JPS5875017A - 位置検出方法 - Google Patents
位置検出方法Info
- Publication number
- JPS5875017A JPS5875017A JP17303581A JP17303581A JPS5875017A JP S5875017 A JPS5875017 A JP S5875017A JP 17303581 A JP17303581 A JP 17303581A JP 17303581 A JP17303581 A JP 17303581A JP S5875017 A JPS5875017 A JP S5875017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- container
- article
- electromagnetic wave
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/028—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring lateral position of a boundary of the object
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は容器内の物品、特に容器内を移動する物品の位
置を検出する方法に関する。
置を検出する方法に関する。
従来技術の問題点を第１図に従って説明する。
第１図は従来技術のスパッタ電極を示す。真空容器１の
中に半導体ウニへ４ご搬送するブー９５、ベルト６が設
けられている。真空容器１【真空排気するために排気装
置１３が真空容器１に接続されている。スパッタ電極１
５が真空容器１の壁面に設置ｇれ、そのまわりにシール
ド１７が、また、つ’：ｃｘ ４とスパッタ電極１５
との間にシャッタ１８が設けられており、シャッタ１８
は・回転アクチ瓢エータ１９によって開閉される。真空
容器１の外側にはウニ八４を真空容器１内に供給するた
め、プーリ７とベルト８とを含む搬送機構と、真空容器
１からウニへ４を取出すためプーリ９とベルト１０とを
含む搬送機構とが設けらレテイる。真空容器１の入口に
ゲートパルプ２が、出口にゲートパルプ３が設けられて
いる。
中に半導体ウニへ４ご搬送するブー９５、ベルト６が設
けられている。真空容器１【真空排気するために排気装
置１３が真空容器１に接続されている。スパッタ電極１
５が真空容器１の壁面に設置ｇれ、そのまわりにシール
ド１７が、また、つ’：ｃｘ ４とスパッタ電極１５
との間にシャッタ１８が設けられており、シャッタ１８
は・回転アクチ瓢エータ１９によって開閉される。真空
容器１の外側にはウニ八４を真空容器１内に供給するた
め、プーリ７とベルト８とを含む搬送機構と、真空容器
１からウニへ４を取出すためプーリ９とベルト１０とを
含む搬送機構とが設けらレテイる。真空容器１の入口に
ゲートパルプ２が、出口にゲートパルプ３が設けられて
いる。
真空容器１内のゲートパルプ２の側に反射響ホトセンサ
１１が設けられ、ゲー）パルプ３の側には反射型ホトセ
ンサ１２が設けられて、ウェハを検知する０スパッタ作
業中ウニ八を持上げる機構としてエレベータ２０．直進
アクチ為エータ２が設けられ、アルゴンガス導入用のガ
ス供給装置１４が真空容器１に接続される。ス／＜ツタ
電極１５はスパッタ電＃１６から電力【供給される。
１１が設けられ、ゲー）パルプ３の側には反射型ホトセ
ンサ１２が設けられて、ウェハを検知する０スパッタ作
業中ウニ八を持上げる機構としてエレベータ２０．直進
アクチ為エータ２が設けられ、アルゴンガス導入用のガ
ス供給装置１４が真空容器１に接続される。ス／＜ツタ
電極１５はスパッタ電＃１６から電力【供給される。
第１図のスパッタ装置の動作を説明する０ゲートパルプ
２が開き、プーリ７、プーリ５が回転してウェハ４が真
空容器１内にリーディングされる。このときホトセンサ
１１がウェハ４ｒｔ検知し、検知した瞬間から一定の回
転角だけ１−リ５が回転して停止する。ウニ＾４はスパ
ッタ電極１５の直下、すなわちエレベータ電極２０の直
上の位置で停止する。プーリ５が停止した後、エレペー
１２Ｏｆ−上昇せしめ、ウェハ４を持上げて、スパッタ
電極から一定の距離に位置決めする。一方つエバ４が真
