JPS588491B2 - エレクトロクロミツクヒヨウジソシ - Google Patents
エレクトロクロミツクヒヨウジソシInfo
- Publication number
- JPS588491B2 JPS588491B2 JP50138684A JP13868475A JPS588491B2 JP S588491 B2 JPS588491 B2 JP S588491B2 JP 50138684 A JP50138684 A JP 50138684A JP 13868475 A JP13868475 A JP 13868475A JP S588491 B2 JPS588491 B2 JP S588491B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrochromic
- voltage
- aqueous solution
- color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロクロミツク表示素子に関する。
エレクトロクロミズムとは、例えば溶液中において電極
反応によって可逆的に色の変化をひきおこす現像であり
、エレクトロクロミツク表示素子とはエレクトロクロミ
ズムにおいて表示に用いる素子である。
反応によって可逆的に色の変化をひきおこす現像であり
、エレクトロクロミツク表示素子とはエレクトロクロミ
ズムにおいて表示に用いる素子である。
通常のエレクトロクロミツク表示素子では、エレクトロ
クロミツク物質が負極になるように直流電圧を印加して
発色せしめ、エレクトロクロミツク物質が正極になるよ
うに直流電圧を印加して消色するのであるが、本発明の
エレクトロクロミツク表示素子では、発色の場合には電
圧を印加することなく、消色の場合にのみ、上記と同じ
ようにエレクトロクロミツク物質が正極になるように直
流電圧を印加する。
クロミツク物質が負極になるように直流電圧を印加して
発色せしめ、エレクトロクロミツク物質が正極になるよ
うに直流電圧を印加して消色するのであるが、本発明の
エレクトロクロミツク表示素子では、発色の場合には電
圧を印加することなく、消色の場合にのみ、上記と同じ
ようにエレクトロクロミツク物質が正極になるように直
流電圧を印加する。
本発明は、上記のように電圧を印加することなく発色せ
しめる場合に、消色の場合と同じように、エレクトロク
ロミツク物質が正極になるようにして、かつ消極の場合
に用いる電圧よりも低い直流電圧を印加しておき、上記
の発色が過大にならないように制御することを特徴とす
るものである。
しめる場合に、消色の場合と同じように、エレクトロク
ロミツク物質が正極になるようにして、かつ消極の場合
に用いる電圧よりも低い直流電圧を印加しておき、上記
の発色が過大にならないように制御することを特徴とす
るものである。
本発明においては、上記エレクトロクロミツク物質とし
て、ＷＯ３，Ｍｏｂ３，Ｔｉｏ２，Ｃｒ２ｏ３，ＭｎＯ
，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｚｒ０２，ＰｂＯ，ＭｇＯ
， ｃａｏ ， Ｖ２ ０５ ，Ｂ ｌ ２ ０５
， Ｃｅ２ ｏ３，Ｇａ ２ ０３ ｙ Ｎｂ２ ０５
ｙ Ｔａ ２ ０５ ， Ｓ ｂ２ ０３ ， Ｔｅ
０２，Ｒｅ２０７などの金属酸化物が薄膜の状態で用い
られる。
て、ＷＯ３，Ｍｏｂ３，Ｔｉｏ２，Ｃｒ２ｏ３，ＭｎＯ
，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｚｒ０２，ＰｂＯ，ＭｇＯ
， ｃａｏ ， Ｖ２ ０５ ，Ｂ ｌ ２ ０５
， Ｃｅ２ ｏ３，Ｇａ ２ ０３ ｙ Ｎｂ２ ０５
ｙ Ｔａ ２ ０５ ， Ｓ ｂ２ ０３ ， Ｔｅ
０２，Ｒｅ２０７などの金属酸化物が薄膜の状態で用い
られる。
図面を参照して本発明を説明する。
図面は、いずれもエレクトロクロミツク表示素子の断面
図である。
