JPS587615A - 画像選択表示方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、画像を選択的に表示する方法及びかかる表示
を行うための電解表示装置に関する。

ｔ！セルは、液晶及びエレクトロクロミック表示装置の
双方に使用されている。エレクトロクロミック表示装置
においては、電解セルを通して表示装置電極に電流が与
えられると、電極に存在する又は電極付近に存在するエ
レクトロクロミック材の色が眼に識別可能な程に変化す
る。

周知のあるエレクトロクロミック表示装置（例えば、英
国特許１３７６７９９号に開示された表示装置）は、溶
けているときには透明だが表示装置電極上に電着された
ときには着色する溶液中のエレクトロクロミック物質を
使用する。着色及び透明状態はレドックス対を形成し、
堆積された着色材は電流方向を反転させることによって
電解的に除去され得る。このような表示装置において使
用されるエレクトロクロミック物質として最も良く知ら
れているものは、一般に１ビオロゲン（ｖｉｏｌｏｇｅ
ｎｓ）’と指称されるビピリジン化合物（ｂｉｐｙｒｉ
ｄｉｎｉｕｍ　　ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）である。

１．１′−ジヘプチルー４，４′−ビピリジン　シカチ
オ７　（１，１’−ｄｉ−ｈｅｐｔｙｌ−４，４’　−
ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｉｕｍ　ｄｉ−ｃａｔｉｏｎ　）の
ようなビオロゲンのシカチオン（ｄｉ−ｃａｔｉｏｎ）
は溶液中においてしばしば透明となり、紫色を示すラジ
カルｅカチオン（ｒａｄｉｃａｌ　　ｃａｔｉｏｎ　）
に電気化学的に環元され得る。例えば臭化物、燐酸塩又
は燐酸塩／次燐酸塩混合物のような適当な陰イオンの存
在下で、発色したビオロゲン・ラジカル塩が陰極）：次
沈積される。

厳密にはエレクトロクロミックではない別の電気化学表
示装置は、透明電極を不透明にするために例えば金属薄
膜のような堆積物を電極上に有する。このような表示装
置の初期のものはＪ。

Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ　　Ｓｏｃ、Ｖｏｌ、１０９、
ｐｐ９９２−９９３．１９６２に掲載されたＪ、　Ｍａ
ｎ　ｔｅ　ｌ　ｌ及びＳ　　Ｚａｒｏｍｂの論文に掲載
されている。黒銀の可逆電気めっきに基く表示装置が、
１９７８Ｂ　ｉ　ｅ　ｎ　ｎ　ｉ　ａ　Ｉ　　Ｄ　ｉ　
ｓ　ｐ　Ｉ　ａ　ｙ　　Ｒｅ　ａ　ｅ　ａ　ｒ　ｃ　ｈ
　ＣｏｎｆｅｒｅｎｃｑＣｈｅｒｒｙ　　Ｈｉｌｌ、Ｎ
、　Ｊ、の会報の第３４頁乃至第６７頁に掲載されたＤ
ｕｃｈｎｅｎｅ外の’ＥｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃＤｉｓ
ｐｌａｙ”という題名の論文に開示されている。

上述のようなエレクトロクロミック及び他の電解表示装
置は、伝送光又は反射光が投射される。

書込領域と非書込領域との間の光吸収の差によって表示
装置の性能の重要な測度であるコントラスト比が決定さ
れる。このコントラスト比は、堆積される材料の厚さ及
び該材料の吸収係数の関数である。上記（）ｕｃｈｅｎ
ｅの論文には、また、銀を堆積することによって光散乱
に寄与する光吸収の変則的改良についても論及されてい
る。

白銀電極を使用するビオロゲンをベースとした表示装置
の場合には、ビオロゲン電荷密度が２ｍ２ Ｃｃｍ　　に相当するビオロゲンを堆積させた状態で３
：１以上の明順応コントラスト比（ｐｈｏｔｏｐｉｃＣ
ｏｎｔｒａｓｔ　　ｒａｔｉｏ）を得ることは困難であ
ることが判明した。堆積物の厚さを増大させると、堆積
物を改変できなくなり、また書込時間が増大するために
マ）　ＩＪクス・アドレス表示装置のｌを著しく制限し
てしまう。

ＩＢＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　
ＢｕｌｌｅｔｉｎＶｏｌ、２３、Ｎｏ、１、Ｊｕｎｅ　
１９８０．ｐ３９７に掲載されたＷ　Ｂ、ｐｅｎｎｅｂ
ａｋｅｒによる１ＩＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌ
ａｙ　ｗｉｔｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ
Ｃｒｅａｔｅｄ　　Ｇｒａｆｉｉｎ３ｇ　５ｔｒｕｃｔ
ｕｒｅｓ”という題名の技術開示書には、染料としてビ
オロゲンまたは銀を使用することにより電解表示装置に
おいてコントラストを得るための回折を基礎とする別の
技術が記載されている。アドレス可能アレイの個々の画
素は、格子構造によって形成される電極から成る。した
がって、ビオロゲン又は銀の堆積によって格子が形成さ
れ、すなわち格子が強化される。書込を受けた画素は、
照射されるときに入射光を投影装置に回折させ、書込を
受けない画素はこのような作用をしない。従って、コン
トラストはバックグラウンドに対する回折外の相対的強
さにのみ依存する。このような装置によってもたらされ
るコントラストの改良は、各画素面において比較的複雑
な格子構造を形成するという犠牲をもってしてのみはじ
めて実現するものである。

液晶表示装置のコントラスト発生メカニズムについて説
明すると、電界効果液晶材は表示装置の書込領域の液晶
材による光の偏光に依存する。電界効果表示は投射光に
よって行われなければならないので、２つの偏光子を必
要とする。別の種類の液晶材は、液晶材による光の動的
散乱に依存し、反射光で動作する。動的散乱表示装置に
おいてコントラストを発生させるには、観察者が見るこ
とのできる散乱（拡散的に反射した）像を形成する角度
から表示装置を照射し、視界から平行光像を偏光させる
。この技術の例は、米国特許第３９４７０９１号及び′
第５９９２０８１号に開示されている。

像が沈澱によって形成される種類の従来の電解表示装置
は、特に高速繰返し動作を必要とする場合にはかろうじ
て見ることのできるコントラスト比となってしまう。こ
れに代わるものとして提案されている回折に基く表示装
置はコントラストを改良するが複雑な電極面の製造を必
要とする。

本発明は、従来実現も開発もされなかった電解表示装置
の光散乱特性に基くものである。本発明は、実質的に非
散乱性の面に画像を選択的に表示する方法であって、入
射光が書込みを受けた領域によって平行光方向（５ｐｅ
ｃｕｌａｒ　ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）から散乱されるよう
に所要の画像形態で実質的に非散乱性の面に光散乱沈澱
物を可逆電着することによって表示装置に書込みを行う
過程に含むものである。

本発明の実施に使用する装置は、実質的な非散乱面を有
する複数の表示電極と、溶液中において可逆沈澱可能な
物質を含む電解質と、選択された電極上に所要の像形態
で可逆沈澱可能な物質を堆積させるために上記選択され
た電極を電気的に付勢する書込手段と、実質的に唯一の
平行光成分及び非平行光成分から画像が形成されるよう
に配置された光学装置とを具備し、上記堆積物質は付勢
電極上の該堆積物により入射光が平行光方向から散乱さ
れる光散乱特性を有することを特徴とするものである。

上記本発明の方法及びその実施に使用する装置によれば
、コントラスト比は理論上無限大となり、実際上もビオ
ロゲンを使用した場合でコントラスト比が３０＝１にな
る。反射光の平行光成分及び非平行光成分は分離され、
書込領域のみが非平行光成分発生に寄与する。光学装置
は、１つの平行光成分及び非平行光成分を伝送するため
に不必要な光を制限するように構成されることが好まし
い。

