JPS5882540A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5882540A JPS5882540A JP17978881A JP17978881A JPS5882540A JP S5882540 A JPS5882540 A JP S5882540A JP 17978881 A JP17978881 A JP 17978881A JP 17978881 A JP17978881 A JP 17978881A JP S5882540 A JPS5882540 A JP S5882540A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- lead
- bonding
- heat sink
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１）発明の技術分野
放熱板の１主面とリードの央出部を除き樹脂封止して外
囲器を形成した樹脂封止蓋半導体装置の金属部と樹脂封
着部との改良に関する。
囲器を形成した樹脂封止蓋半導体装置の金属部と樹脂封
着部との改良に関する。
２）従来の技術
樹脂封止型の半導体装置で例えがパワーＩＣに第１図（
ａ） Ｉ （ｂ） Ｉ （Ｃ）によって示される彫状の
ものがある。図（ａ）は上（アウタリードの伸びと反対
の）側から視た図、開−）は下側から視九図、図（Ｃ）
は図０））の矢印方向から視た図、（側面ｍｌ）である
。図において（１ｍ）、（ｌｂ）・・・はアウターリー
ド、（２Ｍ）は放熱板の露出主面、（３）は封止樹脂部
、（４）は半導体装置の取着用凹部である。さらにかか
る半導体装置の内部構造は第２図に示されるように、リ
ード部（インナーリードとアウターリード）を含むリー
ドフレーム［株］をそのリーダ一部（１０ｍ）で放熱板
（２）の一部に一時仮シ付け（かしめ部（５） 、 （
５）’） して相互を定位させ、チップの電極とインナ
ーリードｏｏｂ）、ｏｏｂ）・・・とをボンディングワ
イヤ（６）、（υ′・・・で接続したのち樹脂封止して
形成される。なお、インナーリードの先端部はワイヤボ
ンディングを施すための銀層（ｉｔｓ）Ｉ（ｆｌｂ）・
・・、放熱板（２）におけるチップ取着部にも銀層（１
１１１）が施こされている。
ａ） Ｉ （ｂ） Ｉ （Ｃ）によって示される彫状の
ものがある。図（ａ）は上（アウタリードの伸びと反対
の）側から視た図、開−）は下側から視九図、図（Ｃ）
は図０））の矢印方向から視た図、（側面ｍｌ）である
。図において（１ｍ）、（ｌｂ）・・・はアウターリー
ド、（２Ｍ）は放熱板の露出主面、（３）は封止樹脂部
、（４）は半導体装置の取着用凹部である。さらにかか
る半導体装置の内部構造は第２図に示されるように、リ
ード部（インナーリードとアウターリード）を含むリー
ドフレーム［株］をそのリーダ一部（１０ｍ）で放熱板
（２）の一部に一時仮シ付け（かしめ部（５） 、 （
５）’） して相互を定位させ、チップの電極とインナ
ーリードｏｏｂ）、ｏｏｂ）・・・とをボンディングワ
イヤ（６）、（υ′・・・で接続したのち樹脂封止して
形成される。なお、インナーリードの先端部はワイヤボ
ンディングを施すための銀層（ｉｔｓ）Ｉ（ｆｌｂ）・
・・、放熱板（２）におけるチップ取着部にも銀層（１
１１１）が施こされている。
３）従来技術の問題点
叙上の従来の構造は第３図と＃Ｉ４図に示されるように
、放熱板（２）の側面の樹脂封着面から雰囲気、特に水
分が侵入する。そのルートは（ａ） ム、によって放
熱板の銀層（ｌｌｎ）上にのは夛、この銀層と樹脂との
封着面に沿って＾方向に進み、半導体チップに至るもの
。
、放熱板（２）の側面の樹脂封着面から雰囲気、特に水
分が侵入する。そのルートは（ａ） ム、によって放
熱板の銀層（ｌｌｎ）上にのは夛、この銀層と樹脂との
封着面に沿って＾方向に進み、半導体チップに至るもの
。
（ｂ） ＡＩと平行なり、、Ｂ；によって放熱板の銅
の表面と樹脂との封着面に沿ってＢ、、Ｂ；方向に進み
、半導体チップに至るもの。
の表面と樹脂との封着面に沿ってＢ、、Ｂ；方向に進み
、半導体チップに至るもの。
（Ｃ） 半導体装置の取着用凹部（４）の近傍の封着
面に沿って上記と同様にＣ３方向に（Ｃｓは図示省略）
進み、半導体チップＣ二至るもの０（ｄ） リードと
樹脂との封着面に沿ってインナーリード方向の鳥方向に
進み半導体チップに至るもの。
面に沿って上記と同様にＣ３方向に（Ｃｓは図示省略）
進み、半導体チップＣ二至るもの０（ｄ） リードと
樹脂との封着面に沿ってインナーリード方向の鳥方向に
進み半導体チップに至るもの。
が考えられる。いずれの金属面（放熱板は銅、リードは
リン青銅、一部めつき被着された銀）も合成樹脂との接
着は必らずしも良くないので、水分の浸入が許される。
リン青銅、一部めつき被着された銀）も合成樹脂との接
着は必らずしも良くないので、水分の浸入が許される。
これによ〉、半導体素子の電気的特性が低下され、また
は品質保証に問題を生ずる。
は品質保証に問題を生ずる。
４）発明の目的
上記従来の欠点であった、放熱板やリードと樹脂封着部
との間からの水分の浸入を防止する。
との間からの水分の浸入を防止する。
５）発明の実施例（構成９作用、効果）放熱板の１主面
とリードの突出部を除き樹脂封止して外囲器が形成され
るものにおいて、前記金属の表面に陽極酸化処理を施し
て表層を酸化鋼（ＣｕＯ）ζ二する。この陽極酸化処理
の一例として、 使用濠； Ｎｍｏｇ ＊ ｉｌｌ箪、濃度： １２０Ｖ
７、処理液温： ９Ｇ’−１００℃、 電流密度；２Ａ
／ｄ！／、時間；２〜３分 で行なって好適し九。この場合、すでに設けられ（めつ
き被着され）でいる銀層（１１ｍ）、（ｌｌｂ）・・・
、 （１１１１）は変化しないので、保護処置が不要で
ある。
とリードの突出部を除き樹脂封止して外囲器が形成され
るものにおいて、前記金属の表面に陽極酸化処理を施し
て表層を酸化鋼（ＣｕＯ）ζ二する。この陽極酸化処理
の一例として、 使用濠； Ｎｍｏｇ ＊ ｉｌｌ箪、濃度： １２０Ｖ
７、処理液温： ９Ｇ’−１００℃、 電流密度；２Ａ
／ｄ！／、時間；２〜３分 で行なって好適し九。この場合、すでに設けられ（めつ
き被着され）でいる銀層（１１ｍ）、（ｌｌｂ）・・・
、 （１１１１）は変化しないので、保護処置が不要で
ある。
叙上の如く、銅の酸化物を形成したものは合成樹脂と良
