JPS588552B2 - 改良された導電性および耐食性の集電装置 - Google Patents
改良された導電性および耐食性の集電装置Info
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- JPS588552B2 JPS588552B2 JP52017031A JP1703177A JPS588552B2 JP S588552 B2 JPS588552 B2 JP S588552B2 JP 52017031 A JP52017031 A JP 52017031A JP 1703177 A JP1703177 A JP 1703177A JP S588552 B2 JPS588552 B2 JP S588552B2
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- H01M10/39—Accumulators not provided for in groups H01M10/05-H01M10/34 working at high temperature
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- H01M4/00—Electrodes
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、腐食性環境の存在における高温度適用に使用
するために適した改良された導電性の集電装置に関する
。
するために適した改良された導電性の集電装置に関する
。
更に詳細には、本発明はナトリウム・硫黄電池などのエ
ネルギ交換装置に使用するための導電性の集電装置また
は集電装置/容器に関する。
ネルギ交換装置に使用するための導電性の集電装置また
は集電装置/容器に関する。
更に詳細には、本発明は、本発明の集電装置内に使用す
るために理想的に適している導電性の金紅石(ruti
le)二酸化チタンを準備するための2つの方法に関す
る。
るために理想的に適している導電性の金紅石(ruti
le)二酸化チタンを準備するための2つの方法に関す
る。
種々のエネルギ変換装置において、その集電装置が露出
している環境が極めて腐食性である多くの電気的用途が
ある。
している環境が極めて腐食性である多くの電気的用途が
ある。
例えば、ナトリウム多硫化物などの溶融状態の陽極反応
物(cathodicreactant)を有する形式
のエネルギ変換装置においては、適当な容器のみならず
適当な集電装置の選択は、重要な関心事の源であった。
物(cathodicreactant)を有する形式
のエネルギ変換装置においては、適当な容器のみならず
適当な集電装置の選択は、重要な関心事の源であった。
かような装置に対する集電装置または集電装置/容器と
して使用するため現在までの主な候補の一つは、いくつ
かの金属であった。
して使用するため現在までの主な候補の一つは、いくつ
かの金属であった。
しかし、金属系は、純粋または合金化したものでも、応
力下において(外因的および自身の重量によっても)甚
だしい塑性変形の現象を示すことが多い。
力下において(外因的および自身の重量によっても)甚
だしい塑性変形の現象を示すことが多い。
この理由のため、また甚だしい腐食問題のために、多く
の金属は、かような高温度または腐食性(酸化性)環境
に使用するためには実用的でない。
の金属は、かような高温度または腐食性(酸化性)環境
に使用するためには実用的でない。
腐食性の環境の存在において酸化物および硫化物などの
セラミック材料の熱力学的安定性は、よく確認されてお
り、かつかような材料の熱力学的安定性は、金属系に対
して適合するよりも遥かに高い温度までも維持されるこ
とも知られているので、集電装置または容器の荷重担持
要素として使用される金属にセラミック被覆を使用する
ことが示唆されている。
セラミック材料の熱力学的安定性は、よく確認されてお
り、かつかような材料の熱力学的安定性は、金属系に対
して適合するよりも遥かに高い温度までも維持されるこ
とも知られているので、集電装置または容器の荷重担持
要素として使用される金属にセラミック被覆を使用する
ことが示唆されている。
金属系が荷重担持要素として動作し、金属を腐食性物質
から離間する保護被覆を含む場合には、適当な被覆の選
択は、下記の材料から作られなければならない。
から離間する保護被覆を含む場合には、適当な被覆の選
択は、下記の材料から作られなければならない。
(1)腐食性物質に対して非腐食性かつ非透過性である
こと、(2)熱サイクルの状態下で接着良好なこと、(
3)十分な電子的導通性を持つこと。
こと、(2)熱サイクルの状態下で接着良好なこと、(
3)十分な電子的導通性を持つこと。
しばしば、付着された金属と、セラミック被覆との間の
熱膨張不適合のため、破壊、微小亀裂および金属面から
被覆の最終的破砕を生じる。
熱膨張不適合のため、破壊、微小亀裂および金属面から
被覆の最終的破砕を生じる。
機械的の不適合に加えて、陽極化などによってセラミッ
ク被覆を適用する通常方法は、導電性被覆ではなくしば
しば絶縁性の被覆を生じる。
ク被覆を適用する通常方法は、導電性被覆ではなくしば
しば絶縁性の被覆を生じる。
結論的には、熱膨張の反復サイクル中に機械的に適合し
ている被覆において、必要な非腐食性質、良好な接着性
および適当な導電性を備えた被覆の開発は、当業界に長
い間困難な課題であった。
ている被覆において、必要な非腐食性質、良好な接着性
および適当な導電性を備えた被覆の開発は、当業界に長
い間困難な課題であった。
耐腐食性セラミック被覆を持った金属の荷重担持要素を
有する集電装置の上記の固有制限を考えて、耐食性のセ
ラミックそのものの使用が示唆された。
有する集電装置の上記の固有制限を考えて、耐食性のセ
ラミックそのものの使用が示唆された。
しかし、有用なセラミックの大多数は、電気的絶縁物で
あるので、それらは、集電目的には不適当とされている
。
あるので、それらは、集電目的には不適当とされている
。
もちろん、或るセラミックは、金属概念で導電性である
ことは知られているが、経済的に魅力的でない。
ことは知られているが、経済的に魅力的でない。
セラミックの多くの種類は、中程度の導電性にすること
ができるが、その導電性は金属よりも遥かに小さい。
ができるが、その導電性は金属よりも遥かに小さい。
従って、電子的に導電性セラミックで作られた集電装置
は、それと同様の形状の金属集電装置の抵抗よりも遥か
に大きい抵抗を示すであろう。
は、それと同様の形状の金属集電装置の抵抗よりも遥か
に大きい抵抗を示すであろう。
従って、本発明の目的は、導電セラミックと金属との両
方の上記最良特性を組合せることによって上記の欠陥を
克服することである。
方の上記最良特性を組合せることによって上記の欠陥を
克服することである。
上記の目的は、本明細書に開示されおよび特許請求され
る発明によって達成され、本発明は、腐食性環境の存在
において高温度適用に使用するために適当する改良され
た導電性の集電装置であって、下記の諸要件を有してい
る。
る発明によって達成され、本発明は、腐食性環境の存在
において高温度適用に使用するために適当する改良され
た導電性の集電装置であって、下記の諸要件を有してい
る。
(イ)前記集電装置のだめの主要な荷重担持部材として
役立つ高強度、非腐食性、導電性セラミック部材 (B) 前記セラミック部材の一表面の大部分に緊密
に付着された高導電性の金属被覆を有し、前記金属被覆
は、前記集電装置の主要荷重担持要素としての前記セラ
ミック部材の機能を維持する厚さを持ち、セラミック部
材の弾性率に比較して前記金属の比較弾性率に基礎をお
き、前記金属被覆は、前記セラミック部材を通って電流
を流し、かつ前記部材と外部の接触点との間の前記電流
を遮断するようにされている。
役立つ高強度、非腐食性、導電性セラミック部材 (B) 前記セラミック部材の一表面の大部分に緊密
に付着された高導電性の金属被覆を有し、前記金属被覆
は、前記集電装置の主要荷重担持要素としての前記セラ
ミック部材の機能を維持する厚さを持ち、セラミック部
材の弾性率に比較して前記金属の比較弾性率に基礎をお
き、前記金属被覆は、前記セラミック部材を通って電流
を流し、かつ前記部材と外部の接触点との間の前記電流
を遮断するようにされている。
上記の目的は、熱的衝撃に高い抵抗を示し、約25μ以
下の平均粒度を持つ均一粒度を示し、タンタルおよびニ
オブから選ばれた均質に分散されたイオン金属類でドー
プされた金紅石結晶形の二酸化チタンより成る高強度、
非腐食性、導電性の多結晶二酸化チタンのセラミック部
材を作るだめの2つの方法によってもまた更に達成され
る。
下の平均粒度を持つ均一粒度を示し、タンタルおよびニ
オブから選ばれた均質に分散されたイオン金属類でドー
プされた金紅石結晶形の二酸化チタンより成る高強度、
非腐食性、導電性の多結晶二酸化チタンのセラミック部
材を作るだめの2つの方法によってもまた更に達成され
る。
これらの方法のうちの第1は、一般的に下記の工程を持
っている。
っている。
(A)前記セラミック部材内に前記金属類を約0.01
乃至8原子パーセントあたえるような量に前記金属類の
5弗化塩を水および脂肪族アルコールから選んだ溶剤に
溶解する。
乃至8原子パーセントあたえるような量に前記金属類の
5弗化塩を水および脂肪族アルコールから選んだ溶剤に
溶解する。
(B) 金紅石または鋭錐石の形態の二酸化チタン粉末
を(A)の溶液に加えて混合スラリーを作る。
を(A)の溶液に加えて混合スラリーを作る。
(C)前記金属類の蒸発を避けるような温度において前
記スラリーを粉末状に乾燥する。
記スラリーを粉末状に乾燥する。
(D)前記粉末を希望の形状に生成形する。
(6)少なくとも約10℃/分の割合で前記成形生本体
を約350℃に加熱する。
を約350℃に加熱する。
(F)少なくとも約1330℃の温度で前記成形生本体
を焼結する。
を焼結する。
(G) 前記セラミック部材の導電率を増加するために
約850℃乃至1400℃の温度で約10乃至約10気
圧の酸素分圧を持つ減圧雰囲気中で前記焼結成形本体を
焼鈍する。
約850℃乃至1400℃の温度で約10乃至約10気
圧の酸素分圧を持つ減圧雰囲気中で前記焼結成形本体を
焼鈍する。
第2の方法は、下記工程を持っている。
(5)金紅石または鋭錐石の形態にある二酸化チタン粉
末と前記金属類の5塩化ジエチルエタレート複合体との
混合物を処理してスラリーを形成し、前記スラリー成分
は、前記セラミック部材中の前記金属類の約0.01乃
至約8原子パーセントとなるような量を含むこと。
末と前記金属類の5塩化ジエチルエタレート複合体との
混合物を処理してスラリーを形成し、前記スラリー成分
は、前記セラミック部材中の前記金属類の約0.01乃
至約8原子パーセントとなるような量を含むこと。
(B)前記金属類の蒸発を避けるような温度で前記スラ
リーを粉末状に乾燥する。
リーを粉末状に乾燥する。
(C)前記粉末を希望の形状に生成形する。
(D)少なくとも約40℃/分の割合で前記成形生本体
を約500℃に加熱する。
を約500℃に加熱する。
(E)少なくとも約1330℃の温度で前記成形生本体
を焼結する。
を焼結する。
(F)前記セラミック部材の導電性を増加するために約
850℃乃至1400℃の温度において約10−5乃至
10−25気圧の酸素分圧を持つ減圧雰囲気中で前記焼
結成形本体を焼鈍する。
850℃乃至1400℃の温度において約10−5乃至
10−25気圧の酸素分圧を持つ減圧雰囲気中で前記焼
結成形本体を焼鈍する。
本発明は、添付図面を参照して以下詳細に説明すること
によって更によく理解されるであろう。
によって更によく理解されるであろう。
上に簡単に述べたように、本発明の集電装置は電子的に
導通するセラミック酸化物と、金属導体との組合せを有
し、セラミック酸化物は、集電装置の荷重担持要素を形
成し、かつ上昇温度においてとの集電装置が曝露する物
質に対して耐腐食性であり、前記金属導体は、セラミッ