非平行光成分は伝送光であることが好ましい。

このように書込領域に相当する領域において形成された
像は暗いバックグラウンドに対して明るい。

平行光成分を伝送することも可能であり、この場合には
像は明るいバックグラウンドにおいて暗い領域として受
取られる。しかし、平行光成分方向からそれた方向だけ
でなく平行光成分方向にＧう方向にかなり散乱があるの
で、コントラスト比は偏光子を使用することによっであ
る程度改良され得るがかなり低くなってしまう。レイリ
ー−ミー・メカニズム（Ｒａｙｌｅｉｇｈ−Ｍｅｅ　ｍ
ｅｃｈａｎｉｓｍ）が成立すると仮定したにもかかわら
ず、平行光方向の周囲の散乱光の角度分布が測定可能な
程生じなかった。

千行光反射明電極が使用されたが、理論的には電極を明
るくする必要はなく、電極は単に書込みを受けた状態に
おいて実質的に非散乱性であればよい。非書込領域に入
射する光を吸収するために暗電極を使用することができ
る。

面を斜めに照射して、平行光方向の反射光を排除する入
射ひとみを通るように像を投影することが好ましい。コ
リメーションの程度を高めれば、平行光成分と非平行光
成分との分離をより完全に行うことができる。さらに、
レンズを使用してもしな（てもまた照射用に昼光を使用
しても部屋光を使用しても直接観察表示装置を得ること
ができる。

表示装置を照射するには種々の方法を採用し得る。例え
ば、コンデンサ・レンズ、光ファイバ、又は後部に適当
な形状の反射器が設けられたランプを使用することがで
きる。得られるコリメーションの程度によって決まる制
限内において、最大の明るさを得るために可能な限り平
行光方向に散乱光を集めることが望ましい。ただし、投
影レンズの寸法及び位置のような実際的な制限により、
伝送光は平行光方向に対して約４５°の成分に制限され
る。

実施例においては、ビオロゲンを用いて散乱効果を得て
いるが、本発明はこの類の物質にのみに限定されるわけ
ではな（、銀のような他の電着物を光散乱に使用できる
。なお、好ましいビオロゲンとしては、１．１′ジ・ｎ
ヘプチン−４，４′ビピリジン燐酸塩及び次燐酸塩の混
合物（ａｍｉｘｔｕｒｅ　　ｏｆ　　１．１’　　ｄｉ
−ｎ−ｈｅｐｔｙｌ　　４゜４’　ｂｉｐｙｒｉｄｉｎ
ｉｕｍ　　ｐｈｏｓｐｈａｔｅ　　ａｎｄｈｙｐｏｐｈ
ｏｓｐｈｉｔｅ）をあげることができる。

本発明においてビオロゲンを使用した場合、吸収モード
において６：１のコントラスト比を得るのに必要なビオ
ロゲンの１／４の量で３０＝１までの高いコントラスト
比を得ることができる。電荷密度は０５乃至１．０ｍｃ
ｍ〜２であることが好ましい。

また、電流密度を０．５Ａｃｍ−２一定とし、書込時間
を１乃至２ミリ秒として表示装置に書込みを行うのが好
ましい。こわらの特定の条件によって最も良い散乱特性
を得ることができる。

電極物質としては金が好ましい。ただし金が唯一の電極
物質というわけではない。銀やチタンのような他の光沢
のある物質を使用しても散乱を行わせることができる。

ただし、チタンの場合には酸化物薄膜を形成するおそれ
はある。

以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明
する。

第１図及び第２図に示された電解表示セル１゜は単一の
固定フォーマット像のみを表示し得る実験セルである。

表示セル１ｏは基板１１２）に形成された光学的に平坦
な金電極がら成る矩形アレイ１１を含む。固定フォーマ
ット像を形成する電極１１は電気的に接続されるが、残
りはダミイである。

