JPS5874669A - ピラゾ−ル誘導体の製造方法 - Google Patents
ピラゾ−ル誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5874669A JPS5874669A JP14815282A JP14815282A JPS5874669A JP S5874669 A JPS5874669 A JP S5874669A JP 14815282 A JP14815282 A JP 14815282A JP 14815282 A JP14815282 A JP 14815282A JP S5874669 A JPS5874669 A JP S5874669A
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- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はピラゾール誘導体の製造方法に関する。
さらに詳しくは本発明は、
(a12i2y# )基、7”ロパルイル基、4・ニト
ロベンシル基、7工本チル基、7エナシル基、4−クロ
ロ7エナシル基、2,4−EJ90ロアzナシル基、4
−メチルスルホニル7エナシル基または2.4−ジニト
ロフェニル基である〕で表わされるピラゾール誘導体の
製造方法に係るものである。
ロベンシル基、7工本チル基、7エナシル基、4−クロ
ロ7エナシル基、2,4−EJ90ロアzナシル基、4
−メチルスルホニル7エナシル基または2.4−ジニト
ロフェニル基である〕で表わされるピラゾール誘導体の
製造方法に係るものである。
本発明に係るピラゾール誘導体は一般に下記の方法で製
造される。
造される。
上記反応式中Y及びZは前述の通りであり、Haffは
へロデン原子である。上記反応において使用する溶媒と
してはナセシン、メチルエチルケトン、ジメチルホルム
アミドなどの非プロ)ン極性溶媒類があげられ、本たア
ルカリとしては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウムなどがあげられる。なお、沃化銅、弗化綱な
どのハロゲン化第−銅触媒を存在させた場合に、その反
応性を向上させることができる。
へロデン原子である。上記反応において使用する溶媒と
してはナセシン、メチルエチルケトン、ジメチルホルム
アミドなどの非プロ)ン極性溶媒類があげられ、本たア
ルカリとしては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウムなどがあげられる。なお、沃化銅、弗化綱な
どのハロゲン化第−銅触媒を存在させた場合に、その反
応性を向上させることができる。
次に本発明による具体的合成例を記載する。
製造例1 1,3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−(2、4−ジニトロフェノキシ)ピ
ラゾール 4ツロフラスコに1.3−ジメチル−4−<2.4−ジ
クロロベンゾイル)・5−ヒドロ〜シビラゾール1,4
3.を入れてメチルエチルケトン15−gに溶解させた
。これに蕉水炭酸カリウム1.38gを加えて攪拌しな
がら2.4−ジニトロ7エ二ルフルオリドOL93gを
摘下し、滴下終了後3時間還流条件下で反応させた。フ
ラスコ内容物を濾過しメチルエチルケトンを留去して反
応沈澱物を得、これを塩化メチレンに溶解させた。この
溶−と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液とを混合し、号液
して有機層を取り出し、塩化メチレンを留去して固形物
を得た。この固形物をベンゼンで洗浄して融点190〜
192℃の目的物1.58gを得た。
ベンゾイル)−5−(2、4−ジニトロフェノキシ)ピ
ラゾール 4ツロフラスコに1.3−ジメチル−4−<2.4−ジ
クロロベンゾイル)・5−ヒドロ〜シビラゾール1,4
3.を入れてメチルエチルケトン15−gに溶解させた
。これに蕉水炭酸カリウム1.38gを加えて攪拌しな
がら2.4−ジニトロ7エ二ルフルオリドOL93gを
摘下し、滴下終了後3時間還流条件下で反応させた。フ
ラスコ内容物を濾過しメチルエチルケトンを留去して反
応沈澱物を得、これを塩化メチレンに溶解させた。この
溶−と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液とを混合し、号液
して有機層を取り出し、塩化メチレンを留去して固形物
を得た。この固形物をベンゼンで洗浄して融点190〜
192℃の目的物1.58gを得た。
製造例2 1,3−ツメチル−4−(2、4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−プロパルギルオキシピラゾール2雷
4−ノ二Yロフェニルフルオリド0.93gに代えてプ
ロパルギルブロミ)#0.71gを使用することを除い
ては、前記製造例1と同様にして反応させ、精製して、
屈折率nD”1.585の目的物0.93gを得r:、
。
ベンゾイル)−5−プロパルギルオキシピラゾール2雷
4−ノ二Yロフェニルフルオリド0.93gに代えてプ
ロパルギルブロミ)#0.71gを使用することを除い
