JP2001506401A - 基板上に均一な密度のプラズマを生成するための装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、プラズマの存在下で基板を処理するための装置および方法である。本装置は、低い圧力で維持される領域を囲むチャンバ；前記領域に配置され、基板を支持するための実質的に水平の基板支持面を有する基板支持体；前記チャンバに配置され、前記基板支持面上にイオン化したプラズマを生成するために前記チャンバ内に高周波フィールドを生成ためのコイルを有し、前記コイルは、基板の全上面を実質的に横切って基板の上面に実質的に平行に広がる等電位線を有するプラズマを維持するために配置されているものである。

Description

【発明の詳細な説明】 基板上に均一な密度のプラズマを生成するための装置及び方法 発明の背景 本発明はプラズマ発生器に関し、特に、半導体デバイスの製造において材料層 をスパッタ堆積するためにプラズマを発生するための方法及び装置に関する。 低密度のプラズマは、表面処理、堆積及びエッチングプロセスを含むいろいろ な半導体デバイスの製造に用いられる便利なエネルギーイオン源となる。例えば 、スパッタ堆積プロセスを用いて半導体ウエハに材料を堆積するために、負にバ イアスされたいろいろなスッパタターゲットにプラズマが生成される。ターゲッ トに隣接して作られたイオンはターゲットの表面に衝突し、ターゲットから材料 を除去、すなわち“スパッタ”する。このスパッタされた材料は、その後、半導 体ウエハの表面上に移されて、堆積される。 スパッタされた材料は、基板の表面に斜めの角度で、ターゲットから堆積され る基板へ真っ直ぐな経路を経る傾向がある。その結果、深さと幅の高いアスペク ト比を持つトレンチや孔を有する半導体デバイスのエッチングされたトレンチや 穴に堆積された材料は橋をかけるようになり、これは望ましくない。これを避け るために、もし、スパッタされた材料がプラズマによって十分イオン化されてい るならば、基板の近傍に垂直に向けられた電界を配するために、基板を負に帯電 することによって、スパッタされた材料はターゲットと基板の間に実質的に垂直 の経路に向けられることができる。しかし、低い密度のプラズマに置いてスパッ タされた材料は、極端に大きなキャビティの形成を避けるのに通常十分である、 １０％以下のイオン化度をしばしば有している。従って、堆積層における望まし くないキャビティの形成を減少させるために、プラズマの密度を増加して堆積さ れた材料のイオン化割合を増加することが望ましい。ここで用いられる、「密な プラズマ」という用語は、エレクトロン及び／又はイオンの高い密度を有するも のを意味するものとする。 容量結合、誘導結合及びウエーブ過熱を有するＲＦフィールドを有するプラズ マを励起するためのいろいろな既知の技術がある。標準の誘導結合プラズマ(ind uctive coupled plasma:ＩＣＰ)発生器において、コイルを流れるＲＦ電流は、 コイルによって囲まれた領域に電磁流からなっているプラズマを生成する。これ らの電磁流は、オーミック加熱によって導電プラズマを加熱するので、それは安 定状態に維持される。例えば、米国特許第4,362,632号に示されているように、 コイルを通る電流はインピーダンス整合回路網を介してコイルに結合されたＲＦ 発生器によって供給されるので、このコイルは、トランスの第１の巻き線として 作用する。そのプラズマはトランスの単一巻回の第２の巻き線として作用する。 高い密度のプラズマは、一般に比較的高い圧力で動作されるチャンバを必要と する。その結果、プラズマイオンと堆積材料の原子間での衝突頻度は増加され、 堆積原子の散乱も同様に増加される。この堆積原子の散乱によって、一般に基板 上の堆積層は、ターゲットの中心と整列された基板部分上で厚く、その中心から 離れた領域で薄くなる。このような堆積の不均一性は、半導体デバイスの製造に おいて、しばしば望ましくない。 基板の表面のエッチング操作、或いは基板の表面への堆積オペレーションを伴 う均一性は、基板の表面にわたるイオン化されたプラズマの密度の変化によって 逆の影響を受けることが判っている。結果的に、基板表面にわたるプラズマ密度 は改善され、生じたエッチングや堆積オペレーションの均一性も同様に改善され る。 発生したプラズマの均一性を改善するようにしたプラズマ発生コイルに対する 多くの設計や配列が提案されている。代表的には、一つ以上のコイルがウェハ表 面上の位置に配置され、また、多くの提案によると、これらのコイルはプラズマ 自体が閉じ込められるチャンバの外側に配置される。