なお、第１図に示された電極の数は、わかりゃすくする
ために実際の数よりも少な（されている。

第２図に示されているように、クロム／金／クロムの導
電三重層１３へのこれの電極の接続は、ポリイミド絶縁
層１５に形成された孔１４を介して行われる。金は孔１
４に充填されるように絶縁層１５０面全体に蒸着される
。個々の電極１１のアレイは、蒸着された金の表面層を
マスキングしエツチングするようによって作られる。電
極１１０面は光を散乱させないように光学的に平担にさ
れている。電極面は平行光反射体として作用しなければ
ならない。

電極１１のアレイの周囲には透明アクリル材からなる耐
液性フレーム２０が設けられる。フレーム２０には管２
１を通して電着可能物質を含む電解質が充填される。電
着可能物は、本実施例では水溶液中の１．１′ジーｎ−
へブチル−４，４′−ビピリジン燐酸塩と次燐酸塩の混
合物（ｍｉｘｔｕｒｅｏｆ　１．１’　ｄｉ　−ｎ−ｈ
ｅｐｔｙｌ−４，４’−ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｉｕｍｐｈ
ｏｓｐｈａｔｅ　ａｎｄ　ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｉ：
＋ｔ１ｇ−）である。

白金黒が堆積されたＬ型白金ホイル・ス）　ＩＪツブで
ある反対電極２２がセル・フレーム内に密封される。ま
た、純粋な銀の棒でなる基準電極２３がフレーム内に延
設され且つセル・フレーム壁内に密封される。共通導電
層１３への電気的外部接続は、絶縁層１５に形成された
窓２４によって行われる。

上述したセルは一般的な外部回路によって周知の態様で
駆動される。セルに書込みを行うために、定電流源６１
が動作電極１１に接続されるように所定時間の間スイッ
チ３ｏが閉成される。所定値の電荷密度線」二になると
、接続された電極１１において相当量のビオロゲンが還
元してラジカル・カチオン状態になる。還元されたラジ
カル・カチオンは溶液中においてアニオ、ンと結合され
、電極上に沈澱する。本例においては、１．０ｍＣｃｍ
−２より低い電荷密度に対応する量のビオロゲンが沈澱
されるが、この沈澱物は、コントラストを得るために光
の吸収に頼らなければならないときには容易に見ること
のできる堆積物を形成しない。第１図において、沈澱は
電極に斜線を付すことによって示されている。これはわ
かりやすく図示するためであって、後述するように、暗
いバックグラウンドに対して明るい像の実際の外観を示
すものではない。

像が書込まれると、スイッチ３ｏが開放される。

沈澱及び像は一分以上の間セル上に保持され、この間セ
ルは開放回路“保持”状態にある。

像は周知の電位可変技術（ｐｏｔｅｎｔｉｏｓｔａｔｉ
ｃｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）によって消去される。これは、
第１図の表示装置において、高インピーダンス増幅器で
あるオフセット・バッファ６６の出力を共通電極１１に
接続するためにスイッチ３２を閉成することによって行
われる。増幅器３３の入力は、基準電極２３によって感
知された溶液電位である。

増幅器６６のオフセットΔＶは、溶液中の裸の金電極の
電位に相当する消去電位−に等しくされる。

基準電極２３から電流を導出することなく、バッファ増
幅器３３は電極電位が基準電極に対する出力電位ＶＦ、
に到達するまで電極１１に消去電流を供給する。

上述の説明から明らかなように、第１図及び第２図に示
された表示装置は、書込みに使用されるビオロゲンの量
が通常可視状態にするのに必要な量よりもかなり少ない
ことを除いて一般のエレクトロクロミック表示装置と同
一である。しかし、書込みを受けたビオロゲンの薄い層
は優秀な光の散乱体となる。このため、従来吸収のみに
頼って得ていたコントラスト比よりも非常に高いコント
ラスト比を得ることができる。

