JPS5874200A - 上水汚泥の脱水方法 - Google Patents
上水汚泥の脱水方法Info
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- JPS5874200A JPS5874200A JP56171221A JP17122181A JPS5874200A JP S5874200 A JPS5874200 A JP S5874200A JP 56171221 A JP56171221 A JP 56171221A JP 17122181 A JP17122181 A JP 17122181A JP S5874200 A JPS5874200 A JP S5874200A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は上水汚泥の脱水方法Ｋｌｌするもので弗ゐ・
一般に上水汚ＩＩ（浄水場発生汚泥）は保水力か強い水
酸化アルミニウム會含有するため直ＳＩ濾過脱水するこ
とは困−で６１通常説、水藺処ＩＩＩが７行われてｉゐ
。この脱水ＩＩＩ＆ＩＩＫは各種の方法があゐが、七〇
一つとして高分子凝集剤（ポリマー）ｔｓ、ｍ−ｒ、ｂ
７Ｆ法か６９．この高分子凝集剤の添加によｐ上水汚Ｉ
ｌｏ＊細脱水性社改善されＪｌがその効果は充分とは嘗
見ない。
酸化アルミニウム會含有するため直ＳＩ濾過脱水するこ
とは困−で６１通常説、水藺処ＩＩＩが７行われてｉゐ
。この脱水ＩＩＩ＆ＩＩＫは各種の方法があゐが、七〇
一つとして高分子凝集剤（ポリマー）ｔｓ、ｍ−ｒ、ｂ
７Ｆ法か６９．この高分子凝集剤の添加によｐ上水汚Ｉ
ｌｏ＊細脱水性社改善されＪｌがその効果は充分とは嘗
見ない。
そ【で、本出願人紘種々試験した結果、高分子ａ＊＊を
添加すゐ繭に上水汚泥に超音波を照射して汚ａｔ改質す
あと高分子凝集剤の凝集能力が真書ｊ、これによって上
水汚泥の一過遍ｌ！が遍壕ｐ１脱水會効率良く行うこと
ができることを検出した。
添加すゐ繭に上水汚泥に超音波を照射して汚ａｔ改質す
あと高分子凝集剤の凝集能力が真書ｊ、これによって上
水汚泥の一過遍ｌ！が遍壕ｐ１脱水會効率良く行うこと
ができることを検出した。
しか為に上記の占うな上水汚泥の超音液前ＩＩ＆職Ｋか
％Ａ丁、趨、音波Ｏ１１度および照射時間と高分子−系
鋼を添加した汚泥の一遥逼直上昇効果の関係が不−で６
つ７ｔのでζ０点を郷明する必要があｐ。
％Ａ丁、趨、音波Ｏ１１度および照射時間と高分子−系
鋼を添加した汚泥の一遥逼直上昇効果の関係が不−で６
つ７ｔのでζ０点を郷明する必要があｐ。
又趨音ｔＩＩＬ＊Ｊ６ｍｌは高価な電気エネルギー會必
要とするので！６ｍｌ効果と経済往管考慮して遍轟な照
射条件を選定する必要がある。
要とするので！６ｍｌ効果と経済往管考慮して遍轟な照
射条件を選定する必要がある。
本発明は上記の点を考慮して成されたもＯて。
上水汚ｌ＠に超音波音照射し曳後に高分子凝集剤を添加
し、さらに腋汚泥管−過脱水するようにしたＪ水汚泥０
脱水方法において、超音波照射条件を選定すゐことによ
ｐ上水汚＊ｏｍ水會経済的に行うことかで自る上水汚泥
の脱水方法管提供することＹｒ＠的とする。
し、さらに腋汚泥管−過脱水するようにしたＪ水汚泥０
脱水方法において、超音波照射条件を選定すゐことによ
ｐ上水汚＊ｏｍ水會経済的に行うことかで自る上水汚泥
の脱水方法管提供することＹｒ＠的とする。
以下本発明の実施例ｔ−１！１１面とともに説明すゐ。
第１図は超音波照射の実験装置管示し、ｌは円径１３ａ
Ｉｓのテフロンビーカーで内部に上水汚濁−會収納すゐ
。３は振動子、〆、は振動子ＪＫ加振エネルギー會供給