ては、前記製造例1と同様にして反応させ、精製して、
屈折率nD”1.585の目的物0.93gを得r:、
。
製mM3 1.3−ノツチルー4−(214−ジクロ
ロベンゾイル)−5−(4−クロロベンゾイルメトキシ
)ピラゾール 2.4−ジニトロ7エ二ルフルオリド0.93gに代え
てp−クロロ7エナシルブロミド1.0gを使用するこ
とを除−1では、前記製造例1と同様にしで反応させ、
精製しで、茶褐色の半固状目的物1.72gを得た。
ロベンゾイル)−5−(4−クロロベンゾイルメトキシ
)ピラゾール 2.4−ジニトロ7エ二ルフルオリド0.93gに代え
てp−クロロ7エナシルブロミド1.0gを使用するこ
とを除−1では、前記製造例1と同様にしで反応させ、
精製しで、茶褐色の半固状目的物1.72gを得た。
製造例4 1.3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5〜ベンゾイルメトキシピラゾール4ツ
ロフラスコに1.3−ジメチル−4−(2、4−ジクロ
ロベンゾイル)−5−ヒVt1I+1!−シピラゾール
1.43.、を入れて、メチルエチルケトン15@Qに
溶解させた。これに簾水炭酸カリウム1.38gを加え
で攪拌しながら7エナシルプロミド1.0gを滴下し、
滴下終了後3時間還流条件下で反応させた。フラスコ内
容物を濾過し、メチルエチルケトンを留去して反応沈澱
物を得、これを塩化メチレンに溶解させた。この溶液と
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液とを混合し、分液して有
機層を取り出し、塩化メチレンを留去して融点102〜
104℃の目的物1.92gを得た。
ベンゾイル)−5〜ベンゾイルメトキシピラゾール4ツ
ロフラスコに1.3−ジメチル−4−(2、4−ジクロ
ロベンゾイル)−5−ヒVt1I+1!−シピラゾール
1.43.、を入れて、メチルエチルケトン15@Qに
溶解させた。これに簾水炭酸カリウム1.38gを加え
で攪拌しながら7エナシルプロミド1.0gを滴下し、
滴下終了後3時間還流条件下で反応させた。フラスコ内
容物を濾過し、メチルエチルケトンを留去して反応沈澱
物を得、これを塩化メチレンに溶解させた。この溶液と
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液とを混合し、分液して有
機層を取り出し、塩化メチレンを留去して融点102〜
104℃の目的物1.92gを得た。
上記製造性成いは製造例に準じで製造した化合物を次表
に記載する。
に記載する。
本発明のピラゾール誘導体は、後記試験例にみる通り、
除草剤の有効成分として使用した場合に好適な作用効果
を示す。特にイネなどの作物に対して実質的に害を与え
ることなく、ヒエ、カヤツリグサ、斗カシグサ、ホタル
イ、ウリカワなどの有害雑草をよ(防除する。
除草剤の有効成分として使用した場合に好適な作用効果
を示す。特にイネなどの作物に対して実質的に害を与え
ることなく、ヒエ、カヤツリグサ、斗カシグサ、ホタル
イ、ウリカワなどの有害雑草をよ(防除する。
本発明除草剤は各種雑草に対してすぐれた除草効果をも
たらすので、その適用範囲は水田をはじめ、畑地、果樹
園、桑園、山林、農道、グラウンド、工場敷地など多岐
にわたり、適用方法も土壌処理、茎葉処理を適宜選択で
終る。
たらすので、その適用範囲は水田をはじめ、畑地、果樹
園、桑園、山林、農道、グラウンド、工場敷地など多岐
にわたり、適用方法も土壌処理、茎葉処理を適宜選択で
終る。
本発明除草剤は、前述の有効成分すなわち、ピラゾール
誘導体を水に直接溶解ないしは分散させて、水溶液或は
水分散液とするはか、珪藻土、消石灰、炭酸カルシウム
、滑石、ホワイトカーボン、カオリン、(ントナイト、
シータライ)などの担体:ベンゼン、トルエン、袴シリ
ン、ツルベン)ナフサ、エタノール、ジオ斗サン、アセ
トン、イソホロン、メチルイソブチルケトン、ツノチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、水などの溶剤:
さらに必要に応じでアル斗ル硫酸ソーダ、アルキルベン
ゼンスルホン陵ソーダ、リグニンスルホン酸ソーダ、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンアル47し7リールエーテル、ポリオ斗ジエチレン脂
肪酸エステル、ポリオ斗ジエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステルなどの7ニオン系或いは、非イオン系界面活性剤
などを適宜配合し、乳剤、水和剤、液剤、粉剤、粒剤の
形態に製剤して使用できる。
誘導体を水に直接溶解ないしは分散させて、水溶液或は
水分散液とするはか、珪藻土、消石灰、炭酸カルシウム
、滑石、ホワイトカーボン、カオリン、(ントナイト、
シータライ)などの担体:ベンゼン、トルエン、袴シリ
ン、ツルベン)ナフサ、エタノール、ジオ斗サン、アセ
トン、イソホロン、メチルイソブチルケトン、ツノチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、水などの溶剤:
さらに必要に応じでアル斗ル硫酸ソーダ、アルキルベン