図である。
第１図において、ガラス板のような透明な基板１の上に
、■ｎ２０３またはＳｎＯのような透明な導電性薄膜２
が形成され、さらにその上にＷ０３のようなエレクトロ
クロミツク物質の薄膜３が形成されている基体（例えば
容器）４に、Ｈ２Ｓ０４の３％水溶液のような電解質の
水溶液５を入れ、Ｓｎのような、水素よりもイオン化傾
向の大きい金属６を、導電性薄膜２かまたはエレクトロ
クロミツク物質の薄膜３の、少くともいずれか一方に接
触せしめ、かつ電解質水溶液中に浸漬せしめるように配
置することによって、上記エレクトロクロミツク物質の
薄膜は発色する。
、■ｎ２０３またはＳｎＯのような透明な導電性薄膜２
が形成され、さらにその上にＷ０３のようなエレクトロ
クロミツク物質の薄膜３が形成されている基体（例えば
容器）４に、Ｈ２Ｓ０４の３％水溶液のような電解質の
水溶液５を入れ、Ｓｎのような、水素よりもイオン化傾
向の大きい金属６を、導電性薄膜２かまたはエレクトロ
クロミツク物質の薄膜３の、少くともいずれか一方に接
触せしめ、かつ電解質水溶液中に浸漬せしめるように配
置することによって、上記エレクトロクロミツク物質の
薄膜は発色する。
この場合、エレクトロクロミツク物質としてＷＯ３を用
いると、青色に発色する。
いると、青色に発色する。
この発色状態を持続すると、その発色濃度は次第に増大
するが、水素ガスの発生によってエレクトロクロミツク
物質の機能が低下し、その性能が劣化するという現象を
生ずる。
するが、水素ガスの発生によってエレクトロクロミツク
物質の機能が低下し、その性能が劣化するという現象を
生ずる。
本発明はこのようなエレクトロクロミック物質の薄膜の
劣化を防止するためになされたものであって、第２図に
示すように、白金線のような対向電極７を電解質水溶液
中に浸漬し、上記水素よりもイオン化頃向の大きい金属
６を正極、上記対向電極７を負極として、例えば０．１
５Ｖのような直流電圧を印加することによって、上記の
ようなエレクトロクロミツク物質の機能の低下を防止す
ることができる。
劣化を防止するためになされたものであって、第２図に
示すように、白金線のような対向電極７を電解質水溶液
中に浸漬し、上記水素よりもイオン化頃向の大きい金属
６を正極、上記対向電極７を負極として、例えば０．１
５Ｖのような直流電圧を印加することによって、上記の
ようなエレクトロクロミツク物質の機能の低下を防止す
ることができる。
本発明はこの発見に基づくものであるが、上記電圧は、
エレクトロクロミツク表示素子の種類によって異り、０
．０１ないし０． ３ Ｖの電圧が用いられる。
エレクトロクロミツク表示素子の種類によって異り、０
．０１ないし０． ３ Ｖの電圧が用いられる。
すなわちエレクトロクロミツク物質として既述したよう
にＷＯ３の他にいろいろな金属酸化物が用いられ、また
水素よりもイオン化傾向の大きい金属としてＳｎ以外に
、ＡＩ，Ｚｎ ，Ｉｎ ，Ｆｅ ，Ｎｉ ，Ｐｂなども
用いられ、これらの組合せによって上記の電圧は異るが
、最高０．３Ｖによってその目的を達成することができ
る上記のようにしてエレクトロクロミツク物質を発色せ
しめた後、これを消色するには、第３図に示すように、
上記電圧よりも高い電圧例えば０．３ないし１ｖの直流
電圧を、上記金属６と対向電極７との間に印加すること
によって行うことができる。
にＷＯ３の他にいろいろな金属酸化物が用いられ、また
水素よりもイオン化傾向の大きい金属としてＳｎ以外に
、ＡＩ，Ｚｎ ，Ｉｎ ，Ｆｅ ，Ｎｉ ，Ｐｂなども
用いられ、これらの組合せによって上記の電圧は異るが
、最高０．３Ｖによってその目的を達成することができ
る上記のようにしてエレクトロクロミツク物質を発色せ
しめた後、これを消色するには、第３図に示すように、
上記電圧よりも高い電圧例えば０．３ないし１ｖの直流
電圧を、上記金属６と対向電極７との間に印加すること
によって行うことができる。
上記電解質としては、Ｈ２ＳＯ４の他に、ＨＣＩ，ＨＮ
