JPS59216126A - 液晶装置 - Google Patents
液晶装置Info
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- JPS59216126A JPS59216126A JP9104783A JP9104783A JPS59216126A JP S59216126 A JPS59216126 A JP S59216126A JP 9104783 A JP9104783 A JP 9104783A JP 9104783 A JP9104783 A JP 9104783A JP S59216126 A JPS59216126 A JP S59216126A
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- light
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Nonlinear Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、画像表示が可能な光記録素子およびその記録
法に関し、詳しくは元画像信号を表示し、しかもその表
示を全面又は部分的に消却した後、別の光画像信号を表
示することが可能な光記録−表示素子およびその方法に
関するものである。
法に関し、詳しくは元画像信号を表示し、しかもその表
示を全面又は部分的に消却した後、別の光画像信号を表
示することが可能な光記録−表示素子およびその方法に
関するものである。
従来よシ液晶の′電気光学的効果を利用して画時計等に
用いられる７セグメントの電極構成によｐ ＴＮ（ｔｗ
ｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）液晶を駆動して数字を表示
するものがある。また、画像信号を光の形で与える方式
のものも知られてｒる。例えば、画像信号を光の形で与
える方式のものは、前述の７セグメントの様＆【電極を
分割し、それぞれの分割した′成極にそれぞれ選択的に
電圧を印加する方式のものに較べ、電極から引き出すリ
ード線の数がはるかに少なくできるために高密度の画像
を表示し、駆動手段を実装する上では大きな利点を有す
る。
用いられる７セグメントの電極構成によｐ ＴＮ（ｔｗ
ｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）液晶を駆動して数字を表示
するものがある。また、画像信号を光の形で与える方式
のものも知られてｒる。例えば、画像信号を光の形で与
える方式のものは、前述の７セグメントの様＆【電極を
分割し、それぞれの分割した′成極にそれぞれ選択的に
電圧を印加する方式のものに較べ、電極から引き出すリ
ード線の数がはるかに少なくできるために高密度の画像
を表示し、駆動手段を実装する上では大きな利点を有す
る。
この様に画像信号を光の形で与える方式のものに次の罎
なものがある。
なものがある。
第１図および第２図は従来の光書き込み型の液晶表示素
子を示している。第１図において、１１および１１′は
ガラス等の透明支持板、１２は工１゛０等の透明導電層
、１５Ｆｉアル゛ミニウム反機の薄膜塗工層あるいは蒸
着層等が使用されている。１５は温度によシスメクテイ
ツク→ネマティック→等方状態と相転移する液晶層であ
シーこの層の厚みはスペーク−１０によシ保たれている
。また、液晶層１５の液晶分子は配向層１４および１４
′の壁面効果によυセル面に対し通常一様に垂直あるい
は水平に保たれる。この液晶素子を用いて画像を書き込
み時には、液晶１５はスメクテイツクーネマテイツク相
転移の温度近傍のスメクテイツク側に保たれる。これに
対し、 ＹＡＧレーザー等により像状のレーザ照射１６
を行うことによシ液晶層１５のうち照射された像状部分
のみネマティック相あるいは等方状態へ相転移した層１
９とすることができる。次に、セルを急冷することによ
シ、相転移した層１９は散乱状態のスメクテイツク相に
転移する。このセルに対し読み出し光１７を透明導電層
１２、 の側から照射すると、照射光１７ａと１７ｃは
アルミニウム反射膜１３でほぼ一定方向に反射するのに
対し、散乱状態となっている層１９に照射される照射光
１７ｂＦｉ散乱され、したがって仁の反射光をスクリー
ン８に投影させることによシ照射光１７ａと１７ｃのみ
はスクリーンＳ上に投射され、照射光１７１）はほとん
ど投射されない。したがって液晶＆で記録された像がそ
のままスクリーンＳ上に投影されることになる。
子を示している。第１図において、１１および１１′は
ガラス等の透明支持板、１２は工１゛０等の透明導電層
、１５Ｆｉアル゛ミニウム反機の薄膜塗工層あるいは蒸
着層等が使用されている。１５は温度によシスメクテイ
ツク→ネマティック→等方状態と相転移する液晶層であ
シーこの層の厚みはスペーク−１０によシ保たれている
。また、液晶層１５の液晶分子は配向層１４および１４
′の壁面効果によυセル面に対し通常一様に垂直あるい
は水平に保たれる。この液晶素子を用いて画像を書き込
み時には、液晶１５はスメクテイツクーネマテイツク相
転移の温度近傍のスメクテイツク側に保たれる。これに
対し、 ＹＡＧレーザー等により像状のレーザ照射１６
を行うことによシ液晶層１５のうち照射された像状部分
のみネマティック相あるいは等方状態へ相転移した層１
９とすることができる。次に、セルを急冷することによ
シ、相転移した層１９は散乱状態のスメクテイツク相に
転移する。このセルに対し読み出し光１７を透明導電層
１２、 の側から照射すると、照射光１７ａと１７ｃは
アルミニウム反射膜１３でほぼ一定方向に反射するのに
対し、散乱状態となっている層１９に照射される照射光
１７ｂＦｉ散乱され、したがって仁の反射光をスクリー
ン８に投影させることによシ照射光１７ａと１７ｃのみ
はスクリーンＳ上に投射され、照射光１７１）はほとん
ど投射されない。したがって液晶＆で記録された像がそ
のままスクリーンＳ上に投影されることになる。
この像の消去は交流電源１８によシセルに成圧を印加し
、消去したい部分あるいは全面にレーザー光１６を照射
するか、あるいはセル全′体をネマティックあるいは等
