JPS587740A - カソード用の電子放出層を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子管、特に多ビームＣＲＴのカソードに用い
る電子放出層に関する。

この種のカソードは、永年適当な結晶構造のアルカリ土
金属酸化物を用いて７００〜１１００℃に加熱した時に
電子放出をするように作られて来た。これらカソードは
、電子放出を助ける微小多孔質を塞ぐと考え帆れるカソ
ードの中毒現象に感受性が強い。良い放出性を得るため
、特定組成のＣａ５ｒＢａカーボネート（トリプル・カ
ーボネート）が用いられていた。このカーボネートはＣ
ＲＴや電子管における排気やシール時の、カソードの真
空中初期加熱において８崩落する。熱活性化とよばれも
するこのカーボネートからの酸化物形成が、Ｃｏ２ガス
の排気中に起る。酸化物は三酸化物結晶構造に害のめる
水蒸気に高感受性である。

従って、業界ではカーボネートを付着して、後にそれを
酸化物に分解させることを選択している。

普通、ＣＲＴや真空管では、カソード部材にカ−ボネー
トがスプレィやディップコートにより付着され、この時
カーボネート粒子をカソード金属基体に粘着させるのに
有機バインダが用いられる。

これらバインダは、しばしばポリメタクリレート又はニ
トロセルローズをベースとするものでるり、熱活性化工
程の初期加熱時、バーン・オフの後カーボネート結晶の
形態を元のまま残すので、これらが選ばれている。

この点の背景的資料は、ｒＨａｎｄｂｏｏｋ　　ｏｆＭ
ａｔｅｒｉａｌ、ａ　　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
　　ｆｏｒＶａｃｕｕｍ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　　Ｊ　、Ｗ
、Ｈ，Ｋｏｈｌ著、Ｒｈｅｉｎｈｏｌｄ出版社刊、に示
されている。

これら文献でも、母型を用いて作るカソードの例はめま
す示されていない。一般ＶｃＩＩ′ｉ、設計時にはそ９
必要がない。三元カーボネートの型による処理のための
フオトレジス）Ｋついて多少の報告かめる。５ｔａｎｆ
ｏｒｄ　　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　　Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅＱ
ｕａｒｔｅｒｌｙ　　Ｒｅｐｏｒｔ第６号、１９６８−
１１−１５付、に示されている方法は三元カーボネート
の正確なパターン作業に関するものでろる。

この方法は、陰画の薄膜レジストを用いる。カーボネー
ト粒子はフォトレジスト中に（固形成分の７５チ位迄）
入れられ、ボールミルですられ、カソードにスピンコー
ドするに適する粘度のスラリーを作る。例えば、７０％
のＣ為５ｒＢａカーボネート結晶がＫｏｄａｋ　（商標
）フォトレジストに入れられ、普通の光源に式らでれる
。分解能の下落を防ぐため、混合物は十分ボールミルき
れる。

この発明の実施時に当っては、０．０２５ｍｍ以下の像
寸法でも不満足でめる。前記５ｔａｎｆｏｒｄのＲｅｐ
ｏｒｔ　Ｋよシ示されたフォトレジストの方法は、この
技術のより微細な方向への応用を抑制するいくつかの困
難点をもつ。この方法の実施時、次のような問題がめる
ー。（イ）不透明なレジストを通してのウェハ位置決め
マーク合わせの困難性、（ロ）固形物により光の散乱に
よる解像度不良、（ハ）まぜものの入ったレジストをス
ピンする困難性、に）現像した区域に固体の残留物が残
ることにより余分な放出を防ぐための純粋なレジストの
アンダーコートが必要ｖｃ７にる、（ホ）放出層とカソ
ードの金属の間にレジスト層の残留物がめる（へ）レジ
スト表面に三重カーボネートかめるので、例えばガス等
の汚染をうけ後に放出の損失を起す（ト）改良された解
像度を達成するため結晶の寸法を小さくするにはカーボ
ネート粒子を強−くボールミルするが、これが放出効率
ＫＩ／′ｉ逆作用する（開放した酸化物構造を得るＫは
大キナカーボネート結晶が用いられる）。

