JPS5880883A - 青色発光素子 - Google Patents
青色発光素子Info
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- JPS5880883A JPS5880883A JP56178624A JP17862481A JPS5880883A JP S5880883 A JPS5880883 A JP S5880883A JP 56178624 A JP56178624 A JP 56178624A JP 17862481 A JP17862481 A JP 17862481A JP S5880883 A JPS5880883 A JP S5880883A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は青色発光素子K11lする■
青色発光素子を構成する材料は室温で2.7eV以上の
高いバンドギャップをもつことが必要である。
高いバンドギャップをもつことが必要である。
この様な高いバンドキャップをもち、かつ青色発光に有
望な半導体としてはトl化合物ではZn8・(セレン化
亜鉛)、Zn8 (硫化亜鉛)、l[[−マ化合物では
GaN (窒化ガリウム)、ff−ff化合物で#:t
810(炭化シリコン)があけられる。中でもZnB@
d共有結合性が比較的大きく、バンド−造からみる発光
遷移は直接遷移型であるため効率良く青色発光が起こる
可能性が高いと期待され工いる。
望な半導体としてはトl化合物ではZn8・(セレン化
亜鉛)、Zn8 (硫化亜鉛)、l[[−マ化合物では
GaN (窒化ガリウム)、ff−ff化合物で#:t
810(炭化シリコン)があけられる。中でもZnB@
d共有結合性が比較的大きく、バンド−造からみる発光
遷移は直接遷移型であるため効率良く青色発光が起こる
可能性が高いと期待され工いる。
Zn8eの結晶は自己補償効果が強く、低抵抗のP型が
形成困難である。尚、自己補償効果とはドナー不純物が
多量にドーピングされるとzn空孔子が生じやすくなり
、斯る空孔子がアクセプターとして働き、上記ドナーを
補償することである。従ってZn8’e結晶を用いた青
色発光素子の構造では一般にZn8(金属、絶Iall
、半導体)−造の素子が広く研究されてiる。
形成困難である。尚、自己補償効果とはドナー不純物が
多量にドーピングされるとzn空孔子が生じやすくなり
、斯る空孔子がアクセプターとして働き、上記ドナーを
補償することである。従ってZn8’e結晶を用いた青
色発光素子の構造では一般にZn8(金属、絶Iall
、半導体)−造の素子が広く研究されてiる。
#!1図FiIli願昭56−118884号で既に提
案された青色発光素子を示し、11)a−主面が(10
0)面で、不純物濃度が約I X 10”3−74るれ
型G、−^、!基板、(21は腋基板の一生面上KMB
B(分子線エビメキシャル成長)法によ抄形ffされた
n型2380層であり%皺層嬬不純物としてGaを含む
と共にその特性は比抵抗が0.1f16st以下でかつ
発光波長が46inmである。(3)ii上記n@1Z
n8e層(2)上に、Zn1法で形成された比抵抗が1
04ΩG以上のアンドーグZnEle It s (4
1(!Stは夫#GaAs基板(1)&Il&ヒ7ンド
ープznee層(3)表IiIに形成されたオーミック
性の第1、第2電極である。
案された青色発光素子を示し、11)a−主面が(10
0)面で、不純物濃度が約I X 10”3−74るれ
型G、−^、!基板、(21は腋基板の一生面上KMB
B(分子線エビメキシャル成長)法によ抄形ffされた
n型2380層であり%皺層嬬不純物としてGaを含む
と共にその特性は比抵抗が0.1f16st以下でかつ
発光波長が46inmである。(3)ii上記n@1Z
n8e層(2)上に、Zn1法で形成された比抵抗が1
04ΩG以上のアンドーグZnEle It s (4
1(!Stは夫#GaAs基板(1)&Il&ヒ7ンド
ープznee層(3)表IiIに形成されたオーミック
性の第1、第2電極である。
上記アンドープZnBe層(3)は比抵抗が10’Ω信
以−Eとなる高抵抗層である。従ってn型Zn5e#(
21、アンドープZn80層(3)及び第2電極15)
とによりMrS偽造となり、第1電極(4)−第2電極
(5)間に覇方向バイアスを印加すると、n型Zn5e
層(2)とアンドープZn8@層(3)との界面付近で
約461nmO育色発光が得られた。
以−Eとなる高抵抗層である。従ってn型Zn5e#(
21、アンドープZn80層(3)及び第2電極15)
とによりMrS偽造となり、第1電極(4)−第2電極
(5)間に覇方向バイアスを印加すると、n型Zn5e
層(2)とアンドープZn8@層(3)との界面付近で
約461nmO育色発光が得られた。
またn型Zn8θ編(2)とアンドーグZnBe層(3
)とはMBE法により連続して形成できるのでその界面
は清浄で子坦となり、かグ同−材料からなるため上目「