第３図に示されているように、入射光Ｉは鏡のような反
射電極面に入射する。表面が被覆されていなければ、入
射光は反射の法則に従し・、反射光線Ｒが生じる。しか
し、光散乱層が堆積されて表面に変更が加えられている
ので、い（らがの入射光は平行光方向からずれて散乱す
る。散乱光線の１つがＳで示されている。散乱の程度は
表面特性及び入射光の特性に依存する。ここにおいては
、レイリー・ミー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ−Ｍｅｅ　）散乱
メカニズノ、が成立するものと仮定する。

平行光方向に沿つ光が非平行光方向にＧ５光と分離され
、光弁が形成される。散乱層による書込みを受けた電極
のみが、非平行光方向に光を放射する。書込みを受けな
い電極は実質的にすべての入射光を平行光方向に反射す
る。この結果、非平行光方向のビームが選択されると、
書込みを受けた電極が明るくなり、書込みを受けない電
極が暗くなる。理論的には、コントラスト比は無限大で
あるが、実際には、書込みを受けない電極及びその周囲
の不完全性すなわち不規則性によって小量の光が散乱す
るので、特定のバックグラウンドが明るくなる。

この効果を利用した光学装置が第４図に示されている。

セル１０は赤外線ミラー５１及び非球面レンズ５２を通
してランプ５０によって照射される。ランプ５０の背部
には反射体５６が設けられる。照射装置は、ターゲット
１０に約４５度の角度で斜めに衝突する比較的制限され
た角度方向の発散を伴なった部分的にコリメートされた
光の収束ビームを発生する。平行光方向に沿って反射さ
れた光線は逆反射体５４に向い、逆反射体５４は、この
光をターゲットへ向けて反射する。書込みを受けた電極
からの散乱光の一部は、投影レンズ・アセンブリ５５に
よって集められ、スクリーン（図示せず）に投影される
。レンズに対する入射ひとみは、投影用の非平行光成分
のみを伝送するために不必要な光を光学的に制限する。

０、６６　ｍ０ｃｍ２の電荷密度に相当する量のビオロ
ゲンを使用した場合、２４：１のコントラスト比カ得ら
耗た。５０Ｗのタングステン・ハロケン・ランプで照射
した場合、中央スクリーンの輝度は６倍の倍率で３９０
　Ｃｄｍ−２を得られた。コントラスト比は６０秒経過
すると１５％減少した。

動作は幾分温度の影響を受ける。２７℃乃至３１℃の範
囲が好ましい。表示を電位変化により消去するのに１０
０　ミＩＪ秒要した。３ｏｏｏ回までの表示の書込／保
持／消去サイクルを失敗することなく行うことができた
。使用された動作サイクルは、 書込み　　　１２ミリ秒 保持　　６，１秒 消　去　　１００ミリ秒 保持　１秒 であった。回折格子として作用する画素の縁部のよりな
アレイの規則的な繰返しによっである特定量のバックグ
ラウンドの輝度が生じることが判明した。このバックグ
ラウンドの輝度はアレイの軸に対して４５度の角度で表
示装置を照射することにより最小にすることができる。

事実、このようにすることによりバックグラウンドの明
るさは１／４に減少した。

第５図及び第６図は、第１図、第２図及び第４図の表示
装置の最適な動作条件を得るためにビオロゲン電着物を
使用したときの光の散乱に関する種々の実験結果を示す
。

第５図は上記ビオロゲンを使用した表示装置における印
加電荷に対する輝度（明るさ）の変化を示す。表示装置
は４５度の角度、で照射され、輝度はスポットメータに
よって表示装置に垂直の方向で任意の単位で測定された
。電荷は時間の関数又は印加電流密度の関数として変化
する。電荷密度が約０．４ｍＣｃｍ’より大きくなるま
で測定可能な散乱は生ぜず、また輝度の増加は１．０ｍ
Ｃｃｍ−２付近から時間の関数の場合鈍くなり始め、電
流密度の関数としての輝度は副反応の開始により時間関
数としての輝度よりかなり低い値となる。

