SU771576A1 - Способ определени температуры области локального перегрева транзисторной структуры - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области полупроводниковой электроники и может быть использовано дл  измерени  теплового сопротивлени  в услови х неод-с нородного распределени  тока по структуре транзистора.

Известен способ определени  температуры транзисторной структуры с помощью контактирующих со структурой Q датчиков температуры l. Этот способ не позвол ет измер ть температуру готового и загерметизированного транзистора.

Наиболее близким по технической 15 сущности к пpeдлoжeннqмy способу  вл етс  способ определени  температуры транзисторной структуры, основанный на измерении температурной зависимости пр мого падени  напр жени  20 на эмиттерном переходе 2. Согласно этому способу на вход транзистора, включенного по схеме с общей базой, подают разогревающий ток при заданном посто нном напр жении на коллек- 25 торе, прерывают подачу разогревающего тока на короткие промежутки времени , .в течение которых измер ют напр жение эмиттер-база на малом измерительном токе, и рассчитывают тем- 30

пературу транзисторной структуры по формуле:

Т ,(1)

и, - и .

где Т - температура транзистора до подачи разогревающего тока; - напр жение эмиттер-база при Т ; U напр жение эмиттер-база посл подачи разогревающего тока; К - температурный коэффициент напр жени  эмиттербаза (этот коэффициент  вл етс  функцией тока и величину его определ ют предварительно на малом измерительном токе, например, помеща  транзистор в термостат).

Недостатком способа  вл етс  больща  погрешность измерени  температуры в тех случа х, когда наблюдаетс  эффект шнуровани  тока, привод щий к по влению областей локального перегрева (гор чих п тен).

цель изобретени  - повышение точности измерени  температуры областей локального перегрева транзисторной структуры за счет исключени  прерываний в подаче разогревающего тока, привод щих к остыванию структуры в моменты измерени  напр жени  эмиттер-база .

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Способ· определения температуры области локального перегрева транзисторной структуры, включающий подачу постоянного смещения на коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, установку начальной температуры структуры, определение температурного коэффициента напряжения эмиттер-база, подачу разогревающего тока на коллектор и измерение изменения напряжения эмиттер-база, о тлич ающийся тем, что, с целью повышение точности, начальную температуру устанавливают путем пропускания тока, величина которого соответствует максимальному напряжению эмиттер-база·.