適当な結晶寸法の三重カーボネートは商業的に入手でき
る。Ｗ、　Ｈ，Ｋｏ　ｈ　１著、ｒ　Ｃａｔｈｏｄｅｓ
ａｎｄ　　Ｈｅａｔｅｒ８Ｊが参考になる。フィラメン
ト式のカソード・エミッタで、カタフオレシス（電気泳
動によるカソード付着）によるアルカリ土元素カーボネ
ートのコートされた例が上記刊行物の５１９頁に示され
ている。

更に１カーボネートの局部的電解除去による、カタフオ
レシス付着フィラメント・カソードの形成も既に知られ
ている。長さが５〜１５ミクロンで断面の直径が１ミク
ロン以下の針状結晶が電子放出を得るのに好適な結晶構
造であり、更に針状結晶はフィラメント表面にほぼ垂直
にカタフオレシスにより付着できることが知られている
。

先行技術において既に、真空管用のマイクロミニチュア
平板カソード・グリッド構造がメジ、これに対して不願
の原理を有利に適用できる。米国特許第４１３８６２２
号に示した構成はその例を示す。

上記米国特許に示きれている装置は、グリッドがカソー
ドと実質上同じ面に６り又同じ基体上にあるので、三重
カーボネート・パターンを精密に又きれいに形成するこ
とを必要とする。カーボネートの付着形状における余分
の正規外の部分は、変則的な制御外のグリッド放出の危
険をもたらすが、その原因はグリッドがカソード金属と
同じ＜７００〜１１００℃の温度になるからでるる。こ
れら装置を微小化できる限界はカーボネート粒−ｆ−を
パターン形成する分解能の限界に依存している。

本発明の目的は、多ビームＣＲＴ用の新しい微小カソー
ド及びその製法を提供することでめる。

本発明の目的を更に細かく云えば、ＣＲＴカン−ドの電
子放出面をプレナー技術によ多形成すること、ウェハ表
面に三元カーボネートによりマイクロアレーを形成して
多ビームＣＲＴカソードを与えること、ＣＲ’ｌ’排気
作業中にカルシウム・ストロンチウム・バリウム・カー
ボネートを酸化物に形成すること、はぼ平らな表面に垂
直に大きい針状結晶を作り高い放出密度のＣＲＴ酸化物
カソードを提供すること、製造工程中の環境による損傷
や劣化を防ぐため包装したカーボネート構造を提供する
こと、この包装が熱活性化工程の初期加熱工程で実質上
除去される如くすること等でるる。

不発明の原理によれば、電子管用の電子放出層において
結晶の良い配向と良い包装を得るため三元カーボネート
の大型針状結晶を付着させるために電気泳動が用いられ
る。これは放出層を通して密集した集団的な開放構造で
有利な放出密度を与えている。本発明の方法は、カーボ
ネートのコーティングを必要とする所に、開口部のマス
クを作るためポジのレジストを用いる。このレジストの
開口部分に大型結晶のカーボネートが電気泳動によす被
塗でれる。第２の厚いポジのレジスト層が第１のレジス
ト層並びに埋められた開口部上にスピン・コートでれる
。この厚い第２の・層匹大きいマスクを用いて露光し、
第１及び第２のレジスト・コーティングにより完全に包
装されたカーボネート・パターンを残して作る。

更に詳しく云えば、通常のフォトレジストがシリコン技
術の方法と同様に形成され、カタフオレシスの発生する
区域を限定する電気的閉塞体として用いられる。このレ
ジストの持つべき要件は良い電気的絶縁体であり、又ピ
ンホールのないことでめる。ウェハの端部は、電界スト
レスが強くレジストが薄くその外側に余分のカタフオレ
シス付着が起るので、この端部に至る導電性金属層を存
在させないことが重要でるる。

特定して云うと、カタフオレシス付着液が用意される。

例えば、針状構造を持つ三元カーボネート粒子をエチル
アルコール液中で十分な時間、ボールミルし、割れた結
晶に表面電荷が現れるようにする。この表面電荷が、電
圧印加によって起る電界の影響に対し粒子を動かせるた
めに用いられる。付着物はレジストの開口部を埋め、又
レジストは適当な電気絶縁性でるることが必要でるる。

