合金の
エッチ速度は１８２ ｎｍ／分であり、同様に各材料と
のエッチ速度比を求めると Ａ／＝三元合金／ Ｓ ｉ ０２キ２８Ｓ Ａｔ三元合
金／Ｓｉ：８：１５％ Ａｔ三元合金／ホトレノストキ
１０が得られた。
（以下Ａｔ三元合金という）１μｍの厚さの膜を表面に
付着させた直径７６論のシリコンウェハ１０枚を実施例
２と同様に載置し、ガス圧は１０ Ｐａとし、ガス組成
、流量とも実施例１と同一条件で、ホトレジストマスク
として微細パターンのエツチング加工を行なった。エツ
チングは５．５分で完了した。この時のＡｔ三元合金の
エッチ速度は１８２ ｎｍ／分であり、同様に各材料と
のエッチ速度比を求めると Ａ／＝三元合金／ Ｓ ｉ ０２キ２８Ｓ Ａｔ三元合
金／Ｓｉ：８：１５％ Ａｔ三元合金／ホトレノストキ
１０が得られた。
以上の実施例から明らかなように、本発明の効果を列挙
すると次のようになる。
すると次のようになる。
１）直径１００１ｒｒＩｎのＳｉウエノ・上のＡｔ二元
合金のエッチ速度は２５０ ｎｍ／分で１μｍ厚のＡｔ
二元合金は約４分で終了する０ ２）上記ウェハ１０枚を同一バッチでエッチ処理すると
、そのエッチ速度は約ｉ ５０ ｎｍ／分で、１μｍ厚
のＡｔ二元合金は約７分でエッチ処理可能である。
合金のエッチ速度は２５０ ｎｍ／分で１μｍ厚のＡｔ
二元合金は約４分で終了する０ ２）上記ウェハ１０枚を同一バッチでエッチ処理すると
、そのエッチ速度は約ｉ ５０ ｎｍ／分で、１μｍ厚
のＡｔ二元合金は約７分でエッチ処理可能である。
３）前記実施例１でのウニ／％条件でのＡｔ二元合金と
５ｉ０２％ Ｓｔ、＊トレジ２．ト（ＡＺ１４７０）＋
１７）エッチ速度比は次の通りである。
５ｉ０２％ Ｓｔ、＊トレジ２．ト（ＡＺ１４７０）＋
１７）エッチ速度比は次の通りである。
Ａｔ二元合金／ ５ｉ０２＞２５． Ａｔ三元合金／
Ｓｉ＞１０． Ａｔ二元合金／ホトレジスト〉１０４
）前記実施例でのウエノ・条件で、ウェハ１０枚を同時
処理した場合のエッチ速度比は次の通シであるＯ Ａｔ二元合金／ Ｓ ｉ ０２ ＞ ２５、 Ａｔ二元
合金／Ｓ １ ＞ １０１ Ａｔ二元合金／ホトレノ
スト〉７５）ガス圧１５’Ｐａ以下で本発明の混合ガス
でＡｔ二元合金をエッチした場合マスク・母ターンを正
確に転写したＡｔ二元合金・ぐターンが得られ、サイド
エッチやアンダーカットは見られない０６） ＣＣｌ
４ガスの混合比が２０チと少いため。
Ｓｉ＞１０． Ａｔ二元合金／ホトレジスト〉１０４
）前記実施例でのウエノ・条件で、ウェハ１０枚を同時
処理した場合のエッチ速度比は次の通シであるＯ Ａｔ二元合金／ Ｓ ｉ ０２ ＞ ２５、 Ａｔ二元
合金／Ｓ １ ＞ １０１ Ａｔ二元合金／ホトレノ
スト〉７５）ガス圧１５’Ｐａ以下で本発明の混合ガス
でＡｔ二元合金をエッチした場合マスク・母ターンを正
確に転写したＡｔ二元合金・ぐターンが得られ、サイド
エッチやアンダーカットは見られない０６） ＣＣｌ
４ガスの混合比が２０チと少いため。
ＣＣｌ４ガスを多量に使用した場合の悪臭はない。
７）純Ａｔ、Ａｔ二元合金、Ａｔ三元合金の範囲で本
発明のガスを用いて、上記特性が保持できる。
７）純Ａｔ、Ａｔ二元合金、Ａｔ三元合金の範囲で本
発明のガスを用いて、上記特性が保持できる。
８）ＡｔまたはＡｔ合金表面の自然酸化膜の除去時間は
１分以内である。
１分以内である。
９）エツチングした下地面にエッチ残漬やポリマーの形
成がな諭。
成がな諭。
第１表は本発明のガスと従来ガスによるエツチング特性
の比較衣である０ 以上のように、本発明は、エツチングの・正確さ、作業
環境の改善、プロセス処理時間の短縮など。
の比較衣である０ 以上のように、本発明は、エツチングの・正確さ、作業
環境の改善、プロセス処理時間の短縮など。
改善効果が大きく、実用上きわめて有効である。
図面は８９．５％ＢＣｔ３＋１０チＣＦ４＋０．５％０
２の混合ガスに対するＣＣ４４の混合比とエッチ速度と
の特性曲線図である。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士 山 元 俊 仁 １０ ２０ ３０ ４０ ５
０ＣＣＬ４ 、！７合［ｌ′（％）
２の混合ガスに対するＣＣ４４の混合比とエッチ速度と
の特性曲線図である。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士 山 元 俊 仁 １０ ２０ ３０ ４０ ５
０ＣＣＬ４ 、！７合［ｌ′（％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 アルミニウムおよびアルミニウム合金のガスプラ
ズマによるドライエツチングにおいて、エツチングガス
として三塩化硼素と四塩化炭素の混合ガスに、さらに酸
素および四７ツカ炭素のうち少くとも一種を加えたこと
を特徴とするアルミニウムおよびアルミニウム合金のプ
ラズマエツチング方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載のエツチングガスとして
四塩化炭素の混合量が体積比で全体のガスの５〜３０チ
であることを特徴とする前記アルミニウムおよびアルミ
ニウム合金のプラズマエツチング方法。 ３、特許請求の範囲第２項記載のエツチングガスとして
四フッ化炭素の混合量が体積比で全体のガスの１０％以
下であることを特徴とする前記アルミニウムおよびアル
ミニウム合金のプラズマエツチング方法。 ４、特許請求の範囲第２項記載のエツチングガスとして
酸素の混合量が体積比で全体のガスの１％以下であるこ
とを特徴とする前記アルミニウムおよびアルミニウム合
金のプラズマエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19028381A JPS5891171A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | アルミニウムおよびアルミニウム合金のプラズマエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19028381A JPS5891171A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | アルミニウムおよびアルミニウム合金のプラズマエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891171A true JPS5891171A (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=16255585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19028381A Pending JPS5891171A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | アルミニウムおよびアルミニウム合金のプラズマエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213877A (ja) * | 1982-06-05 | 1983-12-12 | Anelva Corp | アルミニウムのドライエツチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158343A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Hitachi Ltd | Dry etching method for al and al alloy |
| JPS5623276A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-05 | Fujitsu Ltd | Dry etching method |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19028381A patent/JPS5891171A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158343A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Hitachi Ltd | Dry etching method for al and al alloy |
| JPS5623276A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-05 | Fujitsu Ltd | Dry etching method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213877A (ja) * | 1982-06-05 | 1983-12-12 | Anelva Corp | アルミニウムのドライエツチング方法 |
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