JPS5884430A - レジスト膜の耐エツチング性増大方法 - Google Patents
レジスト膜の耐エツチング性増大方法Info
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- JPS5884430A JPS5884430A JP18275981A JP18275981A JPS5884430A JP S5884430 A JPS5884430 A JP S5884430A JP 18275981 A JP18275981 A JP 18275981A JP 18275981 A JP18275981 A JP 18275981A JP S5884430 A JPS5884430 A JP S5884430A
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- Japan
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- resist film
- fluoride
- plasma
- gaseous
- etching resistance
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジスト膜の耐エツチング性増大方法に関し
、更に詳しくはフルオロアルキルアクリレート化合物の
重合体から成るレジスト膜の耐エツチング性を増大する
方法に関する。
、更に詳しくはフルオロアルキルアクリレート化合物の
重合体から成るレジスト膜の耐エツチング性を増大する
方法に関する。
半導体プロセスでは、パターンの微細化、廃液処理など
の点から、ウェットエツチングからより有利なプラズマ
エツチングへと移行しつつある。
の点から、ウェットエツチングからより有利なプラズマ
エツチングへと移行しつつある。
また、プロセスの完全ドライ化が望まれている。
このプラズマエツチングでは、レジスト膜は耐プラズマ
性を有することが要求される。
性を有することが要求される。
トコ口で、ツルオロアルキルアクリレート化合で、高解
像力を有し、レジスト膜材料としてすぐれた性質を有し
ているが、耐プラズマ性については必ずしも十分ではな
い。
像力を有し、レジスト膜材料としてすぐれた性質を有し
ているが、耐プラズマ性については必ずしも十分ではな
い。
本発明者らは、フルオロアルキルアクリレート化合物の
重合物からなるレジスト膜の耐プラズマ性を改良すべく
研究を重ねた結果、ある種のフッ素化合物を′照射する
ことによシ該レジスト膜の耐プラズマ性が増大すること
を見い出し、本発明な完成するに至った。
重合物からなるレジスト膜の耐プラズマ性を改良すべく
研究を重ねた結果、ある種のフッ素化合物を′照射する
ことによシ該レジスト膜の耐プラズマ性が増大すること
を見い出し、本発明な完成するに至った。
すなわち、本発明の要旨は、フルオロアルキルアクリレ
ート化合物の重合体から成るレジスト膜にガス状の有機
または無機フッ素化合物を照射することを特徴とするフ
ルオロアルキルアクリレート化合物の重合体から成るレ
ジスト膜の耐エツチング性増大方法に存する。
ート化合物の重合体から成るレジスト膜にガス状の有機
または無機フッ素化合物を照射することを特徴とするフ
ルオロアルキルアクリレート化合物の重合体から成るレ
ジスト膜の耐エツチング性増大方法に存する。
本発明の方法によシ、フルオロアルキルアクリレート化
合物の重合体として ＣＨ２＝Ｃ（ＣＩ（３）■■ＣＦ２ＣＨＦ２（以下、（
ＣＨ８） ２ ＦＢＭという。）の重合体を用いたレジスト膜にＣＦ
ａプラズマ照射を１３．５６ＭＨシ、１００ＷおよびＱ
、５Ｔｏｒｒの条件で２分間行なうと、エツチング時の
膜厚減少速度が７ａｏｉ／分から８００′ｆｉ−７分に
減少して耐エツチング性が改良される。
合物の重合体として ＣＨ２＝Ｃ（ＣＩ（３）■■ＣＦ２ＣＨＦ２（以下、（
ＣＨ８） ２ ＦＢＭという。）の重合体を用いたレジスト膜にＣＦ
ａプラズマ照射を１３．５６ＭＨシ、１００ＷおよびＱ
、５Ｔｏｒｒの条件で２分間行なうと、エツチング時の
膜厚減少速度が７ａｏｉ／分から８００′ｆｉ−７分に
減少して耐エツチング性が改良される。
ガス状フッ素化合物照射を行なうには、被照射体を０．
１〜２Ｔｏｏｒの該ガス状フッ素化合物雰囲気中、０．
１〜１００ＭＨ，の高周波電界を印加すればよ、い。放
射電力は、２５〜５００Ｗ、好ましくは５０〜２００Ｗ
であシ、放電時間は０．５分以上である。
１〜２Ｔｏｏｒの該ガス状フッ素化合物雰囲気中、０．
１〜１００ＭＨ，の高周波電界を印加すればよ、い。放
射電力は、２５〜５００Ｗ、好ましくは５０〜２００Ｗ
であシ、放電時間は０．５分以上である。
この様な照射は、半導体プロセスにおいては、半導体基
板上にレジスト膜を形成し、高エネルギー線でバターニ
ングし、現像した後に通常行う。
板上にレジスト膜を形成し、高エネルギー線でバターニ
ングし、現像した後に通常行う。
ガス状の有機フッ素化合物としては、好ましくは１〜８
個の次素原子を有する有機フッ素化合物、たとえばＣＦ
４、Ｃ２Ｆ ６、Ｃａ Ｆ ｓ、ＣＢ ｒ Ｆ ａ、
ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＨＣＩＦ およびＣＨＦ３が例示で
