JPS5878420A - シリコン・エピタキシアル膜の製造方法 - Google Patents
シリコン・エピタキシアル膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5878420A JPS5878420A JP17649381A JP17649381A JPS5878420A JP S5878420 A JPS5878420 A JP S5878420A JP 17649381 A JP17649381 A JP 17649381A JP 17649381 A JP17649381 A JP 17649381A JP S5878420 A JPS5878420 A JP S5878420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow
- pressure
- substrate
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は減圧ホットウォールＣＶＤ装置によるシリコン
・エピタキシの製造方法に関するものである。
・エピタキシの製造方法に関するものである。
従来の常圧法ＣＶＤ例えばシリコン・エピタキシでは、
ソースガスの気相熱分解を避けるため、シリコンソース
ガスのモル濃度を１チ以下の値にとるべく多流量のＨ２
キャリヤガスを流すのが普通である。
ソースガスの気相熱分解を避けるため、シリコンソース
ガスのモル濃度を１チ以下の値にとるべく多流量のＨ２
キャリヤガスを流すのが普通である。
これに対し、減圧ホットウォールＣＶＤによるシリコン
・エピタキシでは、減圧による気相熱分解抑制作用があ
るため、少流量のＨ２キャリヤガスの下でソースガスの
高濃度モル比の使用が可能である。さらに圧力１５３
Ｐａ （Ｉ Ｔｏｒｒ ）近辺では、成長速度はキャリ
ヤガス流量にほとんど依存しない特性があるので、所要
真空ポンプ容量の膨大化を避けるため、キャリヤガスの
流量は少なくとることが得策である。このような場合装
置および操作の簡略化のため、エピタキシアル反応工程
以外のＨ２流通工程（シリコン基板を搭載した治具を反
応管の高温部に搬入する工程、シリコン基板をＨ２ガス
でアニールする工程等）でも、その流量はエピタキシア
ル反応工程時のＨ２キャリヤガス流量と同じにとられる
ことが多い。しかしこの場合、エピタキシアル薄膜が鏡
面を失い白濁化することが多かった。本願の発明者等の
実験によれば、エピタキシアル反応以前にシリコン基板
を高温部にセットした段階で表面が侵刻された状態で荒
れ肌（エツチングピットが発生して白濁化する）となり
、その上に形成されたエピタキシアル薄膜が白濁化する
ことが判った。シリコン基板を高真空、高温の下におけ
ば、サーマル・エッチの現象もあり、減圧ホットウォー
ル方式の本質的欠陥とも思われた。
・エピタキシでは、減圧による気相熱分解抑制作用があ
るため、少流量のＨ２キャリヤガスの下でソースガスの
高濃度モル比の使用が可能である。さらに圧力１５３
Ｐａ （Ｉ Ｔｏｒｒ ）近辺では、成長速度はキャリ
ヤガス流量にほとんど依存しない特性があるので、所要
真空ポンプ容量の膨大化を避けるため、キャリヤガスの
流量は少なくとることが得策である。このような場合装
置および操作の簡略化のため、エピタキシアル反応工程
以外のＨ２流通工程（シリコン基板を搭載した治具を反
応管の高温部に搬入する工程、シリコン基板をＨ２ガス
でアニールする工程等）でも、その流量はエピタキシア
ル反応工程時のＨ２キャリヤガス流量と同じにとられる
ことが多い。しかしこの場合、エピタキシアル薄膜が鏡
面を失い白濁化することが多かった。本願の発明者等の
実験によれば、エピタキシアル反応以前にシリコン基板
を高温部にセットした段階で表面が侵刻された状態で荒
れ肌（エツチングピットが発生して白濁化する）となり
、その上に形成されたエピタキシアル薄膜が白濁化する
ことが判った。シリコン基板を高真空、高温の下におけ
ば、サーマル・エッチの現象もあり、減圧ホットウォー
ル方式の本質的欠陥とも思われた。
本発明は上記した従来技術の問題点を解消するためにな
されたもので、少流量のキャリヤガスを用いる減圧ホッ