研究によって、これらの従 来のコイル配列は、ウェハ表面にわたって実質的なプラズマ密度の非均一性を有 するプラズマフィールドを生成する傾向にあることが判った。 本発明の概要 本発明の主な目的は、プラズマの存在において基板を処理するための装置によ って、いろいろな処理操作にさらされているウェハ表面にわたってプラズマポテ ンシャル或いは密度の均一性を実質的に改善することであり、その装置において 、ＲＦコイルは基板支持を含む面に近いところに配置されている。このような配 置によってコイルによって維持されているプラズマが基板支持装置に平行で、均 一なポテンシャルおよび密度を有することがわかった。図示された実施の形態に おいて、この装置は、低圧力に維持された領域を囲むチャンバと、その領域に配 置され、基板を支持するための実質的に水平な基板支持表面を有する基板支持装 置と、基板支持表面上にプラズマを維持するためにチャンバ内に高周波フィール ドを発生するためのチャンバ内に配置されたＲＦコイルを有する。このコイルは 、基板支持表面を含む垂直領域を囲んでおり、基板支持表面の面近くに配置され て、プラズマが基板の実質的に全表面にわたってより均一な密度およびポテンシ ャルを有するようにする。 図面の簡単な説明 図１は、本発明による装置の第１の実施形態を示す縦断面図である。 図２は、本発明による装置の第２の実施形態を示す図１と同様の縦断面図であ る。 図３は、本発明による装置の第３の実施形態を示す図１と同様の縦断面図であ る。 図４は、本発明による装置の第４の実施形態を示す図１と同様の縦断面図であ る。 図５は、本発明の第４の実施形態に本質的に相当する装置の縦断面図であり、 第４の実施形態において達成されると考えられる等ポテンシャルラインのパター ンのコンピュータシミュレーションを含む。 発明の詳細な説明 以下に示される詳細な説明から容易に明らかになるように、本発明は、もし、 本発明の第１の実施形態によるプラズマ発生コイルがウェハを取り囲む領域に配 置されるか、または、少なくともコイルの低い巻回がウェハの近くか、或いは下 に配置されるならば、半導体ウェハ或いは他の基板の表面上にプラズマ密度の均 一性が実質的に改善されると言う出願人の発見から生まれた。このコイルの配列 によって、コイルによって発生されたフラックスの大部分がコイルの水平なメデ ィアン面(median plane)上に配置され、等しいプラズマ密度のラインがウェハ表 面の全体にわたってウェハ表面に実質的に平行に広がり、そしてこれはプラズマ の全体の実質的に垂直範囲にわたって、正しいことが判った。 プラズマの主な部分がコイル上に位置するように、ウェハの表面レベルか、或 いはそれより下にあるプラズマ発生コイルの位置づけは、関連した発行文献に記 載された概念および出願人が知っている商業的に利用できるシステムにおいて提 供された装置に反すると考えられた特徴である。 本発明による装置の第１の特定の実施形態は図１に示されている。この装置は 、導電性の材料から作られたシールド２によって部分的に囲まれ、円筒状の真空 チャンバ４内に配置されたプラズマチャンバ１を有する。真空チャンバ４の底部 における開口を通して伸びるペデスタル６がその上端に基板支持部分７を有して 設けられる。基板支持部分７の上面は、処理されるべき基板８を支持する基板支 持面７ａを有する。ペデスタル６の下端はし地面（図示せず）上に取りつけられ ており、基板支持面がシールド２内で垂直に移動させることができるエレベータ 機構を有することができる。真空チャンバ４の内部は、真空チャンバ４の底部と 基板支持装置の底部の間に接続されるベロー１２によってシールされている。変 わりに、ペデスタルと関連エレベータ機構を真空チャンバ４内に完全に囲こむこ とによって、ベロー１２に対する必要性を除くこともできる。 本願の図面に示された実施形態は、スパッタリングによって基板８の上面上に 層を堆積のために意図されている。この目的のために、ターゲット１４がシール ド２によって形成された囲い内に取付けられ、真空チャンバ２の上部に取付けら れたソースアダプタ１５がターゲット１４を支持する。このターゲット１４は適 当なバイアス電源に結合される。一般的には、負のｄｃ電圧が、絶縁リング１７ によってソースアダプタから絶縁されるターゲット１４に印加される。 スパッタリングによる層堆積のための実施形態は、非限定例によってのみ選択 される。本発明は、プラズマが生成されるべきであり、基板表面にわたって均一 なプラズマ密度が有用である、例えばエッチング装置を含む他の装置に適用され る。 