すゐ発車機、ｊは振動子３０下１１１に取付けられたホ
ーンで、ホーンｊの先端部は直径に浸漬する。上記装置
におｉでは振動子３からホーンＳ【介して上水汚泥ＪＫ
超音波を照射する。
Ｉｓのテフロンビーカーで内部に上水汚濁−會収納すゐ
。３は振動子、〆、は振動子ＪＫ加振エネルギー會供給
すゐ発車機、ｊは振動子３０下１１１に取付けられたホ
ーンで、ホーンｊの先端部は直径に浸漬する。上記装置
におｉでは振動子３からホーンＳ【介して上水汚泥ＪＫ
超音波を照射する。
龍青ｗＬＯ馬波数は１１１１３１ｍ、出力は約５ｏｏｖ
、超音波放射１ｌｌ−轟夛Ｏ出力は５ｖ７−とする。こ
の超青ｔＩＩＬｌ＆■は上水汚ｍコの量と超音波照射時
間を遍轟に変えてパッチ式で行い、しかる後に一定量の
高分子凝集剤を添加し、さらに真９圧４００１１１１１
ｇのヌッチェ試験装置により真９濾過脱水試験會実施し
た。ｖ４．上水汚ｆ１．２の性状は第１表に示し、高分
子凝集剤はサンフロックＭ−ＯＦ（ノニオン性ボリアク
リルア（ド）ｔａｌｌｌｌｌ液としてα５ｂ１６（対ａ
ｓ）添加し友。
、超音波放射１ｌｌ−轟夛Ｏ出力は５ｖ７−とする。こ
の超青ｔＩＩＬｌ＆■は上水汚ｍコの量と超音波照射時
間を遍轟に変えてパッチ式で行い、しかる後に一定量の
高分子凝集剤を添加し、さらに真９圧４００１１１１１
ｇのヌッチェ試験装置により真９濾過脱水試験會実施し
た。ｖ４．上水汚ｆ１．２の性状は第１表に示し、高分
子凝集剤はサンフロックＭ−ＯＦ（ノニオン性ボリアク
リルア（ド）ｔａｌｌｌｌｌ液としてα５ｂ１６（対ａ
ｓ）添加し友。
ｊｌｌｌ 表
上記試験の結果、上水汚泥コは一過分離され。
ケーキと脱離液とに分離される。第２図は超音波照射時
間と脱水クー中含水率および一過遍度とＯ関係を示し、
イル二は夫々超音波被照射汚泥量がａ６ｊｌ、１ｇ、８
ｊ１および超音波無照射の場會會示す。閣から明らかな
ように、超音波被照射強度量がα５〜８ｇの範囲では照
射時間か２分までは濾過装置は上昇し、無照射の場合の
１４〜Ｌ７倚となるが照射時間が２分以上では一過遍直
上昇傾肉が虜打ちとなるかｔたは漸減する傾向が見られ
る。又、脱水ケーキの含水＊については超音波照り１射
の影響ｉｔ願着ではない。
間と脱水クー中含水率および一過遍度とＯ関係を示し、
イル二は夫々超音波被照射汚泥量がａ６ｊｌ、１ｇ、８
ｊ１および超音波無照射の場會會示す。閣から明らかな
ように、超音波被照射強度量がα５〜８ｇの範囲では照
射時間か２分までは濾過装置は上昇し、無照射の場合の
１４〜Ｌ７倚となるが照射時間が２分以上では一過遍直
上昇傾肉が虜打ちとなるかｔたは漸減する傾向が見られ
る。又、脱水ケーキの含水＊については超音波照り１射
の影響ｉｔ願着ではない。
次に超音ｍａｉ力Ｐｇ ｆ一定とすると汚泥の超音波
被照射強度１−は被照射汚泥容積Ｖ−と近似的に逆比例
するＯで、被照射強度ｍｓと照射時間ｔａの積ｔ！ （
ｍ１式で示される。
被照射強度１−は被照射汚泥容積Ｖ−と近似的に逆比例
するＯで、被照射強度ｍｓと照射時間ｔａの積ｔ！ （
ｍ１式で示される。
Ｉｓ Ｘ ｔｓ ｍ Ｐｇ （ＩＩ） ｘｔｓ （分）
／Ｖ ＠ （１１） ・” （１）ｔｙｔｍ超音波Ｊ６
ｉｌＹｔ連続的に行う場合、超音波処 １−速Ｊ［Ｕ
はＪ６１１固形物量（却・Ｄ−）／超音波無照射） □
／時で表現でき、呻）式で示される。
／Ｖ ＠ （１１） ・” （１）ｔｙｔｍ超音波Ｊ６
ｉｌＹｔ連続的に行う場合、超音波処 １−速Ｊ［Ｕ
はＪ６１１固形物量（却・Ｄ−）／超音波無照射） □
／時で表現でき、呻）式で示される。
−〇 Ｖ＃ ａｓ
Ｏ（＃・Ｄ＃４１宵’−ｉ； ’ ＰＩ−面 ・・・
（至）よび−過比抵抗（×印で示す。）Ｏ―係を片対数