好１ｍ着をするので、封着面から水分などの浸入を生じ
ない。これにより半導体チップが水分、その他有書物に
よって損なわれないようになった。
好１ｍ着をするので、封着面から水分などの浸入を生じ
ない。これにより半導体チップが水分、その他有書物に
よって損なわれないようになった。
６）発明の効果
この発明によれば、樹脂封止臘の半導体装置における封
着が良好（＝達成される丸め、半導体チップが外気特に
水分に対する防護が向上し、半導体装置の電気的特性、
信頼性の向上：二効来があった。
着が良好（＝達成される丸め、半導体チップが外気特に
水分に対する防護が向上し、半導体装置の電気的特性、
信頼性の向上：二効来があった。
第１図は樹脂封止型半導体装置を示す図（Ｊｌ）は上面
図、図（ｂ）は下面図、図（Ｃ）は側面図、第２図は半
導体装置の内部構造を示す斜視図、第３図および＃Ｉ４
図は封着部からの水分等の浸入を説明する丸めの図で第
３図は外囲器の下面図、第４図は側伽図である。 ｔａｓｔｂ・・・ アウターリード２
放熱板 ２ａ 放熱板の露出主面３
封止樹脂部 リ リードフレー＾ １０ｂｓｌＯｂ’・・・ インナーリード１１ａ
ｅｌｌｂ＝ ｌｉｎ 銀層 Ａｌ ｔ ’ｌ ＃ Ｂｌ ｅ Ｂ、 を馬、Ｂ、、Ｃ
，、八（水分等の）浸入経路 第 １ 図 （０Ｌ） （Ｃ） 第２図 第 ３ 図 第４図 〜４Ｄ
図、図（ｂ）は下面図、図（Ｃ）は側面図、第２図は半
導体装置の内部構造を示す斜視図、第３図および＃Ｉ４
図は封着部からの水分等の浸入を説明する丸めの図で第
３図は外囲器の下面図、第４図は側伽図である。 ｔａｓｔｂ・・・ アウターリード２
放熱板 ２ａ 放熱板の露出主面３
封止樹脂部 リ リードフレー＾ １０ｂｓｌＯｂ’・・・ インナーリード１１ａ
ｅｌｌｂ＝ ｌｉｎ 銀層 Ａｌ ｔ ’ｌ ＃ Ｂｌ ｅ Ｂ、 を馬、Ｂ、、Ｃ
，、八（水分等の）浸入経路 第 １ 図 （０Ｌ） （Ｃ） 第２図 第 ３ 図 第４図 〜４Ｄ
Claims (1)
- 放熱板の１主面とリードの央出部を除き樹脂封止して外
囲器を形成し九樹脂封止蓋半導体装置において、放熱板
とリードの咎樹脂封着部が夫々の表面に形成された金属
酸化物層を介して樹脂封着されている樹脂封止蓋半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17978881A JPS5882540A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17978881A JPS5882540A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882540A true JPS5882540A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16071897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17978881A Pending JPS5882540A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882540A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735582A1 (fr) * | 1995-03-31 | 1996-10-02 | STMicroelectronics S.A. | Boîtier de montage d'une puce de circuit intégré |
| WO2000063969A1 (en) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Micron Technology, Inc. | Electrical conductor system of a semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP17978881A patent/JPS5882540A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735582A1 (fr) * | 1995-03-31 | 1996-10-02 | STMicroelectronics S.A. | Boîtier de montage d'une puce de circuit intégré |
| FR2732509A1 (fr) * | 1995-03-31 | 1996-10-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier de montage d'une puce de circuit integre |
| US6049971A (en) * | 1995-03-31 | 2000-04-18 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Casing for integrated circuit chips and method of fabrication |
| WO2000063969A1 (en) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Micron Technology, Inc. | Electrical conductor system of a semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6707152B1 (en) | 1999-04-16 | 2004-03-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device, electrical conductor system, and method of making |
| EP1918992A1 (en) * | 1999-04-16 | 2008-05-07 | Micron Technology, Inc. | Electrical conductor system of a semiconductor device and manufacturing method thereof |
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