JPS5889826A - バイアスされた伸張部材を有する無線周波エツチテ−ブル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明社、半導体ウェハ上の一様なエッチを得るための
装置に関するつよ）詳細に杜、バイアス部材を周縁に位
置させた無線周波エッチテーブルに関し、半導体ウェハ
上でよシ一様なエッチ速度を可能ならしめるものである
。

半導体部品の製作において、ウェハの表面をエッチする
ことが、製作過程の種々の点で必要となる。これらの点
のうちに紘、金属化運用に先立って或いは工♂タキシャ
ル成長段階の実行に先立って表面を洗浄するためのエツ
チングも含まれる。

又、フォトレノストで部分的に被覆され九層を選択的に
エツチングすることによる、金属化又は酸化の・譬ター
ンの描画も含まれる。栓来の方法では、化学的腐食剤を
用いてい友。しかしながら、次第に、いわゆるドライエ
ツチング技術が用いられるようになった。これらの技術
のうちには、ス／譬ツタエツチング、−イオンビームミ
リング、及び反応性イオンエツチングが含まれる。スミ
４ツタエツチング（ｆラオマエッチングともいわれる）
は、当該技術において周知である。例えば、Ｇ、Ｎ、　
Ｊａｅｋｓｏｎの“Ｒ，Ｆ、　８ｐｕｔｔ＠ｒ１ｍｇ・
（Ｔｈ１ｍ　Ｂ−ｏｌｌａ　Ｆｌｌｍｓ　１９７０年版
、第５巻、第２０９頁、第２３６頁以下）及びＲ，Ｇｌ
ａｎｇ等の“Ｇ＠ｎ＠ｒａｔ１ｏｎ　ｏｆ　Ｐａｔｔ＠
ｒｎｓ　ｉｎ　ＴｈｌｎＦｌｉｍｇ”　　（Ｈａｎｄｂ
ｏｏｋ　　　ｏｆ　　　Ｔｈ１ｎ　　　Ｆｌｌｍ　　　
Ｔ＠ａｋｓｏｌｏｇｙ、　　　１９７０年版、第７〜４
９頁）を参照され丸い。ス・ぐツタエツチングの動作理
論を以下に簡単に説明する。

基板線電流又はＲＦの何れかの高電位に維持される。そ
して基板表面の上方に、グロー放電グラズマ、が誘起さ
れる。ｆラズマは、電子、イオン及び中性の原子又は分
子の混合体である。イオンと電子との数は大体等しく均
衡されていて、総］電荷線はぼ零であシ、イオンの移動
状、印加電場内の漂遊によってで−ｔｉ’＜拡散によっ
て達成される。基板直上でグラオマの下方の空間には、
暗空間と呼けれる領域が存在し、そこでは多くの電子線
見出されない。正イオンが暗空間とプラーｅ−ｖとの間
の境界（プラズマシースと呼はれる）へと拡散するとき
に、もはや電子によって−マスクされず、負に帯電した
基板の電位によって正イオンが引出される。

正イオンは、エッチテーブル上に位置した対象物の表面
へ引かれて、そこを衝撃してエツチングをもたらす。

半導体ウェハの表面にわたって一様にエツチングするこ
とは、半導体デバイスの製作において次第に重要になっ
てきた。このことは、集積度が増大し、リトグラフの最
小線幅が狭くなるほど、壇すまず重要である。半導体ウ
ェハの他の場所で紘満足なエツチングであっても、高密
度のエツチング領域では細かいリトグラフ形状を破壊す
ることもある。故に、グラス又はマイナス１０１１の一
様性の範囲内でエツチングを実行することが、しばしば
必要とされる。

ＲＦス／ｌツタエツチングの場合にａ、一様エッチング
を生成するた峠に基板上方の瞳空間高さを一定に維持す
ることが必要であることが解っている。この県外は必ず
満たされなければならない。