ゼンスルホン陵ソーダ、リグニンスルホン酸ソーダ、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンアル47し7リールエーテル、ポリオ斗ジエチレン脂
肪酸エステル、ポリオ斗ジエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステルなどの7ニオン系或いは、非イオン系界面活性剤
などを適宜配合し、乳剤、水和剤、液剤、粉剤、粒剤の
形態に製剤して使用できる。
製剤時の配合割合は例えば、有効成分を1〜90重量%
、望ましくは1〜70重量%、担体または溶剤を5〜9
9重量%、望ましくは25〜99重1%、界面活性剤を
0〜30重量%、望ましくは1〜20重量%とするのが
過当である。
、望ましくは1〜70重量%、担体または溶剤を5〜9
9重量%、望ましくは25〜99重1%、界面活性剤を
0〜30重量%、望ましくは1〜20重量%とするのが
過当である。
また、本発明wIt草剤は他の除草剤、殺虫剤、殺菌剤
などの農薬類、或は肥料、土壌などと混用、併用するこ
とができ、この場合に一層すぐれた効果を示す場合もあ
る。
などの農薬類、或は肥料、土壌などと混用、併用するこ
とができ、この場合に一層すぐれた効果を示す場合もあ
る。
本発明除草剤の施用適量は気象条件、土壌条件、薬剤の
製剤形態、施用時期、施用方法、対象雑草の種類などの
相通により一層に規定できないが、一般に1アール当り
の施用有効成分量として1〜500g、望ましくは10
〜100gである。
製剤形態、施用時期、施用方法、対象雑草の種類などの
相通により一層に規定できないが、一般に1アール当り
の施用有効成分量として1〜500g、望ましくは10
〜100gである。
次に、本発明に係る除草剤の植物試験及び製剤の実施例
を記載するが、勿論本発明はこれらの記載のみに限定さ
れるものではない。
を記載するが、勿論本発明はこれらの記載のみに限定さ
れるものではない。
試験例1゜
1/2,000アールポツトに、水田土壌をいれて飽水
させた後、食餌ビニ種子を播種し、軽く覆土して畑状態
で発芽させた。子葉軸が出現したときに湛水して水深3
eaとし、各供試化合物の水分散液を有効成分当り10
0g/aになるように滴下処理した。薬液処理3週間後
に生育状態を肉眼で観察し、下記基準(1〜5の5点法
)に基づいて生育抑制程度を表わし、表2に掲載した。
させた後、食餌ビニ種子を播種し、軽く覆土して畑状態
で発芽させた。子葉軸が出現したときに湛水して水深3
eaとし、各供試化合物の水分散液を有効成分当り10
0g/aになるように滴下処理した。薬液処理3週間後
に生育状態を肉眼で観察し、下記基準(1〜5の5点法
)に基づいて生育抑制程度を表わし、表2に掲載した。
生育抑制程度 5:完全な枯死状態4
1:無処理区と同様の生育
表2
試験例2゜
有効成分の施用量を減少させて処理することを除−1で
は、前記試験例1.と同様にして試験を行なった。
は、前記試験例1.と同様にして試験を行なった。
試験例3゜
1/2,0007−ルボツトに水田土壌を入れで飽水さ
せた後、ホタルイ種子を多量に含む土壌を各ポットの土
壌表面にまいた。ホタルイが1葉期に達したときに湛水
して水深3cmとし、所定量の各供試化合物の水分散液
を滴下処理した。薬液処理3週問後に生育状態を肉眼で
観察し、試験例1.の場合と同様の基準で生育抑制程度
を表わし、表4の結果を得た。
せた後、ホタルイ種子を多量に含む土壌を各ポットの土
壌表面にまいた。ホタルイが1葉期に達したときに湛水
して水深3cmとし、所定量の各供試化合物の水分散液
を滴下処理した。薬液処理3週問後に生育状態を肉眼で
観察し、試験例1.の場合と同様の基準で生育抑制程度
を表わし、表4の結果を得た。
表4
試験例4゜
1/2,000y−ルボットにウリカワの塊茎を植え込
んで湛水して水深3c−とし、温室内に生育させた。ウ
リカワが2I!期に達したときに、所定量の各供試化合
−の水分散液を滴下処理した。薬液処理3週間後に生育
状態を肉眼で観察し、試験例1.の場合と同様の基準で
生育抑制程度を表わし、表5の結果を得た。
んで湛水して水深3c−とし、温室内に生育させた。ウ
リカワが2I!期に達したときに、所定量の各供試化合
−の水分散液を滴下処理した。薬液処理3週間後に生育
状態を肉眼で観察し、試験例1.の場合と同様の基準で
生育抑制程度を表わし、表5の結果を得た。
試験例5゜
1/2,000ア−ルーットに水田土壌を詰めて飽水さ
せた後、2.5葉期の水稲苗を移植し湛水しで生育させ
た。
せた後、2.5葉期の水稲苗を移植し湛水しで生育させ
た。
移植後3日月に湛水深3c−の躾態で供試化合物の水分
散液を所定の処理量になるよう滴下処理をおこなった。
散液を所定の処理量になるよう滴下処理をおこなった。
処理後4週間目に全個体を抜取り、風乾型を秤量して無
処理区を100とする指数を求めた。
処理区を100とする指数を求めた。
製剤例1゜
(1)ベントナイト 58重量
部(2)ジ−クライト 30
It(3) リグニンスルホン酸ソーダ 5
〃以上の各成分を混合、造粒し、これに適量のア七トン
で希釈した1、3−ツメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−(2,4−)ニトロ71ノ斗シ)ピ
