JPH06160471A - 半導体装置の電気的特性測定法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の予定の温度での電気的特性を、
その測定結果が半導体装置の正しい予定の温度での電気
的特性の測定結果として得られるように測定する。 【構成】 （ｉ）半導体装置載置用ステ―ジと、上記半
導体装置載置用ステ―ジを冷却するステ―ジ冷却手段
と、上記半導体装置載置用ステ―ジを加熱するステ―ジ
加熱手段と、上記ステ―ジ加熱手段を駆動制御するステ
―ジ加熱手段駆動制御手段と、上記半導体装置の表面の
温度を測定する半導体装置表面温度測定手段とを用い、
（ｉｉ）上記ステ―ジ加熱手段駆動制御手段が、上記ス
テ―ジ加熱手段を、上記半導体装置表面温度測定手段か
ら出力される半導体装置表面温度測定出力を用いて駆動
制御するように構成され、よって、（ｉｉｉ）上記半導
体装置の電気的特性を、上記ステ―ジ加熱手段を上記半
導体装置表面温度測定手段から出力される上記半導体装
置表面温度測定出力を用いた上記ステ―ジ加熱手段駆動
制御手段から出力される駆動制御出力によって上記半導
体装置が予定の温度になるように駆動制御しながら、測
定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【従来の技術】従来、図４を伴って次に述べる半導体装
置の電気的特性測定法が提案されている。

【０００２】すなわち、（ｉ）（ａ）半導体装置載置用
ステ―ジ１と、その半導体装置載置用ステ―ジ１を冷却
するステ―ジ冷却手段２と、半導体装置載置用ステ―ジ
１を加熱するステ―ジ加熱手段３と、そのステ―ジ加熱
手段３を駆動制御するステ―ジ加熱手段駆動制御手段４
とを用い、そして、（ｂ）半導体装置載置用ステ―ジ１
上に板状またはシ―ト状の絶縁体９を介して半導体装置
１０を載置し、その状態で、半導体装置１０の電気的特
性を、ステ―ジ加熱手段３をステ―ジ加熱手段駆動制御
手段４から出力される駆動制御出力によって半導体装置
１０が予定の温度になるように駆動制御しながら、半導
体装置１０に接触する測定用プロ―ブ２１０を用いて、
電気的特性測定回路２００によって測定する。

【０００３】この場合、（ｉｉ）（ａ）半導体装置載置
用ステ―ジ１の温度を測定するステ―ジ温度測定手段５
を用い、そして、（ｂ）ステ―ジ加熱手段駆動制御手段
４が、ステ―ジ加熱手段３を、ステ―ジ温度測定手段５
から出力されるステ―ジ温度測定出力を用いて駆動制御
するように構成され、よって、（ｃ）半導体装置１０の
電気的特性を、ステ―ジ加熱手段３をステ―ジ温度測定
手段５から出力されるステ―ジ温度測定出力を用いたス
テ―ジ加熱手段駆動制御手段４から出力される駆動制御
出力によって半導体装置１０が予定の温度になるように
駆動制御しながら、測定用プロ―ブ２１０を用いて、電
気的特性測定回路２００によって測定する。

【０００４】以上が、従来提案されている半導体装置の
電気的特性測定法であるが、いま、その具体例を述べれ
ば、次のとおりである。

【０００５】すなわち、用いる半導体装置載置用ステ―
ジ１が、真空容器８内に配されている。

【０００６】また、用いるステ―ジ冷却手段２が、真空
容器８内に、半導体装置載置用ステ―ジ１下において内
装された、極低温まで冷却される冷凍機２１と、その冷
凍機２１及び半導体装置載置用ステ―ジ１間にそれらに
熱的に連結して延長している、網状の熱伝導体２２とを
有する。