でプロットしたもｏｔｇｓ図に示ｔｏｔｓ７’Ｖ＃が１
０以下においては、ｌｏｇ ｔｓ／Ｖｓ ＄Ｐよびｆｌ
ｏｇ Ｕ Ｋ対ｆる濾過速度および一過比抵抗Ｏ＠関係
数ｒは夫々α６８）ｊび−６７６−ｅ１１６１ｃ）ｌｉ
ｌｌｌａＮ門？１１ｍ意なａｍが認められ、各相関係数
を示すＩｉＩ帰厘纏を実線ホおよび点線へで示す。ζＯ
結果、超音波強度Ｉｇと照射時間を−と０＠０対数慮ｏ
ｇｌｅ−ｔｓと一過速［および濾過比抵抗との関にもＩ
ｓ Ｘ ｔｓがある上限以下では夫々正および負Ｏ有意
な相関が認められる。
（至）よび−過比抵抗（×印で示す。）Ｏ―係を片対数
でプロットしたもｏｔｇｓ図に示ｔｏｔｓ７’Ｖ＃が１
０以下においては、ｌｏｇ ｔｓ／Ｖｓ ＄Ｐよびｆｌ
ｏｇ Ｕ Ｋ対ｆる濾過速度および一過比抵抗Ｏ＠関係
数ｒは夫々α６８）ｊび−６７６−ｅ１１６１ｃ）ｌｉ
ｌｌｌａＮ門？１１ｍ意なａｍが認められ、各相関係数
を示すＩｉＩ帰厘纏を実線ホおよび点線へで示す。ζＯ
結果、超音波強度Ｉｇと照射時間を−と０＠０対数慮ｏ
ｇｌｅ−ｔｓと一過速［および濾過比抵抗との関にもＩ
ｓ Ｘ ｔｓがある上限以下では夫々正および負Ｏ有意
な相関が認められる。
又、連続的に超音波処ｉｌ會行う場合で汚泥ｉｉｉ形物
処雅量（α８ＶａＯｓ／ｌｓ ）が一定Ｏ楊合、処理効
果管高めゐ即ち一過比抵抗ｔ／Ｊ−さくして一過連［を
速めるためには第８＃！Ｊに示すように超音波鵡瀧這度
υを遅くする必要がＴｏ９、こＯためには休）式から明
らかなように超音波出力Ｐ−を大きくする必要がある◎
一方、趨貴緻処環運度Ｕｌ速（すると超音波出力Ｐ―は
小さくて嵐いがｌ＆現効果が低下する。又、電力として
は超音波＠環のための所要電力Ｏ働ＫＰ湯のための所要
電力４必要であるので、−通運ｔｏ上昇によゐ一過所要
電力の節減も考慮して最４所要電力が少くなるように超
音妓処環遭度を定めなければならない。ここで、汚泥処
聰量１０Ｍ”／ｈｒで旭ｍ１ｌｌ形物量１０００却−Ｄ
ａ／ｈｒ （Ｄ場合にりいて、電気−音響変換効率８０
−１超責液無照射のｖａｏｒ過所要電力ｔ １５ｍＦ／
ＭｌトＬテ（従ってｌ０Ｍｌ０汚泥を一過するためＫＦ
ｉ１６０ＷＯ電力會要すゐ。ｙ趨膏＊Ｊ６臘遍度と電力
Ｏ得失とＯ関係を求めると＃ｌＩ雪ｎｏよ５になる。
処雅量（α８ＶａＯｓ／ｌｓ ）が一定Ｏ楊合、処理効
果管高めゐ即ち一過比抵抗ｔ／Ｊ−さくして一過連［を
速めるためには第８＃！Ｊに示すように超音波鵡瀧這度
υを遅くする必要がＴｏ９、こＯためには休）式から明
らかなように超音波出力Ｐ−を大きくする必要がある◎
一方、趨貴緻処環運度Ｕｌ速（すると超音波出力Ｐ―は
小さくて嵐いがｌ＆現効果が低下する。又、電力として
は超音波＠環のための所要電力Ｏ働ＫＰ湯のための所要
電力４必要であるので、−通運ｔｏ上昇によゐ一過所要
電力の節減も考慮して最４所要電力が少くなるように超
音妓処環遭度を定めなければならない。ここで、汚泥処
聰量１０Ｍ”／ｈｒで旭ｍ１ｌｌ形物量１０００却−Ｄ
ａ／ｈｒ （Ｄ場合にりいて、電気−音響変換効率８０
−１超責液無照射のｖａｏｒ過所要電力ｔ １５ｍＦ／
ＭｌトＬテ（従ってｌ０Ｍｌ０汚泥を一過するためＫＦ
ｉ１６０ＷＯ電力會要すゐ。ｙ趨膏＊Ｊ６臘遍度と電力
Ｏ得失とＯ関係を求めると＃ｌＩ雪ｎｏよ５になる。
凋１ 鵞 表
第２表において、超音技鵡塩遍度か１（却・叫肇警）の
場合、趙音ｔｌ！、出方＃１１０Ｇ０１Ｆｔ要Ｌ、ｔ’
ｍ効皐８０嘩であるから超音液入方は１２６０１Ｆとな
る。
場合、趙音ｔｌ！、出方＃１１０Ｇ０１Ｆｔ要Ｌ、ｔ’
ｍ効皐８０嘩であるから超音液入方は１２６０１Ｆとな
る。
又、超音波ＩＩＪ１１１遍ｆを遅くしたために濾過速度
