JPS5883281A - 半導体素子の電気的温度特性測定法 - Google Patents
半導体素子の電気的温度特性測定法Info
- Publication number
- JPS5883281A JPS5883281A JP18140181A JP18140181A JPS5883281A JP S5883281 A JPS5883281 A JP S5883281A JP 18140181 A JP18140181 A JP 18140181A JP 18140181 A JP18140181 A JP 18140181A JP S5883281 A JPS5883281 A JP S5883281A
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- JP
- Japan
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- measured
- power
- transistor
- switch
- tester
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
- G01R31/2619—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring thermal properties thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子の電気的温度特性測定法に関する
。
。
従来、半導体素子の電気的温度特性測定法としては第１
図に示すような測定方法が用いられていた。図において
、１１は恒温槽、１２は被測定素子、１３は被測定素子
の電気的特性の測定器、１４は被測定素子１２と測定器
１３を電気的に結合するケーブルである・ 次に、測定方法につ込て説明する。つまり、温度設定さ
れた恒温槽１１の中に被測定素子１２を入れ、測定器１
４によって被測定素子１２の電気的特性を測定するとと
により行なわれていた。しかし、被測定素子１２全体の
温度が設定温間になるまでに時間がかか夛被測定素子１
２を測定する能率が悪かった。
図に示すような測定方法が用いられていた。図において
、１１は恒温槽、１２は被測定素子、１３は被測定素子
の電気的特性の測定器、１４は被測定素子１２と測定器
１３を電気的に結合するケーブルである・ 次に、測定方法につ込て説明する。つまり、温度設定さ
れた恒温槽１１の中に被測定素子１２を入れ、測定器１
４によって被測定素子１２の電気的特性を測定するとと
により行なわれていた。しかし、被測定素子１２全体の
温度が設定温間になるまでに時間がかか夛被測定素子１
２を測定する能率が悪かった。
この発明は上記の点に鋸みてなされたもので、その目的
は短時間に測定出来る半導体素子の電気的源を特性測定
法を提供することＫある。
は短時間に測定出来る半導体素子の電気的源を特性測定
法を提供することＫある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第２図はこの発明による半導体素子の電気的温度特性測
定法の原理を示すブロック図である。図におｉて、第１
図と同一符号のものは和尚部分を示すととにする。
定法の原理を示すブロック図である。図におｉて、第１
図と同一符号のものは和尚部分を示すととにする。
第２図において、電気的特性の測定器１３から°被測定
素子１２に電力を印加することＫより、被測定素子１２
を発熱させ、温度設定しその状態における素子の電気的
特性を測定することにより電気的温度特性の測定を行な
っている。
素子１２に電力を印加することＫより、被測定素子１２
を発熱させ、温度設定しその状態における素子の電気的
特性を測定することにより電気的温度特性の測定を行な
っている。
次に％第３図を用いてこの発明の具体的な実施例につい
て説明する。第３図はトランジスタの電気的特性の温度
係数測定法を示す図である。
て説明する。第３図はトランジスタの電気的特性の温度
係数測定法を示す図である。
図において、２ノは被測定トランジスタ、２２はトラン
ジスタテスタでア夛、測定項目、測定条件、測定時間の
指定及び測定データ間の演算及び内部電源による測定と
外部電源による電力印加の切替えが可能である。また、
ｊ Ｊはテスト回路でトランジスタのソケット及び測定
と電力印加の切替えを行なうリレー回路よ構成る。
ジスタテスタでア夛、測定項目、測定条件、測定時間の
指定及び測定データ間の演算及び内部電源による測定と
外部電源による電力印加の切替えが可能である。また、
ｊ Ｊはテスト回路でトランジスタのソケット及び測定
と電力印加の切替えを行なうリレー回路よ構成る。
そして、２４はトランジスタ２１を発熱させる為に必要
な電力を供給する電源である。上記トランジスタテスタ
２２と上記テスト回路２３間にはリレースイッチＳＷ、
上記電源２４と上記テスト回路２３間にはリレースイッ