クと金属の界面における無視し得る電気抵抗をもってセ
ラミックに密接に付着している。
導通するセラミック酸化物と、金属導体との組合せを有
し、セラミック酸化物は、集電装置の荷重担持要素を形
成し、かつ上昇温度においてとの集電装置が曝露する物
質に対して耐腐食性であり、前記金属導体は、セラミッ
クと金属の界面における無視し得る電気抵抗をもってセ
ラミックに密接に付着している。
この構造における荷重担持要素としてセラミックを使用
するという概念は極めて重要であると認めなければなら
ない。
するという概念は極めて重要であると認めなければなら
ない。
セラミックに比較して正常には塑性変形する比較的薄い
金属被覆を維持することによって、例えば熱膨張などに
よるセラミックの変形は、金属を流動させる。
金属被覆を維持することによって、例えば熱膨張などに
よるセラミックの変形は、金属を流動させる。
その逆の設計で金属が導通するセラミックに比較して厚
い場合には、両者間の界面における機械的および電気的
一体性を維持するためにはセラミックが塑性流動をする
必要があるが、この状態は通常の脆弱性セラミックで達
成することは困難である。
い場合には、両者間の界面における機械的および電気的
一体性を維持するためにはセラミックが塑性流動をする
必要があるが、この状態は通常の脆弱性セラミックで達
成することは困難である。
本設計の有用性は、上記の設計要求に厳格に従って処置
されることができ、また電子用セラミックへの金属付着
の意味において相互に適合し、かつ金属と電子用セラミ
ックとの間の接触抵抗が小さく或は無視し得ることので
きる入手材料の存在において予期される。
されることができ、また電子用セラミックへの金属付着
の意味において相互に適合し、かつ金属と電子用セラミ
ックとの間の接触抵抗が小さく或は無視し得ることので
きる入手材料の存在において予期される。
適当な高導電性のセラミックは、周知の先行技術によつ
て準備することができる。
て準備することができる。
非常に腐食性の酸化物セラミックの準備は、4つの一般
に認められている方法によって当業界において達成され
ている。
に認められている方法によって当業界において達成され
ている。
(1)本質的な高導電性、(2)酸素イオンの欠乏を来
たす酸化物セラミックの減少および導電イオンの付加に
よるその後の電気的補充、(3)組成および電荷の両方
において溶質陽イオン類(solute cation
ic species)と異なるイオン類の制御された
付加であって、この付加された種類は、隙き間の結晶内
の位置を占め、電荷中和考慮は、導電電子と、より高い
導電性を生じ、(4)組成および電荷の両方において溶
質陽イオン類と異なるイオン類の制御された付加であっ
て、この付加された種類は、もとの陽イオン類の位置を
入れ代って占め、電荷中和考慮は、導電電子を生じる。
たす酸化物セラミックの減少および導電イオンの付加に
よるその後の電気的補充、(3)組成および電荷の両方
において溶質陽イオン類(solute cation
ic species)と異なるイオン類の制御された
付加であって、この付加された種類は、隙き間の結晶内
の位置を占め、電荷中和考慮は、導電電子と、より高い
導電性を生じ、(4)組成および電荷の両方において溶
質陽イオン類と異なるイオン類の制御された付加であっ
て、この付加された種類は、もとの陽イオン類の位置を
入れ代って占め、電荷中和考慮は、導電電子を生じる。
本来の高導電性は、酸化ルテニウムによって示されてい
るが、この化合物は、自然界にルテニウムの希少である
ために通常には非経済的であると考えられている。
るが、この化合物は、自然界にルテニウムの希少である
ために通常には非経済的であると考えられている。
方法(2)および(3)は、電界の存在による力を受け
て容易に動くことのできる電荷を持った運動性の原子実
体を正常には作ることになる。
て容易に動くことのできる電荷を持った運動性の原子実
体を正常には作ることになる。
方法(4)は、置換態様に不純物イオンを付加すること
は、通常は非常に高温度における以外には殆んど不動性
の不純物を生じる点において、上記集電装置における適
用性に対して最大の約束を捧げるものである。
は、通常は非常に高温度における以外には殆んど不動性
の不純物を生じる点において、上記集電装置における適
用性に対して最大の約束を捧げるものである。
導通状態にすることができ、かつ天然に豊富であるだめ
に経済的に成長し得る3種の経済的に成長し得る金属酸
化物は、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、チタン
酸ストロンチウム(SrTiO3)および両チタン酸塩
の誘導体の一つ、金紅石結晶形の二酸化チタン(TiO
2)である。
に経済的に成長し得る3種の経済的に成長し得る金属酸
化物は、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、チタン
酸ストロンチウム(SrTiO3)および両チタン酸塩
の誘導体の一つ、金紅石結晶形の二酸化チタン(TiO
2)である。
これらの酸化物のすべてに対する共通の置換添加イオン
は、+3酸化状態にある鉄と、+3酸化状態にあるアル
ミニウムとを含んでいる。
は、+3酸化状態にある鉄と、+3酸化状態にあるアル
ミニウムとを含んでいる。
比較的大きい電子導電性の増加は、前記セラミック内の
少なくとも+5の安定原子価を持つイオン金属類の付加
によって達成されることができる。
少なくとも+5の安定原子価を持つイオン金属類の付加
によって達成されることができる。
+5酸化状態にあるタンタルまたは+5酸化状態にある
ニオブは、好ましい。
ニオブは、好ましい。
その理由は、これらの元素の可溶性により、またニオブ
またはタンタル不純物付加によって作られた電荷キャリ
ャは、電子電流の流れのためにほとんど自由な状態にあ
るからである。
またはタンタル不純物付加によって作られた電荷キャリ
ャは、電子電流の流れのためにほとんど自由な状態にあ
るからである。
これらの金属酸化物にニオブまたはタンタルを付加する
最も通常の先行技術の方法は、その結果のセラミックが
多結晶体であるべきである場合には、5酸化ニオブ(N
b2O5)または5酸化タンタル(Ta2O5)の微粉
末と、溶質物質CaTiO3、SrTiO3またはTi
O2の微粉末との単純混合物である。
最も通常の先行技術の方法は、その結果のセラミックが
多結晶体であるべきである場合には、5酸化ニオブ(N
b2O5)または5酸化タンタル(Ta2O5)の微粉
末と、溶質物質CaTiO3、SrTiO3またはTi
O2の微粉末との単純混合物である。
この混合粉末を生セラミック形態に圧縮して、適当な温
度において焼結する通常の周知技術によるその後の工程
は、純粋のセラミックよりも遥かに増大した導電性を有
する黒色の密度の大きいセラミックを生産する。
度において焼結する通常の周知技術によるその後の工程
は、純粋のセラミックよりも遥かに増大した導電性を有
する黒色の密度の大きいセラミックを生産する。
粒度は、溶質内の不純物の不均質な分布と一致して一般
的に非常に不均一である。
的に非常に不均一である。
すなわち、タンタルまたはニオブは、均質状態に分布し
ていないで、大きいセラミック粒子は比較的少量を含み
タンタルとニオブとは粒度成長抑制因子として作用する
傾向を持つので比較的小さい粒子はますます多量に存在
する。
ていないで、大きいセラミック粒子は比較的少量を含み
タンタルとニオブとは粒度成長抑制因子として作用する
傾向を持つので比較的小さい粒子はますます多量に存在
する。
非常に高温度において過剰の加熱は、一層均質化するた
めに行なうことができるけれども、一層の粒度成長と過
大な処理費用とを犠性にするであろう。
めに行なうことができるけれども、一層の粒度成長と過
大な処理費用とを犠性にするであろう。
チタン酸カルシウムおよびチタン酸ストロンチウムに同
族のチタン酸バリウムは、粉末として形成することがで
き、米国特許第3330697号明細書に記載されたゲ
ル方法によって酸化タンタルまたは酸化ニオブと緊密に
混合することができる。
族のチタン酸バリウムは、粉末として形成することがで
き、米国特許第3330697号明細書に記載されたゲ
ル方法によって酸化タンタルまたは酸化ニオブと緊密に
混合することができる。
たとえ、この方法が、CaTi03、SrTi03およ
びTi03に拡張できるとしても、導電性セラミックの
大量を必要とするときには経済的理由のために粉末準備
工程を簡単化する必要が存在する。
びTi03に拡張できるとしても、導電性セラミックの
大量を必要とするときには経済的理由のために粉末準備
工程を簡単化する必要が存在する。
CaT i O3、SrTiO3およびTiO2が比較
的豊富なために、これらの材料を腐食抵抗の用途に対し
て魅力的にしており、これらの材料を有する電子的導電
性の集電装置は、低価格で処理されることができ、この
集電装置の計画使用に対して適当な電子的導電性を示す
ことができる。
的豊富なために、これらの材料を腐食抵抗の用途に対し
て魅力的にしており、これらの材料を有する電子的導電
性の集電装置は、低価格で処理されることができ、この
集電装置の計画使用に対して適当な電子的導電性を示す
ことができる。
特に興味のあることは、米国特許第3404035号お
よび第3468709号明細書に開示されたようなナト
リウム硫黄電池用の集電装置または集電/容器装置のた
めの材料として電子的に導電性のCaTiO3SrTi
O3およびTiO2を使用することである。
よび第3468709号明細書に開示されたようなナト
リウム硫黄電池用の集電装置または集電/容器装置のた
めの材料として電子的に導電性のCaTiO3SrTi
O3およびTiO2を使用することである。
上記のセラミック酸化物は、室温における固有抵抗が5
0Ω・cmより少ないという意味において電子的導電性
とされるだけでなく、400℃以下において市販のおよ
び/または電解製造級の品質のナトリウム多硫化物によ
る腐食性攻撃に抵抗性であることが知られている。
0Ω・cmより少ないという意味において電子的導電性
とされるだけでなく、400℃以下において市販のおよ
び/または電解製造級の品質のナトリウム多硫化物によ
る腐食性攻撃に抵抗性であることが知られている。
直径約31.8mm(約1−1/4in)および厚さ3
.18mm(1/8in)の円板状試験片が形成され、
下記の化学組成に対して焼結され、腐食抵抗に対して試
験された。
.18mm(1/8in)の円板状試験片が形成され、
下記の化学組成に対して焼結され、腐食抵抗に対して試
験された。
(1)タンタル1%を含むTi02(金紅石)(2)水
蒸気雰囲気内で還元された (3)鉄3%を含むCaTiO3 (4)La0.84 Sr0.16 CrO3他の添加
物なしまた、0.05%のタンタルを含むTiO2(金
紅石)の単結晶試料は、上記の腐食試験が行なわれ、そ
れは、最初の試料重量を記録し、次にその試料を14日
間にわたって浸漬することにより400℃において多硫
化ナトリウム(市販級の品質または電解製造級の品質)
に曝露し、その後で多硫化ナトリウムとの腐食反応のた
めの重量損失または重量利得を検出するために浸漬後に
洗滌した試料を秤量することによって行なわれた。
蒸気雰囲気内で還元された (3)鉄3%を含むCaTiO3 (4)La0.84 Sr0.16 CrO3他の添加
物なしまた、0.05%のタンタルを含むTiO2(金
紅石)の単結晶試料は、上記の腐食試験が行なわれ、そ
れは、最初の試料重量を記録し、次にその試料を14日
間にわたって浸漬することにより400℃において多硫
化ナトリウム(市販級の品質または電解製造級の品質)
に曝露し、その後で多硫化ナトリウムとの腐食反応のた
めの重量損失または重量利得を検出するために浸漬後に
洗滌した試料を秤量することによって行なわれた。
上に挙げた試料のすべては、上記の試験(下表参照)後
に重量変化がないか、或は非常に僅かな変化を示し、こ
れはこれらの液体に対する良好な腐食抵抗を示すもので