トウォールＣＶＤによるシリコン・エピタキシにおいて
、シリコン基板の白濁化を防止し、良質のエピタキシア
ル薄膜を形成させる下地を確保するとともに、さらに形
成されたエビ２゛タキシアル薄膜の表面を保護すること
を目的とするものである。
されたもので、少流量のキャリヤガスを用いる減圧ホッ
トウォールＣＶＤによるシリコン・エピタキシにおいて
、シリコン基板の白濁化を防止し、良質のエピタキシア
ル薄膜を形成させる下地を確保するとともに、さらに形
成されたエビ２゛タキシアル薄膜の表面を保護すること
を目的とするものである。
減圧ホットウォールＣＶＤによるシリコン・エピタキシ
において、エピタキシアル反応工程またはＨＣｔエッチ
ング工程以外で、真空排気のみ、またはＨ２のみ流通の
減圧操作を行なった際、高温の基板表面が白濁化する現
象につき、本願の発明者寿が解明を行なったところ、排
出系配管に堆積した反応生成物５ｉｘＨ，の低温凝縮物
が原因していることが判った。すなわち、Ｓ ｉｘ Ｈ
ｙは非常に反応性に富むとともに各種ガスを吸着しやす
い性質をもっており、特に塩化物系シリコンソースガス
（例えばＳ ｉＨ２Ｃｌ２ ）を用いたときには、分解
生成物たるＨＣｌを吸着しその高い蒸気圧を有している
。また、ドーピングガスにＰＨ３を用いた場合には凝縮
物中に黄燐が凝縮混入し、装置を大気に開放したときに
は吸湿した状態にもなり、低温凝縮物は種々のトラブル
要因になっていた。
において、エピタキシアル反応工程またはＨＣｔエッチ
ング工程以外で、真空排気のみ、またはＨ２のみ流通の
減圧操作を行なった際、高温の基板表面が白濁化する現
象につき、本願の発明者寿が解明を行なったところ、排
出系配管に堆積した反応生成物５ｉｘＨ，の低温凝縮物
が原因していることが判った。すなわち、Ｓ ｉｘ Ｈ
ｙは非常に反応性に富むとともに各種ガスを吸着しやす
い性質をもっており、特に塩化物系シリコンソースガス
（例えばＳ ｉＨ２Ｃｌ２ ）を用いたときには、分解
生成物たるＨＣｌを吸着しその高い蒸気圧を有している
。また、ドーピングガスにＰＨ３を用いた場合には凝縮
物中に黄燐が凝縮混入し、装置を大気に開放したときに
は吸湿した状態にもなり、低温凝縮物は種々のトラブル
要因になっていた。
低温凝縮物から発するＨＣ４は、主流のＨ２ガス流量が
少流量の場合には流れに逆らって逆拡散しながら反応管
内に侵入し、低濃度ながら高温の基板の表面と反応し、
鏡面を侵刻することが判った。
少流量の場合には流れに逆らって逆拡散しながら反応管
内に侵入し、低濃度ながら高温の基板の表面と反応し、
鏡面を侵刻することが判った。
基板表面の侵刻現象を防止するためには、低温凝縮物か
ら不純ガスを脱着するのも一法であり、真空排気法と高
純度のＨ２キャリヤガスによるパージ方法とがあるが、
長時間を要する。従って、逆拡散を阻止することが一番
効果的手段となる。
ら不純ガスを脱着するのも一法であり、真空排気法と高
純度のＨ２キャリヤガスによるパージ方法とがあるが、
長時間を要する。従って、逆拡散を阻止することが一番
効果的手段となる。
一般に、逆拡散を阻止するには、主流のガス流前を増加
することであり、反応管内での逆拡散濃度は流量の関数
である。いま、−次元の拡散方程式で数学的に示すと ここにＵはガス流速、Ｄは拡散係数、Ｃは濃度、２はガ
ス流れ方向に逆にとった距離である。
することであり、反応管内での逆拡散濃度は流量の関数
である。いま、−次元の拡散方程式で数学的に示すと ここにＵはガス流速、Ｄは拡散係数、Ｃは濃度、２はガ
ス流れ方向に逆にとった距離である。
解は 。：ＣＱｅ−古２
無次元数で示すと
Ｃｌ０ｏ＝ｅ−Ｒ゛°８゜
ここに 助＝□
μ ρＤ
但し ρ：ガス密度、μ：粘性係数
シーミント数８Ｃ＃ ０．６であり、位置２における逆
拡散濃度Ｃ／（ｏはＲｅの関数である。
拡散濃度Ｃ／（ｏはＲｅの関数である。
基板の侵刻を惹起する逆拡散濃度は不明であるが、侵刻
の有無をＨ２主流流童を変えて実測したところ、レイノ
ルズ数Ｒｅ ） ２０であれば侵刻は起きないという経
験則が得られた。これは例え＋ｆ、 ４インチ基板挿入
用の径１３０ｍｍφ石英製反応管主管を用い、その出口
尾管の径が７０ｍｍφの場合、逆拡散を防止するには２