更に、ターゲット１４は、実質的にディスク形状であるように図示されている が、特別な堆積要求に適用される全ての適したターゲット形状を用いることがで きることを理解すべきである。 また、例示によって、ここに示されている装置は、ターゲット１４からの物質 の侵食が回転磁石アッセンブリ、即ちマグネトロンによって生成されるものであ る。あらゆる適した既知の装置を、ターゲット１４への衝撃イオンの発生を制御 するために用いることができる。 基板８が従来のクランプリング１８によって基板支持表面上の適所に保持され る。バイアスがＡＣおよびＲＦ電源を含む適当なバイアス源によってクランプリ ング１８を通して基板８に与えれる。 この実施形態において、プラズマは高周波（ＲＦ）電源２２に電気的に接続さ れているコイル２０によって、シールド２によって囲まれた領域に発生され、維 持される。電源２２は、真空チャンバ４とシールド２における開口に取付けられ た絶縁体２４，２５を通る導体２３によってコイル２０の両端に接続される。 図１に示された実施形態において、コイル２０は、ペデスタル６の中心軸、基 板８の中心軸、そして好ましくは、ターゲット１４の中心軸と同軸の垂直軸の周 りの水平面に巻かれた３ターン（３回巻き）からなっている。コイル２０は基板 支持体６の周りを囲んでおり、この実施形態において、基板支持体６の上面７ａ の下および基板８の上面の下に位置される。 コイル２０は、ＲＦ電流をコイル２０に与える垂直導体２８を含む。これらの 導体２８は、最適なプラズマのフィールドパターンを生成する高さへ持ち上げる ために、コイル２０を垂直に移動することができる機構によって支持される。図 示された実施形態において、この機構は、導電性のカバー部材３２および絶縁性 基体３４を含む２つ以上の油圧ジャッキ、或いはピストンシリンダーアッセンブ リから構成することができる。カバー部材３２は、コイル２０とシールド２を短 絡する堆積物質による導電性通路の形成を避けるために、複雑な通路を形成する ように、シールド２と基体３４から離されているのが好ましい。 コイル導体２８は、導電性部材３２と絶縁性基体３４内の導電性コア（図示せ ず）を介して導体２３と接続されている。 好ましくは、コイル２０は、基板８の表面の幾らか下にある下限と基板８の表 面の幾らか上にある上限に広がる範囲にわたって移動可能である。 コイル２０は、コイルの面が基板の面以下にある上述の高さにあるとき、コイ ルが生成するプラズマは、高い度合いの均一性を持って、基板８の上面に平行に 広がる電子の等密度（電子／cc）線によって特徴づけられ、そしてこの均一性は 、プラズマフィールドの全垂直の大きさのすみずみに実際に存在するると考えら れる。プラズマフィールドの中央における電子の等密度線が全体の基板表面と実 質的に同一の空間的広がりのある領域を横切って基板の上面に平行に広がってい る。反対に、従来のコイル配列の多くの場合、プラズマフィールドの中央におけ る電子の等密度線は、関連する基板表面の一部でのみ同一の空間的広がっている の考えられている。 更に、従来のコイル配列で存在すると考えられている状態とは対照的に、図１ に示された実施形態では、全プラズマフィールドは実際にコイル２０上にある。 本発明の一つの特徴によれば、コイル２０によって発生されるプラズマは、基 板表面の実質的全体にわたって基板表面に平行に広がる電子の等密度線を有する ので、ターゲット１４からワークピース８へ移る堆積物質の均一性は、プラズマ によって乱されない傾向にある。結果的に、均一性のソースから堆積物質がイオ ン化され、イオン化したプラズマによって生じる不均一性の量が減少されて堆積 される。 更に、本発明によるコイルの位置のために、基板８とターゲット１４間に最適 な垂直空間を確立することが容易となる。 図１に示された実施形態において、コイル２０の垂直位置は、クランプリング １８がコイルから放射される熱による不均一加熱に対して、基板８を保護するよ うに熱シールドとしても働く位置である。反対に、処理されている基板の上面上 に配置されている従来のコイルの場合、コイルからの放射による不均一加熱はし ばしば問題である。 図１は、３ターンを有するコイルを図示しているけれども、特定の装置の要求 にしたがって、異なる数のコイルの巻き数を用いることができることを認識すべ きである。幾つかの応用において、単一巻きのコイルが用いられる。 例えば、Ｔｉターゲット、ＡｒまたはＮ２のようないろいろなプラズマガスを 用いて、反応性金属イオン堆積のようなプロセスに対して、再結合速度の相違な どによるプラズマ密度分布が変化するので、ジャッキ３０の操作によるコイル２ ０の高さを調節するのが有利である。