JPS587035B2 - ホウデントウテントウカイロ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は固体発振素子を用いた放電灯点灯回路に関す
るものである。

本件特許出願人は先に第１図に示す固体発振素子を提案
し特許出願した。

この素子は図示のように、Ｎ形シリコン基板１の両端に
ボロンのようなＰ形不純物を拡散してＰ十層２，３を形
成し、さらにＮ十層４，５，６を図示のように形成し、
電極７〜１０を形成している。

このような素子に第２図のようなバイアスを行なうと、
素子はパルス発振を行ない、電圧ｖｔ，Ｖ２は第３図に
示すように変化する。

また、第４図は第１図の素子を放電灯点灯回路に適用し
たもので、１７および１９はダイオード、１８は抵抗で
あり、この回路のＶ一■特性を第５図に示す。

すなわち、第４図の端子Ａに正電圧を加えると、発振動
作を行ない（第５図の第１象限）、端子Ａに負電圧を加
えると、ある負電圧一ｖＢにおいて抵抗１１を流れるゲ
ート電流が増大し、電極８−１０間が負性降伏を起こす
（第５図の第３象限）。

したがって、端子Ａに負電圧が加わったときに素子に流
れる電流を予熱電流として用い、端子Ａに正電圧が加わ
ったときに素子に流れる急しゅんなパルス状大電流でキ
ック電圧を発生して放電灯を点灯することができる。

しかしながら、第４図の回路では、負性降伏を起こす電
圧ＶＢが太きいため、交流半サイクル中の予熱電流に寄
与する期間が短く、十分な予熱電流が得られないので、
放電灯の始動期間が長くなるという問題があった。

したがって、この発明の目的は、素子の負性降伏電圧の
値を低減することにより十分な予熱電流を得て、放電灯
の始動期間を短縮することができる放電灯点灯回路を提
供することである。

第６図はこの発明の放電灯点灯回路の一実施例の回路図
である。

最初、素子電極７がプラスの際電極８−１０間のサイリ
スクは、電極８，９、抵抗１２，１３、ダイオード１４
を流れるゲート電流が小さく設定してあるため、オフし
たままである。

つぎに端子Ａ−Ｂ間の極性が反転すると、素子は発振動
作に移り、電極γ−９間のインピーダンスが低下し再び
高インピーダンスに移る。

そして素子が低インピーダンスに移行した時、素子電極
９−１０間には電源電圧に近い電位差が生じ、コンデン
サ１５は充電され、素子が高インピーダンスに移行して
もゆるやかな放電を続ける。

そして再び極性が反転した時、コンデンサ１５は急激に
放電され、その放電電流が、素子電極８−１０間で構成
されるサイリスクのゲート（電極９）電流となって、素
子を導通に導く。

換言すれば、コンデンサ１５によって電極９の電位は負
の電位に保持されているので、極性が反転した瞬間に端
子Ｂから電極９にゲート電流が流れ込み、素子がタ一ン
オンする。

このように、素子は端子Ａが負電圧に転じた瞬間に導通
状態となるので、十分な予熱電流を得ることができる。

第６図の回路のＶ−■特性を第７図に示す。

第８図は放電灯点灯回路の全体の回路図で、１６は交流
電源であり、第９図は第８図の端子Ａ−Ｂ間の電圧波形
図である。

すなわち、第８図の端子Ａが正電圧となる半サイクル期
間において、素子が発振動作に移行するとともにコンデ
ンサ１５に充電電荷を与え、端子Ａが負電圧となる半サ
イクルでコンデンサ１５の放電により素子は導通状態と
なって放電灯Ｌのフィラメントを予熱する。

そして、後続の端子Ａが正電圧となる半サイクル期間の
発振動作により チュークコイルＣにインダクションキ
ックパルス電圧を発生させて放電灯Ｌを点灯させる。

以上のように、この発明の放電灯点灯回路によれば、交
流半波の全期間が予熱電流として利用できるので、始動
期間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に用いる固体発振素子、第２図はそれ
を用いた発振回路、第３図はその動作説明図、第４図は
第１図の素子を用いた従来の放電灯点灯回路、第５図は
そのＶ−Ｉ特性図、第６図はこの発明の放電灯点灯回路
の一実施例の回路図、第７図はそのＶ−Ｉ特性図、第８
図は第６図の全体の回路図、第９図はその動作説明図で
ある。 １・・・・・・Ｎ形シリコン基板、２，３・・・・・・
Ｐ十層、４，５，６・・・・・・Ｎ十層、７〜１０・・
・・・・電極、１５・・・・・・コンデンサ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 交流電源およびチョークコイルの直列回路と、この
   交流電源およびチョークコイルの直列回路の両端に一対
   のフィラメントのそれぞれの一端をそれぞれ接続した放
   電ランプと、一の導電形の半導体基板と、この半導体基
   板の表面に形成された他の導電形の第１の領域と、前記
   第１の領域に形成されたーの導電形の第２の領域と、前
   記半導体基板の裏面に形成された他の導！形の第３の領
   域と、前記第３の領域に形成されたーの導電形の第４の
   領域と、前記半導体基板の前記第１の領域の近傍に形成
   されたーの導電形の低比抵抗の第５の領域と、前記第１
   、第２および第５の領域にそれぞれ独立に設けられた第
   １、第２、および第３の独立電極と、前記第３および第
   ４の領域に共通に設けられた共通電極とを有し、前記第
   ２の独立電極を前記放電ランプの一対のフィラメントの
   一方の他端に接続した固体発振素子と、前記第１および
   第２の独立電極間に接続した第１の逆流阻止用ダイオー
   ドと、前記第１および第３の独立電極間に接続した第１
   の抵抗と、前記放電ランプの一対のフィラメントの他方
   の他端と前記第３の独立電極との間に接続した第２の逆
   流阻止用ダイオードと、前記第３の独立電極および前記
   共通電極間に接続した第２および第３の抵抗の直列回路
   と、前記放電ランプの一対のフィラメントの他方の他端
   と前記第２および第３の抵抗の接続点との間に接続して
   前記第３の独立電極へのゲート電流の流入を迅速に行な
   うために前記第３の独立電極の電位をあらかじめ低い電
   位に保持するコンデンサと、前記放電ランプの一対のフ
   ィラメントの他方の他端と前記共通電極との間に接続し
   た第３の逆流阻止用ダイオードとを備えた放電灯点灯回
   路。