チＳＷが介在している。これ・ら、リレースイッチｉＷ
１及びリレースイッチＳＷはリレーＪＪＪＫよｐ制御さ
れる。ここで、リレースイッチＳＷとリレースイッチ８
Ｗはどちらか一方が上記リレー１３１によりオンされる
・ 灰に、上記のように構成されたこの発明の詳細な説明す
る。まず、初期状１１においてリレー２３１は励磁され
ていないため、腑４図０に示すようにスイッチ■がＯＮ
、第４図（ｄに示すようにスイッチＳＷ＃１ＯＦＦとな
っている。このことにより、トランジスタテスタ２２と
被測定トランジスタ２１とが接続され、トランジスタテ
スタ２２からテスト信号が被測定トランジスタ２１に出
力されて被測定トランジスタ２１の電気的特性が測定さ
れる。次に、トランジスタテスタ２２より同期信号が出
力されてテスト回路測定トランジスタ２１と電力印加用
電源２４が接続され、電力が被測定トランジスタ２１に
供給される。次に１同期信号がなくなると再び第４−（
２）ｋ示すようにスイッチ８Ｗ＃ＥＯＮ、第４図（（３
に示すようにスイッチ８ＷがＯＦ］ｉＦとな）、被測定
トランジスタ２１とトランジスタテスタ２２が接続され
、再び電気的特性の測定を行なう。
な電力を供給する電源である。上記トランジスタテスタ
２２と上記テスト回路２３間にはリレースイッチＳＷ、
上記電源２４と上記テスト回路２３間にはリレースイッ
チＳＷが介在している。これ・ら、リレースイッチｉＷ
１及びリレースイッチＳＷはリレーＪＪＪＫよｐ制御さ
れる。ここで、リレースイッチＳＷとリレースイッチ８
Ｗはどちらか一方が上記リレー１３１によりオンされる
・ 灰に、上記のように構成されたこの発明の詳細な説明す
る。まず、初期状１１においてリレー２３１は励磁され
ていないため、腑４図０に示すようにスイッチ■がＯＮ
、第４図（ｄに示すようにスイッチＳＷ＃１ＯＦＦとな
っている。このことにより、トランジスタテスタ２２と
被測定トランジスタ２１とが接続され、トランジスタテ
スタ２２からテスト信号が被測定トランジスタ２１に出
力されて被測定トランジスタ２１の電気的特性が測定さ
れる。次に、トランジスタテスタ２２より同期信号が出
力されてテスト回路測定トランジスタ２１と電力印加用
電源２４が接続され、電力が被測定トランジスタ２１に
供給される。次に１同期信号がなくなると再び第４−（
２）ｋ示すようにスイッチ８Ｗ＃ＥＯＮ、第４図（（３
に示すようにスイッチ８ＷがＯＦ］ｉＦとな）、被測定
トランジスタ２１とトランジスタテスタ２２が接続され
、再び電気的特性の測定を行なう。
つまり、スイッチＳＷがＯＮのとき被測定トランジスタ
２１に電力が供給されることによシ第４図（Ｂ）Ｋ示す
ようにトランジスタ２１の温度が上昇する。そして、再
度トランジスタ２１の電気的特性が測定される。
２１に電力が供給されることによシ第４図（Ｂ）Ｋ示す
ようにトランジスタ２１の温度が上昇する。そして、再
度トランジスタ２１の電気的特性が測定される。
ここで、上記したようなトランジスタテスタ２２の動作
について第５図のフローチャートを用いて説明する。同
フローチャートにおいて、ステツｆａｘ、ｓｓにおける
プログラムでは測定項目、測定条件、測定時間の設定及
び測定データのメ毛りへの格納を指示する。また、ステ
ップ８．におけるグログラ＾では内部電源と外部電源と
の切替え用同期信号の出力を指示し、外部電力の印加時
間の設定を行なっている。そして、ステップＳ４の温度
係数の演算を行なうプログラムでは、演算式の定義及び
演算結果のメモリへの格納を指示している。さらに、ス
テップ８．では出力データの種類及び出力形式を指示し
ている。
について第５図のフローチャートを用いて説明する。同
フローチャートにおいて、ステツｆａｘ、ｓｓにおける
プログラムでは測定項目、測定条件、測定時間の設定及
び測定データのメ毛りへの格納を指示する。また、ステ
ップ８．におけるグログラ＾では内部電源と外部電源と
の切替え用同期信号の出力を指示し、外部電力の印加時
間の設定を行なっている。そして、ステップＳ４の温度
係数の演算を行なうプログラムでは、演算式の定義及び
演算結果のメモリへの格納を指示している。さらに、ス
テップ８．では出力データの種類及び出力形式を指示し
ている。
ここで、測定時間の短縮について説明する。
測定時間を短縮するには短時間で被側定素子の温間設定
を行なう必要があシ、素子に印加する電力を大きくすれ
ば良い。しかして、温度上昇と印加電力との関係には下
記（１）式のような関係がある。
を行なう必要があシ、素子に印加する電力を大きくすれ
ば良い。しかして、温度上昇と印加電力との関係には下
記（１）式のような関係がある。
ΔＴＪ ＝” Ｒｔ ｈ（ｔ）・Ｐ、
・・・・・・・・・（１）ただし、 ΔＴｊ：チ
ップ部の温度上昇（℃）Ｒｔｈ（ｔ）：時間ｔの時の素
子の熱抵抗［有］鷲Ｐ０：素子に印加する電力（Ｗ） また、上記（１）式は温度設定時の印加電力の決定にも
適用される。この様に素子固有のＲｔ７ｔ）とΔＴｊの