【０００７】さらに、用いるステ―ジ加熱手段３が、半
導体装置載置用ステ―ジ１内に内装された、通電によっ
て発熱するヒ―タ３１を有する。

【０００８】また、用いるステ―ジ温度測定手段５が、
半導体装置載置用ステ―ジ１に、その下面において付さ
れた感温素子５１を用いた温度測定回路５２を有する。

【０００９】さらに、用いるステ―ジ加熱手段駆動制御
手段４が、温度設定回路（図示せず）を含み且つその温
度設定回路から出力される設定温度出力とステ―ジ温度
測定出力手段５の温度測定回路５２から出力されるステ
―ジ温度測定出力との間の差に応じた制御信号を出力す
る制御信号発生回路４１と、その制御信号発生回路４１
から出力される制御信号によって制御され、その制御信
号に応じた駆動制御出力をステ―ジ加熱手段３のヒ―タ
３１に出力する駆動回路４２とを有する。このため、ス
テ―ジ加熱手段３のヒ―タ３１が、ステ―ジ温度測定手
段５の温度測定回路５２から出力されるステ―ジ温度測
定出力を用いて制御されたステ―ジ加熱手段駆動制御手
段４の駆動回路４２から出力される駆動制御出力によっ
て、半導体装置載置用ステ―ジ１上に載置された半導体
装置１０が予定の温度になるように、駆動制御される。

【００１０】従って、半導体装置１０の電気的特性を、
ステ―ジ加熱手段３のヒ―タ３１をステ―ジ温度測定手
段５の温度測定回路５２から出力されるステ―ジ温度測
定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４の駆動
回路４２から出力される駆動制御出力によって半導体装
置１０が予定の温度になるように駆動制御しながら、測
定用プロ―ブ２１０を用いて、電気的特性測定回路２０
０によって測定する。

【００１１】図４を伴って上述した従来の半導体装置の
電気的特性測定法によれば、ステ―ジ加熱手段駆動制御
手段４（具体例で述べれば、そのステ―ジ加熱手段駆動
制御手段４が含む温度設定回路）において、半導体装置
１０の電気的特性を測定するときに半導体装置１０に与
えたい予定の温度を対応している温度を、設定温度とし
て設定しておけば、ステ―ジ加熱手段３（具体例で述べ
れば、ヒ―タ３１）をステ―ジ温度測定手段５（具体例
で述べれば、温度測定回路５２）から出力されるステ―
ジ温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段
４（具体例で述べれば、駆動回路４２）から出力される
駆動制御出力によって半導体装置１０が予定の温度にな
るように制御するとき、半導体装置１０にステ―ジ加熱
手段駆動制御手段４（具体例で述べれば、そのステ―ジ
加熱手段駆動制御手段４が含む温度設定回路）において
設定した設定温度を与えることができる。

【００１２】このため、半導体装置１０の電気的特性
を、ステ―ジ加熱手段駆動制御手段４（具体例で述べれ
ば、そのステ―ジ加熱手段駆動制御手段４が含む温度設
定回路）において設定した設定温度での電気的特性とし
て、測定することができ、よって、例えば、半導体装置
１０の電気的特性の温度依存性を測定することができ
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す従来の半導体装置の電気的特性測定法の場合、半導
体装置１０の電気的特性を、ステ―ジ加熱手段３をステ
―ジ温度測定手段５から出力されるステ―ジ温度測定出
力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４から出力さ
れる駆動制御出力によって半導体装置１０が予定の温度
になるように駆動制御しながら、測定用プロ―ブ２１０
を用いて、電気的特性測定回路２００によって測定する
ようにしているので、半導体装置１０が比較的大きな熱
容量を有していたり、半導体装置１０が発熱したりする
こと、半導体装置１０を、半導体装置載置用ステ―ジ１
上に、上述した具体例の場合のように、絶縁体９を介し
て載置する場合、その絶縁体９が低い熱伝導性しか有し
なかったりすることなどから、ステ―ジ温度測定手段５
から出力されるステ―ジ温度測定出力を半導体装置載置
用ステ―ジ２の温度を表しているものとして比較的高精
度に出力させるようにすることができるとしても、半導
体装置１０の温度を表しているものとして比較的高精度
に出力させることが、困難である。

【００１４】このため、半導体装置１０の電気的特性
を、ステ―ジ加熱手段駆動制御手段４において設定した
設定温度での電気的特性として測定する場合、その半導
体装置１０へのステ―ジ加熱手段駆動制御手段４におい
て設定した設定温度での電気的特性の測定結果を、半導
体装置１０の正しくない設定温度での電気的特性の測定
結果としてしか得ることができない、という欠点を有し
ていた。