この理由のために、プラズマフィールドの 形状を最適化するために、コイル２０の高さを調節することができることが望ま しい。 図２は、本発明の第２の実施形態であり、同じ要素は同じ参照番号を付して図 示されている。これらの要素については再度説明しない。単純化するために、図 ２は、例えば、真空チャンバ４、ターゲット１４、電源２２、絶縁体２４、ジャ ッキ３０等のような幾つかの要素を図示していない。これらの要素の幾つか又は 全ては、図１に図示された同じ装置において、図２の実施形態にあってもよい。 しかし、ある要素は、幾つかの応用において除かれることが意図されている。例 えば、コイルの高さは、特定のプロセスに対して、任意の高さで固定することが できる。このように、これらの装置ではジャッキ３０を除いてもよい。 図２に示された実施形態は、コイルが直ぐ下のターンよりも大きな直径を有す るそれぞれのターンでフラストコニカルパスに従うように、図１のコイル２０が ヘリカル状に巻かれているコイル４０で置きかえられている点で図１に示された ものと相違する。シールド２が比較的小さな直径を有するとき、この配列は好ま しい。この場合、以下に説明されるように、図３に示された方法でクランプリン グ１８を変形することが望ましく、コイル４０によって生じた熱放射から基板８ の適切な熱シールドを確実にする。 図３は、図１の実施形態の変形を示し、コイル２０が基板８の上面のわずか上 に配置されている。初めに述べたように、コイル８のこのような位置は、基板表 面上に堆積されるべき材料の性質およびシールド２内のイオン化されたガスの成 分に依存して、最適なプラズマフィールド形状を作ることが判る。コイル２０が 図３に示された位置に配置された場合、コイル２０と基板８の間にシールドを構 成する上方に突出する部分を有する変形されたクランプリング４８を使用するこ とが好ましい。 図４は、図１の実施形態の他の変形例を示し、コイル２０が実質的に等しい直 径の２回巻きの円筒状コイル６０によって置きかえられている。これらの巻き線 は一方を他方の上に配置するようにされ、下側の巻き線は基板８と略同じレベル に配置され、上側の巻き線は基板８のレベルより少し距離を置いて配置されてい る。コイル６０によって生成されるプラズマの密度分布を最適化するために、下 側の巻き線は、基板８のレベルより僅か下か、僅か上にあってもよい。コイル６ ０の上側の巻き線は基板８の幾らか上に配置されるので、この実施形態は、図３ の実施形態において用いられたものと同じ変形されたクランプリングを有する。 図５は、第４の実施形態による装置を本質的に図示し、更に、第４の実施形態 によるコイル６０がプラズマを生成するために用いられるとき、シールド２によ って囲まれた内部空間に形成されると考えられるプラズマの等電位線のコンピュ ータシミュレーションを示す。プラズマフィールドにおける等電位線のパターン は、フィールド内のプラズマの等密度パターンに一般に相当する、と考えられて いる。等電位線は、実質的に基板の全幅、即ち直径にわたって基板８の上面に実 質的に平行に伸びていることが図５から容易に明らかである。 横座標の値は基板８の中心軸である原点からの距離を表し、又縦座標の値は基 板８の上面より下の任意に選ばれた点である原点からの距離を表す座標系が、図 ５に示されたシールド２の部分に重畳されている。この座標系の横座標のスケー ルはＲで示され、その縦座標のスケールはＺで示されている。基板８の上面は、 Ｚ≒３ｃｍの縦座標の値を有する。図５に示されたＲＦフィールドの選ばれた点 で計算されたプラズマ電位に対する例示的値が以下のテーブルに示されている。 コイル６０のターンの正確な位置は図５の座標スケールから決定される。図５ はシールド２と基板８の半分を示しているけれども、プラズマの他の半分は図示 された半分と鏡面対称である。即ち、プラズマの等電位線と等フラックス密度線 は、座標系の垂直、即ちＺ軸について対称であり、その軸は座標系の原点を通っ ている。 本発明によるプラズマに与えられる高い均一性のために、特に、金属コーティ ング堆積用の直径が３００ｍｍまでの大きな基板をうまく処理することができる 。 本発明の実施形態は、互いに垂直に離間された、即ち円筒状のコイルで構成す る単一巻きコイルを含むことを留意すべきである。 勿論、本発明の変更は、そのいろいろな特徴において、この分野の通常の知識 を有するものには明らかであり、あるものは研究の後明らかであり、他のものは ルーティンの機械的および電子的設計の事項である。他の実施形態も可能であり 、それらの特定の設計は特定の応用に依存する。このように、本発明の範囲は、 ここで説明された特定の実施形態によって限定されるべきでなく、請求項および その均等なものによって定められるべきである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホン リウボ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 91520 サン ホセ サマーリーフ プレ イス 945 (72)発明者 和田 優一 千葉県成田市新泉３―14

