JPS5890769A - 積層半導体装置 - Google Patents

積層半導体装置

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JPS5890769A
JPS5890769A JP56191118A JP19111881A JPS5890769A JP S5890769 A JPS5890769 A JP S5890769A JP 56191118 A JP56191118 A JP 56191118A JP 19111881 A JP19111881 A JP 19111881A JP S5890769 A JPS5890769 A JP S5890769A
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JP
Japan
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layer
integrated circuit
semiconductor
forming
semiconductor layer
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JP56191118A
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Tadashi Nishimura
正 西村
Yoichi Akasaka
洋一 赤坂
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体層を絶縁層と局所的な導電層を介して
積みかさねた高集積かつ多機能をＭする積層半導体装置
に関するものである。
従来この種の装置として第１図に示すものかあつた。図
において（１）はシリコン基板、（２）＃″ｔこのシリ
コン基板上に形１戊された集積回路の素子、（３）はそ
の上層の半導体層に形成された集積回路の素子、　（５
）　Ｈ７エースダクンポンデイングで接続される光電変
換センサをささえる最上層の果槓、１ｇＩｗＨ１部を有
する半導体層とその回路素子を示す各半導体Ｉ−は基板
の半導体層におけるパッド部分を除い友清性領域上にほ
ぼ同じ面積で形成され、整然とじ定積層構造を戎してい
る。
久にこれらの多層構造で形成された半導体装置における
各層の機能について説明する。第１図において第５層（
６）　ｔ／′ｉ光電変換センサー、第４層（５ンは前処
理回路いわゆる（Ａ−Ｄ）制御回路である。
第３層（４）は画像処理記憶を行い、第２層（３）は外
部への表示処理（Ｄ−Ａ）回路を成す。第１層は画像処
理を行うｃｐａである。
従来の積層半導体装置は以上のように構成されているの
で熱放散、各層間の導通または半導体層の結晶性改善に
関して実現のために技術的な困難があり、信頼性、歩留
の点で問題があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたものであり半導体層囲上の少なくとも１部
分の上部にはその層以降の半導体層を形成しない構造と
することにより、まず、特に熱放散の必要な回路をこの
部分に形成すれば空冷の効率を上げることができ、層間
の通電に関しても従来技術で、簡単に行え、筐た、上部
層の結晶性に関しても埃に述べるような理由で改善でき
ることがら縄い信頼性をそなえた積層半導体装置を提供
する。
以ド発明の実施例を図について説明する。第２図におい
て（２１）は基板シリコン、（２２）ｌｄ基板シリコン
上に形成された集積回路で特に（２２）の部分はこの全
体の集積回路の心臓部ともいえる画像処理￥絡でｒＮｃ
ム（エミッタ　カップルド　ロジック）で組まれている
ため発熱が大きく、上層に半導体層を形成しないで放熱
の効率化をはかつている。
４２層（２３）第３層（２４）第４層（２５）はそれぞ
れ表示回路、画像処理記憶、（Ａ−１３）制−回路で、
第５層のみが７エースダクンボンデイングでアセングリ
されるため第１層の上部にも形成されるっ第１層の一部
の上部には第２層を形成しないようにして第２層の半導
体層を形成した後や配線工程を行えば、′！ｇ１層と第
２層の導通に関してはスルーホール等の特殊な技術を用
いずに確実に行うことができる。筐た、第２層の半導体
層の形成にあたっては第３図に示すようにレーデ−ある
いは電子線を照射し第１層の開口部の結晶領域を橿とし
て第２層の半導体層の結晶性を改善する方法をとること
もこの発明においてＶｉ可能である。
なお上記実施例では第２層目以降の一部上層全形成しな
い場合を示したが、第２層目以降であってもかまわない
。これは回路構成で決゛ボされるべきもので、放熱を必
要とし、また配線等に問題の多い回路を形成した層の上
部を形成しないようにす４ればよいのである。
以上のようにこの発明によれば部分的に中望またはある
層の上層を形成しない構造をとったので装置が安価にか
つ高い信頼性をもつものが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
＠１図は従来の多層構造集積回路を示す斜視図、第２図
はこの発明の一実施例の積層半帰休装置の斜視図、９ｐ
Ｊａ図は上記一実施例を作るためのレーデ−照射による
単結晶層の製造方法を示す説明図である。 （１）はシリコン基板、（２）はシリコン基板上に形成
された集積回路の素子、（３）はその上層の半導体層ｅ
こ形成された集積回路の素子、（４）はさらにその上ノ
ーの半導体層に形成された集積回路の素子、（５）はと
りつけられたこの素子における最上層、（２１）はシリ
コン基板、（２２）は第１層における集積回路、荷に放
熱を必要とする電源回路、（２３）　、（２４）　、（
２５）はそれぞれ、２．３．４層目に設けられた集積回
路、（２６）　ｔｒｉアセングリで取りつけられた最上
層の半導体集積素子、（３１）　Ｉｄシリコン基板、（
３２）は第１層に形成された集積回路素子、（３３）は
層間の絶縁ｌ−上に形成された第２層目の半導体層であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体層の主面に設けられ、少なくとも１素子以
    上の能助素子を含む第１の集積回路と、この第１の集積
    回路上に絶縁層を介して設けられ少なくとも１素子以上
    の能蛸素子を含む第２の集積回路とを調えたものにおい
    て、上記第１の集積回路の所定の能動菓子の表面上を除
    く表面部分に上記絶縁層を介して上記′％２の集積回路
    が設けられるられることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の積層半導体装置っ
JP56191118A 1981-11-25 1981-11-25 積層半導体装置 Pending JPS5890769A (ja)

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FR2517125A1 (fr) 1983-05-27
US4797723A (en) 1989-01-10
FR2517125B1 (fr) 1986-06-27

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