０ Ａ／ｍｉｎ以上のＨ２流量カを必要であることを示
す。
の有無をＨ２主流流童を変えて実測したところ、レイノ
ルズ数Ｒｅ ） ２０であれば侵刻は起きないという経
験則が得られた。これは例え＋ｆ、 ４インチ基板挿入
用の径１３０ｍｍφ石英製反応管主管を用い、その出口
尾管の径が７０ｍｍφの場合、逆拡散を防止するには２
０ Ａ／ｍｉｎ以上のＨ２流量カを必要であることを示
す。
エピタキシ全工程の中で、Ｈ２を流通させる工程゛は、
基板を高温部まで輸送する往復工程と、基板１の自然ま
たは人工的酸化膜を除去する高温Ｈ２アニール工程であ
る。この場合高真空排気する必要がないが、常圧方式で
は内部が正圧となり減圧装置構造から外部へＨ２が洩れ
る恐れがあるので、ロータリーホンプのみで１３３０〜
１３３００Ｐａ（１０〜１ ｏ ｏ Ｔｏｒｒ ）に減
圧する操作で十分である。
基板を高温部まで輸送する往復工程と、基板１の自然ま
たは人工的酸化膜を除去する高温Ｈ２アニール工程であ
る。この場合高真空排気する必要がないが、常圧方式で
は内部が正圧となり減圧装置構造から外部へＨ２が洩れ
る恐れがあるので、ロータリーホンプのみで１３３０〜
１３３００Ｐａ（１０〜１ ｏ ｏ Ｔｏｒｒ ）に減
圧する操作で十分である。
エピタキシアル反応工程では、垂直に立てられた狭い基
板間にソースガスおよびドーピングガスが十分に拡散し
て膜厚および抵抗率が均一化するよう１３〜１３３０Ｐ
ａ （０，１〜１０Ｔｏｒｒ ）の圧力がとられる。こ
の場合ソースガス、ドーピングガス。
板間にソースガスおよびドーピングガスが十分に拡散し
て膜厚および抵抗率が均一化するよう１３〜１３３０Ｐ
ａ （０，１〜１０Ｔｏｒｒ ）の圧力がとられる。こ
の場合ソースガス、ドーピングガス。
キャリヤガスを流通させながら所定の圧力を保持するに
はメカニカルブースターとロータリーポンプの組合せに
よる排気操作が必要である。しかしエピタキシアル反応
工程は他のＮ２流通工程に比して圧力が低いので、Ｎ２
キャリヤガスを多くすることは真空排気容量と関連しあ
まり得策でない。低流凌の下ではＨＣｌの逆拡散が発生
するが、エピタキシアル反応ではエツチングより析出が
優先するので逆拡散によるエツチング反応がほとんど見
ら・れなくなる。したがってエピタキシアル反応工程で
は、他のＮ２流通工程で逆拡散を抑制ｊ−ておけば比較
的低流量の下でも良質の薔ピタキシアル薄膜が得られる
。
はメカニカルブースターとロータリーポンプの組合せに
よる排気操作が必要である。しかしエピタキシアル反応
工程は他のＮ２流通工程に比して圧力が低いので、Ｎ２
キャリヤガスを多くすることは真空排気容量と関連しあ
まり得策でない。低流凌の下ではＨＣｌの逆拡散が発生
するが、エピタキシアル反応ではエツチングより析出が
優先するので逆拡散によるエツチング反応がほとんど見
ら・れなくなる。したがってエピタキシアル反応工程で
は、他のＮ２流通工程で逆拡散を抑制ｊ−ておけば比較
的低流量の下でも良質の薔ピタキシアル薄膜が得られる
。
コノように、エピタキシアル反応時と他の工程シでのＮ
２流量を相異させ、かつ後者の場合ＨＣ１の逆拡散を防
ぐため＆）２０を満足するよりなＮ２の流量条件をとる
ところに本発明は特徴としている。
２流量を相異させ、かつ後者の場合ＨＣ１の逆拡散を防
ぐため＆）２０を満足するよりなＮ２の流量条件をとる
ところに本発明は特徴としている。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明の製造方法を実施するための装置の構成
説明図である。
説明図である。
汎用の電気抵抗式加熱炉１の中に１５０ ｍａｎφ石英
製反応管２が挿入され、反応管の外側よシ加熱される。
製反応管２が挿入され、反応管の外側よシ加熱される。
加熱炉１は６ゾーン加熱炉で反応管の軸方向に温度勾配
が賦与されている。石英製治具４の上に４インチ径のシ
リコン基板５が垂直に背中合せに５０枚置かれている。
が賦与されている。石英製治具４の上に４インチ径のシ
リコン基板５が垂直に背中合せに５０枚置かれている。
基板５を搭載した治具は最初治具収納管６とマグネット
式ポートローダ−７を内蔵したボートローダ−収納管８