ラゾール7重量部をスプレーして本発明除草剤(粒剤)
を得た。
部(2)ジ−クライト 30
It(3) リグニンスルホン酸ソーダ 5
〃以上の各成分を混合、造粒し、これに適量のア七トン
で希釈した1、3−ツメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5−(2,4−)ニトロ71ノ斗シ)ピ
ラゾール7重量部をスプレーして本発明除草剤(粒剤)
を得た。
製剤例2゜
(1) 1.3−ジメチル・4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5・アリロキシピラゾール 20
重量部(2) キシレン 60
#(3)ツルポール2806B(商品名:東邦化学工
業製)20 # 以上の各成分番均−に混合して、本発明除草剤(乳剤)
を得た。 ′ 製剤例3゜ (1) 1.3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5・ベンゾイルメトキシピラゾール 20重量部 (2)ノークライト 75 #(
3) ラベリンS(商品名:第−工IIt製薬製)2
〃 (4)9ゲニンスルホン酸ソーダ 3 #以上
の各成分を均一に混合しで、本発明除草剤(水和剤)を
得た。
ベンゾイル)−5・アリロキシピラゾール 20
重量部(2) キシレン 60
#(3)ツルポール2806B(商品名:東邦化学工
業製)20 # 以上の各成分番均−に混合して、本発明除草剤(乳剤)
を得た。 ′ 製剤例3゜ (1) 1.3−ジメチル−4−(2,4−ジクロロ
ベンゾイル)−5・ベンゾイルメトキシピラゾール 20重量部 (2)ノークライト 75 #(
3) ラベリンS(商品名:第−工IIt製薬製)2
〃 (4)9ゲニンスルホン酸ソーダ 3 #以上
の各成分を均一に混合しで、本発明除草剤(水和剤)を
得た。
特許出願人 石原産業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 C)1g 〔式中Yは塩素原子または二[0基である〕で表わされ
る化合物と一般式Ha(!−Z(式中Zはアリル(aO
ay(1)基、プロパルギル基、4−ニトロベンシル基
、7エネチル基、7エナシル基、4−りaロア1ナシル
基、2,4−ジクロロフェナシル基、4−メチルスルホ
ニル7エナシル基または2,4−ノニシロ7xニル基で
ある〕で表わされる化合物とを反応−ル誘導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14815282A JPS605589B2 (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ピラゾ−ル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14815282A JPS605589B2 (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ピラゾ−ル誘導体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9611077A Division JPS5441872A (en) | 1977-08-12 | 1977-08-12 | Pyrazole derivative and herbicide containing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5874669A true JPS5874669A (ja) | 1983-05-06 |
JPS605589B2 JPS605589B2 (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15446422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14815282A Expired JPS605589B2 (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ピラゾ−ル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605589B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5208173A (en) * | 1990-03-20 | 1993-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14815282A patent/JPS605589B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5208173A (en) * | 1990-03-20 | 1993-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS605589B2 (ja) | 1985-02-12 |
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