第６図は、印加電流が０．５ｍＡｃｍ−２という一定電
流密度を有する場合に基準電極によって測定した溶液電
位の変化を示す。約１．２　ミリ秒の時間経過まで電位
は所要のｖ２＋→■１°還元のみ生じる値である。

約１２ミリ秒経過の時点において、■＋°→ｖ０還元が
始まり、２ミリ秒間電流が継続して印加されれば、水素
が放出される。２ミリ秒経過の時点で、書込電流パルス
の発生が停止し、溶液電位はｖｏに対応したネルンスト
（Ｎｅｔｎｅｔ）電位に低下し、続いてｖ＋°の電位に
低下する。

第１図、第２図及び第４図の表示装置は、単一画像のみ
が生じる固定フォーマット表示装置である。本発明はこ
のような表示装置に限定されず、各要素が個別的にアド
レス可能なマトリクス表示装置にも同様に適用可能なの
はもちろんである。

このような表示装置の動作原理は周知であり、その−例
が第７図に示されている。

第７図の表示装置は多くの点で第１図の表示装置と類似
しており、１．１′ジ−ヘプチル−４，４′−ビピリジ
ン燐酸塩及び次燐酸塩の混合物の水溶液を含む密封され
たセル６６を具備する。セル内には、一対の銀の基準電
極６０及び６１と、電位Ｖ　の電圧源に接続された白金
黒の反対電極６４と、各電極が画素を形成する同一輝度
の金の表示電極６５のアレイとが設けられている。図を
わかりやすくするために、第７図には４行４列の１６個
の画素のみを示しであるが、実際には、非常に多くの画
素が使用される。基準電極６０及び６１は回路６２の制
御の下に交互に使用される。

画素６５は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）６６の対
応するアレイ上に形成され、各画素は関連のＦＥＴ６６
のドレインに金属処理によって電気的に接続される。Ｆ
ＥＴはシリコン基板上に形成さね、その上に無機的又は
有機的な不動層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　　１ａｙｅ
ｒ）が堆積される。

表示セル６３の書込み及び消去動作は、駆動回路によっ
て外部から供給される制御信号に応じて制御される。書
込動作は定電流処理であり、消去動作は電位を変化させ
て（ｐｏｔｅｎｔｉｏｓｔａ　ｔ　ｉ　ｃ　）行わねる
。

各画素６５はスイッチとして動作する関連のＦＥＴ６６
によって書込みを行うために選択される。

個々の画素は、行選択シフトレジスタ６８及び列選択シ
フトレジスタ６９にそれぞれ行及び列データをロードす
ることによって指定される。行及び列選択シフトレジス
タ６８及び６９は関連した行及び列駆動回路７０及び７
１を制御し、駆動回路７０及び７１はＦＥＴマトリクス
のゲート及びソースにそれぞれ接続された行及び列線７
２及び７６のうち選択されたものを付勢する。行線７２
が付勢されると、その行のＦＥＴによって列線７３を流
れる書込又は消去電流がその行の画素６５に流れること
が可能になる。

行駆動回路７０は、それぞれシフトレジスタ６８の１つ
の段に関連したエンノ・ンスメントモード・デバイス７
４とデプレッションモード・デバイス７５のようなトラ
ンジスタ対の列を含む。これら２つのデバイスは、シフ
トレジスタ回路を行選択線のローディングから絶縁する
線駆動インノ（−タを形成する。

列駆動回路７１は、線７６に消去電流と書込電流の双方
を供給しなければならない点で若干複雑である。どちら
かの動作を行わせるために線７６を選択するのは、関連
したシフトレジスタ段の内容に従ってトランジスタ・ス
イッチ７６によって行わわる。

書込動作は、基準電流■ｓｗを書込線７７に切換えるこ
とによって選択される。トランジスタ７８は、多数の結
合トランジスタ７９が各列について１つずつ基準電流に
等しい大きさの電流源（第１図の電流源６１に相当）と
して作用するように結合トランジスタ７９のゲート電圧
を制御する。選択トランジスタ７６がオン状態ならば、
関連した列線７５から一定電流Ｉｗが引き出される。書
込は、ある特定の時間に列中の唯一のＦＥＴ６６のみが
オンとなるように一度に１行だけ行わねる。