方状態に加熱して比較的ゆつ〈シと冷やすことによって
行なう。このような液晶素子は、メモリー性のある高密
度で大画面の表示を可能とするが、−レーザー光１６は
大パワーのものでなければならないし、また書き込みあ
るいは消去においては冷却手段等を必要とし装置の精密
な駆動制御が難かしい問題を有している。
、消去したい部分あるいは全面にレーザー光１６を照射
するか、あるいはセル全′体をネマティックあるいは等
方状態に加熱して比較的ゆつ〈シと冷やすことによって
行なう。このような液晶素子は、メモリー性のある高密
度で大画面の表示を可能とするが、−レーザー光１６は
大パワーのものでなければならないし、また書き込みあ
るいは消去においては冷却手段等を必要とし装置の精密
な駆動制御が難かしい問題を有している。
更に、液晶素子の光書き込み屋の他の従来例を第２図に
示す。第２図において２２＃′ｉ液晶に不要な電流を流
さないだめの絶縁層、２５は誘電ミラー、２４は遮光層
、２５け光導成層、２６ｔｄ７反晶層、２７は偏光ビー
ムスグリツタ−である。
示す。第２図において２２＃′ｉ液晶に不要な電流を流
さないだめの絶縁層、２５は誘電ミラー、２４は遮光層
、２５け光導成層、２６ｔｄ７反晶層、２７は偏光ビー
ムスグリツタ−である。
液晶層２６は、例えば正の誘電異方性をもつネマティッ
ク液晶（Ｎｐ型液晶）が適用される。
ク液晶（Ｎｐ型液晶）が適用される。
この様な素子は本質的には液晶層２６に印加される分電
圧を光導電層２５のインピーダンスを変えることによっ
て駆動するものである。すなわち光導電層２５に書き込
み光２９を照射すると光照射された部分２１はその他の
部分に比較し太きくインピーダンスが下がる。一方液晶
層２６および光導電層２５を挾持する１対の透明電極１
２間には電源１８によって高周波の電圧が印加されてい
る。この時、電源１８よ多素子を経て形成される電気的
な等何回路として簡易なものとしては第３図に示すもの
である。ｚｌは光導成層２５の交流インピーダンスを示
すものであり、ｚ２は液晶層２６を含むその他のものの
交流インピーダンスを置きかえたものである。
圧を光導電層２５のインピーダンスを変えることによっ
て駆動するものである。すなわち光導電層２５に書き込
み光２９を照射すると光照射された部分２１はその他の
部分に比較し太きくインピーダンスが下がる。一方液晶
層２６および光導電層２５を挾持する１対の透明電極１
２間には電源１８によって高周波の電圧が印加されてい
る。この時、電源１８よ多素子を経て形成される電気的
な等何回路として簡易なものとしては第３図に示すもの
である。ｚｌは光導成層２５の交流インピーダンスを示
すものであり、ｚ２は液晶層２６を含むその他のものの
交流インピーダンスを置きかえたものである。
薔き込み光２９が照射された部分２１と、そうでない部
分との差は模式的にはインピーダンスｚ１が比較的に小
さいか大きいかの差となる。すなわち書き込み光２９が
照射された部分はインピーダンスｚ１が小さく、シ九が
って２２に印加される分電圧が大きくなる丸め、それに
ともなって液晶層２６に印加される分電圧も大きくなる
ため、このときの分電圧の値が液晶の配向変化を起させ
る一″屯圧匝を越えているようにすればこの部分の液晶
層２６は平行配向状態よシ、分子が素子面に＃１ぼ垂直
に配列したｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ状態になる。一方、
書き込み光２９が照射されない部分に２いては液晶層２
６に印加される分４圧が依然として配向変化の閾電圧値
以下に保たれるために平行配向状態のまｉである。
分との差は模式的にはインピーダンスｚ１が比較的に小
さいか大きいかの差となる。すなわち書き込み光２９が
照射された部分はインピーダンスｚ１が小さく、シ九が
って２２に印加される分電圧が大きくなる丸め、それに
ともなって液晶層２６に印加される分電圧も大きくなる
ため、このときの分電圧の値が液晶の配向変化を起させ
る一″屯圧匝を越えているようにすればこの部分の液晶
層２６は平行配向状態よシ、分子が素子面に＃１ぼ垂直
に配列したｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ状態になる。一方、
書き込み光２９が照射されない部分に２いては液晶層２
６に印加される分４圧が依然として配向変化の閾電圧値
以下に保たれるために平行配向状態のまｉである。
以上の様な液晶の配向変化を視認する方法としては、素
子の光導電層２５の反対側の面に対し、偏光板あるいは
偏光ビームスグリツタ−２７を通して読み出し光２８を
照射する方法が用いられている。その１例としては書き
込み光２９の照射された部分２１に対応した液晶部分に
照射される読み出し光２８ｂは、その部分の液晶分子が
ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ状態となっているため偏光され
ず読み出しスクリーンＳに投射されないが、その他の読
み出し光２８ａと２８ｃは偏光されて２８ａ′と２８ｃ
′としてスクリーンＳに投射される。
子の光導電層２５の反対側の面に対し、偏光板あるいは
偏光ビームスグリツタ−２７を通して読み出し光２８を
照射する方法が用いられている。その１例としては書き
込み光２９の照射された部分２１に対応した液晶部分に
照射される読み出し光２８ｂは、その部分の液晶分子が
ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ状態となっているため偏光され
ず読み出しスクリーンＳに投射されないが、その他の読
み出し光２８ａと２８ｃは偏光されて２８ａ′と２８ｃ
′としてスクリーンＳに投射される。
仁のようにして画像信号を視認することができる。而し
てこの構成において液晶層２６に使用する液晶としては
従来既述のネマティック液晶あるいはコレステリック−
ネマティック相転移型の液晶等が用いられていたが、こ
れら従来型の欠点は以下の通シである。たとえば液晶層
２６に前記ネマチック液晶のように液晶自身にメモリー
性のないものは、画像状に液晶分子の配向変化が得られ