か上昇して一過所要電力が６６−即ち１６０膠Ｘ Ｑ６
６−１００ｆｆ１ｍｍ−５ｔＬ、Ｍｊ６１００− Ｉ
Ｓｉ２０−−１１６０■となハ超音波無照射０楊合と比
べて１１６０８１所要電力か増加する。以下同機にして
電力の得失會算出する。従って、＊ｔ＊無照耐照射合と
比べて電力【節減で１４趨音繊旭環遭度の範履は約２６
−１００ ＃・ＤＩ ／ ＩＦ ７時となゐ。Ｌ こ
の範−に入る代表的な実験条件祉ｖ＠ ｗＪｌ ｇ 、
ｔｓｍ１分、Ｐ−−αＩＩＦ、０５ｍ１ｌＬｌ−で１１
ｒ−８９＃ ・Ｄａ／Ｍ／時テＴ。
か上昇して一過所要電力が６６−即ち１６０膠Ｘ Ｑ６
６−１００ｆｆ１ｍｍ−５ｔＬ、Ｍｊ６１００− Ｉ
Ｓｉ２０−−１１６０■となハ超音波無照射０楊合と比
べて１１６０８１所要電力か増加する。以下同機にして
電力の得失會算出する。従って、＊ｔ＊無照耐照射合と
比べて電力【節減で１４趨音繊旭環遭度の範履は約２６
−１００ ＃・ＤＩ ／ ＩＦ ７時となゐ。Ｌ こ
の範−に入る代表的な実験条件祉ｖ＠ ｗＪｌ ｇ 、
ｔｓｍ１分、Ｐ−−αＩＩＦ、０５ｍ１ｌＬｌ−で１１
ｒ−８９＃ ・Ｄａ／Ｍ／時テＴ。
ゐＯ
以上Ｏように重置Ｗ１４においては、水鐵化アル建ニウ
ム會會有すゐ上水汚濁に趨音＊ｅ＊射して腋ｆ９１！を
改質した後高分子凝集剤ｒｓ、ｍし、さらに咳汚１！Ｉ
濾過脱水すゐようにした上水汚泥の脱水方法において、
超音練処看遍度會約２ｂ〜１００押・ＤＩ／ ＩＮ ７
時としておｐｌこれＫよって超音波照射に要する電力量
よシも濾過速度の上昇による一過所要電力の節減量ｏｙ
ｙｔｓ上１ｉ１１７１超音波無照射の場合より所要電力
を少くすることかでき、Ｉｓ済的となる。又、超音波照
射によｐ高分子凝集剤Ｏ凝集能力が高まり、これ罠よっ
て上水汚泥ＯＦＩ過遭度が速まって上水汚泥の脱水ｔ４
１時間で効率爽（行うことがで暑る。
ム會會有すゐ上水汚濁に趨音＊ｅ＊射して腋ｆ９１！を
改質した後高分子凝集剤ｒｓ、ｍし、さらに咳汚１！Ｉ
濾過脱水すゐようにした上水汚泥の脱水方法において、
超音練処看遍度會約２ｂ〜１００押・ＤＩ／ ＩＮ ７
時としておｐｌこれＫよって超音波照射に要する電力量
よシも濾過速度の上昇による一過所要電力の節減量ｏｙ
ｙｔｓ上１ｉ１１７１超音波無照射の場合より所要電力
を少くすることかでき、Ｉｓ済的となる。又、超音波照
射によｐ高分子凝集剤Ｏ凝集能力が高まり、これ罠よっ
て上水汚泥ＯＦＩ過遭度が速まって上水汚泥の脱水ｔ４
１時間で効率爽（行うことがで暑る。
第１図は超音波照射の実験装置の概略構成図、第２図は
上水汚泥における超音波照射時間と一過速度および脱水
ケーキ會水率との関係図、累８ｍは超音波照射時間／超
音波被照射汚泥量、および超ｆｔ１Ｌ処１ｈｌｆと一過
速度および一過比抵抗とＯ関係図。 ／・・・テフロンビーカー、コ・・・上水汚泥、Ｊ・・
・纏□ 動子、弘・・・発振機、！・・・ホーン。 、′、′・ 第１図 １ｓ／Ｙｓ （ｍｉｎｄ） 矧者濃勘」遺産Ｕ に（２０５／ｋｗ／ｈｒ 矧奮５皮慧婁１詩Ｐ：（介）
上水汚泥における超音波照射時間と一過速度および脱水
ケーキ會水率との関係図、累８ｍは超音波照射時間／超
音波被照射汚泥量、および超ｆｔ１Ｌ処１ｈｌｆと一過
速度および一過比抵抗とＯ関係図。 ／・・・テフロンビーカー、コ・・・上水汚泥、Ｊ・・
・纏□ 動子、弘・・・発振機、！・・・ホーン。 、′、′・ 第１図 １ｓ／Ｙｓ （ｍｉｎｄ） 矧者濃勘」遺産Ｕ に（２０５／ｋｗ／ｈｒ 矧奮５皮慧婁１詩Ｐ：（介）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水酸化アルζニウムを含有する上水汚泥に趨晋ａｔ照射