空容器１内にローディングされたことをホトセンサ１１
が検出した後にゲき、真空容器１内ｆ １０”〜ｔｏ−
ｙ Ｔｏｒｒまで排気する。その後にガス供給装置１４
を動作させて真空容器１内にアルゴンガスを送り、容器
内の圧力を１０１〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒに維持する。スパ
ッタ電極１５に電圧をかけてグロー放電させる。ウェハ
４をエレベータ２０で持ち上げた後、シャッターＢご開
くとウェハ４上にスパッタ膜が形成される。
２が開き、プーリ７、プーリ５が回転してウェハ４が真
空容器１内にリーディングされる。このときホトセンサ
１１がウェハ４ｒｔ検知し、検知した瞬間から一定の回
転角だけ１−リ５が回転して停止する。ウニ＾４はスパ
ッタ電極１５の直下、すなわちエレベータ電極２０の直
上の位置で停止する。プーリ５が停止した後、エレペー
１２Ｏｆ−上昇せしめ、ウェハ４を持上げて、スパッタ
電極から一定の距離に位置決めする。一方つエバ４が真
空容器１内にローディングされたことをホトセンサ１１
が検出した後にゲき、真空容器１内ｆ １０”〜ｔｏ−
ｙ Ｔｏｒｒまで排気する。その後にガス供給装置１４
を動作させて真空容器１内にアルゴンガスを送り、容器
内の圧力を１０１〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒに維持する。スパ
ッタ電極１５に電圧をかけてグロー放電させる。ウェハ
４をエレベータ２０で持ち上げた後、シャッターＢご開
くとウェハ４上にスパッタ膜が形成される。
所定の膜厚が得られたらシャッタ１Ｂを閉じ、エレベー
タ２［］ｉ下降させてウェハ４をベルト６に乗せ、スパ
ッタを源１６２遮断し、真空容器１内に大気を導入して
内圧を大気圧とした後、ゲートパルプ３を開き、プーリ
５．プーリ９を動作させてウェハ４を外に取り出す。
タ２［］ｉ下降させてウェハ４をベルト６に乗せ、スパ
ッタを源１６２遮断し、真空容器１内に大気を導入して
内圧を大気圧とした後、ゲートパルプ３を開き、プーリ
５．プーリ９を動作させてウェハ４を外に取り出す。
このスパッタ装置でウェハ４をスパッタ電極の直下に搬
送する場合、ウェハ４がスパッタ電極の直下に位置して
いるか否かを確認できない。
送する場合、ウェハ４がスパッタ電極の直下に位置して
いるか否かを確認できない。
反射型ホトスイッチ１１ごスパッタ電極の直下に設置す
れば位置確認はできるが、スパッタ作業中に加熱されて
、破壊し又は誤動作を生ずる。
れば位置確認はできるが、スパッタ作業中に加熱されて
、破壊し又は誤動作を生ずる。
また、従来の反射型ホトスイクチでは真空状態になると
モールド材からガスが放出され、これがスパッタ作業に
悪影響を及ぼし、良質の真空状態が得られないという欠
点もある。
モールド材からガスが放出され、これがスパッタ作業に
悪影響を及ぼし、良質の真空状態が得られないという欠
点もある。
真空容器内の搬送機構が誤動作したとき、これを修復Ｔ
るためには真空容器の蓋を取外ざなければならない場合
が多く、長時間を要し、生産性が着しく低下するのみで
なく、スパッタ膜の品質が安定せず、歩留りが悪くなる
。
るためには真空容器の蓋を取外ざなければならない場合
が多く、長時間を要し、生産性が着しく低下するのみで
なく、スパッタ膜の品質が安定せず、歩留りが悪くなる
。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を除来し、信頼
性のｌＩＡ／Ａ１ｅ！容器内の搬送を実現するにある。
性のｌＩＡ／Ａ１ｅ！容器内の搬送を実現するにある。
本発明によれば、真空容器の一部に電磁波が透過する室
を設け、真空容器の外部に電磁波発射手段と電磁波検知
手段とな設け、電磁波発射手段から発射された電磁波ｒ
ｔ室を通して真空容器内に導き、真空容器内を移動せし
められる物品にようて生ずる、電磁波検知手段の受ける
電磁波の強度変化を検知し、これによって真空容器内の
部品の位置を検出し、物品の移動【停止して所定の位置
に位置決めする方法が提供されるＯ 本発明の実施例を第２図ないし第４図について説明する
。
を設け、真空容器の外部に電磁波発射手段と電磁波検知
手段とな設け、電磁波発射手段から発射された電磁波ｒ
ｔ室を通して真空容器内に導き、真空容器内を移動せし
められる物品にようて生ずる、電磁波検知手段の受ける