【００１５】よって、本発明は、上述した欠点を有効に
回避し得る、新規な半導体装置の電気的特性測定法を提
案せんとするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の電気的特性測定法は、（ｉ）図４で上述した従来の半
導体装置の電気的特性測定法の場合と同様の、（ａ）半
導体装置載置用ステ―ジと、その半導体装置載置用ステ
―ジを冷却するステ―ジ冷却手段と、上記半導体装置載
置用ステ―ジを加熱するステ―ジ加熱手段と、そのステ
―ジ加熱手段を駆動制御するステ―ジ加熱手段駆動制御
手段とを用い、（ｂ）上記半導体装置載置用ステ―ジ上
に半導体装置を載置し、その状態で、上記半導体装置の
電気的特性を、上記ステ―ジ加熱手段を上記ステ―ジ加
熱手段駆動制御手段から出力される駆動制御出力によっ
て上記半導体装置が予定の温度になるように駆動制御し
ながら測定する、という半導体装置の電気的特性測定法
において、（ｉｉ）（ａ）上記半導体装置の表面の温度
を測定する半導体装置表面温度測定手段を用い、（ｂ）
上記ステ―ジ加熱手段駆動制御手段が、上記ステ―ジ加
熱手段を、上記半導体装置表面温度測定手段から出力さ
れる半導体装置表面温度測定出力を用いて駆動制御する
ように構成され、よって、（ｃ）上記半導体装置の電気
的特性を、上記ステ―ジ加熱手段を上記半導体装置表面
温度測定手段から出力される上記半導体装置表面温度測
定出力を用いた上記ステ―ジ加熱手段駆動制御手段から
出力される駆動制御出力によって上記半導体装置が予定
の温度になるように駆動制御しながら、測定する。

【００１７】この場合、上記半導体装置表面温度測定手
段として、エネルギ直接変換型またはエネルギ間接変換
型の感温素子を用いた温度測定回路を用いることを可と
するとともに、上記半導体装置上に配されたまたは上記
半導体装置内に予め形成された感温素子を用いた温度測
定回路を用いるのを可とする。

【００１８】

【作用・効果】本発明による半導体装置の電気的特性測
定法は、半導体装置の電気的特性を、ステ―ジ加熱手段
をステ―ジ温度測定手段から出力されるステ―ジ温度測
定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段から出力
される駆動制御出力によって半導体装置が予定の温度に
なるように駆動制御しながら測定するのに代え、ステ―
ジ加熱手段を半導体装置表面温度測定手段から出力され
る半導体装置表面温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手
段駆動制御手段から出力される駆動制御出力によって半
導体装置が予定の温度になるように制御しながら測定す
ることを除いて、図４で上述した従来の半導体装置の電
気的特性測定法と同様である。

【００１９】このため、図４で上述した従来の半導体装
置の電気的特性測定法の場合に準じて、ステ―ジ加熱手
段駆動制御手段（具体例としては、そのステ―ジ加熱手
段駆動制御手段４に含ませた温度設定回路）において、
半導体装置の電気的特性を測定するときに半導体装置に
与えたい予定の温度を対応している温度を、設定温度と
して設定しておけば、ステ―ジ加熱手段を半導体装置表
面温度測定手段から出力される半導体装置表面温度測定
出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段から出力さ
れる駆動制御出力によって半導体装置が予定の温度にな
るように制御するとき、半導体装置にステ―ジ加熱手段
駆動制御手段において設定した設定温度を与えることが
できる。

【００２０】このため、半導体装置の電気的特性を、図
４で上述した従来の半導体装置の電気的特性測定法の場
合と同様に、ステ―ジ加熱手段駆動制御手段において設
定した設定温度での電気的特性として、測定することが
でき、よって、例えば、半導体装置１０の電気的特性の
温度依存性を測定することができる。

【００２１】しかしながら、本発明による半導体装置の
電気的特性測定法によれば、半導体装置の電気的特性
を、ステ―ジ加熱手段をステ―ジ温度測定手段から出力
されるステ―ジ温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手段
駆動制御手段から出力される駆動制御出力によって駆動
制御しながら測定する、という図４で前述した従来の半
導体装置の電気的特性測定法の場合とは異なり、ステ―
ジ加熱手段を半導体装置表面温度測定手段から出力され
る半導体装置表面温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手
段駆動制御手段から出力される駆動制御出力によって駆
動制御しながら測定するので、半導体装置が比較的大き
な熱容量を有していたり、半導体装置が発熱したりして
も、また、半導体装置を、半導体装置載置用ステ―ジ上
に、絶縁体を介して載置する場合において、その絶縁体
が低い熱伝導性しか有しなかったりしても、半導体装置
表面温度測定手段から出力される半導体装置表面温度測
定出力を、半導体装置の温度を表しているものとして比
較的高精度に出力させることが、容易である。