1界面付近に格子電数等の違いによる内部応力が発生せ
ず結晶性が低下する危惧はない。
)とはMBE法により連続して形成できるのでその界面
は清浄で子坦となり、かグ同−材料からなるため上目「
1界面付近に格子電数等の違いによる内部応力が発生せ
ず結晶性が低下する危惧はない。
斐にMBEでにドーピング濃度の制御が簡単に行えるの
で上記素子を再現性良く得ることができる。
で上記素子を再現性良く得ることができる。
しかし乍ら上ルビ素子より発する発’x成分には背合成
分だけではなく種々の波長を有した光成分が混じってい
ることが判った。
分だけではなく種々の波長を有した光成分が混じってい
ることが判った。
その原因は第2図に示す如くアンドーグZn8e層(3
)において不所望な不純物の混入により生じたアクセプ
タ準位KA 、ドナー準位IDもしくは発光中心ILt
−介した発光遷移及び伝導バンド端1cと充満バンド端
1nvとの間で生じる発光遷移等が起るためである0尚
図中11はフェルミ準位である。
)において不所望な不純物の混入により生じたアクセプ
タ準位KA 、ドナー準位IDもしくは発光中心ILt
−介した発光遷移及び伝導バンド端1cと充満バンド端
1nvとの間で生じる発光遷移等が起るためである0尚
図中11はフェルミ準位である。
このような現象を避けるために上記アンドープZn8・
層(3)を極力薄くしてアンドープZnBe層中での正
孔の滞在時間t![(することも考えられるが、本発明
者の実験によると、上記アンドープZn8・層(3)の
層厚を100ム以下にすると絶縁破壊を生じ易くなると
いう結果を得た。
層(3)を極力薄くしてアンドープZnBe層中での正
孔の滞在時間t![(することも考えられるが、本発明
者の実験によると、上記アンドープZn8・層(3)の
層厚を100ム以下にすると絶縁破壊を生じ易くなると
いう結果を得た。
木尭明は斯る点に鎌みてなされたもので、アンドープZ
nBe層での発光現象を防ぎ純粋な青色光だけを発する
育色発光素子を提供せんとするものである。以下11總
例にり倉本発明を説明するOn型GaAs基板、aSa
鋏基板上VcMBIIi法よりより形成された成長層で
あり、骸成長層は■族原子の例えばGa(ガリウム)を
不純物として含むn型ZnBa1lJQ3と不純物を含
まないアンドーグ2コ8・層■を交互に周期的に積層し
たものである。また斯る晴となるアンドーグZn5e層
a4)上rc形取ざtた絡11!極、a81は基板aD
裏面に形11iされ次第2電極である0 ′ 次に上記素子の製造方法について説明する。第4図は本
実施例素子を得るためのMBE装置を原理的に示したも
のである。パックグランド真空度10−”TOrr以下
に排気した真空容器内に、基板部f2+1と第1〜tX
3セ#(22a) 〜(22c)とが対同配置され、こ
れらの間に主シャツタロと個別シャツ!(24a)〜(
24c)が介在されている◎基板部(財)はと−タ機1
11を備えた基板ホルダ(5)とその上にIn(インジ
ウム)メタル(イ)により貼着されたGaps基1k。
nBe層での発光現象を防ぎ純粋な青色光だけを発する
育色発光素子を提供せんとするものである。以下11總
例にり倉本発明を説明するOn型GaAs基板、aSa
鋏基板上VcMBIIi法よりより形成された成長層で
あり、骸成長層は■族原子の例えばGa(ガリウム)を
不純物として含むn型ZnBa1lJQ3と不純物を含
まないアンドーグ2コ8・層■を交互に周期的に積層し
たものである。また斯る晴となるアンドーグZn5e層
a4)上rc形取ざtた絡11!極、a81は基板aD
裏面に形11iされ次第2電極である0 ′ 次に上記素子の製造方法について説明する。第4図は本
実施例素子を得るためのMBE装置を原理的に示したも
のである。パックグランド真空度10−”TOrr以下
に排気した真空容器内に、基板部f2+1と第1〜tX
3セ#(22a) 〜(22c)とが対同配置され、こ
れらの間に主シャツタロと個別シャツ!(24a)〜(
24c)が介在されている◎基板部(財)はと−タ機1
11を備えた基板ホルダ(5)とその上にIn(インジ
ウム)メタル(イ)により貼着されたGaps基1k。
とからなる。第1〜第3セル(22a)〜(22c)は
夫々るつぼ(27a) 〜(27c)丙にZn(亜鉛)
、Be(セレン)、Ga(ガリウム)′fr個別に収
納してお夛、その周囲にるつは加熱用ヒーターを有し、
又各るつぼ温度検出用熱電対at−備えている。
夫々るつぼ(27a) 〜(27c)丙にZn(亜鉛)
、Be(セレン)、Ga(ガリウム)′fr個別に収
納してお夛、その周囲にるつは加熱用ヒーターを有し、
又各るつぼ温度検出用熱電対at−備えている。
上記L” B m装置自体は周知であり、基板■ヤ各竜
ルの温度を制御すると共に各シャツ!(24m)〜g 鯰層αΦとが交互に積層された成長層を得ることができ
る。
ルの温度を制御すると共に各シャツ!(24m)〜g 鯰層αΦとが交互に積層された成長層を得ることができ