電磁波の強度変化を検知し、これによって真空容器内の
部品の位置を検出し、物品の移動【停止して所定の位置
に位置決めする方法が提供されるＯ 本発明の実施例を第２図ないし第４図について説明する
。
第２図に示す実施例は第１図に示した従来技術と対比し
てウェハ位置検出方法、および真空容器に窓を設けた点
が異っているのみであり、対応部品は同一参照番号が付
しである。真空容器の一部にガラス室２４を設けて内部
に＃！２５を、外部にレーザ発振＃２２とホトセンサ２
５ｒｔ設けた０ ゲートパルプ２を開き、ブー９７を回転してウェハ４ｆ
ｔ真空容器１内に移動せしめ、プーリ５ｒｔ回転してウ
ェハ４ｆｔ真空容器内な移動せしめる。ウェハ４がスパ
ッタ電極１５の直下に位置するとレーザ発振器２２から
発射されているレーザビームはガラス窓２４を通過し、
鏡２５で方向が変りてウェハ４に照射される。ウェハ表
面で反射したレーザビームは鏡２５で反射しガラス室２
４【通つでホトセンサ２３に入射する。ウニ＾４がスパ
ッタ電極１５の直下に位置していないときはレーザビー
ムは真空容器１の壁面あるいは内部部品の表面で反射さ
れるが、反射光のほとんどはホトセンサ２３に入射しな
い０従ってホトセンサ２５の出力を監視し、その変化に
応答してブー９５の回転を停止することによりウェハ４
をスパッタ電極１５の直下に位置せしめることができる
Ｏ 第３図は本発明の別の実施例としてウェハ位置検出部の
変形例を示す。真空容器１にはガラス窓２６．２７が設
けられ、レーザ発振゛器２２から発射されたレーザビー
ムはガラス＠２６を通して真空容器１内を通り、ガラス
窓２７ｒｔ通ってホトセンサ２３に入射する。ウェハ４
がレーザビームを遮るとホトセンｔ２３にレーザビーム
が入射されなくなり、ホトセンサ２３の出力が著しく変
化する。
てウェハ位置検出方法、および真空容器に窓を設けた点
が異っているのみであり、対応部品は同一参照番号が付
しである。真空容器の一部にガラス室２４を設けて内部
に＃！２５を、外部にレーザ発振＃２２とホトセンサ２
５ｒｔ設けた０ ゲートパルプ２を開き、ブー９７を回転してウェハ４ｆ
ｔ真空容器１内に移動せしめ、プーリ５ｒｔ回転してウ
ェハ４ｆｔ真空容器内な移動せしめる。ウェハ４がスパ
ッタ電極１５の直下に位置するとレーザ発振器２２から
発射されているレーザビームはガラス窓２４を通過し、
鏡２５で方向が変りてウェハ４に照射される。ウェハ表
面で反射したレーザビームは鏡２５で反射しガラス室２
４【通つでホトセンサ２３に入射する。ウニ＾４がスパ
ッタ電極１５の直下に位置していないときはレーザビー
ムは真空容器１の壁面あるいは内部部品の表面で反射さ
れるが、反射光のほとんどはホトセンサ２３に入射しな
い０従ってホトセンサ２５の出力を監視し、その変化に
応答してブー９５の回転を停止することによりウェハ４
をスパッタ電極１５の直下に位置せしめることができる
Ｏ 第３図は本発明の別の実施例としてウェハ位置検出部の
変形例を示す。真空容器１にはガラス窓２６．２７が設
けられ、レーザ発振゛器２２から発射されたレーザビー
ムはガラス＠２６を通して真空容器１内を通り、ガラス
窓２７ｒｔ通ってホトセンサ２３に入射する。ウェハ４
がレーザビームを遮るとホトセンｔ２３にレーザビーム
が入射されなくなり、ホトセンサ２３の出力が著しく変
化する。
第４図の実施例においては真空容器にガラス室２Ｂ、２
９．ＳＯｒｅ設け、真空容器１内に半透鏡３１゜反射鏡
３２．３５を設けである。レーザ発振器２１から発射さ
れたレーザビームはガラス室２８を通りて真空容器１内
に入り、レーザビームの一部は半透鏡５１で反射されて
ガラス窓５０ｒｔ通過してホトセンサ３４に入射する。
９．ＳＯｒｅ設け、真空容器１内に半透鏡３１゜反射鏡
３２．３５を設けである。レーザ発振器２１から発射さ
れたレーザビームはガラス室２８を通りて真空容器１内
に入り、レーザビームの一部は半透鏡５１で反射されて
ガラス窓５０ｒｔ通過してホトセンサ３４に入射する。
また、半透鏡３１を透過したレーザビームは反射鏡５２
．５５で反射してガラス窓２９を透過してホトセンサ３
５に入射する０この場合はベルト６上のウェハ４の位置
が２ケ所で検知される。
．５５で反射してガラス窓２９を透過してホトセンサ３
５に入射する０この場合はベルト６上のウェハ４の位置
が２ケ所で検知される。