規則性を利用し温度設定を行なう方法がこの発明の特徴
である。
・・・・・・・・・（１）ただし、 ΔＴｊ：チ
ップ部の温度上昇（℃）Ｒｔｈ（ｔ）：時間ｔの時の素
子の熱抵抗［有］鷲Ｐ０：素子に印加する電力（Ｗ） また、上記（１）式は温度設定時の印加電力の決定にも
適用される。この様に素子固有のＲｔ７ｔ）とΔＴｊの
規則性を利用し温度設定を行なう方法がこの発明の特徴
である。
上記実施例においては従来素子１個の測定に１５分を費
やしていたのに対し、測定時間は約１秒とな）大幅な時
間短縮が出来る。
やしていたのに対し、測定時間は約１秒とな）大幅な時
間短縮が出来る。
上記実施例においてはトランジスタ２１に電力印加した
前後だおいて電気的特性を測定したが、電力印加した後
の特性のみを測定するようＫしても喪い。
前後だおいて電気的特性を測定したが、電力印加した後
の特性のみを測定するようＫしても喪い。
以上詳述したようにこの発明によれば、従来のように被
測定素子の周囲よ多温度設定を行なう方法に比べ、測定
時間が大幅に短縮し、大量の測定を行なう場合に極めて
有効である。
測定素子の周囲よ多温度設定を行なう方法に比べ、測定
時間が大幅に短縮し、大量の測定を行なう場合に極めて
有効である。
！１図は従来の電気的温度特性の測定を示した原理図、
＠２図はこの発明の一実施例を示した原理図、第３図は
この発明の詳細な回路例を示す図、第４図は動作を示す
タイミング図、第５図はトランジスタテスタの動作を示
すフローチャートである。 ２２・・・トランジスタテスタ、２３・・・テスト回路
、２４・・・電源。 第１図 １８２図 第３図 第４図 ｊＩ５図
＠２図はこの発明の一実施例を示した原理図、第３図は
この発明の詳細な回路例を示す図、第４図は動作を示す
タイミング図、第５図はトランジスタテスタの動作を示
すフローチャートである。 ２２・・・トランジスタテスタ、２３・・・テスト回路
、２４・・・電源。 第１図 １８２図 第３図 第４図 ｊＩ５図
Claims (1)
- 被測定素子とテスト信号を出力するテスト回路との間に
設けられた第１のスイッチと、上記被測定素子と電源と
の関に設けられた第２のスイッチと、上記第１及び第２
のスイッチを制御するコントローラとを具備し、上記被
測定素子にテスト信号と電源からの電力を交互に出力す
ることを特徴とする半導体素子の電気的温度特性測定法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18140181A JPS5883281A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 半導体素子の電気的温度特性測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18140181A JPS5883281A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 半導体素子の電気的温度特性測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883281A true JPS5883281A (ja) | 1983-05-19 |
Family
ID=16100099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18140181A Pending JPS5883281A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 半導体素子の電気的温度特性測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196479A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Nec Corp | Ｉｃ測定装置 |
| JP2023062736A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | アズールテスト株式会社 | 半導体デバイス検査装置 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP18140181A patent/JPS5883281A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196479A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Nec Corp | Ｉｃ測定装置 |
| JP2023062736A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | アズールテスト株式会社 | 半導体デバイス検査装置 |
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