何故、ならば、プラズマシースの相対的高さが、引出さ
れるイオンの数を決定し、それらが基板へ向かう初期軌
跡の方向を決定し、故にエツチング速度の一様性を決定
するからである。さら゛に、エッチすべき基板の周縁部
のところ゛では、プラズマシースは下方に曲がり、エッ
チテーブル端部を包囲する接地構造体に達する。このこ
とは、集束効果を生ずる。すなわち、エッチチーデル周
縁部付近のプラズマから引出され九イオンが収束軌跡を
有して、基板の外方端上にはより多−くのイオンが衝突
する。かくして、ＲＦエッチテーブルの一様工゛ツチ速
度を得る丸めには、チーゾルを平坦にしで、エッチすべ
き対象物よりもテーブルを大きくして、対象物周縁部を
巡る集束効果を回避したり、或いはプラズマの終端が対
象物から離れるように包囲用接地電極を形状づけること
が実施されていた。

本発明の目的は、半導体ウェハを一様にエッチすること
“が可能なりＰエッチテーブルを提供することである。

本発明の他の目的は、その周縁部の周）にバイアス伸張
部材を有し、グ゛ラズマンースの境界を延長させ九Ｒ１
’エッチテーブルを提供することである。

本発明の他の目的は、周縁部に伸張部材を有するＲＦ’
エッチテーブルを提供することであシ、伸張部材にバイ
アス電圧を印加して、チーゾル上方（少なくとも基板が
位置されるべき場所の上方）に一様な瞳空間高さを維持
することである。

〔発明の概要〕

ＲＦエッチテーブルには、その周縁部に隣接し、バイア
スをかけられた伸張部材が設けられている。

伸張部材は、導電性であって、装置内の他の導電部材か
ら絶縁されている。伸張部材はテーブルの周縁部に関し
て都合曳く位置づけられ、それによりエッチテーブル上
方に誘起されたプラズマの境界が、エッチテープ、ルの
周縁部を越えて連続し、以てテーブル上でエッチされる
べき対象物端部へのイオン集束を除去している。伸張部
材に印加さｉる電位が、充分な高さの上面を有する瞳空
間を生成する。七丸により―エッチチーゾル上方のプラ
ズマシースの水平形状が、テーブル端部を越えて連続し
ている。

〔好適実施例の説明〕

正イオンが瞳空間とプラズマ領域との間の境界へと拡散
するときにプラズマにより引出された正イオンによって
、ＲＦ７”ラズマ中のエツチングが実行される。正イオ
ンは、基板上の高い負の・母イアスによって、誘引され
る。もし基板が半導体ウェハのように平坦であるならば
、そのウニノー上のプラズマシース（ｐｌａｍｍａ　ｓ
ｈ＠ａｔｈ　）の理想的形状は、基板と同平面にあって
基板よりも大きな平坦シー、スとなるべきである。イオ
ンはあたかも無限遠平坦源から発生され、゛基板上のす
べての点は同一のイオン束を体験すべきである。しかし
ながら、実際の装置においては、エッチテーブルが有限
寸法であること及びエッチチーデルを包囲する°構造体
″が接地されていることによって、プラズマシースはそ
の端部で曲がっている。従って、多数のイオンがエッチ
テーブルの周縁の周シで引出され、エッチテーブルの端
に方向づけられ、それによシ多数のイオンの軌跡がエツ
゛チされるべきウェハの端部に収束してしまう。

スフ４ツタエツチングにおける非一様性を減少させるた
めに、様々な技術及び装置が利用されてきた。例えば、
Ｇ、Ｎ、　Ｊａｅｋｓｏｎ　ｆ）　”　ＲＦ’　８ｐｕ
ｔｔ＠ｒｌｎｇ　’　。

Ｔｈ１ｎ　８ｏ１１ｄ　Ｆｉｌｍｓ　（１９７０年版、
第５巻、２９０頁、２３６〜２３９頁、　”　Ｕｎｌｆ
ｏｒｍｌｔｙ　’の章）の中で論じられているように、
接地遮蔽の位置を変化し且つ磁場を印加することによシ
、一様性が増大すると報告されている。これらの研究は
、現在の半導体製作で追求されている±１ｏｌＧ程度の
高い一様性を生成することはできなかつえ。他の未熟な
しかし効果的な研究が＃）シ、それはエッチされるべき
対象物よシもエッチチーゾルを十分に大きくすることで
ある。それによシ対象物はエツチングが生ずる領域の中
央に位置し、イオン束線本質的に一定になる。しかしな
がら、実施できる装置では、充分な空間がとれず、エッ
チテーブルについての充分なコストが許されず、そのた
めこの方法社採用できない。