るのは、書き込み光が照射されている間のみであシ、誉
き込み光を常に入射させておかなけれはならない。また
前記のコレステリック−ネマティック相転移型のものは
メモリー性をもつものもあるが応答が遅い（１０ｍ５ｅ
ｃ程度）ことなどがある。また、この応答が遅いことが
原因となシ第２図に示した様な構成においては、構成の
簡易な直流電圧での駆動が難かしかった。すなわちこの
理由は以下の様なものである。第２図のような素子にお
いては電源１Ｂを直流電源に置き換えた場合、光導電層
に書き込み光を照射しても結果的には液晶層には瞬時に
電流が流れ、液晶層自体にかかる分電圧がほとんど得ら
れなくなってしまうということである。これは、このよ
うな液晶はもともと光導電層あるいは絶縁体に比軟して
はるかに抵抗が低く、また銹゛屯率も大きくないために
、液晶層における時定数が小さいことを示し、これが通
常その応答速度よりも小さいものであるために、既述し
た様なメモリー性の液晶を用いた場合、たとえば心源と
して高周波交流を用いて画像を書き込んだとしても次に
画像を消去したい場合には、加熱冷却手段を要する場合
が多かった。
てこの構成において液晶層２６に使用する液晶としては
従来既述のネマティック液晶あるいはコレステリック−
ネマティック相転移型の液晶等が用いられていたが、こ
れら従来型の欠点は以下の通シである。たとえば液晶層
２６に前記ネマチック液晶のように液晶自身にメモリー
性のないものは、画像状に液晶分子の配向変化が得られ
るのは、書き込み光が照射されている間のみであシ、誉
き込み光を常に入射させておかなけれはならない。また
前記のコレステリック−ネマティック相転移型のものは
メモリー性をもつものもあるが応答が遅い（１０ｍ５ｅ
ｃ程度）ことなどがある。また、この応答が遅いことが
原因となシ第２図に示した様な構成においては、構成の
簡易な直流電圧での駆動が難かしかった。すなわちこの
理由は以下の様なものである。第２図のような素子にお
いては電源１Ｂを直流電源に置き換えた場合、光導電層
に書き込み光を照射しても結果的には液晶層には瞬時に
電流が流れ、液晶層自体にかかる分電圧がほとんど得ら
れなくなってしまうということである。これは、このよ
うな液晶はもともと光導電層あるいは絶縁体に比軟して
はるかに抵抗が低く、また銹゛屯率も大きくないために
、液晶層における時定数が小さいことを示し、これが通
常その応答速度よりも小さいものであるために、既述し
た様なメモリー性の液晶を用いた場合、たとえば心源と
して高周波交流を用いて画像を書き込んだとしても次に
画像を消去したい場合には、加熱冷却手段を要する場合
が多かった。
本発明の目的は、前述した従来の光記録素子には有して
いない利点を数多く備えた新規な光記録素子およびその
記録法を提供することにある。
いない利点を数多く備えた新規な光記録素子およびその
記録法を提供することにある。
本発明の別の目的は、高密度で大画面の表示に適した新
規な光記録素子およびその記録法を提供することにある
。
規な光記録素子およびその記録法を提供することにある
。
本発明の他の目的は、画像光信号を記録−表示すること
が可能な新規な光記録素子およびその記録法を提供する
ことにある。
が可能な新規な光記録素子およびその記録法を提供する
ことにある。
すなわち、本発明の光記録素子は、一対の゛成極の間に
電界に対して双安定性を有する液晶層と光導電層を有す
る光記録手段、前記一対の電極の間に直流電圧を印加す
る電圧印加手段と、前記光導電層に光線を照射する光源
を備えており、この光記録手段の光導電層に光線を照射
して該光導電層の光照射部分に対応する前記液晶に印加
されている電圧を第１の閾値電圧（ｖｔｈｌ）の絶対値
又は第２の閾値電圧（−Ｖｔｈ２）の絶対値を超えた絶
対値をもつ電圧に上昇させて第１の配向安定状態又は第
２の配向安定状態を形成し、前記光照射部以外の部分に
対応する前記液晶に印加されている゛電圧を第１の閾値
電圧（Ｖｔｈ、）と第２の閾値電圧（−ｖｔｈ２ ）の
間の電圧値に設定することによシ、画像光信号を表示画
像に変換することができる。
電界に対して双安定性を有する液晶層と光導電層を有す
る光記録手段、前記一対の電極の間に直流電圧を印加す
る電圧印加手段と、前記光導電層に光線を照射する光源
を備えており、この光記録手段の光導電層に光線を照射
して該光導電層の光照射部分に対応する前記液晶に印加
されている電圧を第１の閾値電圧（ｖｔｈｌ）の絶対値
又は第２の閾値電圧（−Ｖｔｈ２）の絶対値を超えた絶
対値をもつ電圧に上昇させて第１の配向安定状態又は第
２の配向安定状態を形成し、前記光照射部以外の部分に
対応する前記液晶に印加されている゛電圧を第１の閾値
電圧（Ｖｔｈ、）と第２の閾値電圧（−ｖｔｈ２ ）の
間の電圧値に設定することによシ、画像光信号を表示画
像に変換することができる。
以下、本発明を図面に従って説明する。
第４図は１本発明の光記録素子の断面図を表わしている
。第４図において、４０１と４０１′はガラス等の透明
基体、４０２ ｊ？よび４０２′はＩＴＯ（工ｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ ０ｘｌｅ）等の透明導電層、４０３は光４
゛戒層、４０４は遮光層、４０５は防賊ミラー、４０６
および４０６′は絶縁薄層である。本発明において特徴
的なのは４０７が強訪゛電性液晶から成る液晶層である
こと、また′ａ源として直流電圧源４０８および４０９
を用い、またスイッチ４１０によシ、′αα他極性印意
に切ｐ換えることができるようにしたことである。強誇
屯性液晶の詳細な動作については、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ５６（１１） Ｉ Ｊｕ
ｎｅ １９８０１”’８ｕｂｍｉｃｒｏｓｅｃｏｎｄ
ｂｉｓｔａｂｌｅθ１ｅｃｔｒｏｏｐｔｉａ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ ｉｎ ’１ｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ＋
Ｊ等の多くの報告があ）、ここにはその動作については
簡単に述べる。