電気泳動で付着させると、粒子がその端で立つので、長
さ方向の断面に比べ小さい断面積で界面を占め、解像度
（精度）の点で有利きが得られる。

従って、同様の太′ｆ！１の粒子が横になった場合に比
べ解像度が高い。

こうして、本発明におけるマ不り上の開口部へのカタフ
オレシス付着が出来、このマスクはこの場合、先行技術
におけるが如きカーボネートを乗せたフィルムではなく
、通常の透明フィルムにおける写真製版の限界に到達し
ている。この形式はレジストに含ませるものに比べ、相
当に良い解像度を与える。三元カーボネート粒子はその
端で豆って開口部に付着し針の形で平面にほぼ垂直にな
る。電子放出層を持つカソードが包装きれにノ（ターン
を加熱すること匹より電子管内部において得られる。

本発明を実施する際の多ビームＣＲＴは基体の片側上に
アレー状をなして位置する複数のカソードを有する。

同じ基体の同じ面上に、カソードのまわりに間隔をとっ
てグリッドが置かれている。カソードを加熱するため、
基体にはヒータが連結している。

これらが合体した構造は機械的に安定で、例えば３５ｖ
以下の低いグリッド・カソード電圧と無視できる値のグ
リッド電流で動作でき、そのためカソードとグリッドの
間に適当な電圧が加えられれば、複数個の個々匹制御可
能な電子ビームが形成できる。この構造は、カソードの
寸法とカソード・グリッド間隔を写真製版で正確に規定
しつつ、バッチ処理で作製できる。

下記の如く多ビームＣＲＴのカソードの電子放出層が本
発明により提供される。

第１図（１）〜（５）は本発明を適用するのに適した先
行技術の工程を示す。ステップ１として、基体１４上に
接面１５で支えられ外面１２を有する金属層１０がある
。ステップ２で面１２上に純粋なネガのフォトレジスト
で面１８を持つ薄い層１６か付着でれる。例示的に云っ
て三元カーボネートを含ませられ外面２２を持つネガの
フォトレジスト層２０が面１８土にステップ６で付着さ
れる。ステップ４でレジストに図示してないマスクを通
して特定のパターンに露光され、現像でれたパターン２
４を残し、これは層１６の一部と、三元カーボネートを
含むレジスト２２の一部からなり、純しジス）　２４．
１とカーボネート粒子２４．２を含む。

パターン２４の境界は面２６、左の境２　Ｂ、　１　、
右の境２ａ２である。ステップ５でレジスト２６．１が
加熱により焼失しほぼ同時にカーボネートが崩落し、こ
れが基体１４上に所要の例えばＣａ５ｒＢａ酸化物パタ
ーン６０を形成する。

第２図（１）〜（６）は本発明による電子放出層の製造
工程を示す。第１図の従来の工程のように、ステップ１
として、カソード基体１４が面１２を有する金属層１０
を接面１５で支持しているものを用意する。ステップ２
で金属セグメント４１を規定する開口４０を有するポジ
のフォトレジスト４２が露光と現像により付着でれる。

フォトレジストの左セグメン）　４２．１と右セグメン
）４２．２が開口４００両側にある。

ステップ５で開口４０内に、Ｃａ５ｒＢａカーボネート
のパターン４４がカタフォレシスにより付着でれる。針
状カーボネー）　４４．１の実質上の大部分がセグメン
ト４１にほぼ垂直に揃えられる。

ステップ４で、ポジのレジストの厚い包６がパターン４
４と隣のレジスト４２．１と４２．２の上に付けられる
。ステップ５でポジのレジスト層４２．４６がステップ
２０時より大きい開口のめるマスクにより露光され、現
像され台４８を残すが、これは元の層４２．１と４２．
２の一部を含む側部包装と元の層４６のレジス）　４８
．１とカーボネート・パターン４４よりなる。ステップ
６で台４８のレジストか焼滅され、その間にカーボネー
トが所期のＣａ５ｒＢａ組成の酸化物パターン５０に焼
成される。

第２図に示した本発明は下記の利点を有する。

（１）残留して沈澱した、即ち非力タフォレシス・コー
トでれたカーボネートは、接面Ａ（第２図（５））を除
いて、最終のレジスト現像時に除去される。

（２）写真製版の高精度により、第１図の如き材料を含
ませたレジストによる技術の場合に比べ、材料を含ませ
ないポジのレジストとカタフオレシス処理の使用はカソ
ード形状をより良い形で画成できる。