【００２２】このため、半導体装置の電気的特性を、ス
テ―ジ加熱手段駆動制御手段において設定した設定温度
での電気的特性として測定する場合、その半導体装置へ
のス―ジ加熱手段駆動制御手段において設定した設定温
度での電気的特性での測定結果を、半導体装置の正しい
設定温度での電気的特性の測定結果として、得ることが
できる。

【００２３】

【実施例】次に、図１、図２及び図３を伴って、本発明
による半導体装置の電気的特性測定法の第１、第２及び
第３の実施例を述べよう。

【００２４】図１、図２及び図３において、図４との対
応部分には同一符号を付して示す。

【００２５】図１、図２及び図３に示す本発明による半
導体装置の電気的特性測定法の第１、第２及び第３の実
施例は、図４で上述した従来の半導体装置の電気的特性
測定法の場合と同様に、（ｉ）（ａ）半導体装置載置用
ステ―ジ１と、その半導体装置載置用ステ―ジ１を冷却
するステ―ジ冷却手段２と、半導体装置載置用ステ―ジ
１を加熱するステ―ジ加熱手段３と、そのステ―ジ加熱
手段３を駆動制御するステ―ジ加熱手段駆動制御手段４
とを用い、そして、（ｂ）半導体装置載置用ステ―ジ１
上に板状またはシ―ト状の絶縁体９を介して半導体装置
１０を載置し、その状態で、半導体装置１０の電気的特
性を、ステ―ジ加熱手段３をステ―ジ加熱手段駆動制御
手段４から出力される駆動制御出力によって半導体装置
１０が予定の温度になるように駆動制御しながら、半導
体装置１０に接触する測定用プロ―ブ２１０を用いて、
電気特性測定回路２００によって測定する。

【００２６】しかしながら、この場合、（ｉｉ）（ａ）
半導体装置の表面の温度を測定する半導体装置表面温度
測定手段６を用い、そして、（ｂ）ステ―ジ加熱手段駆
動制御手段４が、ステ―ジ加熱手段３を、半導体装置表
面温度測定手段６から出力される半導体装置表面温度測
定出力を用いて駆動制御するように構成され、よって、
（ｃ）半導体装置１０の電気的特性を、ステ―ジ加熱手
段３を半導体装置表面温度測定手段５から出力される半
導体装置表面温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆
動制御手段４から出力される駆動制御出力によって半導
体装置１０が予定の温度になるように、駆動制御しなが
ら、測定用プロ―ブ２１０を用いて、電気特性測定回路
２００によって測定する。

【００２７】以上が、本発明による半導体装置の電気的
特性測定法の第１、第２及び第３の実施例であるが、い
ま、その具体例を述べれば、次のとおりである。

【００２８】すなわち、本発明による半導体装置の電気
的特性測定法の第１、第２及び第３の実施例において
は、用いる半導体装置載置用ステ―ジ１が、図１、図２
及び図３に示すように、図４で前述した従来の半導体装
置の電気的特性測定法の場合と同様に、真空容器８内に
配されている。

【００２９】また、本発明による半導体装置の電気的特
性測定法の第１、第２及び第３の実施例においては、用
いるステ―ジ冷却手段２が、図１、図２及び図３に示す
ように、図４で前述した従来の半導体装置の電気的特性
測定法の場合と同様に、真空容器８内に、半導体装置載
置用ステ―ジ１下において内装された、極低温まで冷却
される冷凍機２１と、その冷凍機２１及び半導体装置載
置用ステ―ジ１間にそれらに熱的に連結して延長してい
る、網状の熱伝導体２２とを有する。

【００３０】さらに、本発明による半導体装置の電気的
特性測定法の第１、第２及び第３の実施例においては、
用いるステ―ジ加熱手段３が、図１、図２及び図３に示
すように、図４で前述した従来の半導体装置の電気的特
性測定法の場合と同様に、半導体装置載置用ステ―ジ１
内に内装された、通電によって発熱するヒ―タ３１を有
する。