。第４図において、４０１と４０１′はガラス等の透明
基体、４０２ ｊ？よび４０２′はＩＴＯ（工ｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ ０ｘｌｅ）等の透明導電層、４０３は光４
゛戒層、４０４は遮光層、４０５は防賊ミラー、４０６
および４０６′は絶縁薄層である。本発明において特徴
的なのは４０７が強訪゛電性液晶から成る液晶層である
こと、また′ａ源として直流電圧源４０８および４０９
を用い、またスイッチ４１０によシ、′αα他極性印意
に切ｐ換えることができるようにしたことである。強誇
屯性液晶の詳細な動作については、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ５６（１１） Ｉ Ｊｕ
ｎｅ １９８０１”’８ｕｂｍｉｃｒｏｓｅｃｏｎｄ
ｂｉｓｔａｂｌｅθ１ｅｃｔｒｏｏｐｔｉａ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ ｉｎ ’１ｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ＋
Ｊ等の多くの報告があ）、ここにはその動作については
簡単に述べる。
第５図において４１４Ｉ／ｉ強肪「「注液晶分子であυ
、図に示す様な細長い分子においてその長袖方向と短軸
方向とで屈折率異方性を示す。この液晶において特徴的
なことは図中示した矢印４１５あるいは４１６の様な電
界の方向に対してそれぞれ分子の配向方向が変わること
である。すなわち１例としては第５図（１））に示すよ
うに、■方向４１５の電界に対して液晶分子４１４が第
１の配向安定状態に配向し、一方■方向４１６の電界に
対して液晶分子４１４が第２の配向安定状態に配向する
。この第１の配向安定状態と第２の配向安定状態のなす
角度２θは、一般に４５°の角度が望ましい。この際、
第１の配向安定状態の閾値電圧Ｖｉｖｔｈ１で示され、
第２の配向安定状態の閾値電圧は−ｖｔｈ２で示される
。従って、■方向４１５の電界がｌ ｖｔｈｌ ｌを超
えた時には液晶分子４１４は第１の配向安定状態に配向
し、一方■方向４１６の電界が１−ｖｔｂ４１を超えた
時には第２の配向安定状態に配向することができる。
、図に示す様な細長い分子においてその長袖方向と短軸
方向とで屈折率異方性を示す。この液晶において特徴的
なことは図中示した矢印４１５あるいは４１６の様な電
界の方向に対してそれぞれ分子の配向方向が変わること
である。すなわち１例としては第５図（１））に示すよ
うに、■方向４１５の電界に対して液晶分子４１４が第
１の配向安定状態に配向し、一方■方向４１６の電界に
対して液晶分子４１４が第２の配向安定状態に配向する
。この第１の配向安定状態と第２の配向安定状態のなす
角度２θは、一般に４５°の角度が望ましい。この際、
第１の配向安定状態の閾値電圧Ｖｉｖｔｈ１で示され、
第２の配向安定状態の閾値電圧は−ｖｔｈ２で示される
。従って、■方向４１５の電界がｌ ｖｔｈｌ ｌを超
えた時には液晶分子４１４は第１の配向安定状態に配向
し、一方■方向４１６の電界が１−ｖｔｂ４１を超えた
時には第２の配向安定状態に配向することができる。
特に、本発明においては、０方向４１５又は■方向４１
６の電界を−ｖｔｈ２とｖｔｈ １の間の電圧に設定す
ることによシ、メモリー効果を付与することカテキル。
６の電界を−ｖｔｈ２とｖｔｈ １の間の電圧に設定す
ることによシ、メモリー効果を付与することカテキル。
又、一般Ｋｔｆ ｌ −’Ｖｔｈｇ ｌ＝Ｉ ｖｔｈｌ
ｌであることが多く、従って０方向４１５又＃′ｉ［相
］方向４１６１７）ｉ界をｌ Ｖｔｈ１１又ハ１−ｖｔ
ｈｌ１ ヨｌｌｓさい絶対値をもつ電圧値に設定すれば
、液晶分子４１４の配向状態を維持することができる。
ｌであることが多く、従って０方向４１５又＃′ｉ［相
］方向４１６１７）ｉ界をｌ Ｖｔｈ１１又ハ１−ｖｔ
ｈｌ１ ヨｌｌｓさい絶対値をもつ電圧値に設定すれば
、液晶分子４１４の配向状態を維持することができる。
この電界を与えることによる分子の配向変化の応答の素
速いことは、この液晶の特徴であシ、その応答速度は数
μＢｅＱの高速性も得ることができる。
速いことは、この液晶の特徴であシ、その応答速度は数
μＢｅＱの高速性も得ることができる。
本発明で用いる双安定性を有する液晶は、強Ｍ’４性を
有するものであって、具体的にはカイラルスメクテイツ
クＣ相（１３ｍｏ＊）父はＨ相（ＳｍＨ”）を何する液
晶を用いることができる。この液晶は゛電界に対して第
１の光学的安定状態と第２のり 光学安定状態からなる双安定状態を１有し、従つ八 て前述のＴＮ型のｆ便晶で用いられた光学変調素子とは
異なシ、前述した様に一方の電界ベクトルに対し第１の
光学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに
対しては第２の光学的安定状態に液晶が配向される。
有するものであって、具体的にはカイラルスメクテイツ
クＣ相（１３ｍｏ＊）父はＨ相（ＳｍＨ”）を何する液
晶を用いることができる。この液晶は゛電界に対して第
１の光学的安定状態と第２のり 光学安定状態からなる双安定状態を１有し、従つ八 て前述のＴＮ型のｆ便晶で用いられた光学変調素子とは
異なシ、前述した様に一方の電界ベクトルに対し第１の
光学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに
対しては第２の光学的安定状態に液晶が配向される。
強誘電性液晶化合物の具体例として鉱、アミノ ク
ロロブ田ピル シンナメートａｍｉｎｏ−２−ｃｈｌｏ
ｒｏｐｒｏｐｙｌ ｃｉｎｎａｍａｔｅ（ＨＯＢＡＯＰ
Ｏ）およ〆。−（２−ｍｅｔ−ん二；ん、。′８禁；１
□に。−４・−ｏｃｔｙｌａｎｉｌｉｎｅ（ＭＢＲＡ
８） 等が挙げられる。
ロロブ田ピル シンナメートａｍｉｎｏ−２−ｃｈｌｏ
ｒｏｐｒｏｐｙｌ ｃｉｎｎａｍａｔｅ（ＨＯＢＡＯＰ
Ｏ）およ〆。−（２−ｍｅｔ−ん二；ん、。′８禁；１
□に。−４・−ｏｃｔｙｌａｎｉｌｉｎｅ（ＭＢＲＡ
８） 等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合液晶化合物