本発明の装置は、エッチチーゾル上に位置する半導体ウ
ェハの一様エッチングを達成するために、エッチチーグ
ル端部を越えた！ラズマシースの延長部分を生成する。

このことを完遂する丸めの方法は、第４及び５図の概略
図を比較すれば理解できよう。

第４図に略示し九在来のエッチテーブルは、ベース構造
体１１及び周辺リップ１３を有するテーブル１０から成
る。半導体ウェハ１４がリッ７’１３上に置かれる。ウ
ェハ１４は間隔領域５の上方に横置されているので、中
央導管６を通してガスを導入することによ〉ガス導通冷
却が可能になる。

このことは、スフ４ツタエツチングで体験する大電力密
度にとって重要な特色である。テーブルｌＯは、整合回
路網３４を通じてＲＦ電源３５に容量結合することによ
シ、数キロがル）１１度の高いＲＦ電位に維持される。

エッチチーツルｌＯの上方にグラズマ２６が発生され、
瞳空間領域２７によシ半導体ウェハ１４から分離される
。グラズマ２６と瞳空間領域２フとの間の境界である！
ラフマーシース２５を横切って、イ゛オンが引出され、
軌跡２８に沿って運行しウニ・・１４の表面に一達する
。この従来技術において、エッチチーｆ＋１０の周縁、
９を包囲する構造部材１７が、機械電位（代表的には接
地電位）に維持されてい名。エッチチーツルｌＯの端を
越えたところで瞳空間が消失し、！ラズマシース２５は
下方へ曲がり構造部材１７に連なっている。結果として
、エッチテーブルの端部付近モ多くのイオンが生成され
、エッチ速−（ｒａｔ＠）は中央よりも端部付近の方で
よ）大きくなる。例えば、第６図には、アルｔ、ンプラ
ズマ内の在来エッチテーブル上に位置された半導体ウニ
／−について、その上のアルミニウム膜のエッチ速度を
ｌ１１単位で示している。端部におけるエッチ速度は、
中央におけるよりも５倍以上大きい。

第５図の概略図に、本発明の延長された！ラズマシース
３０を示す。！ラズマシース３（１，７”ラズマ領域３
２と瞳空間領域３３との間の境界をぎ成する。在来のＲ
Ｆエッチチーブルと同様に、−１１体ウェハ１４ａペー
ス１１のリツ７”１３に位置され、テーブル１０は整合
回路網３４を通じてＲＦ電源３５に接続されている。ガ
スが中央導管６を通して導入されると、間隔領域５を通
じてｉｔ−ス導通冷却が達成される。しかしながら、本
発明の装置の場合には、エッチテーブルｌＯの周縁部９
に隣−して位置され良導電性伸張部材２０の存在により
、グッズマシース３０が延長されている。