（３）　　カソード・パターン５０は金属層に接してい
るので、特に加熱して活性化した後の半導体的なＣａ５
ｒＢａ酸化物結晶との間に良い電気的接続が生じる。

（４）写真製置用に強いボールミル作業を要しないので
、より大きな結晶４４．１が第１図の場合に比べて良い
電子放出を行なう。

（５）垂直に方向の揃った結晶４４，１は、電子放出性
、構造、開放型包装、放出層の上から底迄の結晶性の点
で優れており、形状及び画面での性能向上を伴っている
。

（６）パターン４４の上にレジストのバインダがろるの
でパターン４４の焼成時に、よりよい接着が得られる。

（７）包装物質となるレジスト４８．１かめるので、電
子管内に入れる際の汚染が防げる。

（８）　　包装てれたカソード体はカソード構造の荒い
扱いに耐える。カーボネート付着後に、溶接、切り込み
入れ、切断等のウエノ・作業を許す。

第３図は本発明の多ビームＣＲＴ６０で、これは管６２
、螢光スクリーン６４、ビーム加速、集束、偏向装置６
６、第４図に示され管６２の首部に６る構造６８を含む
。この構造６８は図示の如く、複数の線７２．７４によ
り電気的入力信号源に接続されている。

第４図は構造６８の詳細を示す。構造６８はサファイア
等の高温での絶縁′体で熱伝導性の良い基体７６を含ん
でいる。基体７６の背面には、タングステン、モリブデ
ン等の抵抗性左耐火性のめる金属からなる薄膜ヒータ７
８がめる。基体７６の前面にはカソード配列８０Ａ、８
０Ｂ、８０Ｃとこれらをと！ｌｌマ＜変調グリッド配列
８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃがるる。これらカソードとグリ
ッドは同一平面内に、Ｉる。カソード８０Ａ１８０Ｂ１
８０Ｃとグリッド８２Ａ、８２Ｂ１Ｂ２Ｃは同一面上に
あることが必要だが、この面が平面でるる必要はない。

カソードはグリッドよシ後退していてもよい。複数本の
線７２のうちの１本が電源からヒータ７８に、そして又
複数本の線７４のうちの１本がヒータ７８から電源ｊｃ
ｌＫ行ッテイる。線７２．７４からは図示してないが、
カソード８０Ａ、８０Ｂ。

８０Ｃ１グリッド８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃへも配線され
ている。第５図にその一部分が示されている。

構造６８は、写真製版によってバッチ形成できる。例え
ば、カソード８０Ａ１Ｂ、ＣＬｒ１モリブデン、タング
ステン、プラチナ、その他の耐火性金属薄膜を付着式せ
、従来の写真製版技術で形を決めて作れる。

これらカソードは電子放出性を与えるため、本発明に従
って、フォトレジストとＣａ５ｒＢａのカーボネートの
混合物を用いて形成される。基体を真空中で約１０００
℃迄に加熱すると、約５００℃でフォトレジストが蒸発
し、電子放出性で適当な電圧を加えて従来形式で活性化
できるカソード８０Ａ、Ｂ、Ｃが得られる。このバッチ
形成法はカッニド、グリッドの線を幅１０ミクロン程度
に迄こまがく作るような微小寸法制御能力を持っている
。

動作する際には、薄膜ヒータ７８が基体７６を約７００
℃に加熱し、電子放出が十分起るようにする。カソード
８０Ａ、Ｂ、Ｃは、オン・オフ制御されるため、グリッ
ド８２Ａ、Ｂ、Ｃに対し各々バイアスでれる。別法とし
て、隣接するグリッド例えば８，２ＢＸＯは、単一の電
極で代用してもよい。

第５図は、三元カーボネートのカタフォレシス付着時に
カソード電極を共通に接続する手順を示す。大量生産の
ためＫＦｉ、従来のシリコン・チップによるＩＣウェハ
の技法が利用できる。カソードの一部をなす導体回路は
、動作上グリッドから電気的に離しておかねばならない
。しかし、カタフオレシス・コート処理を行なうため、
１つのチップ上のカソードは電気的にすべて共通に接続
されねばならない。さもないと、各カソードへゐチップ
の他端からの接触が必要になる。ウエノ１上のチップ２
個毎に、一方のチップのグリッドから他方のチップのカ
ソードへと接続が得られる。このようにして、１つのチ
ップ上のすべてのカソードを共通接続するために、隣接
する各チップの間の接続を利用できる。チップが個々に
分離される際、カソードから隣のグリッドに至る接続が
切られ、ＣＲＴとして使用する際必要な各カソードの分
離ができる。