して該汚泥を改質した後高分子凝集剤を添加し、さらに
該汚泥ｔ濾過脱水す為ようにした上水汚泥Ｏｊｌ水方法
Ｋｋいて、超音波処環遍度を。 約２６〜１００＃・Ｄ８／ＩＩ／時としたこと１＊黴と
する上水Ｍ泥ｏ１１４水方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171221A JPS5874200A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 上水汚泥の脱水方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171221A JPS5874200A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 上水汚泥の脱水方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874200A true JPS5874200A (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=15919282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56171221A Pending JPS5874200A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 上水汚泥の脱水方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874200A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03163399A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Toshiba Corp | 放射性気体廃棄物処理装置 |
| CN100390080C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-05-28 | 扬子石油化工股份有限公司 | 一种促进活性污泥减量工艺 |
| CN107667074A (zh) * | 2015-06-05 | 2018-02-06 | 阿雷瓦核废料回收公司 | 包括振动格栅的用于在放射性环境下进行平滑化的工具 |
-
1981
- 1981-10-26 JP JP56171221A patent/JPS5874200A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03163399A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Toshiba Corp | 放射性気体廃棄物処理装置 |
| CN100390080C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-05-28 | 扬子石油化工股份有限公司 | 一种促进活性污泥减量工艺 |
| CN107667074A (zh) * | 2015-06-05 | 2018-02-06 | 阿雷瓦核废料回收公司 | 包括振动格栅的用于在放射性环境下进行平滑化的工具 |
| CN107667074B (zh) * | 2015-06-05 | 2021-02-19 | 阿雷瓦核废料回收公司 | 包括振动格栅的用于在放射性环境下进行平滑化的工具 |
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