上述した実施例ではレーザビームを使用したが本発明は
こ１ｔら実施例に限定されるものでなく、レーザ発振器
の代りにランプ、ランプとレンズとの組合せを用いても
よいことは勿論である０ 本発明によれば、真空容器内にホトセン＋１−設けなく
ともよいからホトセンサ、発光素子などからのガス放出
が皆無となり真空の質が向上する。さらに、真空内のヒ
ータやスパッタ作業中の熱による破損、誤動作がなく、
信頼性が著しく向上する。
こ１ｔら実施例に限定されるものでなく、レーザ発振器
の代りにランプ、ランプとレンズとの組合せを用いても
よいことは勿論である０ 本発明によれば、真空容器内にホトセン＋１−設けなく
ともよいからホトセンサ、発光素子などからのガス放出
が皆無となり真空の質が向上する。さらに、真空内のヒ
ータやスパッタ作業中の熱による破損、誤動作がなく、
信頼性が著しく向上する。
これらの直接的効果により生産性が向上し、品質のよい
スパッタリング作業が可能となり、歩留りが向上する。
スパッタリング作業が可能となり、歩留りが向上する。
容器として真空容器の例を示したが、従来技術では困難
であうた他の容器、例えば腐食性ガスに満された容器、
高温、低温の容器などについても本発明は適用可能であ
り、同様な効果を得ることができる。
であうた他の容器、例えば腐食性ガスに満された容器、
高温、低温の容器などについても本発明は適用可能であ
り、同様な効果を得ることができる。
第１図は従来技術によるスパッタ装置の一例を示す概略
断面図、第２図は本発明によるスパッタ装置を例示する
概略断面図、第３図は本発明による第２の実施例の要部
を示す断面図、第４図は本発明による第３の実施例の要
部を示す断面図。 １１真空容器、 ４＝ウエハ、 ５：プーリ、 ６８ベル）、 １１．１２・・・ホトセンサ、２２：レーザ発振器、２
４．２６．２７．２Ｂ、２９．５０２ガラス窓、２５．
３２．５！Ｓ １反射鏡、 ５１；半透鏡、２Ｓ、５４
．５５−ホトセンサ。 代理人弁理士 薄 １）利 宰？ 第１乙 ４ 第２ｎ
断面図、第２図は本発明によるスパッタ装置を例示する
概略断面図、第３図は本発明による第２の実施例の要部
を示す断面図、第４図は本発明による第３の実施例の要
部を示す断面図。 １１真空容器、 ４＝ウエハ、 ５：プーリ、 ６８ベル）、 １１．１２・・・ホトセンサ、２２：レーザ発振器、２
４．２６．２７．２Ｂ、２９．５０２ガラス窓、２５．
３２．５！Ｓ １反射鏡、 ５１；半透鏡、２Ｓ、５４
．５５−ホトセンサ。 代理人弁理士 薄 １）利 宰？ 第１乙 ４ 第２ｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 容器の一部に電磁波が透過する窯を設け１容器の
外に設けた電磁波発射手段から発射した電磁波を上記室
を通して容器内の物品に照射し、該物品からの反射波ま
たは該物品によって生ずる前記電磁波の強度変化を、該
容器外に設けた電磁波検知手段によって検知し、該物体
の位置を検出することを特徴とする位置検出方法。 （２）密封容器内に物品搬送装置を設け、該密封容器の
一部に電磁波が通過する室を設け、該容器外に電磁波発
射手段と電磁波検知手段とを設け、該電磁波発射手段か
ら発射されて電磁波検知手段によって検知される電磁波
の強度変化によって、前記搬送装置によって搬送される
物品が所定の位置に到着したことを検知し、搬送装置の
作動を停止することによって物品を容器内の所定の位置
に位置決めする物品位置決め方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17303581A JPS5875017A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17303581A JPS5875017A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875017A true JPS5875017A (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=15952986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17303581A Pending