る。
GaAe(100)面上へのアンドープZn8e単結層
薄膜を成長させるMi1m家長条件は、基板温度が30
0℃〜400℃、Znセル温温度180℃〜250℃、
go *h温駅が170℃〜220℃で単結晶成長が起
るが、成長した膜の表面モホロジー結晶性からみると最
適条件蝶、基板温度が350℃〜400℃、 Znビー
ム強度と80ビーム!1lII比が1になるような条件
がよい。
薄膜を成長させるMi1m家長条件は、基板温度が30
0℃〜400℃、Znセル温温度180℃〜250℃、
go *h温駅が170℃〜220℃で単結晶成長が起
るが、成長した膜の表面モホロジー結晶性からみると最
適条件蝶、基板温度が350℃〜400℃、 Znビー
ム強度と80ビーム!1lII比が1になるような条件
がよい。
これらビーム強度はznセルで約290℃、S・セルで
約190℃が適尚である。このと色アンドープZnB・
層の比抵抗は10’J1ag*以上となった。
約190℃が適尚である。このと色アンドープZnB・
層の比抵抗は10’J1ag*以上となった。
tたn1ljjZn8e真の成長条件は第3七ル(22
e)を425℃に保ち第3シヤツタ(24111)を開
けることにより不純物としてのeaをドーピングでき、
″このときのホトルミネッセンスによる発光波長は46
1nmとな抄純粋な青色光が得られる0尚斯る場合のG
aのキャリア濃fは約7 X 10”♂である。
e)を425℃に保ち第3シヤツタ(24111)を開
けることにより不純物としてのeaをドーピングでき、
″このときのホトルミネッセンスによる発光波長は46
1nmとな抄純粋な青色光が得られる0尚斯る場合のG
aのキャリア濃fは約7 X 10”♂である。
本発明者の実験によれば、本実施例素子の構造にした場
合上記アンドープZn8・層顛の各々の層厚が最小50
Aで、かつその総和が200ム以上となれば絶縁破壊が
生じる危惧がないことが判った。そこで本実施例素子で
はアンドープZn8ejlQ41の層厚を約5OA、
nff1IZn8el(131の層厚を約700ムとし
て各4層ずつ形成した。尚最下層のn型Zn8・層止は
基板α」との格子不整合を緩和するために1000A以
上であることが好ましく、本実施例では1100Aとし
た。第5図は本実施例素子KIN方回電圧を印加したバ
ンド構造を示す。尚第3図と同一箇所には同一番号が付
されている。
合上記アンドープZn8・層顛の各々の層厚が最小50
Aで、かつその総和が200ム以上となれば絶縁破壊が
生じる危惧がないことが判った。そこで本実施例素子で
はアンドープZn8ejlQ41の層厚を約5OA、
nff1IZn8el(131の層厚を約700ムとし
て各4層ずつ形成した。尚最下層のn型Zn8・層止は
基板α」との格子不整合を緩和するために1000A以
上であることが好ましく、本実施例では1100Aとし
た。第5図は本実施例素子KIN方回電圧を印加したバ
ンド構造を示す。尚第3図と同一箇所には同一番号が付
されている。
Gaが・ドープされ象n型Zn8・層α3は電圧の成分
がほとんど印加されず、マタ逆にアンドープZr5B・
層[141は電圧成分が印加されるので成長層は図の如
く階段状となる。このとき亭1電極(15+側から注入
され比正孔りは最表層のアンドープZn8ONI顛を介
して、n@!Zn8e層0に飛び込み、そこで正孔りの
一部がGaドープにより形成されたドナ一単位IJ)に
存在する電子・と再結合して育色発光に寄与し、更に残
りの正孔hFi再びアンドープZnB・NIr1t!を
経由して次のH1lZn8s層(13Kq入され育色発
光に寄与する。斯る発光現象を操返し乍ら正孔りは最下
層のn型Zn8・層α3に達する。尚第5図中IQ%l
l1F%]!!■は夫々伝導バンド端、フエルン準位充
満バンド端である。
がほとんど印加されず、マタ逆にアンドープZr5B・
層[141は電圧成分が印加されるので成長層は図の如
く階段状となる。このとき亭1電極(15+側から注入
され比正孔りは最表層のアンドープZn8ONI顛を介
して、n@!Zn8e層0に飛び込み、そこで正孔りの
一部がGaドープにより形成されたドナ一単位IJ)に
存在する電子・と再結合して育色発光に寄与し、更に残
りの正孔hFi再びアンドープZnB・NIr1t!を
経由して次のH1lZn8s層(13Kq入され育色発
光に寄与する。斯る発光現象を操返し乍ら正孔りは最下
層のn型Zn8・層α3に達する。尚第5図中IQ%l
l1F%]!!■は夫々伝導バンド端、フエルン準位充
満バンド端である。
斯る素子では、アンドープznselQ4の層厚が従来
のものに較べて半分となるので、この層にお叶る再結合
発光の確率も非常に低くなり、従って発光に際して育色
成分以外の他の色成分が発生することはなく純粋な青色
光を得ることができた。また、既述した如く、第1電極
回側のn型Zn8・層a3中で再結合しなかった正孔h
Fi第2電極ae側のn型ZnBe層−で再結合するの