電位変化（ｐｏｔｅｎｔｉｏｓｔａｔｉｃ）消去処理も
または、行及び列駆動回路によって制御されるものであ
り、阻止動作である。換言すわば、消去さ第１るべき領
域のすべての画素は、書込みを受けたものでも受けない
ものでもともに、行選択及び列選択シフトレジスタ６８
及び６９に適当なデータ・パターンをロードすることに
よって選択される。消去動作は、外部から発生された消
去信号を線８０に印加することによって選択される。基
準制御回路６２がら消去可能信号が発生されると、ＡＮ
Ｄゲート８１は線８２に信号レベルを高くし一連のトラ
ンジスタ８３をオンに切換える。これにより、線８４の
電位可変消去電圧Ｖ。がトランジスタ７６を介してすべ
ての選択された列線７３に印加されろ。消去電圧Ｖ　Ｅ
は、第１図の増幅器３３と同様の基準制御回路６２中の
オフセット増幅器によって基準電極６０が感知した溶液
電位に基いて発生される。

電位可変消去は自己制限的なので、書込みを受けた画素
だけでなく書込みを受けない画素を選択して消去電位を
与えても損傷は生じない。

第７図の表示装置は、第１図の表示装置と同様に第４図
に示された装置を設けて光散乱効果により動作する全体
表示可能な電解表示装置を構成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は電解表示装置を構成する電解表示セル及び駆動
回路を示す概略構成図、第２図は第１図に示された表示
セルの一部を切断して示す断面図、第６図は本発明によ
る表示装置の光学的原理を示す説明図、第４図は第１図
及び第２図の表示装置の残りの部分を形成する第３図の
原理に従った照射及び投影装置を示す光学系統図、第５
図は第１図乃至第６図のようなビオロゲンをベースとし
た表示装置における電荷に対する輝度の変化を示す説明
図、第６図は第１図及び第２図のようなビオロゲンをベ
ースとした表示装置にステップ電流関数を印加したとき
の溶液電位の変化を時間との関係で示す説明図、第７図
は第１図の表示セルと代替可能、な選択的アドレス可能
なマドＩＪクス表示装置を示すブロック図である。 １０・・−・表示セル、１１・・・・電極、２２・・・
・反対電極、２６・・・・基準電極、３０・・・・スイ
ッチ、３１・・・・定電流源、３６・・・・オフセット
・バッファ、５Ｄ・・・・ランプ、５１・・・・赤外線
ミラー、５２・・・・非球面レンズ、５ろ・・・・反射
体、５４・・・・逆反射体、５５・・・・投影レンズ・
アセンブリ、６０．６１・・・・基準電極、６２・・・
・基準制御回路、６３・・・・表示セル、６４・・・・
反対電極、６５・・・・表示電極、６６・・・・電界効
果トランジスタ、６８・・・・行選択シフトレジスタ、
６９・・・・列選択シフトレジスタ、７０・・・・行駆
動回路、７１・・・・列駆動回路。 出願人　インターナショカノービジネス・空力・コーポ
レーショ／ＦＩＧ、　５ ＦＩＧ、６ 第１頁の続き ＠発　明　者　アンソニー・シリル・ロウイギリス国ハ
ンプシャー・サザ ンプトン・ノース・バブスレイ ・ウインヤーズ・ギャップ２祁

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 実質的に非散乱性の面に画像を選択的に表示する方法に
   おいて、 入射光が書込みを受けた領域によって平行光方向から散
   乱されるように上記非散乱性の面に所要の画像形態で光
   散乱性沈澱物を可逆電着することにより書込みを行う過
   程と、 実質的に唯一の平行光成分及び非平行光成分から画像を
   形成する過程と、 を含む画像選択表示方法。