Ｏ３のような無機酸、ＣＨ３Ｃ００Ｈのような有機酸、
ＮＩＣｌ２，ＳｎＣｌ２のような塩類が用いられ、電解
質含有溶液としては濃度１〜５０％程度の水溶液が用い
られる。
Ｏ３のような無機酸、ＣＨ３Ｃ００Ｈのような有機酸、
ＮＩＣｌ２，ＳｎＣｌ２のような塩類が用いられ、電解
質含有溶液としては濃度１〜５０％程度の水溶液が用い
られる。
また水溶液には、湖剤としてポリビニルアルコール、ゼ
ラチン、デキストリン、カゼイン、アラビアゴムなどの
少量を添加して水溶液の粘度を大きくすることができる
。
ラチン、デキストリン、カゼイン、アラビアゴムなどの
少量を添加して水溶液の粘度を大きくすることができる
。
下記に本発明の実施例を示す。
例１
第１図に示すように、ガラス基板１の上に、Ｉｎ２０３
の薄膜２を形成せしめ、その上に蒸着によってＷ０３の
薄膜３を、約１μの厚さに形成せしめた容器４に、約３
％のＨ２ＳＯ４水溶液を入れ、Ｓｎ箔６を、Ｈ２ＳＯ４
水溶液に浸漬した状態で、導電性薄膜２またはＷＯ３薄
膜３の少くともいずれか一方に接触せしめると、ＷＯ３
薄膜は青色に発色し、その濃度は時間とともに犬になり
、５０秒の後には、波長６３３ｍｍの光の透過度は約１
０％となり、その後、時間とともに発色濃度は増大し、
光の透過度は減少し、約９０秒の後にＷ０３薄膜が剥離
した。
の薄膜２を形成せしめ、その上に蒸着によってＷ０３の
薄膜３を、約１μの厚さに形成せしめた容器４に、約３
％のＨ２ＳＯ４水溶液を入れ、Ｓｎ箔６を、Ｈ２ＳＯ４
水溶液に浸漬した状態で、導電性薄膜２またはＷＯ３薄
膜３の少くともいずれか一方に接触せしめると、ＷＯ３
薄膜は青色に発色し、その濃度は時間とともに犬になり
、５０秒の後には、波長６３３ｍｍの光の透過度は約１
０％となり、その後、時間とともに発色濃度は増大し、
光の透過度は減少し、約９０秒の後にＷ０３薄膜が剥離
した。
一方、第２図に示すように、対向電極７をＨ２ＳＯ４水
溶液に浸漬し、Ｓｎ箔６との間に、対向電極７を負極、
Ｓｎ箔６を正極として、０．１５Ｖの直流電圧を印加し
たところ、ＷＯ３薄膜の発色濃度は、長時間にわたって
、上記のような光の透過度が１０％を限度として、それ
以上には増大することなく、従ってＷ０３薄膜の劣化も
なく、また第３図に示すように、対向電極７とＳｎ箔６
の間に０．５Ｖの直流電圧を約１０秒間印加することに
よってＷ０３薄膜の青色を消去することができ、この０
．５ｖの電圧の印加を中止し、０．１５Ｖの電圧のみを
印加すると、再び青色に発色し、発色と消色を繰返して
行うことができ、従ってエレクトロクロミツク表示素子
として繰返して使用することができた。
溶液に浸漬し、Ｓｎ箔６との間に、対向電極７を負極、
Ｓｎ箔６を正極として、０．１５Ｖの直流電圧を印加し
たところ、ＷＯ３薄膜の発色濃度は、長時間にわたって
、上記のような光の透過度が１０％を限度として、それ
以上には増大することなく、従ってＷ０３薄膜の劣化も
なく、また第３図に示すように、対向電極７とＳｎ箔６
の間に０．５Ｖの直流電圧を約１０秒間印加することに
よってＷ０３薄膜の青色を消去することができ、この０
．５ｖの電圧の印加を中止し、０．１５Ｖの電圧のみを
印加すると、再び青色に発色し、発色と消色を繰返して
行うことができ、従ってエレクトロクロミツク表示素子
として繰返して使用することができた。
例２
例１の場合のＳｎ箔の代りにＺｎ箔を用いた以外は例１
の場合の手順をそのま一繰返した。
の場合の手順をそのま一繰返した。
この場合にも、例１の場合と同じように、Ｗ０３薄膜は
青色に発色し、時間の経過とともにその濃度は増大し、
約５０秒の後に、ＷＯ３薄膜の剥離を見たが、例１場合
と同じように対向電極７とＺｎ箔の間に、０．２■の直
流電圧を印加しておくことによって、Ｗ０３薄膜の剥離
は見られず、例１の場合の０．５Ｖの代りに０．８Ｖの
直流電圧を印加することによってＷＯ３薄膜の青色は消
去され、例１の場合と同じように、発色と消色を繰返し