きる。また、ガス状の無機フッ素化合物としては、たと
えば゛・−８Ｆ６、ＮＦ３およびＸｅ２Ｆ２などが挙げ
られる。これら化合物は単独でまたは混合物として用い
ることができる。さらに、アルゴン、ヘリウムなどの不
活性ガス、窒素などで希釈して用いることもできる。
個の次素原子を有する有機フッ素化合物、たとえばＣＦ
４、Ｃ２Ｆ ６、Ｃａ Ｆ ｓ、ＣＢ ｒ Ｆ ａ、
ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＨＣＩＦ およびＣＨＦ３が例示で
きる。また、ガス状の無機フッ素化合物としては、たと
えば゛・−８Ｆ６、ＮＦ３およびＸｅ２Ｆ２などが挙げ
られる。これら化合物は単独でまたは混合物として用い
ることができる。さらに、アルゴン、ヘリウムなどの不
活性ガス、窒素などで希釈して用いることもできる。
本発明においてフルオロアルキルアクリレート化合物と
しては、一般式： ％式％（） （式中、Ｒ１はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つをハロゲン原子′で置換した基
、ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素数
１〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒｆは少
なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素
数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わされ
るフルオロアルキルアクリレートが好ましく用いられる
。
しては、一般式： ％式％（） （式中、Ｒ１はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つをハロゲン原子′で置換した基
、ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素数
１〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒｆは少
なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素
数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わされ
るフルオロアルキルアクリレートが好ましく用いられる
。
前記一般式σ）で表わされる化合物としては、具体的に
はつぎの化学式で示されるものがあげられＨ８ 盲 Ｈ８ ＣＨ２＝ＣＣ１ｃＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＨＦ２ＣＨ２＝Ｃ
（ＣＨ３）Ｃｏ０ＣＨ２ＣＦ２ＣＩ（ＦＣＦ８Ｈ３ ＣＨ２−Ｃ（０（３）００ｏＣＱ−１２ＣＦ２ＣＨＦＣ
Ｆ８ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏ０ＣＨ２ＣＩ（２ＣＦ２
ＣＦ２ＣＦ８ＣＨ２＝Ｃ（０（３）Ｃ００ＣＩ（２ＣＨ
２（ＣＦ２ＣＦ２）２ＣＨ８本発明において必要に応じ
て用いる共単量体として好ましいものは二重結合を有す
るビニル系単量体である。
はつぎの化学式で示されるものがあげられＨ８ 盲 Ｈ８ ＣＨ２＝ＣＣ１ｃＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＨＦ２ＣＨ２＝Ｃ
（ＣＨ３）Ｃｏ０ＣＨ２ＣＦ２ＣＩ（ＦＣＦ８Ｈ３ ＣＨ２−Ｃ（０（３）００ｏＣＱ−１２ＣＦ２ＣＨＦＣ
Ｆ８ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏ０ＣＨ２ＣＩ（２ＣＦ２
ＣＦ２ＣＦ８ＣＨ２＝Ｃ（０（３）Ｃ００ＣＩ（２ＣＨ
２（ＣＦ２ＣＦ２）２ＣＨ８本発明において必要に応じ
て用いる共単量体として好ましいものは二重結合を有す
るビニル系単量体である。
該ビニル系単量体としては、たとえばエチレン、プロピ
レン、ブチレン、イソブチレン、ブタジェンなどのエチ
レン系不飽和オレフィン類；スチレン、α−メチルスチ
νン、Ｐ・クロルスチレンなどのスチレン類；アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレ
イン酸などの不飽和カルボン酸類；アクリル酸メチル、
アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸
イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸ｎ−オク
チル、アクリル酸２−クロル−エチル、アクリル酸フェ
ニル、α−クロルアクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、α−エ
チ〃アクリル酸エチルなどのα−メチレン脂肪族モノカ
ルボン酸のエステル類；ビニルメチルエーテル、ビニル
エチルエーテル、ビニルイソブチルエーテルなどのビニ
ルエーテル類；塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸
ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニルなどのビニルエス
テル類；１−メチル−１′−メトキシエチレン、１．１
’−ジメトキシエチレン、１，２−ジメトキシエチレン
、１．１’−ジメトキシカルボニルエチレン、１−メチ
ル−１′−二トロエチレンナトのエチレンＭ導体； Ｎ
−ビニルピロール、Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−ビニ
ルインドール、Ｎ−ビニルピロリジン、Ｎ−ビニルピロ
リドンなどのＮ−ビニル化合物；そのほかアクリロニト
リル、メタクリルニトリル、アクリルアミド、メタクリ
ルアミド、α−エチルアクリルアミド、アクリルアニリ
ド、Ｐ−クロロアクリルアニリド、ｍ−ニドロブクリル
アニリド、ｍ−メトキシアクリルアニリド、ビニリデン
クロライド、ビニリデンシアナイド、グリシジルアクリ
レート、グリシジルメタクリレート、アルキル−σ−シ
アノアクリレート、アルキル−α−シアノメタクリレー
トなどがあげられる。
レン、ブチレン、イソブチレン、ブタジェンなどのエチ
レン系不飽和オレフィン類；スチレン、α−メチルスチ
νン、Ｐ・クロルスチレンなどのスチレン類；アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレ
イン酸などの不飽和カルボン酸類；アクリル酸メチル、
アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸
イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸ｎ−オク
チル、アクリル酸２−クロル−エチル、アクリル酸フェ
ニル、α−クロルアクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、α−エ
チ〃アクリル酸エチルなどのα−メチレン脂肪族モノカ
ルボン酸のエステル類；ビニルメチルエーテル、ビニル
エチルエーテル、ビニルイソブチルエーテルなどのビニ
ルエーテル類；塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸
ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニルなどのビニルエス
テル類；１−メチル−１′−メトキシエチレン、１．１
’−ジメトキシエチレン、１，２−ジメトキシエチレン
、１．１’−ジメトキシカルボニルエチレン、１−メチ
ル−１′−二トロエチレンナトのエチレンＭ導体； Ｎ
−ビニルピロール、Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−ビニ
ルインドール、Ｎ−ビニルピロリジン、Ｎ−ビニルピロ
リドンなどのＮ−ビニル化合物；そのほかアクリロニト
リル、メタクリルニトリル、アクリルアミド、メタクリ
ルアミド、α−エチルアクリルアミド、アクリルアニリ
ド、Ｐ−クロロアクリルアニリド、ｍ−ニドロブクリル
アニリド、ｍ−メトキシアクリルアニリド、ビニリデン
クロライド、ビニリデンシアナイド、グリシジルアクリ
レート、グリシジルメタクリレート、アルキル−σ−シ
アノアクリレート、アルキル−α−シアノメタクリレー
トなどがあげられる。
これら化合物（１）以外の共単量体は、共重合体重量の
１０重量％を越えない割合で用いるのが好ましい。
１０重量％を越えない割合で用いるのが好ましい。
次に実施例および比較例を示し、本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例１
ガラス板上に被覆したシリコン膜上に被覆した０、５μ
ｍのＦＢＭ膜に、次の条件で１分間または２分間それぞ
れＣＦ ４プラズマ照射を行なった。
ｍのＦＢＭ膜に、次の条件で１分間または２分間それぞ
れＣＦ ４プラズマ照射を行なった。
装置：平行平板型放電装置
放電周波＆：１３．５６ＭＨ，，放電電カニ １００Ｗ
ＣＦ４圧カニ０，５Ｔｏｒｒ 径１０ｃｍ）’！ｒ有している。この両電極４．５は水
平に置かれ、間隔が６Ｇとなるように設置され、それぞ
れ水冷されている。円筒３および下面２の上方に取りつ
けられた電極５は、接地されている。
ＣＦ４圧カニ０，５Ｔｏｒｒ 径１０ｃｍ）’！ｒ有している。この両電極４．５は水
平に置かれ、間隔が６Ｇとなるように設置され、それぞ
れ水冷されている。円筒３および下面２の上方に取りつ
けられた電極５は、接地されている。
電極に交番高周波電圧を印加すると、接地した電極５は
アノードとなり、接地していない電極はカソードとなる
。
アノードとなり、接地していない電極はカソードとなる
。
試料８は、アノードにアルミニウム板６を折り曲けて絶
縁体を介さずにアノードに平行に設置されたアノードか
らの高さ２．８ ｃｓのアルミニウム板上に、絶縁体７
（酸化ケイ素）を介してＦＢＭ＠をカソードに向けて置
く（試料とカソードとの間隔は３０Ｉ）。
縁体を介さずにアノードに平行に設置されたアノードか
らの高さ２．８ ｃｓのアルミニウム板上に、絶縁体７
（酸化ケイ素）を介してＦＢＭ＠をカソードに向けて置
く（試料とカソードとの間隔は３０Ｉ）。
ＣＦ４デヲズマ照射後、それぞれのＦＢＭ膜について耐
ＣＦ４プラズマエツチング試験を行なった。
