JPS5874669A - ピラゾ−ル誘導体の製造方法 - Google Patents

ピラゾ−ル誘導体の製造方法

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JPS5874669A
JPS5874669A JP14815282A JP14815282A JPS5874669A JP S5874669 A JPS5874669 A JP S5874669A JP 14815282 A JP14815282 A JP 14815282A JP 14815282 A JP14815282 A JP 14815282A JP S5874669 A JPS5874669 A JP S5874669A
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JP14815282A
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Ryuzo Nishiyama
西山 隆三
Fumio Kimura
木村 史雄
Takahiro Haga
隆弘 芳賀
Nobuyuki Sakashita
坂下 信行
Tetsuji Nishikawa
哲治 西川
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Ishihara Sangyo Kaisha Ltd
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Ishihara Sangyo Kaisha Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はピラゾール誘導体の製造方法に関する。
さらに詳しくは本発明は、 (a12i2y# )基、7”ロパルイル基、4・ニト
ロベンシル基、7工本チル基、7エナシル基、4−クロ
ロ7エナシル基、2,4−EJ90ロアzナシル基、4
−メチルスルホニル7エナシル基または2.4−ジニト
ロフェニル基である〕で表わされるピラゾール誘導体の
製造方法に係るものである。
本発明に係るピラゾール誘導体は一般に下記の方法で製
造される。
上記反応式中Y及びZは前述の通りであり、Haffは
へロデン原子である。上記反応において使用する溶媒と
してはナセシン、メチルエチルケトン、ジメチルホルム
アミドなどの非プロ)ン極性溶媒類があげられ、本たア
ルカリとしては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウムなどがあげられる。なお、沃化銅、弗化綱な
どのハロゲン化第−銅触媒を存在させた場合に、その反
応性を向上させることができる。
次に本発明による具体的合成例を記載する。
製造例1 1,3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−(2、4−ジニトロフェノキシ)ピ
ラゾール 4ツロフラスコに1.3−ジメチル−4−<2.4−ジ
クロロベンゾイル)・5−ヒドロ〜シビラゾール1,4
3.を入れてメチルエチルケトン15−gに溶解させた
。これに蕉水炭酸カリウム1.38gを加えて攪拌しな
がら2.4−ジニトロ7エ二ルフルオリドOL93gを
摘下し、滴下終了後3時間還流条件下で反応させた。フ
ラスコ内容物を濾過しメチルエチルケトンを留去して反
応沈澱物を得、これを塩化メチレンに溶解させた。この
溶−と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液とを混合し、号液
して有機層を取り出し、塩化メチレンを留去して固形物
を得た。この固形物をベンゼンで洗浄して融点190〜
192℃の目的物1.58gを得た。
製造例2 1,3−ツメチル−4−(2、4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−プロパルギルオキシピラゾール2雷
4−ノ二Yロフェニルフルオリド0.93gに代えてプ
ロパルギルブロミ)#0.71gを使用することを除い
ては、前記製造例1と同様にして反応させ、精製して、
屈折率nD”1.585の目的物0.93gを得r:、
製mM3  1.3−ノツチルー4−(214−ジクロ
ロベンゾイル)−5−(4−クロロベンゾイルメトキシ
)ピラゾール 2.4−ジニトロ7エ二ルフルオリド0.93gに代え
てp−クロロ7エナシルブロミド1.0gを使用するこ
とを除−1では、前記製造例1と同様にしで反応させ、
精製しで、茶褐色の半固状目的物1.72gを得た。
製造例4 1.3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5〜ベンゾイルメトキシピラゾール4ツ
ロフラスコに1.3−ジメチル−4−(2、4−ジクロ
ロベンゾイル)−5−ヒVt1I+1!−シピラゾール
1.43.、を入れて、メチルエチルケトン15@Qに
溶解させた。これに簾水炭酸カリウム1.38gを加え
で攪拌しながら7エナシルプロミド1.0gを滴下し、
滴下終了後3時間還流条件下で反応させた。フラスコ内
容物を濾過し、メチルエチルケトンを留去して反応沈澱
物を得、これを塩化メチレンに溶解させた。この溶液と
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液とを混合し、分液して有
機層を取り出し、塩化メチレンを留去して融点102〜
104℃の目的物1.92gを得た。
上記製造性成いは製造例に準じで製造した化合物を次表
に記載する。
本発明のピラゾール誘導体は、後記試験例にみる通り、
除草剤の有効成分として使用した場合に好適な作用効果
を示す。特にイネなどの作物に対して実質的に害を与え
ることなく、ヒエ、カヤツリグサ、斗カシグサ、ホタル
イ、ウリカワなどの有害雑草をよ(防除する。
本発明除草剤は各種雑草に対してすぐれた除草効果をも
たらすので、その適用範囲は水田をはじめ、畑地、果樹
園、桑園、山林、農道、グラウンド、工場敷地など多岐
にわたり、適用方法も土壌処理、茎葉処理を適宜選択で
終る。
本発明除草剤は、前述の有効成分すなわち、ピラゾール
誘導体を水に直接溶解ないしは分散させて、水溶液或は
水分散液とするはか、珪藻土、消石灰、炭酸カルシウム
、滑石、ホワイトカーボン、カオリン、(ントナイト、