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．プラズマの存在のもとで基板を処理するための、高周波電源に接続されて使 用する装置であって、 低い圧力に維持された領域を囲むチャンバと、 前記領域に配置され、上面を有する基板を支持するための実質的に水平な基板 支持面を有する基板支持体と、 前記チャンバに配置され、前記基板支持面上にプラズマを維持するために前記 チャンバ内に高周波フィールドを生成するためのコイルを通して導通される高周 波電流に応答する前記コイルを有し、 前記コイルは、前記基板支持面を含む垂直領域を囲み、前記プラズマは、前記 基板の全上面を実質的に横切る前記支持面に実質的に平行に広がる等電位線を有 するように配置されることを特徴とする装置。 ２.前記コイルは、前記プラズマが基板の上面に平行な均一な密度を有するよう に、前記基板支持体を含む面の近くの高さに配置されることを特徴とする請求項 １に記載の装置。 ３．前記コイルは、前記コイルの少なくとも一部が前記基板支持面上に支持され た前記基板より下にあるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の装 置。 ４．前記コイルは、前記基板支持面上に支持された基板の位置より下に全体的に 配置されることを特徴とする請求項１に記載の装置。 ５．前記コイルの少なくとも一部は、前記基板支持面と水平に整列して配置され ることを特徴とする請求項２に記載の装置。 ６．前記コイルは、共通の水平面に配置された複数ターンを有する平面コイルで あることを特徴とする請求項２に記載の装置。 ７．前記コイルは、互いに垂直に間隔があけられた複数ターンのヘリカルコイル であり、各々のターンは直ぐ下にあるターンの直径よりも大きな直径を有してい ることを特徴とする請求項２に記載の装置。 ８．更に、前記コイルと前記基板支持面の間に置かれた熱シールドを有すること を特徴とす請求項２に記載の装置。 ９．前記熱シールドは、前記基板支持面上に基板をクランプするために配置され たクランプリングによって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の装 置。 10．更に、前記チャンバに垂直変位のための前記コイルを支持するエレベータを 有することを特徴とする請求項２に記載の装置。 11．前記エレベータは、前記基板支持面に関して選ばれた垂直位置に前記コイル を位置するための機構を有することを特徴とする請求項10に記載の装置。 12．プラズマの存在のもとで基板を処理するための、高周波電源に接続されて使 用する装置であって、 低い圧力に維持された領域を囲むチャンバと、 前記領域に配置され、上面を有する基板を支持するための実質的に水平な基板 支持面を有する基板支持体と、 前記チャンバに配置され、前記基板支持面上にプラズマを維持するために前記 チャンバ内に高周波フィールドを生成するためのコイルを通して導通される高周 波電流に応答する前記コイルを有し、 前記コイルの少なくとも一部は、前記基板支持面と水平に整列して配置されて いることを特徴とする装置。 13．前記プラズマは、前記基板支持面に平行に均一の密度を有することを特徴と する請求項１２に記載の装置。 14．前記コイルは、前記コイルの少なくとも一部が前記基板支持面より下にある ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。 15．前記コイルは、共通の水平面に配置された複数ターンを有する平面コイルで あることを特徴とする請求項１２に記載の装置。 16．前記コイルは、互いに垂直に間隔があけられた複数ターンのヘリカルコイル であり、各々のターンは直ぐ下にあるターンの直径よりも大きな直径を有してい ることを特徴とする請求項１２に記載の装置。 17．