８ｍＯ＊相又はＳｍＨ”相となるような温度状態に保持
するため、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等によシ支持することができる。
８ｍＯ＊相又はＳｍＨ”相となるような温度状態に保持
するため、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等によシ支持することができる。
また、この強誘電性液晶の電気光学的効果を有効に利用
するための初期分子配向を決めるための方法は特開昭５
６−１０７２１６号公報において記述される様な、たと
えばセル面に対し平行方向に磁場を印加する、あるいは
せん断応力を印加するなどの方法を用いることができる
。
するための初期分子配向を決めるための方法は特開昭５
６−１０７２１６号公報において記述される様な、たと
えばセル面に対し平行方向に磁場を印加する、あるいは
せん断応力を印加するなどの方法を用いることができる
。
さて、第４図に示した本発明構成での素子の動作を以下
に説明する。まず、液晶の一様な初期分子配向方向奢ま
第６図４１７で示す方向であシ、これは透明電極４０２
′から４０２側へ向かう方向の電界によって分子が配向
する向きである様に前記した配向方法によシなされてい
る。また、この分子の長袖方向は、偏光板４１２０偏光
方向に対しほぼ平行あるいは垂直であるようにする。
に説明する。まず、液晶の一様な初期分子配向方向奢ま
第６図４１７で示す方向であシ、これは透明電極４０２
′から４０２側へ向かう方向の電界によって分子が配向
する向きである様に前記した配向方法によシなされてい
る。また、この分子の長袖方向は、偏光板４１２０偏光
方向に対しほぼ平行あるいは垂直であるようにする。
画像、書き込み時において、スイッチ４１０によシミ源
４０８を選択する。このとき、１対の透明電極４０２と
４０２′の間には４０２側を正としての電圧が印加され
る。しかし、この電圧のうち液晶層４０７に印加される
分電圧は光導電層４０６のインピーダンスが大きいこと
によシ液晶の配向変化が起こる閾値に達しない桶に設定
する。次に書き込み光４１１（ヘリウム−ネオンレーザ
、アルゴンレーデ、半導体レーデ、）＼ｏ ）ｊ ：／
ラ：／ ７”光）を光導ル層４０５に照射すると、光
が照射された光４電層部分４０６′においては、インピ
ーダンスが低下し、このときただちに７４応する液晶層
４０７′部分においては分ｌＬ圧が上昇し、液晶分子配
向変化の閾値を超えることができる。−力強ｕ道性液晶
は、既述した従来の液晶に比較し、銹電率も数十倍太き
いものもあり、高いインピーダンスを有している。また
、応答は数〜数十マイクロ秒と速く、シかも分電圧も充
分に得られるため液晶層内を流れる電流による分電圧低
下の時定数内には応答はほぼ完了することができる。さ
らに、強誘電性液晶は高いメモリー性を有するので省き
込み光４１１の照射が短時間で終ｒしても、一度応答し
てしまえばその状態を保持することができる。すなわち
、液晶分子は以上によシ第６図において４１８に示す方
向に配向変化し、維持している。この時、第４図に示す
様な読み出し光４１３を照射すると、読み出し光４１３
ａおよび４１３ｂは偏光板４１２を通過することによシ
、ともに矢印４１９方向にほぼ直線偏光された光となる
が、このとき、書き込み光４１１が照射されなかった部
分に対応する液晶層にあたった読み出し光４１３ａは液
晶層によシ偏光されないため誘電’ｙ−４０５によシそ
のまま反射され再び偏光板４１２を通過してくる。これ
に対し１、書き込み光４１１が照射された部分に対応す
る液晶層４０７′部分においては、分子の長軸が第６図
に示すように偏光板による偏光方向に対し平行および直
角以外の角度を有するため、偏光板４１２を通過しほぼ
１延線偏光となった読み出し光４１３ｂは複屈折によシ
偏光され、０電ミラー４０５で反射された反射光４１３
ｂ’はそのまますべては偏光板４１２を通過することが
できなくなる。したがって偏光板４１２會通して液晶セ
ルを目視した場合像状の書き込み光４１１に従った画律
力ｌ視認される。
４０８を選択する。このとき、１対の透明電極４０２と
４０２′の間には４０２側を正としての電圧が印加され
る。しかし、この電圧のうち液晶層４０７に印加される
分電圧は光導電層４０６のインピーダンスが大きいこと
によシ液晶の配向変化が起こる閾値に達しない桶に設定
する。次に書き込み光４１１（ヘリウム−ネオンレーザ
、アルゴンレーデ、半導体レーデ、）＼ｏ ）ｊ ：／
ラ：／ ７”光）を光導ル層４０５に照射すると、光
が照射された光４電層部分４０６′においては、インピ
ーダンスが低下し、このときただちに７４応する液晶層
４０７′部分においては分ｌＬ圧が上昇し、液晶分子配
向変化の閾値を超えることができる。−力強ｕ道性液晶
は、既述した従来の液晶に比較し、銹電率も数十倍太き
いものもあり、高いインピーダンスを有している。また
、応答は数〜数十マイクロ秒と速く、シかも分電圧も充
分に得られるため液晶層内を流れる電流による分電圧低
下の時定数内には応答はほぼ完了することができる。さ
らに、強誘電性液晶は高いメモリー性を有するので省き
込み光４１１の照射が短時間で終ｒしても、一度応答し
てしまえばその状態を保持することができる。すなわち
、液晶分子は以上によシ第６図において４１８に示す方
向に配向変化し、維持している。この時、第４図に示す
様な読み出し光４１３を照射すると、読み出し光４１３
ａおよび４１３ｂは偏光板４１２を通過することによシ
、ともに矢印４１９方向にほぼ直線偏光された光となる
が、このとき、書き込み光４１１が照射されなかった部
分に対応する液晶層にあたった読み出し光４１３ａは液
晶層によシ偏光されないため誘電’ｙ−４０５によシそ
のまま反射され再び偏光板４１２を通過してくる。これ
に対し１、書き込み光４１１が照射された部分に対応す
る液晶層４０７′部分においては、分子の長軸が第６図
に示すように偏光板による偏光方向に対し平行および直
角以外の角度を有するため、偏光板４１２を通過しほぼ
１延線偏光となった読み出し光４１３ｂは複屈折によシ
偏光され、０電ミラー４０５で反射された反射光４１３