シータライ)などの担体:ベンゼン、トルエン、袴シリ
ン、ツルベン)ナフサ、エタノール、ジオ斗サン、アセ
トン、イソホロン、メチルイソブチルケトン、ツノチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、水などの溶剤:
さらに必要に応じでアル斗ル硫酸ソーダ、アルキルベン
ゼンスルホン陵ソーダ、リグニンスルホン酸ソーダ、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンアル47し7リールエーテル、ポリオ斗ジエチレン脂
肪酸エステル、ポリオ斗ジエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステルなどの7ニオン系或いは、非イオン系界面活性剤
などを適宜配合し、乳剤、水和剤、液剤、粉剤、粒剤の
形態に製剤して使用できる。
製剤時の配合割合は例えば、有効成分を1〜90重量%
、望ましくは1〜70重量%、担体または溶剤を5〜9
9重量%、望ましくは25〜99重1%、界面活性剤を
0〜30重量%、望ましくは1〜20重量%とするのが
過当である。
また、本発明wIt草剤は他の除草剤、殺虫剤、殺菌剤
などの農薬類、或は肥料、土壌などと混用、併用するこ
とができ、この場合に一層すぐれた効果を示す場合もあ
る。
本発明除草剤の施用適量は気象条件、土壌条件、薬剤の
製剤形態、施用時期、施用方法、対象雑草の種類などの
相通により一層に規定できないが、一般に1アール当り
の施用有効成分量として1〜500g、望ましくは10
〜100gである。
次に、本発明に係る除草剤の植物試験及び製剤の実施例
を記載するが、勿論本発明はこれらの記載のみに限定さ
れるものではない。
試験例1゜ 1/2,000アールポツトに、水田土壌をいれて飽水
させた後、食餌ビニ種子を播種し、軽く覆土して畑状態
で発芽させた。子葉軸が出現したときに湛水して水深3
eaとし、各供試化合物の水分散液を有効成分当り10
0g/aになるように滴下処理した。薬液処理3週間後
に生育状態を肉眼で観察し、下記基準(1〜5の5点法
)に基づいて生育抑制程度を表わし、表2に掲載した。
生育抑制程度 5:完全な枯死状態4 1:無処理区と同様の生育 表2 試験例2゜ 有効成分の施用量を減少させて処理することを除−1で
は、前記試験例1.と同様にして試験を行なった。
試験例3゜ 1/2,0007−ルボツトに水田土壌を入れで飽水さ
せた後、ホタルイ種子を多量に含む土壌を各ポットの土
壌表面にまいた。ホタルイが1葉期に達したときに湛水
して水深3cmとし、所定量の各供試化合物の水分散液
を滴下処理した。薬液処理3週問後に生育状態を肉眼で
観察し、試験例1.の場合と同様の基準で生育抑制程度
を表わし、表4の結果を得た。
表4 試験例4゜ 1/2,000y−ルボットにウリカワの塊茎を植え込
んで湛水して水深3c−とし、温室内に生育させた。ウ
リカワが2I!期に達したときに、所定量の各供試化合
−の水分散液を滴下処理した。薬液処理3週間後に生育
状態を肉眼で観察し、試験例1.の場合と同様の基準で
生育抑制程度を表わし、表5の結果を得た。
試験例5゜ 1/2,000ア−ルーットに水田土壌を詰めて飽水さ
せた後、2.5葉期の水稲苗を移植し湛水しで生育させ
た。
移植後3日月に湛水深3c−の躾態で供試化合物の水分
散液を所定の処理量になるよう滴下処理をおこなった。
処理後4週間目に全個体を抜取り、風乾型を秤量して無
処理区を100とする指数を求めた。
製剤例1゜ (1)ベントナイト            58重量
部(2)ジ−クライト           30  
It(3) リグニンスルホン酸ソーダ     5 
〃以上の各成分を混合、造粒し、これに適量のア七トン
で希釈した1、3−ツメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−(2,4−)ニトロ71ノ斗シ)ピ
ラゾール7重量部をスプレーして本発明除草剤(粒剤)
を得た。
製剤例2゜ (1)  1.3−ジメチル・4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5・アリロキシピラゾール    20
重量部(2) キシレン            60
 #(3)ツルポール2806B(商品名:東邦化学工
業製)20 # 以上の各成分番均−に混合して、本発明除草剤(乳剤)
を得た。     ′ 製剤例3゜ (1)  1.3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5・ベンゾイルメトキシピラゾール 20重量部 (2)ノークライト           75 #(
3) ラベリンS(商品名:第−工IIt製薬製)2 
 〃 (4)9ゲニンスルホン酸ソーダ     3 #以上
の各成分を均一に混合しで、本発明除草剤(水和剤)を
得た。
特許出願人 石原産業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 C)1g 〔式中Yは塩素原子または二[0基である〕で表わされ
    る化合物と一般式Ha(!−Z(式中Zはアリル(aO
    ay(1)基、プロパルギル基、4−ニトロベンシル基
    、7エネチル基、7エナシル基、4−りaロア1ナシル
    基、2,4−ジクロロフェナシル基、4−メチルスルホ
    ニル7エナシル基または2,4−ノニシロ7xニル基で
    ある〕で表わされる化合物とを反応−ル誘導体の製造方
    法。
JP14815282A 1982-08-26 1982-08-26 ピラゾ−ル誘導体の製造方法 Expired JPS605589B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208173A (en) * 1990-03-20 1993-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5208173A (en) * 1990-03-20 1993-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

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