【００３１】また、本発明による半導体装置の電気的特
性測定法の第１の実施例においては、用いる半導体装置
表面温度測定手段６が、図１に示すように、半導体装置
１０の表面上に熱伝導性を有する固着剤層６１を用いて
貼着固定された、エネルギ直接変換型の感温素子として
の熱電対６２を用いた温度測定回路６３を有し、一方、
その温度測定回路６３が、恒温槽６４内に配され且つ増
幅器６６の入力側に半導体装置１０の表面上の熱電対６
２を通じて接続された、エネルギ直接変換型の感温素子
としての他の熱電対６５を有する。

【００３２】さらに、本発明による半導体装置の電気的
特性測定法の第１の実施例においては、用いるステ―ジ
加熱手段駆動制御手段４が、図１に示すように、図４で
前述した従来の半導体装置の電気的特性測定法の場合に
準じて、温度設定回路（図示せず）を含み且つその温度
設定回路から出力される設定温度出力と半導体装置表面
温度測定手段６の温度測定回路６３を構成している増幅
器６６から出力される半導体装置表面温度測定出力との
間の差に応じた制御信号を出力する制御信号発生回路４
１と、その制御信号発生回路４１から出力される制御信
号によって制御され、その制御信号に応じた駆動制御出
力をステ―ジ加熱手段３のヒ―タ３１に出力する駆動回
路４２とを有する。このため、ステ―ジ加熱手段３のヒ
―タ３１が、半導体装置表面温度測定手段６の温度測定
回路６３を構成している増幅器６６から出力される半導
体装置表面温度測定出力を用いて制御されたステ―ジ加
熱手段駆動制御手段４の駆動回路４２から出力される駆
動制御出力によって、半導体装置載置用ステ―ジ１上に
載置された半導体装置１０が予定の温度になるように、
駆動制御される。

【００３３】従って、本発明による半導体装置の電気的
特性測定法の第１の実施例においては、半導体装置１０
の電気的特性を、図１に示すように、ステ―ジ加熱手段
３のヒ―タ３１を半導体装置表面温度測定手段６の温度
測定回路６３を構成している増幅器６６から出力される
半導体装置表面温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手段
駆動制御手段４の駆動回路４２から出力される駆動制御
出力によって半導体装置１０が予定の温度になるように
駆動制御しながら、測定用プロ―ブ２１０を用いて、電
気的特性測定回路２００によって測定する。

【００３４】また、本発明による半導体装置の電気的特
性測定法の第２の実施例においては、用いる半導体装置
表面温度測定手段６が、図２に示すように、半導体装置
１０の表面上に形成されたエネルギ間接変換型の感温素
子としての４端子感温抵抗素子６７（例えば感温抵抗層
を有し、そして、その両端から一対の電流端子がそれぞ
れ導出されているとともに、それら電流端子の内側から
も電圧端子がそれぞれ導出されている構成を有する）を
用いた温度測定回路７３を有し、一方その温度測定回路
７３が、プロ―ブ６８を介して４端子感温抵抗素子６７
の一対の電流端子に接続され且つ後述するステ―ジ加熱
手段駆動制御手段４の制御信号発生回路４１によって制
御される電流源６９と、プロ―ブ６８を介して４端子感
温抵抗素子６７の一対の電圧端子に接続されている温度
検出回路７０とを有する。

【００３５】さらに、本発明による半導体装置の電気的
特性測定法の第２の実施例にえいては、用いるステ―ジ
加熱手段駆動制御手段４が、図２に示すように、図４で
前述した従来の半導体装置の電気的特性測定法の場合に
準じて、温度設定回路（図示せず）を含み且つその温度
設定回路から出力される設定温度出力と半導体装置表面
温度測定出力手段６の温度測定回路７３を構成している
温度検出回路７０から出力される半導体装置表面温度測
定出力との間の差に応じた制御信号を出力する制御信号
発生回路４１と、その制御信号発生回路４１から出力さ
れる制御信号によって制御され、その制御信号に応じた
駆動制御出力をステ―ジ加熱手段３のヒ―タ３１に出力
する駆動回路４２とを有する。このため、ステ―ジ加熱
手段３のヒ―タ３１が、半導体装置表面温度測定手段６
の温度測定回路７３を構成している温度検出回路７０か
ら出力される半導体装置表面温度測定出力を用いて制御
されたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４の駆動回路４２
から出力される駆動制御出力によって、半導体装置載置
用ステ―ジ１上に載置された半導体装置１０が予定の温
度になるように、駆動制御される。