ｂ’はそのまますべては偏光板４１２を通過することが
できなくなる。したがって偏光板４１２會通して液晶セ
ルを目視した場合像状の書き込み光４１１に従った画律
力ｌ視認される。
次に、本発明は、上述によシ書き込んだ画像の自由な部
分消去部分書換えあるいは全面消去が簡易に遂行し得る
。上述によシ曹き込んだ画像はそのまま記憶されている
がその消去方法は次のとおりである。まず、スイッチ４
１０によυ電源４０９を選択することによシ、透明２Ｊ
ｉ−電層４０２と４０２′の間に４０２′側が正となる
様な電圧を印加する。この時、との電圧のうち液晶層４
０７に印加される分電圧は光導４層４０３のインピーダ
ンスが太きいため、液晶の配向変化が起こる閾値に達し
ない様に設定することができる。次に、消去光を前述の
書き込み光４１１と同様に消去したい部分あるいは全面
に照射することにより・この照射された光導電層部分に
おいてはインピーダンスが低下しこの時ただちに対応す
る液晶層部分あるいは全面において分電圧が上昇し液晶
分子配向変化の閾値を超えることができる。すなわちこ
の時１夜晶の分子は第６図の４１７で示す方向へ配向変
化することによ多画像の部分消去あるいは全面消去を完
ｒする。さらに部分的に画像を薔き込むためには前述の
書き込みのプロセスがそのまま使える。また、第７図に
示す様に偏光板４１２による偏光方向を４１９′で示す
様に液晶分子４１８とほぼ平行あるいは垂直にする様に
することによシ、前述と逆の画像、すなわち曹き込み光
４１１が照射された部分に対応する部分のみ読み出し光
の反射光を偏光板を通過させ、書き込み光が照射されな
かった部分はほとんど反射光を通過させないようにする
こともできる。この様なセル構成に゛おいて通も画像の
コントラストを良くするためには、第５図すにおける２
θがほぼ４ｃ！である液晶を用い読み出し光が偏光板４
１２を通過し液晶層に入射して訪電ミラーによシ反射さ
れ再び偏光板４１２に達するまでのトータルの複屈折に
よる正常光と異常光の位相差がほぼ９０°である様にす
ることであり、このことは液晶層の厚みを選ぶことなど
によシ達成することができる。
分消去部分書換えあるいは全面消去が簡易に遂行し得る
。上述によシ曹き込んだ画像はそのまま記憶されている
がその消去方法は次のとおりである。まず、スイッチ４
１０によυ電源４０９を選択することによシ、透明２Ｊ
ｉ−電層４０２と４０２′の間に４０２′側が正となる
様な電圧を印加する。この時、との電圧のうち液晶層４
０７に印加される分電圧は光導４層４０３のインピーダ
ンスが太きいため、液晶の配向変化が起こる閾値に達し
ない様に設定することができる。次に、消去光を前述の
書き込み光４１１と同様に消去したい部分あるいは全面
に照射することにより・この照射された光導電層部分に
おいてはインピーダンスが低下しこの時ただちに対応す
る液晶層部分あるいは全面において分電圧が上昇し液晶
分子配向変化の閾値を超えることができる。すなわちこ
の時１夜晶の分子は第６図の４１７で示す方向へ配向変
化することによ多画像の部分消去あるいは全面消去を完
ｒする。さらに部分的に画像を薔き込むためには前述の
書き込みのプロセスがそのまま使える。また、第７図に
示す様に偏光板４１２による偏光方向を４１９′で示す
様に液晶分子４１８とほぼ平行あるいは垂直にする様に
することによシ、前述と逆の画像、すなわち曹き込み光
４１１が照射された部分に対応する部分のみ読み出し光
の反射光を偏光板を通過させ、書き込み光が照射されな
かった部分はほとんど反射光を通過させないようにする
こともできる。この様なセル構成に゛おいて通も画像の
コントラストを良くするためには、第５図すにおける２
θがほぼ４ｃ！である液晶を用い読み出し光が偏光板４
１２を通過し液晶層に入射して訪電ミラーによシ反射さ
れ再び偏光板４１２に達するまでのトータルの複屈折に
よる正常光と異常光の位相差がほぼ９０°である様にす
ることであり、このことは液晶層の厚みを選ぶことなど
によシ達成することができる。
以上の様な系において使用する光導電層としてはａ−８
ｉ、 ０６Ｓ、 ＳθＴθや有機光尋嵐体等種々の光４
屯体が使用可能であるが、第４図に示す仔に本発明にお
いては電圧極性は正、負いずれを同静に切シ侠えて使用
し、また、第４図で示す例の場合では書き込み光合ま液
晶層の反対４ｔ１１からのみ照射するものであるので、
望ましくは両極性光導電体を使用することが好ましい。
ｉ、 ０６Ｓ、 ＳθＴθや有機光尋嵐体等種々の光４
屯体が使用可能であるが、第４図に示す仔に本発明にお
いては電圧極性は正、負いずれを同静に切シ侠えて使用
し、また、第４図で示す例の場合では書き込み光合ま液
晶層の反対４ｔ１１からのみ照射するものであるので、
望ましくは両極性光導電体を使用することが好ましい。
しかし、たとえばＯｄＳ蒸尤膜、ＯｄＳバインダー結着
膜あるいは有機光等’＋［体の様にある程度の透光性の
あるものであればＰｆｆｌ、 Ｎ型を問わず部分に本発
明に適用することができる。
膜あるいは有機光等’＋［体の様にある程度の透光性の
あるものであればＰｆｆｌ、 Ｎ型を問わず部分に本発
明に適用することができる。
またｔ本発明においては極めて高いインピーダンスを有
する強誘電性液晶を用いるため第４図において絶縁層４
０６と４０６′は必ずしも必要としない。尚、図中４２
１はシールスペーナを表わしている。
する強誘電性液晶を用いるため第４図において絶縁層４
０６と４０６′は必ずしも必要としない。尚、図中４２
１はシールスペーナを表わしている。
本発明は前記実施例に限らず種々の変形が可能である。
たとえば第８図に示す様に第４図に示した偏光板の代わ
シに、偏光ビームスプリッタ−８２を使用し、読み出し
光導５によシ読み出した画像をスクリーン８３に投影し
てもよい。
シに、偏光ビームスプリッタ−８２を使用し、読み出し
光導５によシ読み出した画像をスクリーン８３に投影し
てもよい。
第８図において８１は本発明献品セル％８４は書き込み
光である。
光である。
また第９図〜第１１図に示す様に、前述の反射型の表示
素子と同様に透過型の表示素子に適用することもできる
。第９図〜第１１図において、液晶セル自体の成極構成
はＡｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓＶｏ１．２０．ＮＯ，
８１５Ａｐｒｉｌ １９８１ 、 ｌ’−Ｂｉａｔａｂ
ｉｌｉｔｙ ａｎｄｔｈｒｅｅｈｏｌｄｉｎｇ ｂｙ
ａ ｎｅｗ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−
ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ １ｉｑｕｉｄ ａｒｙ
ｓ＋ｔａｌ ｄｅｖｉｃｅ ｗｉｔｈ ｏｐｔｉｃａｌ
ｆｅｅｄｂａｃｋＪに記載のものと同様のものが使用し
うる。
素子と同様に透過型の表示素子に適用することもできる
。第９図〜第１１図において、液晶セル自体の成極構成
はＡｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓＶｏ１．２０．ＮＯ，
８１５Ａｐｒｉｌ １９８１ 、 ｌ’−Ｂｉａｔａｂ
ｉｌｉｔｙ ａｎｄｔｈｒｅｅｈｏｌｄｉｎｇ ｂｙ
ａ ｎｅｗ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−
ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ １ｉｑｕｉｄ ａｒｙ
ｓ＋ｔａｌ ｄｅｖｉｃｅ ｗｉｔｈ ｏｐｔｉｃａｌ
ｆｅｅｄｂａｃｋＪに記載のものと同様のものが使用し
うる。
第９図〜第１１図において、５００と５００′はガラス
等の透明基体、５０１は人！あるいは工Ｔｏ等の電極、
５０２と５０３は工Ｔｏ等の透明電極である。
等の透明基体、５０１は人！あるいは工Ｔｏ等の電極、
５０２と５０３は工Ｔｏ等の透明電極である。
また５０４ ［光導電膜であり、電極５０１と透明電極
５０２双方に懸架されている。５０５は強酵電性液晶で
あり、偏光板５０６の偏光方向５０６′に平行にあるい
は垂直に既述の方法により初期配向されている。まｆｃ
偏光板５０７のＩＮ光方向は５０７′に示すように偏光
方向５０６′と直交する方向に配置されている。
５０２双方に懸架されている。５０５は強酵電性液晶で
あり、偏光板５０６の偏光方向５０６′に平行にあるい
は垂直に既述の方法により初期配向されている。まｆｃ
偏光板５０７のＩＮ光方向は５０７′に示すように偏光
方向５０６′と直交する方向に配置されている。
以上の構成によシ以下の本発明の実施例を示すことがで
きる。第９図においてＬＷは書き込み光であシ、図示し
ないレーザー、変Ａ器、ポリゴンスキャナ等によシ比較
的暗所に訃いて光導４本５０４の上を走査する。ｄき込
み時においては、スイッチ５０８によシ１極５０１と５
０３間に第１０図に示す■印５０９の方向に電圧を与え
る。
きる。第９図においてＬＷは書き込み光であシ、図示し
ないレーザー、変Ａ器、ポリゴンスキャナ等によシ比較
的暗所に訃いて光導４本５０４の上を走査する。ｄき込
み時においては、スイッチ５０８によシ１極５０１と５
０３間に第１０図に示す■印５０９の方向に電圧を与え
る。
書き込み光り、が光導電体に照射された部分５０２ａに
おいては、光導電体のインピーダンスが下がることによ
り液晶に印加される分電圧が応答の閾直を越え、液晶は
配向を変える。第１０図においては、光導電体５０４部
分に斜線を施した部分が書き込み光Ｌｗを照射された部
分である。次に第１１図に示す様にセル全体に一様に読
み出し光ＬＲを照射することができる。なぜなら本発明
においては強誘成性液晶を用いているため、読み出し光
ＬＲを照射する時にスイッチ５０８によシ電極５０１と
透明電極５０６をはぼ同電位に保つＣおけばメモリー性
があるため一度配向変化した５０２ａ部分および配向変
化しなかった５０２ｂ 部分はその状態を維持して匹
る。したがって光導４本５０４に強いａみ出し光ＬＲが
照射されてもなんら液晶の配向変化を起こさせないから
である。
おいては、光導電体のインピーダンスが下がることによ
り液晶に印加される分電圧が応答の閾直を越え、液晶は
配向を変える。第１０図においては、光導電体５０４部
分に斜線を施した部分が書き込み光Ｌｗを照射された部
分である。次に第１１図に示す様にセル全体に一様に読
み出し光ＬＲを照射することができる。なぜなら本発明
においては強誘成性液晶を用いているため、読み出し光
ＬＲを照射する時にスイッチ５０８によシ電極５０１と
透明電極５０６をはぼ同電位に保つＣおけばメモリー性
があるため一度配向変化した５０２ａ部分および配向変
化しなかった５０２ｂ 部分はその状態を維持して匹
る。したがって光導４本５０４に強いａみ出し光ＬＲが
照射されてもなんら液晶の配向変化を起こさせないから
である。
以上の様に読み出し光ＬＲを照射すると書き込み光Ｌｗ
の照射されなかった部分５０２ｂにおいては、液晶によ
り偏光せずクロスニコルのため光は偏光板５０７（アナ
ライザ）を透過しない。一方書き込み光Ｌｗが光導電体
に照射された部分に相当する５０２ａは偏光されて偏光
板５０７を通過し出力光Ｌｏｕｔとなる。
の照射されなかった部分５０２ｂにおいては、液晶によ
り偏光せずクロスニコルのため光は偏光板５０７（アナ
ライザ）を透過しない。一方書き込み光Ｌｗが光導電体
に照射された部分に相当する５０２ａは偏光されて偏光
板５０７を通過し出力光Ｌｏｕｔとなる。
次に画像を部分的にるるいは全面的に消去したい場合に
は既述の様にスイッチ５０Ｂにより電圧の方向を嚇き込
み時と逆方向に印加し、消去したい部分、あるいは全面
に光照射すれはよい・またさらに？′ｆシ分的に画像を
一畦き込む場合には前述と同様の書き込みを行なえはよ
い。
は既述の様にスイッチ５０Ｂにより電圧の方向を嚇き込
み時と逆方向に印加し、消去したい部分、あるいは全面
に光照射すれはよい・またさらに？′ｆシ分的に画像を
一畦き込む場合には前述と同様の書き込みを行なえはよ
い。
第１図および第２図は、従来の光記＠素子の１所面図で
ある。第３図は、第２図に示す素子の等画回路図である
。第４図は、本発明の光記録諸子の〜を面図である。第
５図（ａ）および第５図（ｂ）は、強誘市性液晶の動作
を示す説明図である。第６図およびＦＡ７図は、本発明