で、従来素子に比べて発光効率が高くな抄発光強度が増
した。
のものに較べて半分となるので、この層にお叶る再結合
発光の確率も非常に低くなり、従って発光に際して育色
成分以外の他の色成分が発生することはなく純粋な青色
光を得ることができた。また、既述した如く、第1電極
回側のn型Zn8・層a3中で再結合しなかった正孔h
Fi第2電極ae側のn型ZnBe層−で再結合するの
で、従来素子に比べて発光効率が高くな抄発光強度が増
した。
尚本実施例では、アイドープZn8・層Iとnmzn、
□″ □゛ 8el13とを各4層ずつ交互に積層したがこれに限る
ものではなく既述したアンドープZn8・層の条件を満
足すればよい。また最下層以外のnlljZnSe層a
3の層厚は発光効率の観点から500λ〜1000Aで
あることが好ましい0 り上の説明から明らかな如く、本発明の育色発光素子は
純粋な青色光を高効率で発光できるので大f寮用的であ
る。
□″ □゛ 8el13とを各4層ずつ交互に積層したがこれに限る
ものではなく既述したアンドープZn8・層の条件を満
足すればよい。また最下層以外のnlljZnSe層a
3の層厚は発光効率の観点から500λ〜1000Aで
あることが好ましい0 り上の説明から明らかな如く、本発明の育色発光素子は
純粋な青色光を高効率で発光できるので大f寮用的であ
る。
第1図は既に提案された育色発光素子を示す断面図、第
2図は第1図素子の順方向電圧時のバンド構造を示す図
、第3図は本発明の実施例を示すw1面図、亀4図は本
実施例素子を製造するためのMB’R%置を示す図、第
5図は本実施例素子の順方向電圧印加時のバンド構造を
示す図である。 [111−・・n型GaAe基板、α3・nfMZnB
e層、α4・・・アンドープZnSθ智。 二二二二二ゴz3
2図は第1図素子の順方向電圧時のバンド構造を示す図
、第3図は本発明の実施例を示すw1面図、亀4図は本
実施例素子を製造するためのMB’R%置を示す図、第
5図は本実施例素子の順方向電圧印加時のバンド構造を
示す図である。 [111−・・n型GaAe基板、α3・nfMZnB
e層、α4・・・アンドープZnSθ智。 二二二二二ゴz3
Claims (1)
- (1)半導体基・板上に■族原子を不純物として含特徴
とする青色発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56178624A JPS5880883A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | 青色発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56178624A JPS5880883A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | 青色発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5880883A true JPS5880883A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16051698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56178624A Pending JPS5880883A (ja) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | 青色発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5880883A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126271A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Koito Mfg Co Ltd | 半導体素子 |
JPS6139960U (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-13 | 三洋電機株式会社 | 白色発光素子 |
-
1981
- 1981-11-07 JP JP56178624A patent/JPS5880883A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126271A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Koito Mfg Co Ltd | 半導体素子 |
JPS6139960U (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-13 | 三洋電機株式会社 | 白色発光素子 |
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