ある。
に重量変化がないか、或は非常に僅かな変化を示し、こ
れはこれらの液体に対する良好な腐食抵抗を示すもので
ある。
本発明に使用するための理想的な電子的導電性のセラミ
ックは、上に簡単に述べた本発明の2方法によって準備
されたタンタルおよびニオブをドープした二酸化チタン
であって、以下に更に詳細に説明するであろう。
ックは、上に簡単に述べた本発明の2方法によって準備
されたタンタルおよびニオブをドープした二酸化チタン
であって、以下に更に詳細に説明するであろう。
上述のように、腐食抵抗性の電子的導電性の金属被覆さ
れたセラミック集電装置に対する構造基準は、腐食抵抗
性の導電性セラミックの表面に緊密に付着した薄い金属
被覆の付加を必要としている。
れたセラミック集電装置に対する構造基準は、腐食抵抗
性の導電性セラミックの表面に緊密に付着した薄い金属
被覆の付加を必要としている。
セラミックおよび金属両者の厚さおよび固有抵抗は、全
体の集電装置電気抵抗の非常に広い範囲を与えるために
調整可能である。
体の集電装置電気抵抗の非常に広い範囲を与えるために
調整可能である。
一般的に、セラミックは、約1000Ω・cmより少な
い電気固有抵抗を持つことができるが、好ましくはこの
固有抵抗は、50Ω・cmより少なくあるべきであり、
最も好ましくは、10Ω・cmより少なくあるべきであ
る。
い電気固有抵抗を持つことができるが、好ましくはこの
固有抵抗は、50Ω・cmより少なくあるべきであり、
最も好ましくは、10Ω・cmより少なくあるべきであ
る。
一般に、金属の固有抵抗は0.001Ω・αの程度に高
いこともあるが、好ましくは、約0.0003Ω・cm
より小であり、最も好ましくは、約0.0001Ω・c
mより小である。
いこともあるが、好ましくは、約0.0003Ω・cm
より小であり、最も好ましくは、約0.0001Ω・c
mより小である。
金属およびセラミック複合体の幾何学的寸法、特にこれ
らの厚さは、内側表面と、外側金属表面上の小区域接触
との間において測定された特定の全抵抗の集電装置を作
るために、固有抵抗に応じて変化することができる。
らの厚さは、内側表面と、外側金属表面上の小区域接触
との間において測定された特定の全抵抗の集電装置を作
るために、固有抵抗に応じて変化することができる。
本発明の集電装置の意図される使用において、セラミッ
ク表面は、腐食性物質を管理する唯一の表面である。
ク表面は、腐食性物質を管理する唯一の表面である。
その結果として、一表面上に置かれた金属は、使用温度
が過剰とならない限りにおいて、酸素の存在のような外
部周囲状態にある以外では、腐食性材料に露出されない
であろう。
が過剰とならない限りにおいて、酸素の存在のような外
部周囲状態にある以外では、腐食性材料に露出されない
であろう。
電子的導電性の耐腐食性セラミックの全表面と緊密な電
気的および機械的接触状態に置かれたかような金属は、
金属導電性の領域を通って電流を短絡する作用をするこ
とができる。
気的および機械的接触状態に置かれたかような金属は、
金属導電性の領域を通って電流を短絡する作用をするこ
とができる。
従って、結局は、電子流はセラミック壁をただ直角に通
って金属短絡路に流れなければならず、セラミック内を
容器壁に平行方向に流れないであろう。
って金属短絡路に流れなければならず、セラミック内を
容器壁に平行方向に流れないであろう。
この概念(第1図)は、セラミックの腐食抵抗を維持し
たまゝでかような容器装置の全内面区域から小さい外側
区域に至る抵抗を甚だしく低下する作用をすることがで
きる。
たまゝでかような容器装置の全内面区域から小さい外側
区域に至る抵抗を甚だしく低下する作用をすることがで
きる。
セラミックの外面に密接に接触して置かれた金属は、金
属被覆といわれる。
属被覆といわれる。
長さ23cmの容器に対して、セラミック壁の厚さは0
.2cm、直径は4cm、金属被覆の厚さは0.02c
m、セラミック固有抵抗は0.2Ω・cm、金属固有抵
抗は10 Ω・αであって、あたえられた形状の全抵抗
は、0.6mΩより小である。
.2cm、直径は4cm、金属被覆の厚さは0.02c
m、セラミック固有抵抗は0.2Ω・cm、金属固有抵
抗は10 Ω・αであって、あたえられた形状の全抵抗
は、0.6mΩより小である。
金属被覆を付着していない同一寸法の容器は、約1Ωの
抵抗を有し、それは金属被覆を持つ同一容器よりも15
00倍大きい。
抵抗を有し、それは金属被覆を持つ同一容器よりも15
00倍大きい。
この金属・セラミック組合せは、セラミックに対する腐
食抵抗、高い電子導電性の特性と、セラミックの外面に
緊密に置かれる金属被覆の能力とを有し、電子セラミッ
クと金属との間の無視し得る接触抵抗を持たなければな
らない。
食抵抗、高い電子導電性の特性と、セラミックの外面に
緊密に置かれる金属被覆の能力とを有し、電子セラミッ
クと金属との間の無視し得る接触抵抗を持たなければな
らない。
しかも、金属系は、400℃以下で容易に酸化して、金
属・セラミック界面のその後の電気的劣化を来してはな
らない。
属・セラミック界面のその後の電気的劣化を来してはな
らない。
かような被覆用の満足的な材料は、アルミニウム、ニッ
ケル、クロムおよびシリコンおよびこれらの物質の組合
せを含むが、これらに制限はされない。
ケル、クロムおよびシリコンおよびこれらの物質の組合
せを含むが、これらに制限はされない。
良好な界面導電性を保持するかような材料の主要な共通
特性は、金属被覆の外側表面に薄い酸化物を形成する傾
向である。
特性は、金属被覆の外側表面に薄い酸化物を形成する傾
向である。
表面準備が不良のだめに生ずる金属または半導体被覆材
料間の高い接触抵抗は、金属被覆を通常に適用する前に
セラミックを真空雰囲気または還元雰囲気中で予備加熱
することによって除去することができる。
料間の高い接触抵抗は、金属被覆を通常に適用する前に
セラミックを真空雰囲気または還元雰囲気中で予備加熱
することによって除去することができる。
下記の金属・セラミック組合せは、必要な特性を実証し
た。
た。
(1)(スパッタ、電解的または化学的付着した)ニッ
ケルの金属クラッドで被覆されたタンタル・ドープした
金紅石(TiO2) (2)アルミニウムの金属被覆で被覆されたタンタルド
ープした金紅石(TiO2) (3)クロムの金属被覆で被覆され、タンタルをドープ
した金紅石(TiO2) (4)シリコン(金属白金で表面被覆した)の薄い被覆
で被覆され、タンタルをドープした金紅石(TiO2) (5)白金の金属被覆で被覆され、ニオブでドープした
金紅石 (6)金を被覆した鉄ドープされたチタン酸カルシウム (7)金を被覆した還元されたチタン酸ストロンチウム (8)白金の金属被覆で被覆されたクロム酸ランタン・
ストロンチウム。
ケルの金属クラッドで被覆されたタンタル・ドープした
金紅石(TiO2) (2)アルミニウムの金属被覆で被覆されたタンタルド
ープした金紅石(TiO2) (3)クロムの金属被覆で被覆され、タンタルをドープ
した金紅石(TiO2) (4)シリコン(金属白金で表面被覆した)の薄い被覆
で被覆され、タンタルをドープした金紅石(TiO2) (5)白金の金属被覆で被覆され、ニオブでドープした
金紅石 (6)金を被覆した鉄ドープされたチタン酸カルシウム (7)金を被覆した還元されたチタン酸ストロンチウム (8)白金の金属被覆で被覆されたクロム酸ランタン・
ストロンチウム。
上記の材料のいくつかの試料が、準備され、試験された
。
。
TiO2に対して、白金で被覆されたスパツタ・ニッケ
ル、スパッタ・アルミニウムおよびスパッタ・シリコン
は、約2000Åの厚さで適用され、10時間500℃
で反覆動作されたときに明白な電気抵抗増加を示さずま
た劣化を示さなかった。
ル、スパッタ・アルミニウムおよびスパッタ・シリコン
は、約2000Åの厚さで適用され、10時間500℃
で反覆動作されたときに明白な電気抵抗増加を示さずま
た劣化を示さなかった。
金紅石結晶形にあり、ニッケルまたはクロムで電解的に
電着されたタンタルを含む二酸化チタンは、まだ500
℃10時間の反覆動作後に室温において複合コンダクタ
ンスを再測定することによって見掛け電気抵抗の変化に
よって測定したときに全く退化を示さなかった。
電着されたタンタルを含む二酸化チタンは、まだ500
℃10時間の反覆動作後に室温において複合コンダクタ
ンスを再測定することによって見掛け電気抵抗の変化に
よって測定したときに全く退化を示さなかった。
この温度条件は、接触抵抗が予想用途の比較的高温にお
けるよりも大きい状態である。
けるよりも大きい状態である。
類似の挙動が、ニオブでドープされた金紅石の表面の蒸
着された金に対して、チタン酸カルシウムの表面の蒸着
された金に対して、またランタン・ストロンチウム・ク
ロム酸塩(La0.84SrO.16 Cr03)の表
面の蒸着された白金に対しても認められる。
着された金に対して、チタン酸カルシウムの表面の蒸着
された金に対して、またランタン・ストロンチウム・ク
ロム酸塩(La0.84SrO.16 Cr03)の表
面の蒸着された白金に対しても認められる。
この電気抵抗変化は、通常の2個の探針による測定法に
よって監視される。
よって監視される。
ほとんど純粋な形態にある上記材料の各々は、セラミッ
クの通常技術によって容易に処理され、粉末は生形状に
成形するために圧結され、上昇した温度で焼結されて密
度増加を生じる。
クの通常技術によって容易に処理され、粉末は生形状に
成形するために圧結され、上昇した温度で焼結されて密
度増加を生じる。
理論値の98%以上の密度が、すべての材料に対して容
易に達成される。
易に達成される。
試料が焼結温度のみでなく圧縮圧力に保持される全時間
は、処理者の要求に適合するため、および材料のその後
の特性を変更するだめに、変更することができる。
は、処理者の要求に適合するため、および材料のその後
の特性を変更するだめに、変更することができる。
ほとんど純粋な材料に不純物を付加することは、不純物
の均質分布が希望される限りにおいて、処理技術中に必
要な変化を来たす。
の均質分布が希望される限りにおいて、処理技術中に必
要な変化を来たす。
前に述べたように、本発明の集電装置を準備するときに
使用するだめの理想的の高強度の非腐食性の電子的導電
性多結晶セラミックは、2つの新規な方法のいづれか一
つに従って準備される。
使用するだめの理想的の高強度の非腐食性の電子的導電
性多結晶セラミックは、2つの新規な方法のいづれか一
つに従って準備される。
そのセラミックは、タンタルおよびニオブから選択され
た均質分布されたイオン金属類でドープされた金紅石結
晶形にある二酸化チタンである。
た均質分布されたイオン金属類でドープされた金紅石結
晶形にある二酸化チタンである。
ドープ剤の均質分布は、使用された王程の結果であり、
熱衝撃に対する高抵抗、均一粒度および約25μ以下の
平均粒度を持つ優れた特性を有するセラミックが得られ
る。
熱衝撃に対する高抵抗、均一粒度および約25μ以下の
平均粒度を持つ優れた特性を有するセラミックが得られ
る。
2方法のうちの第一は、下記の通りである。
A.5弗化タンタルまたはニオブの水溶液(または、脂
肪族アルコール溶液)に金紅石または鋭錐石結晶形の二
酸化チタンのスラリを形成する。
肪族アルコール溶液)に金紅石または鋭錐石結晶形の二
酸化チタンのスラリを形成する。
チタンと5弗化塩成分の重量は、二酸化チタン中のドー
プ剤の希望最終濃度によって決定されるであろう。
プ剤の希望最終濃度によって決定されるであろう。
一般的に、焼結されたセラミック内にイオン金属類の約
0.01乃至8原子パーセントを有することが望ましい
。
0.01乃至8原子パーセントを有することが望ましい
。
均質なタンタルまたはニオブ分布によるTiO2の連続
的電気特性向上のだめに付加されるドープ剤の量は、T
iO2中のタンタルまたはニオブの溶解度によって最終
的に制限されるが、チタン・イオンを基準として3%T
alたはNbまでの量は確実であることは理解されるで
あろう。