を分離させ、かつＮ２ガス流通配管９，１０を通じてＮ
２を・流通させながら空気の内部侵入を防止しつつ常温
の治具収納管６にセットする。つぎに公称１０００Ａ／
ｍｉｎのロータリーポンプ１９．公称１０．０００ Ｌ
ｙｌｎｉｎの一段ルーツポンプ１８及び公称５０．００
０ ｔ／ｍｉｎの二段ルーツポンプ１７を順次始動させ
ながらｊ Ｏ’Ｔｏｒｒに真空排気する。しかるのちル
ーツポンプｉ７，１８を止め、Ｎ２を３０ ｔ／ｍｉｎ
流通させる。この場合反応管の出口尾管３の７０φにお
けるレイノルズ数はＲｅ中６０で、排気管２０．１３に
堆積した低温析出物からの汚染不純ガスの逆拡散を防止
する。この状態でボートローダ−７を押し出しながら基
板を搭載した治具４を所定温度帯に移動させる。基板の
高温部セットが終了したのちボートローダ−７をその表
面が析出膜で覆われるのを避けるためボートローダ−収
納管８まで戻゛す。この間口−タリーポンプ１９により
２０ ｔ／ｍｉｎのＮ２を排出しており圧力は約４０
Ｔｏｒｒになっており、さらに基板を高温部にセットし
たままで１５分間保持しＮ２アニールを行なう。
式ポートローダ−７を内蔵したボートローダ−収納管８
を分離させ、かつＮ２ガス流通配管９，１０を通じてＮ
２を・流通させながら空気の内部侵入を防止しつつ常温
の治具収納管６にセットする。つぎに公称１０００Ａ／
ｍｉｎのロータリーポンプ１９．公称１０．０００ Ｌ
ｙｌｎｉｎの一段ルーツポンプ１８及び公称５０．００
０ ｔ／ｍｉｎの二段ルーツポンプ１７を順次始動させ
ながらｊ Ｏ’Ｔｏｒｒに真空排気する。しかるのちル
ーツポンプｉ７，１８を止め、Ｎ２を３０ ｔ／ｍｉｎ
流通させる。この場合反応管の出口尾管３の７０φにお
けるレイノルズ数はＲｅ中６０で、排気管２０．１３に
堆積した低温析出物からの汚染不純ガスの逆拡散を防止
する。この状態でボートローダ−７を押し出しながら基
板を搭載した治具４を所定温度帯に移動させる。基板の
高温部セットが終了したのちボートローダ−７をその表
面が析出膜で覆われるのを避けるためボートローダ−収
納管８まで戻゛す。この間口−タリーポンプ１９により
２０ ｔ／ｍｉｎのＮ２を排出しており圧力は約４０
Ｔｏｒｒになっており、さらに基板を高温部にセットし
たままで１５分間保持しＮ２アニールを行なう。
エピタキシアル反応は、１７．１８．１９の全真空ポン
プを稼動させ、ソースガス５ｔＨ２Ｃｔ２を配管１２を
通して５ ｔ／ｒｎｉｎ 、 ドーピングガスＰＨ５
（４ｐ１ｍ）を配管２３を通して０．１ ｔ／ｒｎｔｎ
＋ キャリャガ・スＨ２を配管１０．１１を通しその
合計量として２ ｔ／ｍｉｎを流通させた。圧力は０．
５ Ｔｏｒ？ 、温度は・治具４の前後で９５０〜１０
００℃の温度勾配力めいている。この場合シリコ／・ソ
ースガスのモル濃度は６０チである。成長速度は０．５
μｒｌ／ｍｉｎで、膜厚精度は±２係であった。また反
応ガス主流とともに流れるＰＨ，ドーピングガスのほか
、ステンレス排気管２０の接方より配管２１を通して反
応管内に挿入された多孔式ノズル２２からＰＨ，を０，
１ｔ／ｍｉｎ補給した。このときエピタキシアル膜の比
抵抗は全基板につき±６チの精度が得られた。
プを稼動させ、ソースガス５ｔＨ２Ｃｔ２を配管１２を
通して５ ｔ／ｒｎｉｎ 、 ドーピングガスＰＨ５
（４ｐ１ｍ）を配管２３を通して０．１ ｔ／ｒｎｔｎ
＋ キャリャガ・スＨ２を配管１０．１１を通しその
合計量として２ ｔ／ｍｉｎを流通させた。圧力は０．
５ Ｔｏｒ？ 、温度は・治具４の前後で９５０〜１０
００℃の温度勾配力めいている。この場合シリコ／・ソ
ースガスのモル濃度は６０チである。成長速度は０．５
μｒｌ／ｍｉｎで、膜厚精度は±２係であった。また反
応ガス主流とともに流れるＰＨ，ドーピングガスのほか
、ステンレス排気管２０の接方より配管２１を通して反
応管内に挿入された多孔式ノズル２２からＰＨ，を０，
１ｔ／ｍｉｎ補給した。このときエピタキシアル膜の比
抵抗は全基板につき±６チの精度が得られた。
エピタキシアル反応終了後、ふたたヒＨ２＝３０ｔ／ｍ
ｉｎを流通させながらロータリーポンプ１９で減圧排気
しつつ、ボートローダ−７を高温部まで移動させ、治具