バイアス電源３７が、伸張部材２０に）４イアス電圧を
印加する。接地部射線プラズマシースを引下げ、浮動電
極は水平！ラズマシースを維持するのに要する電位と線
矢分異なる電位を凰するので、！ラズマシースを延長さ
せるためにはｌ青イアス電圧を印加しなければならない
ことが、−解った。伸張部材２０は、外部支持部材（図
示せず＞ＶＣ固着され、機械、接地及びエッチチーデル
１０から電気的に分離されている。好適には、伸張部材
２０に印加される／臂イアス電位は直流電位である。Ｒ
Ｆバイアス電位を用いることもできるが、その場合にエ
ッチテーブル用のＲＦ電源からは分離されるべきである
。何故なら、エッチチーデルから電°力を引出さないよ
うにする゛ためであ、る。伸張部材２０の好適な電位値
は、プラズマシースがエッチテーブルの作業部分を越え
て水平に延長するのに、充分な値である。しかし、プラ
ズマシースが上方に曲がってエッチテーブル１００２周
縁の周夛でイオン欠乏が生じるほど、大きな電位値では
ない。代表的には、バイアス電源３７は、−１００〜−
１０００がルトの範囲の直流電圧を供給する。その電位
の実際値は、エッチテーブルの表面上方の伸張部材の位
置に依存する。これら好適値についての量的議論は次の
段落で与える。伸張部材２０−が適所にある場合に、イ
オンの集束は依然として生ずるが、軌跡３８で示すよう
にそれほど著しいものではなく、ウェハは一様なエツチ
ングを体験する。成る実施例（図示せず）においては、
部材２０は、単一の周辺構造形状である。第２及び５図
の実施例において、接地遮蔽体２２がｍ６られて、絶縁
体２１を遮蔽する。それにより、絶縁体２１がス°・母
ツタ金属で被覆されて導電性になるということは修い。

本発明の実施例に伴うエツチングの一様性を、第７及び
８図に示す。第７図は、直径１００■のシリコンウェハ
上に形成されたアル電ニウム膜のいくつかのエッチグロ
フイールを示すグラフである。エッチテーブルは、−１
’２００−ルトの電位に維持されている。伸張部材２０
は、エッチチーゾルｌＯの表面の４−上方に上昇されて
いる。各曲線に社、バイアス電源３７により伸張部材２
０に印加された種々の直流電位の値が付されている。

曲線の平坦さが、一様性のめ申すである。バイアス電位
が印加されないところでは、ウエノ飄の周縁部でのエツ
チングはつ’Ｚ　／％中央部におけるよりも２倍以上の
速度である。印加電位が−１００？ルトのところでは、
周縁部エツチングが減少゛され、中央部エツチングの約
り倍になっている。印加電位が７２０”Ｏ−ルト９場合
には、周縁部エツチングは中央におけるよシもわずかに
高いだけで６９、±９１以内に一様性が保たれて諭る。

印加電位が一５００＆ルトでは、周縁部エツチングは、
中央部におけるよ）約２０１１Ｉだけ−〈なりている。

これらの結果は、正しく以下のように解釈される。

すなわち、プラズマシースのうちエッチチーゾルの周縁
部上方にあるシースのレベルが、シースの中心部のレベ
ルよりも低い位置から、シース中心部レベルよシ高い位
置へと、シフトされている、と解釈されるつ印加電位が
一２００＆ルトよりわずかに低いときに、プラズマシー
スの延長部がほぼ水平に生じ、これが最も一様なエツチ
ングのための好適な状況である。唯一の最適電位の存在
を、第８図によって確認する。第８図は、−２０００？
ルトに維持され木エッチテーブル上の８１０．のエッチ
ノロフィールを示すグラフである。伸張部材２０の電位
が−７６０から−６００へと変化されるにつれて、周縁
部のエッチ速度は増大して、中央部の速度よりも大きく
なＱている。

エッチチーゾル端部に関しての伸張部材の位置は、以下
の考察に従って決定される。ｆ２ズマｄｌエッチテーブ
ル周縁部を越えるまで紘何らかの接地部材に対する露光
視線を有しないよ゛うに、伸張部材はエッチテーブル端
部に近接して横方向に位置すべきである。もしそのよう
な露光視線が存在するならば、プラズマシースはエッチ
テーブル上方で水平延長シース部をもたず、その領域で
沈下部を生ずる。伸張部材の高さは、エッチテーブルの
レベルの下方の位置からエッチテーブルレベル上方の位
置まで変化させることができる。ＴｈｉｎＦｌｌｍ　Ｐ
ｒｏｅ＠５５１ｍｇ　（Ｖｏｓｍｅａ著、１９７８年版
１第８５頁）によれば、プラズマからの電流密度は以下
の式で与えられる。ことが解っている。