的電気特性向上のだめに付加されるドープ剤の量は、T
iO2中のタンタルまたはニオブの溶解度によって最終
的に制限されるが、チタン・イオンを基準として3%T
alたはNbまでの量は確実であることは理解されるで
あろう。
タンタルまたはニオブ係が零に対して、+4より小さく
または+5より大きい正常のイオン電荷の陽イオン不純
物のすべての係の合計が、この制限と同時に約0.10
%より太きいならば、+4より小さく、または+5より
大きいイオン電荷の陽イオン不純物のすべての係の合計
は、付加されたタンタル濃度の10係を超えないはずで
ある。
または+5より大きい正常のイオン電荷の陽イオン不純
物のすべての係の合計が、この制限と同時に約0.10
%より太きいならば、+4より小さく、または+5より
大きいイオン電荷の陽イオン不純物のすべての係の合計
は、付加されたタンタル濃度の10係を超えないはずで
ある。
上記のレベルより大きい不純物レベルは、達成し得る導
電率を激烈に制限する作用をし、5弗化タンタル添加物
の非常に非能率な使用を来たす。
電率を激烈に制限する作用をし、5弗化タンタル添加物
の非常に非能率な使用を来たす。
B.スラリーは、金属類の蒸発を避けるようにした温度
で粉末状に乾燥される。
で粉末状に乾燥される。
スラリーの乾燥は、110℃より低い温度まで徐々に加
熱することによって一般に達成され、10時間以内の時
間に達成されるべきである。
熱することによって一般に達成され、10時間以内の時
間に達成されるべきである。
スラリーの攪拌は、乾燥の速度を早める。
この工程中に、セラミック本体の生成形中に有用な適当
な結合剤の付加が、行なわれることができる。
な結合剤の付加が、行なわれることができる。
乾燥後に残留する金属イオンの5弗化塩は、100℃よ
り低い温度で溶融し、その物質の蒸気圧は、乾燥中のス
ラリーが130℃に達する前に不合理に高い値に上昇す
る。
り低い温度で溶融し、その物質の蒸気圧は、乾燥中のス
ラリーが130℃に達する前に不合理に高い値に上昇す
る。
120℃以上の温度の長時間加熱は、試験状態が開口容
器加熱に相当する場合は、5弗化物の蒸発損失を来たす
。
器加熱に相当する場合は、5弗化物の蒸発損失を来たす
。
C.水分を除去された粉末は、適当または希望の形状に
圧縮され、気化工程によってタンタルまたはニオブの損
失を防止するために周囲温度と350℃との間に保たれ
た少なくとも10℃/分の臨界加熱速度で空気または酸
素中で上昇温度で焼結される。
圧縮され、気化工程によってタンタルまたはニオブの損
失を防止するために周囲温度と350℃との間に保たれ
た少なくとも10℃/分の臨界加熱速度で空気または酸
素中で上昇温度で焼結される。
350℃より高い温度では、タンタルまたはニオブおよ
び弗素はより安定な酸化物に順次酸化され、各形態は、
通常の焼結温度範囲で気化損失に対し安定であるタンタ
ルまたはニオブの5酸化物の最終形態に到達するまで気
化損失に対して順次に安定になる。
び弗素はより安定な酸化物に順次酸化され、各形態は、
通常の焼結温度範囲で気化損失に対し安定であるタンタ
ルまたはニオブの5酸化物の最終形態に到達するまで気
化損失に対して順次に安定になる。
最終焼結温度と焼結温度の保持時間の広い範囲は、セラ
ミック処理技術の当業者に有用であるであろう。
ミック処理技術の当業者に有用であるであろう。
少なくとも約1330℃の温度、および更に好ましくは
約1380乃至1440℃の範囲が使用されることがで
きる。
約1380乃至1440℃の範囲が使用されることがで
きる。
金紅石粉末内への拡散および均一粒度の微細化によるタ
ンタルまたはニオブイオンの密度増加および均質化に対
して好まして条件は、約1400℃約3時間である。
ンタルまたはニオブイオンの密度増加および均質化に対
して好まして条件は、約1400℃約3時間である。
1330℃の最低温度が、均質化の合理的速度のために
要求される。
要求される。
これら上記の状態は、金紅石に付加されるタンタルまた
はニオブ弗化物の品質に関%なく処理工程に適用される
。
はニオブ弗化物の品質に関%なく処理工程に適用される
。
その結果得られる密度の大きい材料は、1%のタンタル
またはニオブを含む試料に対して約10分間の間に14
00℃から室温まで冷却されることができる。
またはニオブを含む試料に対して約10分間の間に14
00℃から室温まで冷却されることができる。
冷却速度は、タンタル添加物の%の減少とともに各試料
に対して減少しなければならない。
に対して減少しなければならない。
上記の方法は、バッチ式焼結態様で高度に導電性のタン
タルまたはニオブをドープした金紅石の製造に適用され
、かつ入手し得る処置装置に適合させるために多くの比
較的軽度の変形を実施することができる。
タルまたはニオブをドープした金紅石の製造に適用され
、かつ入手し得る処置装置に適合させるために多くの比
較的軽度の変形を実施することができる。
金紅石および鋭錐石形態の両者において、いくつかの形
成条件のもとで作られる乾燥されたTiO2粉末の試料
は、約1原子%のTaを含む上記方法によって処理され
ることができ、電気導電率、25μ以下の均一粒度、1
260kg/cm2(18000ポンド/in2)また
はそれより大きい破壊強度、および金紅石の形態にある
TiO2の理論密度の98%より大きい密度などの諸特
性に対して非常に近似するほぼ同一値を作ることができ
る。
成条件のもとで作られる乾燥されたTiO2粉末の試料
は、約1原子%のTaを含む上記方法によって処理され
ることができ、電気導電率、25μ以下の均一粒度、1
260kg/cm2(18000ポンド/in2)また
はそれより大きい破壊強度、および金紅石の形態にある
TiO2の理論密度の98%より大きい密度などの諸特
性に対して非常に近似するほぼ同一値を作ることができ
る。
処理方法のいくつかの変動、出発のTiO2粉末および
生成形方法は、特定の例において説明し、この点を明瞭
にするであろう。
生成形方法は、特定の例において説明し、この点を明瞭
にするであろう。
5μ以下の均一粒度および1260kg/cm(180
0ポンド/in2)の破壊強度を持ち、高い導電性の熱
衝撃抵抗性のセラミックに付加するタンタルまたはニオ
ブ添加の小量%とTiO2とを処理する第2の方法は、
下記の通りである。
0ポンド/in2)の破壊強度を持ち、高い導電性の熱
衝撃抵抗性のセラミックに付加するタンタルまたはニオ
ブ添加の小量%とTiO2とを処理する第2の方法は、
下記の通りである。
A タンタルまたはニオブ5塩化物をジエチル・エーテ
ルに付加して、分子複合タンタルまたはニオブ5塩化ジ
エチルエテレートを形成し、任意過剰のエーテルは、金
紅石または鋭錐石形態のTiO2粉末を混入攪拌してス
ラリーを形成する液体として役立つ。
ルに付加して、分子複合タンタルまたはニオブ5塩化ジ
エチルエテレートを形成し、任意過剰のエーテルは、金
紅石または鋭錐石形態のTiO2粉末を混入攪拌してス
ラリーを形成する液体として役立つ。
絶えず攪拌することによって、エーテルを室温において
急速に蒸発させ、ほぼ乾燥した混合粉末を残留し、これ
に結着剤が加えられる。
急速に蒸発させ、ほぼ乾燥した混合粉末を残留し、これ
に結着剤が加えられる。
この簡単な方法は、急速な連続的原料準備に対して理想
的に適当している。
的に適当している。
処理のこの段階において、タンタルまだはニオブの濃度
は、ジエチル・エーテルと反応するために使用されたタ
ンタルまたはニオブの5塩化物の量を変化することによ
って調整される。
は、ジエチル・エーテルと反応するために使用されたタ
ンタルまたはニオブの5塩化物の量を変化することによ
って調整される。
第1の方法におけると同様に、均質に分散されたタンタ
ルまたはニオブによって金紅石の連続的導電性を向上す
るために付加されるタンタルまたはニオブの量は、Ti
O2内の金属類の溶解度によって最終的に制限されるが
、確実に3原子%までの量は可能である。
ルまたはニオブによって金紅石の連続的導電性を向上す
るために付加されるタンタルまたはニオブの量は、Ti
O2内の金属類の溶解度によって最終的に制限されるが
、確実に3原子%までの量は可能である。
タンタルまたはニオブの%がゼロのときは、+4より小
さくまたは+5より大きい正常のイオン電荷の陽イオン
不純物のすべての%の合計は、付加したタンタルまだは
ニオブ濃度の10%を超過すべきである。
さくまたは+5より大きい正常のイオン電荷の陽イオン
不純物のすべての%の合計は、付加したタンタルまだは
ニオブ濃度の10%を超過すべきである。
上記のものよりも大きいレベルの不純物は、達成できる
導電率を甚だしく制限する役目をして、その結果、タン
タルまたはニオブ5塩化物添加剤の非常に非能率な使用
を招く。
導電率を甚だしく制限する役目をして、その結果、タン
タルまたはニオブ5塩化物添加剤の非常に非能率な使用
を招く。
得られる混合粉末は、65℃においてタンタル塩化物ジ
エチルエテレート分解生成物TaOCl3または同等の
ニオブ化合物の気化によりタンタルまたはニオブの損失
のために数分間を超える時間に対して65℃を超える温
度で乾燥しない方がよい。
エチルエテレート分解生成物TaOCl3または同等の
ニオブ化合物の気化によりタンタルまたはニオブの損失
のために数分間を超える時間に対して65℃を超える温
度で乾燥しない方がよい。
B 適当な結合剤を持った粉末は、適当な型の中で圧縮
され、気化工程によるタンタルまたはニオブの損失を防
止するために周囲荒度と500℃との間に保持された少
なくとも40℃/分の臨界加熱速度の空気まだは酸素中
で旧昇温度で焼結される。
され、気化工程によるタンタルまたはニオブの損失を防
止するために周囲荒度と500℃との間に保持された少
なくとも40℃/分の臨界加熱速度の空気まだは酸素中
で旧昇温度で焼結される。
500℃より高い温度では、タンタルまたはニオブおよ
び弗素の更に安定な酸化物が形成され、気化に対する安
定性を増し、その最終形態は、タンタルまたはニオブの
5酸化物であって、通常の焼結温度範囲にわたって気化
損失に安定である。
び弗素の更に安定な酸化物が形成され、気化に対する安
定性を増し、その最終形態は、タンタルまたはニオブの
5酸化物であって、通常の焼結温度範囲にわたって気化
損失に安定である。
この方法、焼結条件の範囲、冷却速度および性質は、第
1の準備方法と非常に類似していて、異る点は、粒度が
5μ以下で均一であり、1260kg/cm2(180
00ポンド/in2)より大きい破壊強度を持つことで
ある。
1の準備方法と非常に類似していて、異る点は、粒度が
5μ以下で均一であり、1260kg/cm2(180
00ポンド/in2)より大きい破壊強度を持つことで
ある。
上記方法のいづれに対しても、反覆可能の電気的特性を
持つ、タンタルまたはニオブでドープされた金紅石を作
るために、比較的低酸素圧の環境内のセラミック焼鈍は
有用である。
持つ、タンタルまたはニオブでドープされた金紅石を作
るために、比較的低酸素圧の環境内のセラミック焼鈍は
有用である。
かような還元処理は、試料の導電率を増加する作用をし
、約0.5%のタンタルを含む材料に対して室温で5(
Ω・cm)−1の高さの値の導電率に増加し、1原子%
タンタルを含む材料に対して室温で9(Ωcm)の値を
持っている。
、約0.5%のタンタルを含む材料に対して室温で5(
Ω・cm)−1の高さの値の導電率に増加し、1原子%
タンタルを含む材料に対して室温で9(Ωcm)の値を
持っている。
有用な酸素分圧の近似範囲は、10乃至10気圧(最適
には、 10乃至10気圧)であって、焼鈍温度は、約850乃
至1400℃の範囲である。
には、 10乃至10気圧)であって、焼鈍温度は、約850乃
至1400℃の範囲である。
850℃の比較的低い温度においては、焼鈍は、約3時
間で実行されるが、1400℃では約半時間が適当であ
る。
間で実行されるが、1400℃では約半時間が適当であ
る。
当業者は、上記の温度範囲の中間において実行される焼
鈍に要する最適時間を容易に決定することができる。