プラズマの存在のもとで基板を処理するための、高周波電源に接続されて使 用する装置であって、 低い圧力に維持された領域を囲むチャンバと、 プラズマ発生領域を囲むシールドと、 前記プラズマ発生領域に配置され、上面を有する基板を支持するための実質的 に水平な基板支持面を有する基板支持体と、 前記プラズマ発生領域に配置され、前記基板支持面上にプラズマを維持するた めに前記プラズマ発生領域内に高周波フィールドを生成するためのコイルを通し て導通される高周波電流に応答する前記コイルと、 前記コイルと基板支持面の間に置かれた垂直の壁を有する熱シールド を有することを特徴とする装置。 18．前記熱シールドは、前記基板支持面上に置かれた前記基板をクランプするた めに配置されたクランプリングによって構成されていることを特徴とする請求項 １７に記載の装置。 19．プラズマの存在のもとで基板を処理するための、高周波電源に接続されて使 用する装置であって、 低い圧力に維持された領域を囲むチャンバと、 前記領域に配置され、上面を有する基板を支持するための実質的に水平な基板 支持面を有する基板支持体と、 前記チャンバに配置され、前記基板支持面上にプラズマを維持するために前記 チャンバ内に高周波フィールドを生成するためのコイルを通して導通される高周 波電流に応答する前記コイルと、 前記チャンバに垂直変位のためのコイルを支持するエレベータを有するいるこ とを特徴とする装置。 20．前記エレベータは、前記基板支持面に関して選ばれた垂直位置に前記コイル を置くための機構を有することを特徴とする請求項１９に記載の装置。 21．プラズマの存在のもとで基板を処理するための、高周波電源に接続されて使 用する装置であって、 低い圧力に維持された領域を囲むチャンバと、 前記領域に配置され、上面を有する基板を支持するための実質的に水平な基板 支持面を有する基板支持体と、 前記チャンバに配置され、前記基板支持面上にプラズマを維持するために前記 チャンバ内に高周波フィールドを生成するためのコイル手段を通して導通される 高周波電流に応答する前記コイル手段とを有し、 前記プラズマは、前記基板の全上面を実質的に横切る前記支持面に実質的に平 行に広がる等電位線を有するように配置されることを特徴とする装置。 22．低い圧力に維持された領域を囲むチャンバにプラズマは発生し、基板支持面 に基板を載せるための方法であって、 前記基板支持面上に上面を有する基板を載置するステップと、 前記基板支持面に実質的に平行に広がる等電位線を有するプラズマを維持する ために、前記基板支持面の周りに配置されたプラズマ発生コイルを通して高周波 電流を導通するステップ を有することを特徴とする方法。 23．前記コイルの少なくとも一部は、前記基板支持面上を含む面より下にある高 さに配置されることを特徴とする請求項２２に記載の方法。 24．前記コイルは、前記基板支持面の高さに近い高さあることを特徴とする請求 項２３に記載の方法。 25．前記コイルは、前記基板支持面より高くない位置にあることを特徴とする請 求項２４に記載の方法。 26．前記コイルは、前記基板支持面に平行にプラズマ密度の均一性を最大にする 高さに配置されることを特徴とする請求項２３に記載の方法。 27．前記コイルの少なくとも一部は、前記基板支持面と水平に整列して配置され ることを特徴とする請求項２３に記載の方法。 28．更に、前記コイルと前記基板の間に配置された熱シールドを用いて、前記基 板をシールドするステップを有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。 29．更に、前記コイルと前記基板の間に配置された熱シールドを用いて、前記基 板をシールドするステップを有することを特徴とする請求項２３に記載の方法。 30．更に、前記コイルに結合されたエレベータを用いて、前記基板支持面に関し て前記コイルの位置を変更するステップを有することを特徴とする請求項２３に 記載の方法。 31．低い圧力に維持された領域を囲むチャンバにプラズマは発生し、基板支持面 に基板を載せるための方法であって、 コイルに結合されたエレベータを用いて、前記基板支持面に関して前記チャン バの前記領域に配置されたコイルの位置を変更するステップと、 前記基板支持面上に上面を有する基板を載置するステップと 前記チャンバにプラズマを維持するために、前記コイルを通して高周波電流を 導通するステップ を有することを特徴とする方法。 32．低い圧力に維持された領域を囲むチャンバにプラズマは発生し、基板支持面 に基板を載せるための方法であって、 前記基板支持面上に上面を有する基板を載置するステップと 前記チャンバにプラズマを維持するために、前記コイルを通して高周波電流を 導通するステップ 前記コイルと前記基板の間に配置された熱シールドの垂直な壁を用いて前記基 板をシールドするステップ を有することを特徴とする方法。