ＣＦ４プラズマエツチング試験を行なった。
条件は次のとおりである。
装置、平行平板型放電装置
放電周波数：１ＯＫＨ！、放電平均電流密度：（１８順
シーＣＦ４圧カニＱ、５Ｔｏｒｒ 。
シーＣＦ４圧カニＱ、５Ｔｏｒｒ 。
放電時間：１．２．３および４分間
その結果、ＣＦ、プラズマによりＦＢＭ膜がエツチング
された。その深さを第１１図に示す。図中、△はＣＦプ
ラス照射を１分間行なった場合、口は同じく２分間行な
った場合の結果である。
された。その深さを第１１図に示す。図中、△はＣＦプ
ラス照射を１分間行なった場合、口は同じく２分間行な
った場合の結果である。
比較例１
実施例１において、ＣＦ’４プラズマ照射を行わずに、
ＣＦプラズマエツチングを同様に行った。エツチング深
さをＯで第１表に示す。
ＣＦプラズマエツチングを同様に行った。エツチング深
さをＯで第１表に示す。
実施例２および比較例２
実施例１および比較例１において、ＦＢＭの代りにＣＨ
２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ２ＣＨＦＣＦ３９９
１重量％の共重合体を用いる以外は同様の手順を繰り返
し、耐エツチング試＊ｉ行った。エツチング深さを第２
図に示す。図中、△、口および○は実施例１および比較
例１の場合と同様である。
２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ２ＣＨＦＣＦ３９９
１重量％の共重合体を用いる以外は同様の手順を繰り返
し、耐エツチング試＊ｉ行った。エツチング深さを第２
図に示す。図中、△、口および○は実施例１および比較
例１の場合と同様である。
なお、実施例ではレジスト膜が電子線などの高エネルギ
ー線による描画がされていないものについての耐プラズ
マエツチング性を試験しているが、本発明方法は、これ
に限られることなく、描画されたレジスト膜にも適用で
きることはもちろんである。
ー線による描画がされていないものについての耐プラズ
マエツチング性を試験しているが、本発明方法は、これ
に限られることなく、描画されたレジスト膜にも適用で
きることはもちろんである。
第１図は、実施例１および比較例１におけるエツチング
深さを示す図、第２図は、実施例２および比較例２にお
けるエツチング深さを示す図、および第３図は実施例お
よび比較例で用いた装置の断面図である。 ４．５・・・電極、８・・・試料。 特許出願人 ダイキン工業株式会社 代 理 人 弁理士青用 葆（はが２名）ＣＦ４照射時
間（分） 第２図 ＣＦ、ａ照射時間 （分） 第３１１ 手続補正書（自船 昭和５７年 ４月 ２日 昭和５６年特許願第 １８２７５９ 号２、発明
の名称 レジスト膜の耐エツチング性増大方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 庄所 大阪府大阪市北区梅川１丁目１２番３９号新阪急
ピル名称 （２８５） ダイキンコニ業株式会社代
表者 山 １） 稔 ４、代理人 ７、補正の内容 明細書中１次の箇所を補正します。 ■・特許請求の範囲の欄 別紙の通り ■０発明の詳細な説明の欄 （１）３頁３行、「照射」とあるを「プラズマ照射」と
訂正。 （２）３頁１０行−「ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＣ
Ｆ２ＣＨＦ２」（ＣＨ３）２ とあるを「ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ２Ｃ
ＨＦＣＦ３」と訂正。 （３）８頁末３行、 「ＴｏｏｒＪとあるを［、Ｔｏ
ｒｒＪと訂正。 （４）４頁１１行＋ ［Ｘｅ２Ｆ２Ｊとあるを「Ｘ
ｅ Ｆ２ Ｊと訂正。 以上 （別紙） 特許請求の範囲 １、フルオロアルキルアクリレート化合物の重合体から
成るレジスト膜にガス状の有機または無機フッ素化合物
をプラズマ照射することを特徴とするフルオロアルキル
アクリレート化合物の重合体から成るレジスト膜の耐エ
ツチング性増大方法。 ２、フッ素化合物が１〜８個の炭素原子を有する有機フ
ッ素化合物である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、有機フッ素化合物がＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜
ＣＢｒＦ３．ＣＣｔ２Ｆ２− ＣＨＣｔＦ２もしくはＣ
ＨＦ３ またはこれらの混合物である特許請求の範囲
第２項記載の方法。 ４、フッ素化合物がＳＦ ＸｅＦ またはＮＦ３で６
＋２ 、特許請求の範囲第１項記載の方法。
深さを示す図、第２図は、実施例２および比較例２にお
けるエツチング深さを示す図、および第３図は実施例お
よび比較例で用いた装置の断面図である。 ４．５・・・電極、８・・・試料。 特許出願人 ダイキン工業株式会社 代 理 人 弁理士青用 葆（はが２名）ＣＦ４照射時
間（分） 第２図 ＣＦ、ａ照射時間 （分） 第３１１ 手続補正書（自船 昭和５７年 ４月 ２日 昭和５６年特許願第 １８２７５９ 号２、発明
の名称 レジスト膜の耐エツチング性増大方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 庄所 大阪府大阪市北区梅川１丁目１２番３９号新阪急