鈍に要する最適時間を容易に決定することができる。
このような焼鈍の後には、周囲温度から350℃の温度
範囲における、0.1乃至3.0原子%のタンタルまた
はニオブを含むセラミックの導電率は、比較的に温度に
無関係である。
範囲における、0.1乃至3.0原子%のタンタルまた
はニオブを含むセラミックの導電率は、比較的に温度に
無関係である。
第5図は、セラミックの固有抵抗と焼鈍段階との関%を
示す曲線図である。
示す曲線図である。
上に述べたように、本発明によって準備された集電装置
は、下記の形式のエネルギ変換装置における集電装置と
して、或は集電/容器装置として有用である。
は、下記の形式のエネルギ変換装置における集電装置と
して、或は集電/容器装置として有用である。
(1)外部回路と電気的接触状態にある溶融アルカリ金
属反応物陰極を含む陰極反応区域、(2)前記陰極反応
物と電気化学的に反応する溶融液体電解質を有する陽極
反応物と、前記陽極反応物に露出する少くとも一表面を
有する集電装置とを含む陽極反応区域、および(3)前
記陽極および陰極反応区域の間に介在し、かつ接触状態
にある質量液体輸送に対する陽イオン透過性防壁であっ
て、前記集電装置は、前記陽イオン透過性防壁および前
記外部回路の両方に電気的接触状態にある。
属反応物陰極を含む陰極反応区域、(2)前記陰極反応
物と電気化学的に反応する溶融液体電解質を有する陽極
反応物と、前記陽極反応物に露出する少くとも一表面を
有する集電装置とを含む陽極反応区域、および(3)前
記陽極および陰極反応区域の間に介在し、かつ接触状態
にある質量液体輸送に対する陽イオン透過性防壁であっ
て、前記集電装置は、前記陽イオン透過性防壁および前
記外部回路の両方に電気的接触状態にある。
かような装置の最も通常のものは、ナトリウム/硫黄電
気蓄積電池であって、当業者に周知であり、下記の米国
特許第3404035号、第3404036号、第34
13150号、第3446677号、第3458356
号、第3468709号、第3468719号、第34
75220号、第3475223号、第3475225
号、第3535163号および第3719531号明細
書に開示されている。
気蓄積電池であって、当業者に周知であり、下記の米国
特許第3404035号、第3404036号、第34
13150号、第3446677号、第3458356
号、第3468709号、第3468719号、第34
75220号、第3475223号、第3475225
号、第3535163号および第3719531号明細
書に開示されている。
第2図は、上記形式の代表的な電気的変換装置を示し、
本発明の集電装置はまた陽極反応物に対する容器として
、事実上は、全体電池に対する容器として役立っている
。
本発明の集電装置はまた陽極反応物に対する容器として
、事実上は、全体電池に対する容器として役立っている
。
この図において、電池は全体として14で示されている
。
。
かような電池は、もちろん一つの電池装置を形成する直
列および/または並列の複数個の電池のうちの一個のユ
ニットであることができる。
列および/または並列の複数個の電池のうちの一個のユ
ニットであることができる。
この実施例においてはナトリウム16は管状の陽イオン
透過性の防壁20の中に示されている。
透過性の防壁20の中に示されている。
この管20の外側に接触する多孔性の導体22は、溶融
した陽極反応物電解質の中に浸漬されている。
した陽極反応物電解質の中に浸漬されている。
20と22の両者を包んで電子的に導電性の金属被覆円
筒容器24があって、これは、内側表面が導電性セラミ
ックであり、外側表面が金属被覆であるように、本発明
の集電装置で形成されている。
筒容器24があって、これは、内側表面が導電性セラミ
ックであり、外側表面が金属被覆であるように、本発明
の集電装置で形成されている。
溶融ナトリウム16に接触している導体26、例えば白
金針金は、図示しない外部回路に至る陰極導線として役
立つ。
金針金は、図示しない外部回路に至る陰極導線として役
立つ。
この外部回路は、抵抗、例えば電球、直流モータなどを
含み、まだ陽極導線、導体30と電気的結合状態にある
。
含み、まだ陽極導線、導体30と電気的結合状態にある
。
導線30は、集電装置/容器と電気的接触状態にある。
アノード(陰極)反応物16のナトリウム原子は、導体
26に電子をあたえ、イオンは、管20を貫通してカソ
ード(陽極)反応物に達する。
26に電子をあたえ、イオンは、管20を貫通してカソ
ード(陽極)反応物に達する。
22内の硫黄原子は、陽極24および多孔導体22によ
り外部回路から電子を受取る。
り外部回路から電子を受取る。
この特定の実施例においては、多孔性導体は、グラファ
イトまたは炭素の繊維で作られた繊維質のシート材料と
して示されている。
イトまたは炭素の繊維で作られた繊維質のシート材料と
して示されている。
エネルギ変換装置の上記形式の他の形態においては、本
発明の集電装置は、その構造を管状または筒状とし、前
記管体または筒体の外側をセラミック部とし、内側に金
属被覆を付着することができる。
発明の集電装置は、その構造を管状または筒状とし、前
記管体または筒体の外側をセラミック部とし、内側に金
属被覆を付着することができる。
このような集電装置は、次に陽極反応物の中に浸漬し、
前記セラミック部材をその陽極反応物に露出させるが金
属被覆は露出させないようにする。
前記セラミック部材をその陽極反応物に露出させるが金
属被覆は露出させないようにする。
第2図に示す設計は、かような集電装置を陽極反応物区
域内の溶融陽極反応物の中に直接挿入して、集電装置で
ない容器を使用することによってこの形式の設計に変形
することができるであろう。
域内の溶融陽極反応物の中に直接挿入して、集電装置で
ない容器を使用することによってこの形式の設計に変形
することができるであろう。
このような使用に適する集電装置の設計は、第4図に示
され、2は、電子的に導電性の管状セラミックの主荷重
支持要素であり、4は、このセラミック管体の内側を実
質的に被覆する金属被覆の薄い層である。
され、2は、電子的に導電性の管状セラミックの主荷重
支持要素であり、4は、このセラミック管体の内側を実
質的に被覆する金属被覆の薄い層である。
この集電装置は、外部回路と電気的接触できるように示
されている。
されている。
導電性金属棒6(例えばアルミニウムまたは銅)は、前
記管体の内側に位置し、管体の開口端から延びて、密封
8によって密封関係に支持される。
記管体の内側に位置し、管体の開口端から延びて、密封
8によって密封関係に支持される。
集電装置と棒6との間の完全接触は、棒6と金属被覆4
との間の空間を満たす導電性粉末によって作られる。
との間の空間を満たす導電性粉末によって作られる。
第3図は、上記の電気変換装置の形式の更に他の設計を
示し、第4図に示された設計の集電装置を使用している
。
示し、第4図に示された設計の集電装置を使用している
。
この設計においては、筒状まだは管状の容器32は、そ
の内部に配置した管状の陽イオン透過性防壁34を持ち
、第2図の設計のように、第1の反応区域は、陽イオン
透過性防壁34の内側にあり、第2の反応区域は、容器
32と陽イオン透過性防壁34との間に位置するように
配置されている。
の内部に配置した管状の陽イオン透過性防壁34を持ち
、第2図の設計のように、第1の反応区域は、陽イオン
透過性防壁34の内側にあり、第2の反応区域は、容器
32と陽イオン透過性防壁34との間に位置するように
配置されている。
しかし、第2図の電池とは異なり、第3図の電池におい
ては、第1の反応区域は陽極反応区域であって陰極反応
区域ではなく、アルカリ金属ではなく陽極反応物36を
含んでいる。
ては、第1の反応区域は陽極反応区域であって陰極反応
区域ではなく、アルカリ金属ではなく陽極反応物36を
含んでいる。
アルカリ金属38は、第2反応区域に含まれていて、こ
れは第2図におけるような陽極反応区域ではなく、陰極
反応区域である。
れは第2図におけるような陽極反応区域ではなく、陰極
反応区域である。
下記の特殊例は、本発明の設計および構成方法の詳細を
更に十分に例示するであろう。
更に十分に例示するであろう。
例1
1%Ta陽イオンを含むTiO2粉末102.28gを
作るために、金属を基礎として99%以上のタンタル5
弗化物3.49gをポリエチレンのビーカ中で約25℃
の水20mlに溶解する。
作るために、金属を基礎として99%以上のタンタル5
弗化物3.49gをポリエチレンのビーカ中で約25℃
の水20mlに溶解する。
この溶液を、鋭錐石形態の試薬等級TiO2粉末100
.0gを含むエチル・アルコール・スラリーに加え、そ
のスラリーが非常に粘調になりほとんど乾燥するまで絶
えず攪拌する。
.0gを含むエチル・アルコール・スラリーに加え、そ
のスラリーが非常に粘調になりほとんど乾燥するまで絶
えず攪拌する。
粉末は、まだ僅かに湿っているので、一夜中乾燥するた
め100℃の乾燥炉内に置かれる。
め100℃の乾燥炉内に置かれる。
この乾燥した粉末に、ポリビニル・アルコール(PVA
)の水溶液でできた結合剤1mlを加える。
)の水溶液でできた結合剤1mlを加える。
このPVA・粉末の混合体を乳鉢内ですり合せ、外見的
によく混和されるまで乳棒でまぜる。
によく混和されるまで乳棒でまぜる。
そして、この混和物、すなわち粉末・結合剤混和物を直
線25.4mm(1in)当り20本の針金を持つふる
いを通過して押圧することによってほぼ丸いペレット状
に形成される。
線25.4mm(1in)当り20本の針金を持つふる
いを通過して押圧することによってほぼ丸いペレット状
に形成される。
次に、この粉末は、金型の中に注がれ、約1400kg
/cm2(約20000ポンド/in2)の圧力で圧縮
され、しかる後に、950℃の温度まで予焼成される。
/cm2(約20000ポンド/in2)の圧力で圧縮
され、しかる後に、950℃の温度まで予焼成される。
この予焼成中の周囲温度から350℃までの経過時間は
、約35分以下である。
、約35分以下である。
この温度範囲の加熱割合は、ほぼ一定であり、その平均
加熱速度は、約10℃/分である。
加熱速度は、約10℃/分である。
その生状態のセラミック体は、約3時間にわたって95
0℃に保持された後、約4時間で室温まで冷却される。
0℃に保持された後、約4時間で室温まで冷却される。
この予熱されたセラミック体は、そのセラミック体組成
の未圧縮粉末を被覆した小さい煉瓦平板の上に置かれ、
1000℃の焼結炉内に置かれる。
の未圧縮粉末を被覆した小さい煉瓦平板の上に置かれ、
1000℃の焼結炉内に置かれる。
焼結炉は、管状の非多孔性の酸化アルミニウム管体と酸
化アルミニウム平棚とで構成され、炭化珪素の棒によっ
て電気的に加熱される。
化アルミニウム平棚とで構成され、炭化珪素の棒によっ
て電気的に加熱される。
試料は、5乃至10分間の間その炉内の最高温度区域に
導入され、しかる後に、炉は、空気中で約2乃至3時間
内に1400℃の焼結温度に加熱される。
導入され、しかる後に、炉は、空気中で約2乃至3時間
内に1400℃の焼結温度に加熱される。
セラミック体は、3時間の間、焼結温度に維持され、煉
瓦の試料台を炉の端部に押すことによって取り出され、
周囲空気内に置かれて自然冷却される。
瓦の試料台を炉の端部に押すことによって取り出され、
周囲空気内に置かれて自然冷却される。
このセラミック本体は、管状の炉内のTaをドープした
金紅石の粉末の上に置かれる。
金紅石の粉末の上に置かれる。
この炉の両端部は、水冷されたゴム環で密封されている
。
。
この炉は、機械的ポンプで空気を抜かれ、しかる後に8
ppm酸素以下の窒素ガスを、金属チタン粉末の上と炉
内を通して通過させる。
ppm酸素以下の窒素ガスを、金属チタン粉末の上と炉
内を通して通過させる。
炉の温度は、セラミック本体を置く位置で1200℃に
、金属チタン粉末を置く位置で1050℃に上げられる
。
、金属チタン粉末を置く位置で1050℃に上げられる