【００３６】従って、本発明による半導体装置の電気的
特性測定法の第２の実施例においては、半導体装置１０
の電気的特性を、図２に示すように、ステ―ジ加熱手段
３のヒ―タ３１を半導体装置表面温度測定手段６の温度
測定回路７３から出力される半導体装置表面温度測定出
力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４の駆動回路
４２から出力される駆動制御出力によって半導体装置１
０が予定の温度になるように駆動制御しながら、測定用
プロ―ブ２１０を用いて、電気的特性測定回路２００に
よって測定する。

【００３７】また、本発明による半導体装置の電気的特
性測定法の第３の実施例においては、用いる半導体装置
表面温度測定手段６及び用いるステ―ジ加熱手段駆動制
御手段４が、図３に示すように、図２に示す本発明によ
る半導体装置の電気的特性測定法の第２の実施例にお
い、その４端子感温抵抗素子６７が、半導体装置１０内
に予め形成されていることを除いて、図２に示す本発明
による半導体装置の電気的特性測定法の第２の実施例の
場合と同様である。

【００３８】本発明による半導体装置の電気的特性測定
法の第３の実施例においては、半導体装置１０の電気的
特性を、図２に示す本発明による半導体装置の電気的特
性測定法の第２の実施例の場合と同様に測定する。

【００３９】図１、図２及び図３を伴って上述した本発
明による半導体装置の電気的特性測定法は、半導体装置
１０の電気的特性を、ステ―ジ加熱手段３をステ―ジ温
度測定手段５から出力されるステ―ジ温度測定出力を用
いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４から出力される駆
動制御出力によって半導体装置１０が予定の温度になる
ように駆動制御しながら測定するのに代え、ステ―ジ加
熱手段３を半導体装置表面温度測定手段６から出力され
る半導体装置表面温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手
段駆動制御手段４から出力される駆動制御出力によって
半導体装置が予定の温度になるように制御しながら測定
することを除いて、図４で上述した従来の半導体装置の
電気的特性測定法と同様である。

【００４０】このため、図４で上述した従来の半導体装
置の電気的特性測定法の場合と同様に、ステ―ジ加熱手
段駆動制御手段４が（具体例として、そのステ―ジ加熱
手段駆動制御手段４が含む温度設定回路）において、半
導体装置１０の電気的特性を測定するときに半導体装置
１０に与えたい予定の温度を対応している温度を、設定
温度として設定しておけば、ステ―ジ加熱手段３を半導
体装置表面温度測定手段６から出力されるステ―ジ温度
測定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４から
出力される駆動制御出力によって半導体装置１０が予定
の温度になるように制御するとき、半導体装置１０に、
図４で前述した従来の半導体装置の電気的特性測定法の
場合と同様に、ステ―ジ加熱手段駆動制御手段４におい
て設定した設定温度を与えることができる。

【００４１】このため、半導体装置１０の電気的特性
を、ステ―ジ加熱手段駆動制御手段４において設定した
設定温度での電気的特性として、測定することができ、
よって、例えば、半導体装置１０の電気的特性の温度依
存性を測定することができる。

【００４２】しかしながら、図１、図２及び図３に示す
本発明による半導体装置の電気的特性測定法によれば、
半導体装置１０の電気的特性を、ステ―ジ加熱手段３を
ステ―ジ温度測定手段５から出力されるステ―ジ温度測
定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段４から出
力される駆動制御出力によって駆動制御しながら測定す
る、という図４で前述した従来の半導体装置の電気的特
性測定法の場合とは異なり、ステ―ジ加熱手段３を半導
体装置表面温度測定手段６から出力される半導体装置表
面温度測定出力を用いたステ―ジ加熱手段駆動制御手段
から出力される駆動制御出力によって駆動制御しながら
測定するので、半導体装置１０が比較的大きな熱容量を
有していたりしても、また半導体装置１０が発熱したり
しても、さらに、半導体装置１０を、半導体装置載置用
ステ―ジ１上に、上述した具体例の場合のように、絶縁
体９を介して載置する場合、その絶縁体９が低い熱伝導
性しか有しなかったりしても、半導体装置表面温度測定
手段６から出力される半導体装置表面温度測定出力を半
導体装置１０の表面温度を表しているものとして比較的
高精度に出力させることが、容易である。