前記のように第５図は本発明により、カソードをカタフ
オレシスによシ作る技術を示す。第５図（１）は、開口
４０．１〜４０．４がフォトレジスト層４２、２　Ｋ　
ｅつて、カーボネートの針状結晶を埋め込む前の形を示
し、その断面が第５図（２）ｖｃ示されている。金属層
１０．１は基体１４．１の周辺１５から距離りだけ引き
込んでおり、このサファイア等の基体の全面にフォトレ
ジスｌ−付けてから、カタフオレシス付着をする際に、
電界を強める端部を形成しない。そこで、電界はカソー
ド４０．１から４０．４の全体に亘って均一で、電子放
出層の付着処理時に、時間及び電流の点で均等に扱える
。第５図（３）は、第２図の手順が複数カソードになっ
たところを示し、その断面図を第５図（４）に示す。電
子放出体５０．１〜５０，４と導体５１．１〜５１．４
の各々のまわりに溝５３，１〜５３．４が切られている
。

最終的チップ５５は境界５５．１〜５５．４　Ｋより規
定される。残存金属５７は第３図、第４図に例示したよ
うなグリッドとして働く。前述のようにこのグリッドは
個々に分断してもよい。チップ５５を最終迄形成した後
、境界５５．１〜５５．４に沿って基体１４．１と金属
１０．１から切り離すとチップ５５が出来る。第５図（
３）で一部の番号は第２図と関連させてるるか、ここで
サファイア等の基体１４．１は、その端１５から距離り
だけ入った所に金属１０．１を有する。チップ上にはカ
ソードが４個５０．１〜５０．４として示されている。

これらの各々はテップの端に至る導体５１．１〜５１．
４を有する。チップ上の各カソード基体と導体は、非導
電性区域で囲まれておシ、例えばカッー゛ド５０，１と
導体５１．１は非導電性区域５３．１　Ｋより囲まれて
いる。

電子放出層４Ｂ、１〜４８．４は第２図（５）ニ示した
手順で包装体４ａｌ〜４ａ４（一部図示略）により包装
嘔れる。基体上の導体には接続用パッドが各々付けられ
る。これにより各電極が個々に制御を受けられるように
なる。グリッドは固定電位になるように一括してグリッ
ド・パッドに接続してもよい。多ビームＣＲＴの形式に
よっては、グリッドを別々のバッド匹接続して、個々に
電位を与えて各グリッドを制御する。カソードとそれを
囲むグリッドとの間の電位は個々に変調できる。これは
、カソード電位固定でグリッド電位を制御、又はグリッ
ド電位固定でカソード電位を制御、又はカソード並びに
グリッドの電位両方を個々に制御して行える。

各カソードに対する平板グリッドの各々は、円型のカソ
ードのまわυを取９囲むＣ形をなしていてもよい。カソ
ードが十字形で、平板グリッドがいくつかのカソードを
囲んでいる形でもよい。

不発明による多ビームＣＲＴは多くの利点を有する。写
真製版の使用は、カソードとグリッドの寸法や間隔を微
細に制御できるようにし、高利得で高い分解能のカソー
ドを持つＣＲＴを与えている。写真製版によるとグリッ
ドとカソードの間隔が小さいので、大きな相互コンダク
タンスと小さいグリッド−カソード電圧が得られる。共
通平板上のグリッドは、強固な構造でマイクロッオニツ
ク雑音がなく、グリッド電流もないか、めってもごく僅
かでるる。カソードとグリッドとヒータが一体化して組
立体となっているので機械的に安定した構造である。更
に、写真製版の利用は、カソード−グリッド配列の集団
的同時作製を可能にし、コストを下げる。

本発明を実施する際の、電気泳動のための溶液は種々の
方法で調合できる。必要なことは粒子の表面に電荷をつ
けることである。これは通常少量の自由にイオン化する
添加剤を加えて低導電性の溶媒中で三元、カーボネート
をボールミルすることにより得られる。結晶がミルによ
り砕かれると、高度に反応性のめる新鮮な破断面が出来
、これがイオンを吸着する。これにより電気泳動じより
移動でき、又付着できる荷電粒子が与えられる。以下に
おいて、電気泳動のためのカソード用カーボネート懸架
液の処方を説明する。