と連結後、治具を常温の収納管６の位置まで引き戻す。
ｉｎを流通させながらロータリーポンプ１９で減圧排気
しつつ、ボートローダ−７を高温部まで移動させ、治具
と連結後、治具を常温の収納管６の位置まで引き戻す。
つぎにＮ２の流通をとめルーツポンプ１７．１８を始動
させて高真空にし、Ｎ２を十分排気したのちＮ２と置換
する。
させて高真空にし、Ｎ２を十分排気したのちＮ２と置換
する。
上記製造法により鏡面かつ欠陥数ケ／基枚当りの良・質
の単結晶エピタキシアル膜が得られた・なお、説明を省
略したが、図において、２４は２（１基板のエツチング
及び反応管のクリーニング用のＨＣｔ配管、２５はマス
フロー・コントローラ、１４は反応ガスの冷却器、１５
はダスト・フィルタ、１６は自動圧力調整弁である。
の単結晶エピタキシアル膜が得られた・なお、説明を省
略したが、図において、２４は２（１基板のエツチング
及び反応管のクリーニング用のＨＣｔ配管、２５はマス
フロー・コントローラ、１４は反応ガスの冷却器、１５
はダスト・フィルタ、１６は自動圧力調整弁である。
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、基板
表面の白濁化が防止でき、良質のエピタキシアル膜の形
成が可能となり、その効果は大きい。
表面の白濁化が防止でき、良質のエピタキシアル膜の形
成が可能となり、その効果は大きい。
第１図は本発明の製造方法を実施するための装置の構成
説明図である。 １・・・加熱炉 ２・・・反応管３・・・出
口尾管 ゛ ４・・・治具５０１．基板
６・・・治具収納管７・・・ポートローダ− ８・・・ポートローダ−収納管 ９．１０・・・ガス流通配管 １１・・・キャリヤガス配管 １２・・・ソースガス配管 １３，２０・・・排気管１
７．１８・・・ルーツポンプ １９・・・ロータリーポンプ ２１．２３・・・ドーピングガス配管 代理人弁理士 中村純之助
説明図である。 １・・・加熱炉 ２・・・反応管３・・・出
口尾管 ゛ ４・・・治具５０１．基板
６・・・治具収納管７・・・ポートローダ− ８・・・ポートローダ−収納管 ９．１０・・・ガス流通配管 １１・・・キャリヤガス配管 １２・・・ソースガス配管 １３，２０・・・排気管１
７．１８・・・ルーツポンプ １９・・・ロータリーポンプ ２１．２３・・・ドーピングガス配管 代理人弁理士 中村純之助
Claims (1)
- シリコン基板をＨ２ガス流通のもとて反応管の高温部に
搬入しセットする工程と、搬入された上記シリコン基板
をＨ２ガス雰囲気中でアニールする工程と、Ｈ２ガスと
ソースガス流通のもとて上記シリコン基板上にエピタキ
シアル成長を行なう工程と、上記ソースガスの流通を止
めＨ２ガス流通のもとて上記基板を反応管の高温部から
搬出し冷却する工程ヲ含むシリコン・エピタキシアル膜
の製造方法において、上記エピタキシアル成長を行なう
工程以外の工程時のＨ２ガス流量を上記エピタキシアル
“成長を行なう工程時の流量より多くし、かつ反応管の
出口尾管を含む排出管の最小径部における上記Ｈ２ガス
の流速がレイノルズ数Ｒｅ）２０を満足することを特徴
とするシリコン・エピタキシアル膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17649381A JPS5878420A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | シリコン・エピタキシアル膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17649381A JPS5878420A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | シリコン・エピタキシアル膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878420A true JPS5878420A (ja) | 1983-05-12 |
Family