【００３８】このため、半導体装置１０の電気的特性
を、ステ―ジ加熱手段駆動制御手段４において設定した
設定温度での電気的特性として測定する場合、その半導
体装置１０のステ―ジ加熱手段駆動制御手段４において
設定した設定温度での電気的特性の測定結果を、半導体
装置１０の正しい設定温度での電気的特性の測定結果と
して、容易に得ることができる。

【００３９】なお、上述においては、本発明による半導
体装置の電気的特性測定法の１つの実施例を示し、ま
た、その実施例の３つの具体例を示したに留まり、本発
明の精神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし
得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体装置の電気的特性測定法の
第１の実施例の説明に供する系統図である。

【図２】本発明による半導体装置の電気的特性測定法の
第２の実施例の説明に供する系統図である。

【図３】本発明による半導体装置の電気的特性測定法の
第３の実施例の説明に供するための系統図である。

【図４】従来の半導体装置の電気的特性測定法の説明に
供するための系統図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置載置用ステ―ジ ２ ステ―ジ冷却手段 ３ ステ―ジ加熱手段 ４ ステ―ジ加熱手段駆動制御手段 ５ ステ―ジ温度測定手段 ６ 半導体装置表面温度測定手段 ８ 真空容器 ９ 絶縁体 １０ 半導体装置 ２１ 冷凍機 ２２ 熱伝導体 ３１ ヒ―タ ４１ 制御信号発生回路 ４２ 駆動回路 ５１ 感温素子 ５２ 温度測定回路 ６１ 固着剤層 ６２、６５ 熱電対 ６３ 温度測定回路 ６４ 恒温槽 ６６ 増幅器 ７０ 温度検出回路 ７３ 温度測定回路 ２００ 電気的特性測定回路 ２１０ 測定用プロ―ブ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ｉ）（ａ）半導体装置載置用ステ―ジ
   と、上記半導体装置載置用ステ―ジを冷却するステ―ジ
   冷却手段と、上記半導体装置載置用ステ―ジを加熱する
   ステ―ジ加熱手段と、上記ステ―ジ加熱手段を駆動制御
   するステ―ジ加熱手段駆動制御手段とを用い、（ｂ）上
   記半導体装置載置用ステ―ジ上に半導体装置を載置し、
   その状態で、上記半導体装置の電気的特性を、上記ステ
   ―ジ加熱手段を上記ステ―ジ加熱手段駆動制御手段の駆
   動制御出力によって上記半導体装置が予定の温度になる
   ように駆動制御しながら測定する半導体装置の電気的特
   性測定法において、 （ｉｉ）（ａ）上記半導体装置の表面の温度を測定する
   半導体装置表面温度測定手段を用い、（ｂ）上記ステ―
   ジ加熱手段駆動制御手段が、上記ステ―ジ加熱手段を、
   上記半導体装置表面温度測定手段から出力される半導体
   装置表面温度測定出力を用いて駆動制御するように構成
   され、よって、（ｃ）上記半導体装置の電気的特性を、
   上記ステ―ジ加熱手段を上記半導体装置表面温度測定手
   段から出力される上記半導体装置表面温度測定出力を用
   いた上記ステ―ジ加熱手段駆動制御手段から出力される
   駆動制御出力によって上記半導体装置が予定の温度にな
   るように駆動制御しながら、測定することを特徴とする
   半導体装置の電気的特性測定法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の電気的特性
   測定法において、 上記半導体装置表面温度測定手段として、エネルギ直接
   変換型またはエネルギ間接変換型の感温素子を用いた温
   度測定回路を用いることを特徴とする半導体装置の電気
   的特性測定法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の電気的特性
   測定法において、 上記半導体装置表面温度測定手段として、上記半導体装
   置上に配されたまたは上記半導体装置内に予め形成され
   た感温素子を用いた温度測定回路を用いることを特徴と
   する半導体装置の電気的特性測定法。