約０．５１Ｊツトルの磁器の混合容器に８０チエチル・
アルコールで２０％メチル・アルコールの液を２００か
ら２５０ミリリットル注ド、５０から５８グラム（９か
ら１１個のボール）のボール材を加える。コート用法澱
物材料を１０〜１５グラム加え、容器をシールし、混合
機で２４〜４８時間の間、６７　ｒ、　ｐ、ｍ、で混合
する。その後、容器ヲ堆υ外すと、中のアルコールの中
にコート用沈澱物が懸架されて残っている。使用前に振
る。上記の量で約５０ｇのコート用沈澱物が出来る。

非導電性溶媒中べのカーボネート沈澱物の溶解性が限ら
れているので、イオンが供給される。純粋な蒸溜水、メ
チル・エチル・アルコール、有機エステル等が絶縁性分
散媒として用いられる。

前記の懸架液で、電圧１０〜１００ｖ、時間６〜３０秒
かけてカタフオレシス・コートができる。

電圧と時間は試行により決められる。低い電圧の方が滑
かな付着が得られる。本発明の原理による針状粒子は、
・カソード物質として有用でめるが、前記のようにコー
トする面に垂直に長軸を立てて配向式れ付着するので、
更に有利でめる。カタフオレシス付着物は極めて軟かく
、傷つき易い。ノくリウム蟻酸塩水溶液等の付着促進剤
を一添加することは既に知られている。付着物をこの溶
−ｉ匹入れた後、乾かす。別法として、例えば２〜５チ
の少量のバリウム蟻酸塩を当初の電気泳動懸架液にとか
してもよい。バリウム蟻酸塩は溶解してノくリウム・カ
ーボネー）Ｋ分解するので選定でれた。これは、カーボ
ネートの粒子同志の及びカソード基体への付着を促進し
、カソード・コートに悪影響を及ぼさない。

第２図（２）において、第２図（１）の平板グリッド・
カソード用絶縁つエノ・上に旧来形の写真製版レジスト
・マスクがのせられている。このウエノ・は例えばサフ
ァイアで金属層としてタングステン４０００又とチタン
１０００λを蒸着されて、いる。しシストとしてはＮｏ
ｖａｌａｃレジンは良い絶縁性を持つ。

第２図（３）でカソード基体に、図示してない電源が接
続され、レジスト開口をカタフォレシス付着で埋めるよ
う、例えば２５Ｖで５秒間電圧を加える。

第２図（３）の付着物を例えば８０℃で５分間加熱する
。次にこのカタフォレシス付着物をバリウム蟻酸塩飽和
水溶液に浸し、カーボネート粒子の粒子間と基体への付
着を促進するよう加熱する。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行技術における工程図、第２図は本発明の工
程図、第６図は本発明の電子放出層を用いるカソードを
有するＣＲＴの断面図、第４図は第３図のＣＲＴのカソ
ードの断面図、第５図は本発明によるＣＲＴカソードを
チップ上に形成する工程図である。 １４．７６・・・・基体、１０・・・・金属層、４０・
・・・開口、５０．８０・・・・電子放出体。 ― ロ　　−Ｉ　　　　　　　　　　　Ｑ　　嘴ｔ　　　　
　　　　　　　　ｏ　　曽Ｑ 匡

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　電子管のカソードに用いる電子放出層におい
   て、はぼ平坦な一面を有する絶縁性基体と、上記基体上
   に付着された金属層と、 上記金属層に対しほぼ垂直に付着した針状粒子状の電子
   放出物質からなる電子放出層。
2. （２）電子管のカソードに用いる電子放出層の製法にお
   いて、 金属層の付着されたほぼ平坦な一面を有する絶縁性基体
   を用意し、 予定の位置に開口を有するマスク層を上記金属層上に付
   着し、 少なくとも上記開口内に針状粒子状の電子放出物質の材
   料をその長手方向が上記金属層に対しほぼ垂直！ＩＣな
   るように付着させ、 次に上記電子放出物質の材料の付着状態を保ったままこ
   れを電子放出物質に変化させることよシなる電子放出層
   の製法。