JPS5875017A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875017A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139576A (en) * | 1978-03-09 | 1979-10-30 | British Steel Corp | Method of measuring dimensions of cross section of body in motion and gauge used for said method |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17303581A patent/JPS5875017A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139576A (en) * | 1978-03-09 | 1979-10-30 | British Steel Corp | Method of measuring dimensions of cross section of body in motion and gauge used for said method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109216238B (zh) | 基板翘曲检测装置及方法和基板处理装置及方法 | |
| JP4767632B2 (ja) | 基板の異常検出方法 | |
| US6717112B1 (en) | Apparatus for annealing a multi-layer body, and such a multi-layer body | |
| TWI428585B (zh) | A substrate inspection mechanism, and a substrate processing apparatus using the same | |
| KR102232360B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| US20120225568A1 (en) | Annealing method and annealing apparatus | |
| WO2002052062A1 (fr) | Dispositif de traitement | |
| KR102153174B1 (ko) | 노광 장치, 기판 처리 장치, 노광 방법 및 기판 처리 방법 | |
| US4527042A (en) | Method and apparatus for vacuum sealing a vacuum container assembly | |
| KR102321176B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| JP2000286207A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| KR20190013471A (ko) | 열처리 장치의 배기 방법 | |
| KR20110086065A (ko) | 처리 장치 | |
| JP2002075901A5 (ja) | ||
| JPS5875017A (ja) | 位置検出方法 | |
| JP3650943B2 (ja) | レーザーアニール処理装置 | |
| JP3500455B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP4701496B2 (ja) | 処理方法及びその装置 | |
| JP4071047B2 (ja) | 加熱冷却装置、真空処理装置 | |
| JP2011055001A (ja) | 搬送室および基板処理装置 | |
| JPH02116125A (ja) | 処理装置 | |
| JPS60125371A (ja) | 真空内基板加熱装置 | |
| JPH07221158A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPH0377659B2 (ja) | ||
| JPH06249966A (ja) | 被処理体の検出装置 |