。
この温度は、約3時間の間、維持された後8時間にわた
って周囲温度に徐々に冷却される。
って周囲温度に徐々に冷却される。
セラミック本体は、流体静力学的秤量によって密度を測
定するために断片に切断され、一つの断片は、種々の温
度(周囲温度より高い)において酸素に露出したときに
金属・セラミック界面の電気抵抗および劣化度を決定す
るために必要とされる金属電極を付着するために取り去
られる。
定するために断片に切断され、一つの断片は、種々の温
度(周囲温度より高い)において酸素に露出したときに
金属・セラミック界面の電気抵抗および劣化度を決定す
るために必要とされる金属電極を付着するために取り去
られる。
この方法によって処理された試料の導電率は、室温にお
いて約9Ω−1/cmであり、300℃以上では16Ω
−1/cm以上に増加するであろう。
いて約9Ω−1/cmであり、300℃以上では16Ω
−1/cm以上に増加するであろう。
このようにして準備されたセラミックの破壊強度は、4
点曲げ試験(4point bending test
)で測定して、1260kg/cm2(18000ポン
ド/in2)より大である。
点曲げ試験(4point bending test
)で測定して、1260kg/cm2(18000ポン
ド/in2)より大である。
均一の粒度と高い導電率は、TiO2の金紅石形態内の
タンタルの均質分布に大きく依存していることは推測さ
れている。
タンタルの均質分布に大きく依存していることは推測さ
れている。
明らかに、最も重要な工程は、揮発性の弗化物の付加と
、気化中の損失を防止するための急速な予熱工程である
。
、気化中の損失を防止するための急速な予熱工程である
。
例■
金属を基礎として99.5%以上の純度の5塩化タンタ
ル(TaCl5) 5.5284 gを含むTiO2粉
末102.29gを作るために、パレツクス・ビーカ内
のジエチル・エーテル20mlに溶解する。
ル(TaCl5) 5.5284 gを含むTiO2粉
末102.29gを作るために、パレツクス・ビーカ内
のジエチル・エーテル20mlに溶解する。
この溶液を、鋭錐石形態の試薬等級TiO2粉末100
.0gのジエチル・エーテル・スラリーに加える。
.0gのジエチル・エーテル・スラリーに加える。
この混合スラリーは、十分に混和するために数分間攪拌
される。
される。
次に、そのスラリーを12.7cm(5in)直径の時
計ガラスに注ぎ、過剰のジエチル・エーテルは蒸発させ
る。
計ガラスに注ぎ、過剰のジエチル・エーテルは蒸発させ
る。
この化学的装置の温度は、一度も周囲温度より高くはな
らない。
らない。
乾燥した粉末に、微細な炭素粉末約2mlを付加し、乳
鉢で混和して、すり合わせる。
鉢で混和して、すり合わせる。
この操作につづいて、約2mlのエチル・アルコールが
加えられ、プラスチックさじで混和する。
加えられ、プラスチックさじで混和する。
炭素とエチルアルコール結合剤とを有する粉末は、この
粉末・結合剤混合物を25.4mm(1in)当り20
本の針金を有するふるいに押し通すことによって、ほぼ
丸いペレット状に押し出す。
粉末・結合剤混合物を25.4mm(1in)当り20
本の針金を有するふるいに押し通すことによって、ほぼ
丸いペレット状に押し出す。
そして、この粉末は、傘型に注がれて、1400kg/
cm2(約20000ポンド/in2)の圧力で圧縮し
、その後、950℃の温度に予備焼成する。
cm2(約20000ポンド/in2)の圧力で圧縮し
、その後、950℃の温度に予備焼成する。
この予焼成中の周囲温度から950℃までの経過時間は
、約25分より短かい。
、約25分より短かい。
この温度範囲内の平均加熱速度は、約38℃/分であっ
て、周囲温度と500℃の間では40℃/分より大であ
る。
て、周囲温度と500℃の間では40℃/分より大であ
る。
生状態のセラミック本体は、約3時間の間、950℃に
保持され、次に約4時間に室温まで冷却される。
保持され、次に約4時間に室温まで冷却される。
予備焼成されたセラミック本体は、そのセラミック体組
成の未圧縮粉末で被覆された小さい煉瓦平板の上に置か
れ、1000℃の焼結炉内に置かれる。
成の未圧縮粉末で被覆された小さい煉瓦平板の上に置か
れ、1000℃の焼結炉内に置かれる。
この焼結炉は、管状の非多孔性の酸化アルミニウム管体
と酸化アルミニウム平棚で構成され、炭化珪素棒によっ
て電気的に加熱される。
と酸化アルミニウム平棚で構成され、炭化珪素棒によっ
て電気的に加熱される。
試料は5乃至10分間の間、炉の最高温度区域に導入さ
れ、しかる後に炉は空気中で約2乃至3時間1400℃
の焼結温度に加熱される。
れ、しかる後に炉は空気中で約2乃至3時間1400℃
の焼結温度に加熱される。
このセラミック体は、3時間の間、この焼結温度に保持
され、煉瓦の試料台板を炉管の端部に押し、周囲空気内
に置いて冷却することによって直ちに取去られる。
され、煉瓦の試料台板を炉管の端部に押し、周囲空気内
に置いて冷却することによって直ちに取去られる。
このセラミック本体は、管状の炉内のTaドープした金
紅石の粉末の上に置かれ、炉の両端は、水冷されたゴム
環で密封される。
紅石の粉末の上に置かれ、炉の両端は、水冷されたゴム
環で密封される。
炉は、機械的ポンプで空気を排除し、しかる後、酸素8
ppm以下の窒素ガスを金属チタン粉末の上を通って炉
内に通過させる。
ppm以下の窒素ガスを金属チタン粉末の上を通って炉
内に通過させる。
炉の温度は、セラミック本体を置かれる位置で1200
°Cに、金属チタン粉末の置かれる位置で1050°C
に上げられる。
°Cに、金属チタン粉末の置かれる位置で1050°C
に上げられる。
これらの温度は、約3時間維持された後、8時間にわた
って徐々に自然冷却される。
って徐々に自然冷却される。
セラミック本体は、流体静力学的秤量と顕微鏡検査とに
よって密度を測定するために断片に切断され、一つの断
片は、導電率を測定するために必要な金属電極を付着す
るために取り去られる。
よって密度を測定するために断片に切断され、一つの断
片は、導電率を測定するために必要な金属電極を付着す
るために取り去られる。
このようにして準備されたセラミック本体の密度は、4
.10g/cm3より大きく、電子的導電率は、25℃
で約9Ω−1/cm以上である。
.10g/cm3より大きく、電子的導電率は、25℃
で約9Ω−1/cm以上である。
このようにして準備されたセラミックの非常に均一な粒
度は、約5μ以下であり、4点曲げ方法によって測定さ
れた対応破壊強度は、1260kg/cm2(1800
0ポンド/in2)より大である。
度は、約5μ以下であり、4点曲げ方法によって測定さ
れた対応破壊強度は、1260kg/cm2(1800
0ポンド/in2)より大である。
小さい均一粒度と止較的高い導電率は、TiO2の金紅
石形態中のタンタルの均質分布に大きく依存しているこ
とは推定されている。
石形態中のタンタルの均質分布に大きく依存しているこ
とは推定されている。
明らかに、最も重要な処理工程は、65℃で行なわれる
タンタル5塩化ジエチルの分解時のTaOCl3の生成
と、気化中の損失を防止する非常急速な予備焼成である
。
タンタル5塩化ジエチルの分解時のTaOCl3の生成
と、気化中の損失を防止する非常急速な予備焼成である
。
例■
例■または■に記載されたように準備された、導電性セ
ラミックの小さい棒状の試料は、スパツタ補助剤として
10乃至20mm水銀(millitorr)の圧力の
アルゴン・ガスを使用して、通常の無線周波数・スパッ
タリング技術によってアルミニウムで被覆される。
ラミックの小さい棒状の試料は、スパツタ補助剤として
10乃至20mm水銀(millitorr)の圧力の
アルゴン・ガスを使用して、通常の無線周波数・スパッ
タリング技術によってアルミニウムで被覆される。
100ワットの電力レベルにおいて、50.8mm(2
in)直径のアルミニウム・カソードと、25.4乃至
50.8mm(1乃至2in)のカソード・ターゲット
間隔で、スパツタ動作は、5乃至10分間続けられ、約
2000A厚のアルミニウムの均一付着層を作る。
in)直径のアルミニウム・カソードと、25.4乃至
50.8mm(1乃至2in)のカソード・ターゲット
間隔で、スパツタ動作は、5乃至10分間続けられ、約
2000A厚のアルミニウムの均一付着層を作る。
片面の4本の平行溝以外の、試料上のすべてのアルミニ
ウムは、この試料から機械的に除去される。
ウムは、この試料から機械的に除去される。
次に、これらのアルミニウム被覆された溝の各々と電気
的接触して、4個の導電探針を設置する。
的接触して、4個の導電探針を設置する。
そして、標準の4端子抵抗測定を行なって、導電性セラ
ミックの体抵抗(bulk resistance)
RBのみによる2つの中間端子間の抵抗の部分の正確な
測定をする。
ミックの体抵抗(bulk resistance)
RBのみによる2つの中間端子間の抵抗の部分の正確な
測定をする。
次に、この2つの中間端子間の抵抗の標準の2端子測定
を行なう。
を行なう。
次に、この抵抗値RT(周知の幾何学的補正後は、前に
測定した4端子抵抗値RBと比較される。
測定した4端子抵抗値RBと比較される。
これらの2つの抵抗値間の差違は、2つの中間端子の全
接触抵抗である。
接触抵抗である。
このように準備された試料において、この接触抵抗は、
無視できるであろう。
無視できるであろう。
(RBの10%より小)。試料は、少なくとも10時間
の間、空気中で500℃まで加熱されるが、上記のよう
に測定された接触抵抗値に測定できる程度の変化はない
。
の間、空気中で500℃まで加熱されるが、上記のよう
に測定された接触抵抗値に測定できる程度の変化はない
。
この試験は、接触抵抗の増加が最も容易に観察される条
件で行なわれたことが分るであろう。
件で行なわれたことが分るであろう。
設計によって必要とされる比較的厚い被覆の代りに20
00Åの薄い金属被覆を適用するだけで、金属・セラミ
ック界面への接触を不良にする物質の多量輸送が増進さ
れる。
00Åの薄い金属被覆を適用するだけで、金属・セラミ
ック界面への接触を不良にする物質の多量輸送が増進さ
れる。
更に試料を高温度まで繰返し、かつ周囲温度における接
触抵抗を測定することによって、その試験の最悪のとき
にも劣化作用が観察される。
触抵抗を測定することによって、その試験の最悪のとき
にも劣化作用が観察される。
接触抵抗は、その接触点の温度が増加するにつれて減少
することが一般に知られている。
することが一般に知られている。
従って、周囲より高い温度で動作している容器は、この
試験の状態で観察された挙動よりも改良された挙動を示
すであろう。
試験の状態で観察された挙動よりも改良された挙動を示
すであろう。
例■
導電性セラミックの試料を例■に記載のように準備し、
処理された。
処理された。
(ただし、スパツタ付着層は、アルミニウムでなくシリ
コンである。
コンである。
)接触抵抗は、例■に記載と同様に、少なくとも10時
間におよぶ時間500℃の空気中で熱処理する前後に無
視することができる。
間におよぶ時間500℃の空気中で熱処理する前後に無
視することができる。
例■
導電性セラミックの試料は、例■に記載のように準備さ
れ、処理された。
れ、処理された。
ただし、被覆材料はニッケルであって、これは標準の電
気めっき工程によって電解的に付着されたものである。
気めっき工程によって電解的に付着されたものである。
例■に記載のように、接触抵抗は、少なくとも10時間
におよぶ時間500℃の空気中で熱処理する前後に無視
することができる。
におよぶ時間500℃の空気中で熱処理する前後に無視
することができる。
例■
例■と同様に準備された約1. 5mm×3. 0mm
×20mmの寸法の小さい棒状の試料は、ニッケルで5
0mA/cmの電流密度で標準方法によって試料の両端
部と、一側面上の2本の平行条片状に約1000Åの厚
さに周囲温度で電気めっきされた。
×20mmの寸法の小さい棒状の試料は、ニッケルで5