の素子における動作態様を示す説明図である。第８図は
、本発明の素子における光学系の別の態様を示す説明図
である。第９図は、本発明の別の態様を示す断面図であ
る。第１０図は、第９図に示す素子を用いた時の動作態
様を示す平面図である。 第１１図は、第９図に示す素子を用いた時の′、動作態
様を示す断面図である。
ある。第３図は、第２図に示す素子の等画回路図である
。第４図は、本発明の光記録諸子の〜を面図である。第
５図（ａ）および第５図（ｂ）は、強誘市性液晶の動作
を示す説明図である。第６図およびＦＡ７図は、本発明
の素子における動作態様を示す説明図である。第８図は
、本発明の素子における光学系の別の態様を示す説明図
である。第９図は、本発明の別の態様を示す断面図であ
る。第１０図は、第９図に示す素子を用いた時の動作態
様を示す平面図である。 第１１図は、第９図に示す素子を用いた時の′、動作態
様を示す断面図である。
Claims (12)
- （１） 一対の電極の間に電界に対して双安定性を有
する液晶層と光導電層を有する光記録手段、前記一対の
電極の間に直流電圧を印加する電圧印加手段と、前記光
導電層′に光線を照射する光源を有することを特徴とす
る光記録素子。 - （２）前記液晶層と光導電層の間に遮光層を有する特許
請求の範囲第１１Ｊ記載の光記録素子。 - （３） 前記液晶層と光導電層の間に銹鑞オラーを有
する特許請求の範囲第１項記載の光記録素子。 - （４）前配電・甑と液晶層の間に絶縁薄膜を有する特許
請求の範囲第１項記載の光ｆｆｅ録素子。 - （５）前記光源がレーザを発振する光源である特ｔｆｆ
請求の範囲第１項記載の光記録素子。 - （６）前記双安定性を有する液晶が強誘電性液晶である
特許請求の範囲第１項記載の光記録素子。 - （７） 前記強誘電性液晶がカイ２ルスメクテイツク
相を有する液晶である特許請求の範囲第６項記載の光記
録素子。 - （８） 前記カイ２ルスメクテイツク相を有する液晶
がＣ相又はＨ相を有する液晶である特許請求の範囲第７
項記載の光記録素子。 - （９） 前記カイ２ルスメクテイツク相を有する液晶
がらせん構造を形成していない液晶相である特許請求の
範囲第７項記載の光記録素子。 - （１０）前記Ｃ相又は五相を有するカイ２ルスメクテイ
ツク液晶がらせん構造を形成していない液晶相である特
許請求の範囲第８項記載の光記録素子。 - （１１）一対の゛電極の間に光導電層および電界に対し
て双安定性を有する液晶を備えた光記録手段の光導電層
に光線を照射して該光導電層の光照射部分に対応する前
記液晶に印加されている電圧を第１の閾値電圧（Ｖｔｈ
ｌ ）の絶対値又は第２の閾値電圧（−ｖｔｈ２）の絶
対値を超え九絶対値をもつ電圧に上昇させて第１の配向
安定状態又は第２の配向安定状態を形成し、前記光照射
線以外の部分に対応する前記液晶に印加されている電圧
を第１の閾値電圧（ｖｔｈｌ）と第２の閾値電圧（−Ｖ
ｔｈ２）の間の′電圧値に設定することを特徴とする光
記録法。 - （１２）一対の電極の間に光導電層および電界に対して
双安定性を有する液晶を備えた光記録手段の光導電層に
光線を照射して該光導電層の光照射部分に対応する前記
液晶に印加されている電圧を第１の閾値電圧（ｖｔｈ、
）の絶対値又ｔま第２の閾値４圧（−Ｖｔｌ１２）の
絶対値を超えた絶対値をもつ電圧に上昇させて第１の配
向安定状態又は第２の配向安定状態を形成し、前記光照
射線以外の部分に対応する前記液晶に印加されている４
圧を８ｇ１の閾値電圧（ｖｔｈｔ）と第２の閾値電圧（
−ｖｔｈ２ ）の間の電圧値に設定することによシ、画
像を形成した後、前記光導電層の全面又は所定の部分に
光照射を付与して、該光導電層の光照射部分に対応する
前記液晶に印加されている電圧を第゛１の閾値電圧（ｖ
ｔｈｅ）の絶対値又は第２の閾値電圧（−Ｖｔｈ２）の
絶対値を超えた絶対値をもつ電圧に上昇させて第１の配
向安定状態又は第２の配向安定状態を形成することを％
徴とする光記録法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104783A JPS59216126A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104783A JPS59216126A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59216126A true JPS59216126A (ja) | 1984-12-06 |
| JPH0525095B2 JPH0525095B2 (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=14015584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104783A Granted JPS59216126A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59216126A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987000301A1 (en) * | 1985-07-02 | 1987-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JPS63109422A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像投影機 |
| JPS6413527A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Victor Company Of Japan | Liquid crystal display element |
| JPH01315723A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-12-20 | Seiko Instr Inc | 光書込型液晶ライトバルブ |
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