こむに、ｄ−暗空間高さく一単位） ■−エッチテーブルの電圧（ｈｖ　） Ｍ−スフ４ツタ原子の分子量 Ｊ−電流密度（ｍム／ｊ　） この０式は、書き直して、導電表面上の電圧及びイオン
電流によって暗空間の高さを表わす式に変換できる。

この式は、６　Ｘ　Ｉ　Ｆ”　Ｔｏ’ｒｒの圧力につい
てのいくつかの電圧値及びそれに付帯する電流に対する
、伸張部材上方の瞳空間高さを求めるのにもｍｍいるＶ
　　　　Ｉ（ｍＡ）　　　Ｊ（ｍ入／ｊ）　　　　（ｍ
）　　　　（インチ）−７６０１”７　　　０．７３　
　　４．９　　　０．１９６−６８０　　　−　　　　
　　　　　　　　　４．５７　　　　０．１８０−６０
０　　１７　　　０．７３　　　４．１６　　０．１６
４−４００　　１２　　　０．５２　　　３．６４　　
０．１４３−２００　　１２　　　０．５２　　　２．
３８　　０．０９３−１００　　　１０　　　　　０．
４３　　　　　１．４１　　　　０．０５６次に、伸張
部材自身について考えてみれば、伸張部材上方の瞳空間
高さ及び！ラズマシース位置は、伸張部材に印加された
バイアス電圧の関数である。印加電位の値が与えられた
ときには、伸張部材の位置が上昇されればｆラズマシー
ス位置紘上昇−し、伸張部材の位置が下降されればプラ
ズマ“シース位置は下降する。伸張部材の位置が固定さ
れる場合には、印加バイアス電圧が増加されるとプラズ
マシース位置が上昇し、印加バイアス電圧が減少される
と！ラズマシース位置が下降する。

好適実施例においては、−伸張部材はエッチテーブルの
水平レベルよシ上方に上昇されていて、伸張部材へ印加
されるべき電圧を下げることを可能にして、同時にエッ
チテーブルの端部ヲ越えたプラズマシース水平延長部分
を得ている。エッチテーブル周縁の周シの接地部材めげ
ラズマへの視線方向に着しく露出しないように、伸張部
材の位置をエツｆｆ−ｆル上方にあｔ、ｂ高くすべきで
ないことが解った。又、伸張部材への入射スノ譬ツタリ
ングが金属不純物′蚕生成し、それがエッチすべき半導
体ウェハの表面を汚染してしまうことのないように、伸
張部材はあまシ低く或いはエッチチーゾル端部にあｔ、
ｂ１近させるべきではないことも解った。−２０００＃
ルトのバイアス電位の代表的＆ＲＦエッチテーブルの場
合には、エッチチーゾル上方のバイアスリング又は伸張
部材の位置は約２〜４■の範囲であシ、そこに印加され
るバイアス電圧は約−２００〜−−８００＆ルトの範囲
内である。このように、好適なりングノ々イアス電位紘
、エッチテーブルの電位の０．１〜０．４倍である。

従来技術のニッチチーゾルを第１図に断面図で示す。は
ぼ環状につくられたテ、−ｆル１０が、ウェハを支持す
るりラグ１３及び間隔領域５を伴って形状づけられてい
る。ウェハ１４がプラズマ（図示せず）によってエッチ
されるべき位置に置かれるとき、導管又は通路６を通じ
て間隔領域５へ導入されるガスによシ導通冷却が達成さ
れる。このガス冷却は、例えば、米国特許第４，２６１
，７６２号（Ｍ、に１ｎｇの“Ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒ　
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　Ｈ＠ａｔ　ｔ。