0mA/cmの電流密度で標準方法によって試料の両端
部と、一側面上の2本の平行条片状に約1000Åの厚
さに周囲温度で電気めっきされた。
2本の金属条片は、約0. 5 mmの幅を持ち、いづ
れの端部からも約5mmにあるように位置する。
れの端部からも約5mmにあるように位置する。
標準の2端子と4端子の直流抵抗測定が、周囲温度で行
なわれた。
なわれた。
4個の探針の抵抗測定によって、2本の金属条片間の試
料抵抗に対する体抵抗率(bulkresistivi
ty)の寄与と、全体の試料抵抗に対する金属・セラミ
ック接触抵抗の寄与とを正確に決定することが可能であ
る。
料抵抗に対する体抵抗率(bulkresistivi
ty)の寄与と、全体の試料抵抗に対する金属・セラミ
ック接触抵抗の寄与とを正確に決定することが可能であ
る。
2端子法で測定された見掛抵抗率と、4端子法で測定さ
れたものとの差は、試料の1.5mm×3.0mmの端
部における接触の全接触抵抗である。
れたものとの差は、試料の1.5mm×3.0mmの端
部における接触の全接触抵抗である。
かような試料は、前述のように準備され、その接触抵抗
は、無視できることが分った。
は、無視できることが分った。
(見掛の試料抵抗率の10%より小)。電極を有する試
料は、15時間400℃で空気中で加熱され、自然冷却
されて、接触抵抗の第2回目の測定が行なわれ、再びそ
れは無視できることが分った。
料は、15時間400℃で空気中で加熱され、自然冷却
されて、接触抵抗の第2回目の測定が行なわれ、再びそ
れは無視できることが分った。
試料と電極を15時間500℃まで再加熱して、その後
の周囲温度での接触抵抗の再測定は、無視し得る寄与を
示した。
の周囲温度での接触抵抗の再測定は、無視し得る寄与を
示した。
15時間600℃で空気中で第3回の熱処理と、その後
の周囲温度での接触抵抗の再測定は、測定し得るがなお
無視できる接触抵抗値、約0.02Ω・cm2を示した
。
の周囲温度での接触抵抗の再測定は、測定し得るがなお
無視できる接触抵抗値、約0.02Ω・cm2を示した
。
例■
導電性セラミックの試料を例■に記載のように準備し処
理された。
理された。
ただし、電極接触材料は、標準電気めっき工程により電
解的に付着されたクロムである。
解的に付着されたクロムである。
例■に記載されたように、接触抵抗は、10時間より長
い時間500℃の空気中で熱処理する前と後とで無視で
きる。
い時間500℃の空気中で熱処理する前と後とで無視で
きる。
例■
導電性セラミックの試料は、例■に記載されたように準
備され処理される。
備され処理される。
ただし、試料は被覆材料の付着前に1時間にわたって6
00℃まで空気中で加熱され、かつ被覆材料は金であっ
て、真空蒸着によって付着される。
00℃まで空気中で加熱され、かつ被覆材料は金であっ
て、真空蒸着によって付着される。
例■に記載のように測定された接触抵抗は、無視できる
程度ではなくて、少なくとも10Ωである。
程度ではなくて、少なくとも10Ωである。
そこで、試料は乾燥H21mm水銀(1Torr)より
成る雰囲気中に10分間700℃の温度まで加熱され、
冷却時の接触抵抗は、無視し得る値に減少する。
成る雰囲気中に10分間700℃の温度まで加熱され、
冷却時の接触抵抗は、無視し得る値に減少する。
(例■に示されたように、RBの10%より小)。
例■
1%のTa陽イオンを含む乾燥TiO2は、例■または
■に記載のように準備され、結合剤は、それぞれ例■ま
たは■に記載のように付加され、標準20メッシュ・ふ
るいを通してほぼ球状のペレット状にされる。
■に記載のように準備され、結合剤は、それぞれ例■ま
たは■に記載のように付加され、標準20メッシュ・ふ
るいを通してほぼ球状のペレット状にされる。
ペレット状にされた粉末・結合剤の混合物は、ハイゾー
ル(Hysol)被覆した中心不銹鋼マンドレルと、硬
度計90の注造したポリウレタン外筒とで構成された型
に注入される。
ル(Hysol)被覆した中心不銹鋼マンドレルと、硬
度計90の注造したポリウレタン外筒とで構成された型
に注入される。
流体が流れることのできる多数の貫通孔を有する不銹鋼
の外側鋳物の中のマンドレルに対して固定位置に保持す
る。
の外側鋳物の中のマンドレルに対して固定位置に保持す
る。
セラミック容器の閉鎖端部を作るためにこのマンドレル
の露出端部の上に十分に粉末を加え、不銹鋼の心体を持
ったゴム止めを組立体の上に密封のために置かれる。
の露出端部の上に十分に粉末を加え、不銹鋼の心体を持
ったゴム止めを組立体の上に密封のために置かれる。
粉末は、通常の平衡式プレスで2100kg/cm2(
30000ポンド/in2)の圧力で圧縮される。
30000ポンド/in2)の圧力で圧縮される。
組立体から取出した後に、生の成形された端部を閉じた
管状体は、それぞれ例■および■に記載したように予備
焼成され、3時間1400℃で焼結される。
管状体は、それぞれ例■および■に記載したように予備
焼成され、3時間1400℃で焼結される。
次に、厚さ200μのニッケル被覆を、例■に述べたよ
うに電解析出によって付着し、全内部表面区域と外側金
属クラツドの中央部の帯状接触との間で測定して350
℃で1mΩより少ない全抵抗を持つ容器を作る。
うに電解析出によって付着し、全内部表面区域と外側金
属クラツドの中央部の帯状接触との間で測定して350
℃で1mΩより少ない全抵抗を持つ容器を作る。
例■
例■または■と同様に準備されたセラミックは、例■に
おけるように端部を閉じた管状に圧縮された。
おけるように端部を閉じた管状に圧縮された。
しかし、焼結後の寸法は、外径1cm、壁厚0.1cm
および長さ20cmであって、例■におけるように管体
の内面に電気めっき法によってニッケル被覆する。
および長さ20cmであって、例■におけるように管体
の内面に電気めっき法によってニッケル被覆する。
このニッケルの内部被覆をした閉鎖端の管体は、第3図
に一例を示したような装置の接触電極を作るために高導
電率の金属棒によって接触されている。
に一例を示したような装置の接触電極を作るために高導
電率の金属棒によって接触されている。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による集電装置の一実施例、第2図は
、本発明の集電装置を有するエネルギ変換装置、第3図
は、本発明による集電装置を有する他のエネルギ変換装
置、第4図は、第3図の装置内に使用された集電装置、
第5図は、焼鈍によって金紅石二酸化チタンに得られた
固有抵抗の減少を示す曲線図である。 2・・・導電性セラミック、4・・・金属被覆、6・・
・金属棒(カソード)(陽極)、10・・・導電性粉末
、16・・・溶融ナトリウム(陰極反応物)、20・・
・陽イオン透過性防壁、22・・・多孔性導体(陽極反
応物を含浸)、24・・・集電装置/容器(陽極)、2
6・・・陰極導体(アノード)、30・・・陽極導体(
カソード)、32・・・容器(陰極)、34・・・陽イ
オン透過性防壁、36・・・陽極反応物、38・・・ア
ルカリ金属(陰極反応物)。
、本発明の集電装置を有するエネルギ変換装置、第3図
は、本発明による集電装置を有する他のエネルギ変換装
置、第4図は、第3図の装置内に使用された集電装置、
第5図は、焼鈍によって金紅石二酸化チタンに得られた
固有抵抗の減少を示す曲線図である。 2・・・導電性セラミック、4・・・金属被覆、6・・
・金属棒(カソード)(陽極)、10・・・導電性粉末
、16・・・溶融ナトリウム(陰極反応物)、20・・
・陽イオン透過性防壁、22・・・多孔性導体(陽極反
応物を含浸)、24・・・集電装置/容器(陽極)、2
6・・・陰極導体(アノード)、30・・・陽極導体(
カソード)、32・・・容器(陰極)、34・・・陽イ
オン透過性防壁、36・・・陽極反応物、38・・・ア
ルカリ金属(陰極反応物)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 腐食性環境の存在する高温用途に使用するために適
する改良された導電性集電装置であって、(4)前記集
電装置に対する主要荷重担持部材として役立ち、高強度
の非腐食性を備え、かつ少くとも+5価の安定な原子価
を有する金属イオンがドープされた金紅石構造の多結晶
材料から成る電子的導電性セラミック部材、および (B) 前記セラミック部材の一表面の大部分に緊密に
付着した高度に電子的導電性の金属被覆であって、前記
金属被覆は、前記集電装置の主要荷重担持部材としての
前記セラミック部材の機能を維持する厚さを持ち、かつ
前記セラミック部材の弾性率に比較した前記金属の相対
的弾性率に基いており、さらに前記金属被覆は、前記セ
ラミック部材を通る向きに電流を流し、かつ前記電流を
前記部材と外部接点との間において短絡するものである
前記金属被覆を有する改良された導電性集電装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US65897576A | 1976-02-18 | 1976-02-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52121731A JPS52121731A (en) | 1977-10-13 |
| JPS588552B2 true JPS588552B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=24643527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52017031A Expired JPS588552B2 (ja) | 1976-02-18 | 1977-02-18 | 改良された導電性および耐食性の集電装置 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4160069A (ja) |
| JP (1) | JPS588552B2 (ja) |
| BE (1) | BE851634A (ja) |
| CA (1) | CA1099092A (ja) |
| DE (1) | DE2707202C2 (ja) |
| ES (3) | ES456015A1 (ja) |
| FR (1) | FR2341948A1 (ja) |
| GB (2) | GB1577363A (ja) |
| NL (1) | NL7701713A (ja) |
| SE (2) | SE432034B (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4117208A (en) * | 1977-09-15 | 1978-09-26 | Ford Motor Company | Electrical conversion device with ceramic electrode |
| IN148314B (ja) * | 1977-09-19 | 1981-01-10 | Chloride Silent Power Ltd | |
| US4226922A (en) * | 1979-08-09 | 1980-10-07 | Institute Of Gas Technology | Sodium sulfur electrochemical cell or battery |
| US4448654A (en) * | 1980-11-06 | 1984-05-15 | The Dow Chemical Company | Process and anode for molten salt electrolysis |
| US4370216A (en) * | 1980-11-06 | 1983-01-25 | The Dow Chemical Company | Electrolytic cell and anode for molten salt electrolysis |