て行うことができた。
青色に発色し、時間の経過とともにその濃度は増大し、
約５０秒の後に、ＷＯ３薄膜の剥離を見たが、例１場合
と同じように対向電極７とＺｎ箔の間に、０．２■の直
流電圧を印加しておくことによって、Ｗ０３薄膜の剥離
は見られず、例１の場合の０．５Ｖの代りに０．８Ｖの
直流電圧を印加することによってＷＯ３薄膜の青色は消
去され、例１の場合と同じように、発色と消色を繰返し
て行うことができた。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図は本発明のエレクトロクロミツク表
示素子を説明するための拡大した断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・導電性薄膜、
３・・・・・・エレクトロクロミツク物質の薄膜、６・
・・・・・水素よりもイオン化傾向の大きい金属の箔、
７・・・・・・対向電極。
示素子を説明するための拡大した断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・導電性薄膜、
３・・・・・・エレクトロクロミツク物質の薄膜、６・
・・・・・水素よりもイオン化傾向の大きい金属の箔、
７・・・・・・対向電極。
Claims (1)
- １ 透明な基板の表面に導電性薄膜を形成せしめさらに
その上にエレクトロクロミツク物質の薄膜を形成せしめ
た基体を、電解質水溶液中に浸漬し水素よりもイオン化
傾向の大きい金属を、上記導電性薄膜またはエレクトロ
クロミツク物質の薄膜に接触せしめ、かつ電解質水溶液
中に浸漬せしめた状態にしたエレクトロクロミツク表示
素子において、上記電解質水溶液中に対向電極を浸漬し
てこれを負極とし、上記水素よりもイオン化傾向の大き
い金属を正極として、０．０１ないし０，３■の直流電
圧を常時印加しておくことを特徴とするエレクトロクロ
ミツク表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50138684A JPS588491B2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | エレクトロクロミツクヒヨウジソシ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50138684A JPS588491B2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | エレクトロクロミツクヒヨウジソシ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5263355A JPS5263355A (en) | 1977-05-25 |
| JPS588491B2 true JPS588491B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=15227678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50138684A Expired JPS588491B2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | エレクトロクロミツクヒヨウジソシ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588491B2 (ja) |
-
1975
- 1975-11-20 JP JP50138684A patent/JPS588491B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5263355A (en) | 1977-05-25 |
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