ｏｒ　ｆｒｏｍ　ａｎ　Ａｒｔｉｃｌ＠Ｂ＠ｌｎｇ　Ｔ
ｒ＠ａｔ＠ｄ　Ｕｎｄ＠ｒ　Ｖｈｅｕｕｍつにその方法
が述べられている。チーゾルｌＯは、整合回路網７を通
じてＲｊＦ電源８に容量結合することにより、高いＲＦ
’電位に維持される。ウェハは、絶縁４スト１６に付設
されたクリソｆ１５によシ適所に支持される。クリラグ
１５は、例えば、同時係属の米国特許出願第１０９，１
７９　（Ｒ，８ｈａｗの“Ｗａｆ＠ｒ　　５ｕｐｐｏｒ
ｔ　Ａｓｓｅｍｂｌｙ″）に述べられている。エッチテ
ーブル１０１１、圧力グレート又は接地シールドなどの
構造部材１７によって包囲されている。構造部材１７は
、ネジ４によって構造部材３に固着される。構造部材３
は、ネジ１８によって機械支持体１９に固着される。こ
のように、構造部材１７は、エッチテーブル端部の上方
及び隣りにある最も近接した物理的実在物である。そし
て構造部材１７は、代表的には接地電位である機械電位
に維持される。動作にあえり、エッチテーブル１０及び
半導体ウェハ１４の上方に発生されるプラズマは、テー
ブル及びウェハの直近上方の領域に制限される。何故な
らば、プラズマを誘起して持続するためには高電圧が要
求されるからである。包囲構造体の機械電−位はプラズ
マを誘起し持続するのに充分ではなく、！ラズマシース
は接地構造体へと下方に達して終了する。

本発明に係るエッチテーブルを第２及び３図に示す。従
来技術のエッチテーブルと同様に、整合回路網７を通じ
九ＲＦ電源８によって、テーブルｌＯのペース構造体ｌ
ｌへと高いＲＦ電圧が印加される。クリラグ１５が、゛
支持リッツ”１３上の適所に半導体ウェハ１４を保持す
る。従来技術と異なり、エッチチーゾル端部の上方及び
隣りにある最も近接した物理的実在物は伸張部材２０で
ある。

伸張部材２０は、セラミック挿入体２１に本って、機械
から電気的に絶縁されている。セラミック挿入体２１は
、ネジ２４によシ機械支持構造体に固着される。遮蔽体
２２が用いられて、セラミック挿入体２１が被覆され導
電性になることを防止している。伸張部材２０は、ネジ
２３０手段によって、セラミック挿入体２１に固定され
る。伸張部材２０の電位、すなわちエッチテーブル周縁
部９を越えた領域における電位状況は、バイアス電源５
により印加される電圧によって決定される。動作にあた
９、伸張部材２０の電位は、接地電位又は機械電位レベ
ルよシも実質的に低く維持されるが、エッチテーブルの
電位レベルはど低くはない。

上述したように、伸張部材がエッチチーゾルの位置レベ
ルの上方的２〜４■に位置されている場合に、伸張部材
の電位は好適には、エッチテーブルの電位の０．１〜０
．４倍の範囲内である。さらに好適には、伸張部材の電
位は、エッチテーブル電位の０．２〜０．３倍の貢囲内
である。

【図面の簡単な説明】

第１１１ａ、在来のＲＦエッチテーブルの断面図である
。 第２図は、本発明のＲＦエッチチーゾルの断面図である
。 第３図は、第２図のＲＦエッチテーブルの平面図である
。 第４図は、在来のＲＦエッチテーブルの上方にできた！
ラズマシースの概略図：ｃＴｏる。 第５図は、本発明のＲＦエッチテーブルの上方にできた
！ラズマジースの概略図である。 第６図は、在来のＲＦエッチテーブル上に位置され九″
アルミニウムのエッチ速度（Ｘ１分）を示すグラフであ
る。 第７′図は、本発明のＲＦエッチテーブル上に位置され
九アルミニウムのエッチ速度を、中心からの距離に対し
て示し九グラフである。エッチチーゾルは一１２００＆
ルドに維持されている。伸張部材の電位は、それぞれ図
に示す通りである。 第８１図は、本発明のＲＩＦエッチテーブル上に位置さ
れたＳｔＯ，のエッチ速度を示したグラフである。 エッチテーブルは一２０００＆ルトに維持されている。 伸張部材の電位は、それぞれ図に示す通りである。 〔主要符号の説明〕 ５・・・間隔領域　　　　６・・・導管７・・・整合回
路網　　　８・・・ＲＦ電源９・・・周縁部　　　　　
１０・・・エッチチーゾル１１・・・ベース　　　　　
１３・・・リップ１４・・・ウェハ　　　　　１５・・
・クリラグ１６・・・絶縁Ｉスト　　　２０・・・伸張
部材２１・・・絶縁体　　　　２２・・・遮蔽体２３・
・・ネジ　　　　　　２４・・・ネジ３０・・・ノ２ズ
マンース