| JPH0624152B2 (ja) * | 1983-04-19 | 1994-03-30 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | 電気伝導性集電器及び電気化学的電池 |
| US4456664A (en) * | 1983-04-19 | 1984-06-26 | Ford Motor Company | Electronically conductive magnesia doped oxide ceramics for use in sodium sulfur batteries |
| JPS60501082A (ja) * | 1983-04-19 | 1985-07-11 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | ナトリウム硫黄電池用電気伝導性セラミック物質、集電体及び電池 |
| US4456631A (en) * | 1983-04-19 | 1984-06-26 | Ford Motor Company | Electronically conductive lithia doped oxide ceramics for use in sodium sulfur batteries |
| DE3340264A1 (de) * | 1983-11-08 | 1985-05-15 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Elektrochemische speicherzelle |
| DE3507697A1 (de) * | 1985-03-05 | 1986-09-11 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Elektrochemische speicherzelle |
| DE3539029A1 (de) * | 1985-11-02 | 1987-05-07 | Bbc Brown Boveri & Cie | Hochtemperatur-schutzschicht und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5472805A (en) * | 1987-12-07 | 1995-12-05 | Space Systems/Loral, Inc. | Carbon/carbon materials useful as NA/S battery container/current collector |
| NL8800500A (nl) * | 1988-02-26 | 1989-09-18 | Stork Screens Bv | Electrodemateriaal voor toepassing in een suspensie accumulator-halfcel, accumulatorhalfcel met een electrode uit dergelijk materiaal en een dergelijke accumulatorhalfcel omvattende accumulator. |
| US4892795A (en) * | 1988-09-14 | 1990-01-09 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Non-aqueous cell comprising niobium triselenide |
| US5342712A (en) * | 1993-05-17 | 1994-08-30 | Duracell Inc. | Additives for primary electrochemical cells having manganese dioxide cathodes |
| US5478676A (en) * | 1994-08-02 | 1995-12-26 | Rexam Graphics | Current collector having a conductive primer layer |
| JP3612594B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2005-01-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 樹脂付複合箔およびその製造方法並びに該複合箔を用いた多層銅張り積層板および多層プリント配線板の製造方法 |
| US6524750B1 (en) | 2000-06-17 | 2003-02-25 | Eveready Battery Company, Inc. | Doped titanium oxide additives |
| US6818347B1 (en) | 2000-06-21 | 2004-11-16 | University Of California | Performance enhancing additives for electrochemical cells |
| US7931978B1 (en) * | 2006-05-09 | 2011-04-26 | University Of South Florida | Electrochemical power source using halogenated organic compounds |
| CN113429206B (zh) * | 2021-06-16 | 2022-11-25 | 西南林业大学 | 木基TiO2电介质陶瓷及其制备方法和应用 |
| DE102024204709A1 (de) * | 2024-05-22 | 2025-11-27 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Funktionsschicht, elektrochemische Zelle und Lambdasonde mit einer solchen keramischen Funktionsschicht |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3404035A (en) * | 1965-10-22 | 1968-10-01 | Ford Motor Co | Secondary battery employing molten alkali metal reactant |
| US3749603A (en) * | 1972-04-17 | 1973-07-31 | Dow Chemical Co | Alkali metal/sulfur battery having a cathodic current collector coated with molybdenum disulfide |
| US4020246A (en) * | 1974-03-04 | 1977-04-26 | Trw Inc. | Low temperature primary electrolyte cell |
| US4024320A (en) * | 1975-01-10 | 1977-05-17 | Chloride Silent Power Ltd. | Galvanic cells |
| JPS51127432A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-06 | Rion Co | Secondary battery |
| US4002807A (en) * | 1975-09-30 | 1977-01-11 | Ford Motor Company | Alkali metal, sulfur battery or cell with single phase sulfur electrode |
| IT1066389B (it) * | 1976-01-30 | 1985-03-04 | Ford Motor Co | Cella o batteria elettrica secondaria con elettrodo a polisolfuro bagnabile |
-
1977
- 1977-02-08 GB GB5155/77A patent/GB1577363A/en not_active Expired
- 1977-02-08 GB GB2831/78A patent/GB1577364A/en not_active Expired
- 1977-02-15 SE SE7701637A patent/SE432034B/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-02-17 ES ES456015A patent/ES456015A1/es not_active Expired
- 1977-02-17 NL NL7701713A patent/NL7701713A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-02-17 DE DE2707202A patent/DE2707202C2/de not_active Expired
- 1977-02-17 CA CA272,017A patent/CA1099092A/en not_active Expired
- 1977-02-18 FR FR7704794A patent/FR2341948A1/fr active Granted
- 1977-02-18 JP JP52017031A patent/JPS588552B2/ja not_active Expired
- 1977-02-18 BE BE1007958A patent/BE851634A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-02-18 US US05/769,997 patent/US4160069A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-03-01 ES ES467467A patent/ES467467A1/es not_active Expired
- 1978-03-01 ES ES467468A patent/ES467468A1/es not_active Expired
-
1980
- 1980-07-07 SE SE8004996A patent/SE447820B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| SE7701637L (sv) | 1977-08-19 |
| BE851634A (fr) | 1977-08-18 |
| DE2707202C2 (de) | 1987-01-29 |
| FR2341948A1 (fr) | 1977-09-16 |
| SE447820B (sv) | 1986-12-15 |
| CA1099092A (en) | 1981-04-14 |
| ES467468A1 (es) | 1978-11-01 |
| JPS52121731A (en) | 1977-10-13 |
| ES456015A1 (es) | 1978-06-01 |
| SE432034B (sv) | 1984-03-12 |
| DE2707202A1 (de) | 1977-09-29 |
| US4160069A (en) | 1979-07-03 |
| ES467467A1 (es) | 1978-11-16 |
| GB1577363A (en) | 1980-10-22 |
| FR2341948B1 (ja) | 1980-12-26 |
| SE8004996L (sv) | 1980-07-07 |
| NL7701713A (nl) | 1977-08-22 |
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