ピル名称 （２８５） ダイキンコニ業株式会社代
表者 山 １） 稔 ４、代理人 ７、補正の内容 明細書中１次の箇所を補正します。 ■・特許請求の範囲の欄 別紙の通り ■０発明の詳細な説明の欄 （１）３頁３行、「照射」とあるを「プラズマ照射」と
訂正。 （２）３頁１０行−「ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＣ
Ｆ２ＣＨＦ２」（ＣＨ３）２ とあるを「ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ２Ｃ
ＨＦＣＦ３」と訂正。 （３）８頁末３行、 「ＴｏｏｒＪとあるを［、Ｔｏ
ｒｒＪと訂正。 （４）４頁１１行＋ ［Ｘｅ２Ｆ２Ｊとあるを「Ｘ
ｅ Ｆ２ Ｊと訂正。 以上 （別紙） 特許請求の範囲 １、フルオロアルキルアクリレート化合物の重合体から
成るレジスト膜にガス状の有機または無機フッ素化合物
をプラズマ照射することを特徴とするフルオロアルキル
アクリレート化合物の重合体から成るレジスト膜の耐エ
ツチング性増大方法。 ２、フッ素化合物が１〜８個の炭素原子を有する有機フ
ッ素化合物である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、有機フッ素化合物がＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜
ＣＢｒＦ３．ＣＣｔ２Ｆ２− ＣＨＣｔＦ２もしくはＣ
ＨＦ３ またはこれらの混合物である特許請求の範囲
第２項記載の方法。 ４、フッ素化合物がＳＦ ＸｅＦ またはＮＦ３で６
＋２ 、特許請求の範囲第１項記載の方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フルオロアルキルアクリレート化合物の重合体から
成るレジスト膜にガス状の有機または無機フッ素化合物
を照射することを特徴とするフルオロアルキルアクリレ
ート化合物の重合体から成るレジスト膜の耐エツチング
性増大方法。 ２、フッ素化合物が１〜８個の度素原子を有する有機フ
ッ素化合物である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、有機フッ素化合物がＣＦ４、Ｃ２Ｆ６ＪＣ８Ｆ８、
ＣＢ ｒ Ｆ ａ、ＣＣＩ Ｆ ＣＨＣｌＦ２もし
くはＣＨＦ ８また２２＋１ はこれらの混合物である特許請求の範囲第２項記載の方
法。 ４、フッ素化合物が５ＦＸｅＦ またはＮＦ３６１
２２ である特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18275981A JPS5884430A (ja) | 1981-11-14 | 1981-11-14 | レジスト膜の耐エツチング性増大方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18275981A JPS5884430A (ja) | 1981-11-14 | 1981-11-14 | レジスト膜の耐エツチング性増大方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884430A true JPS5884430A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16123930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18275981A Pending JPS5884430A (ja) | 1981-11-14 | 1981-11-14 | レジスト膜の耐エツチング性増大方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884430A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244571A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-07 | Nec Corp | Method of forming fine pattern |
| JPS5522833A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing of semiconductor device |
| JPS5532095A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-06 | Ibm | Stabilizing resist image |
| JPS5613735A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5852819A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジストパタン処理方法 |
-
1981
- 1981-11-14 JP JP18275981A patent/JPS5884430A/ja active Pending
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