ID=16014624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17649381A Pending JPS5878420A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | シリコン・エピタキシアル膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878420A (ja) |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17649381A patent/JPS5878420A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Murota et al. | Low‐temperature silicon selective deposition and epitaxy on silicon using the thermal decomposition of silane under ultraclean environment | |
| JP2833946B2 (ja) | エッチング方法および装置 | |
| US5584963A (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and cleaning method for the apparatus | |
| JPH07169693A (ja) | 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 | |
| US6413844B1 (en) | Safe arsenic gas phase doping | |
| JPS5878420A (ja) | シリコン・エピタキシアル膜の製造方法 | |
| JPH0517879Y2 (ja) | ||
| JP3153945B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| US6531415B1 (en) | Silicon nitride furnace tube low temperature cycle purge for attenuated particle formation | |
| JP3729578B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2003224079A (ja) | 熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPS5875830A (ja) | 減圧ホツトウオ−ルｃｖｄ法 | |
| JPH02106927A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0289313A (ja) | 珪素基板表面の清浄化方法 | |
| JP3197969B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP3058655B2 (ja) | ウェーハ拡散処理方法及びウェーハ熱処理方法 | |
| JP3194062B2 (ja) | 熱酸化膜の形成方法 | |
| JP3153644B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2002164286A (ja) | シリコン単結晶基板およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH01145806A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH04188721A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPS62249413A (ja) | 減圧シリコンエピタキシヤル成長方法 | |
| JPS61156725A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH07109574A (ja) | 窒化ケイ素膜の形成方法 | |
| JPH04345024A (ja) | 半導体装置の製造方法 |