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　スノ々ツタリングによって半導体ウエノ＼を一様
   にエツチングする丸めのＲＦエッチ、テーブルであって
   ニ ス・母ツタエツチングに晒されるべき半導体ウェハを支
   えて保持するようにされたテーブル構造体； 蚊テーブル構造体に電気的に優続さ、れたＲＦ電源； 前記チーツル構造体の周縁部に隣接して位置づけられ、
   他の導電部材かも杜絶縁されている、導電性の伸張部材
   ；並びに 皺伸張部材に電位を印加するためのバイアス電源手段； か゛ら成り、以て前記テーブル構造体の上方に・発ｉさ
   れるノラズマが、前記テーブル構造体の４周縁部を越え
   て前記伸張部材の少なくとも二部の上方にまで延在して
   いることを、特徴とするエッチチーゾル。 ２、特許請求の範囲第１項に記載され九ＲＦエッチチー
   ゾルであって： 前記伸張部材の位置及び前記・９イアスミ源手段は、前
   記テーブル構造体上方のゾラズマの水゛平連続部分を生
   成するように選択される；ところのエッチチーゾル。 ３、％詐請求の範囲第２項に記載されたＲＦエッチチー
   ゾルであって： 前記ＲＦ電源が前記テーブル構造体に容量結合されてい
   る； ところのエッチテーブル。 ４、％許請求の範囲第３項に記載されたＲＩＰエッチテ
   ーブルであって： 前記テーブル構造体が、前記半導体ウェハの積極的冷却
   をもたらす手段を含む； ところのエッチテーブル。 ５、特許請求の範囲第４項に記載されたＲＦエツチテー
   ブルであって： 前記の積極的冷却をも九らす手段が、ガス導通冷却を達
   成する手段から成る： ところのエッチテーブル ６、　４Ｉ軒請求の範囲第３項に記載され九ＲＦエッチ
   テーブルであって： 前記伸張部材が、前記テーブル構造体の上面のレベルよ
   り上方に、且つ前記テーブル構造体上方に生成された！
   ラズマシースの下方境界よシ下一方に、位置づけられる
   ；゛ ところのエッチテーブル ア、４Ｉ許請求の範囲第６項に記載されたＲＦエッチテ
   ーブルであって： 前記伸張１部材が、前記テーブル構造体のレベルから約
   ２〜４箇だけ上方に位置づｉられてぃ−る； ところのニッチチーゾル。 ８、特許請求の範囲第７項に記載され九ＲＦエッチテー
   ブルであって： 前記バイアス電源手段が、前記チーツル構造体の電位の
   ０．１〜０．４倍の範囲内の電位を印加する； ところのエッチテーブル。 ９、特許請求の範囲第８項に記載されたＲＦエッチテー
   ブルであって： 前記・臂イアス電源手段が、前記テーブル構造体の電位
   の０，２〜０．３倍の範囲内の電位を′印加する； ところのエッチテーブル。 １０、　４許請求の範Ｓ第８項に記載され九ＲＦエッチ
   テーブルであって： 前記テーブル構造体が円形状であプ；且っ前記伸張部材
   が、前記円形状テーブル構造体を円心的に囲んで環状に
   位置されたリングから成る； ところのエッチテーブル １１　４Ｉ許請求の１１１１１１１８項に記載され九Ｒ
   Ｆエッチテーブルであって：さらに 前記伸張部材のうち前記テーブル構造体から最も離れ九
   部分の上に、電気的連絡なしに位置づけられた、遮蔽部
   材−； を含むエッチテーブル。