JPS5869732A - プラズマｃｖｄ法におけるガラスパイプの加熱方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法におけるガラスパイプの加熱方法Info
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- JPS5869732A JPS5869732A JP16819181A JP16819181A JPS5869732A JP S5869732 A JPS5869732 A JP S5869732A JP 16819181 A JP16819181 A JP 16819181A JP 16819181 A JP16819181 A JP 16819181A JP S5869732 A JPS5869732 A JP S5869732A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバ用母材、ロンドレンズ用母材なとこ
れら光学系ガラス材をプラズマＣＶＤ法ニより製造する
際のガラスパイプ加熱方法に関する。
れら光学系ガラス材をプラズマＣＶＤ法ニより製造する
際のガラスパイプ加熱方法に関する。
プラズマＣＶＤ法は光フアイバ用、ロンドレンズ用など
の母材をつくるための１手段であり、一般的なプラズマ
ＣＶＤ法では、ガラスパイプ内にガラス成分等を含む原
料ガスを供給してこれをプラズマ発生熱により熱分解反
応させ、その反応生成物たるスート状のガラス微粉末を
上記ガラスパイプ内周に堆積させると同時にガラス化し
てガラス層を形成し、以下こうして所定厚のガラス層が
内周に形成された後のガラスパイプを高温の熱処理にニ
ジコラプスして棒状のガラス材（前記の母材など）とし
ている。
の母材をつくるための１手段であり、一般的なプラズマ
ＣＶＤ法では、ガラスパイプ内にガラス成分等を含む原
料ガスを供給してこれをプラズマ発生熱により熱分解反
応させ、その反応生成物たるスート状のガラス微粉末を
上記ガラスパイプ内周に堆積させると同時にガラス化し
てガラス層を形成し、以下こうして所定厚のガラス層が
内周に形成された後のガラスパイプを高温の熱処理にニ
ジコラプスして棒状のガラス材（前記の母材など）とし
ている。
このプラズマＣＶＤは酸水素炎による内付けＣＶＤ法に
比べ、熱分解反応時におけるガラスパイプの強加熱が不
要とされているが、実際にはガラスパイプ内におけるガ
ラス堆積物のひび割れを阻止してこれら両者を融着させ
るのに高温化が必要となる。
比べ、熱分解反応時におけるガラスパイプの強加熱が不
要とされているが、実際にはガラスパイプ内におけるガ
ラス堆積物のひび割れを阻止してこれら両者を融着させ
るのに高温化が必要となる。
このため、従来ではサブストレイトであるガラスパイプ
の外周に管状の電気加熱炉を被せ、さらにその外周にプ
ラズマ発生炉を備えつけてプラズマＣＶＤ法を実施する
とか、さらには環状としたプラズマ発生炉の両側に管状
の電気加熱炉を連結状態とし、これらをガラスパイプ外
周に被せてプラズマＣＶＤ法を実施するといった方法が
とられているが、前者の方法では電気加熱炉によりガラ
スパイプが高温に加熱できるとしても、プラズマ発生炉
とガラスパイプとの間に電気加熱炉が介在しているため
その分だけ両者間の距離が大きくなフ、その結果ガラス
パイプ内でのプラズマ発生は容易でなくなり、一方、後
者の′−を法では先に述べた距離の問題はないが、ガラ
スパイプ長手方向に沿ったプラズマ発生時においてプラ
ズマ発生炉とともにその両側の電気加熱炉も移動させね
ばならないからこれの操作が面倒となり、しかも電気加
熱炉の移動にともなって加熱点が変移するのでガラスパ
イプ全長にわたる温度を一定の高温に保持するのがむず
かしくなる。
の外周に管状の電気加熱炉を被せ、さらにその外周にプ
ラズマ発生炉を備えつけてプラズマＣＶＤ法を実施する
とか、さらには環状としたプラズマ発生炉の両側に管状
の電気加熱炉を連結状態とし、これらをガラスパイプ外
周に被せてプラズマＣＶＤ法を実施するといった方法が
とられているが、前者の方法では電気加熱炉によりガラ
スパイプが高温に加熱できるとしても、プラズマ発生炉
とガラスパイプとの間に電気加熱炉が介在しているため
その分だけ両者間の距離が大きくなフ、その結果ガラス
パイプ内でのプラズマ発生は容易でなくなり、一方、後
者の′−を法では先に述べた距離の問題はないが、ガラ
スパイプ長手方向に沿ったプラズマ発生時においてプラ
ズマ発生炉とともにその両側の電気加熱炉も移動させね
ばならないからこれの操作が面倒となり、しかも電気加
熱炉の移動にともなって加熱点が変移するのでガラスパ
イプ全長にわたる温度を一定の高温に保持するのがむず
かしくなる。
さらに上記いずれの方法でも、プラズマの発生を容易に
するためガラスパイプ内を所定の真空度とした場合、ガ
ラスパイプは加熱と真空引きとの双方を受けることにな
るのでパイプ漬れが起シやすく、また漬れを阻止する目
的でガラスパイプ内外の圧力を調整するにしても同パイ
プ外周に電気加熱炉があるのでこれが満足に実施できず
、その潰れ阻止への配慮から融着や脱塩素処理に必要な
高温加熱が不可能となる場合も起こり得る。
するためガラスパイプ内を所定の真空度とした場合、ガ
ラスパイプは加熱と真空引きとの双方を受けることにな
るのでパイプ漬れが起シやすく、また漬れを阻止する目
的でガラスパイプ内外の圧力を調整するにしても同パイ
プ外周に電気加熱炉があるのでこれが満足に実施できず
、その潰れ阻止への配慮から融着や脱塩素処理に必要な
高温加熱が不可能となる場合も起こり得る。
本発明は上記の問題点に鑑み、この種プラズマＣＶＤ法
におけるガラスパイプの加熱方法を改善したもので、以
下その具体的方法を図示の実施例により説明する。
におけるガラスパイプの加熱方法を改善したもので、以
下その具体的方法を図示の実施例により説明する。
図において、（１）はプラズマＣＶＤ法を実施する際の
サブストレイト（基材）となる石英系、または多成分ガ
ラス系、または鉛ガラス系などのガラスパイプ、（２）
′は該ガラスパイプ（１１の外周に間隙（３）を残して
被せられた耐熱性の筒状体である。
サブストレイト（基材）となる石英系、または多成分ガ
ラス系、または鉛ガラス系などのガラスパイプ、（２）
′は該ガラスパイプ（１１の外周に間隙（３）を残して
被せられた耐熱性の筒状体である。
上記における筒状体（２）の外層部（２）ａはアルミナ
焼結管のごとき耐熱絶縁性のセラミックよりなり、その
内層部（２）ｂは該外層部（２）ａの内面に均一な膜厚
で付着された既知の導電材料か、または既知の導電材料
よりなる。
焼結管のごとき耐熱絶縁性のセラミックよりなり、その
内層部（２）ｂは該外層部（２）ａの内面に均一な膜厚
で付着された既知の導電材料か、または既知の導電材料
よりなる。
上記ガラスパイプ（１）の一端には原料ガス（気相のガ
ラス原料、気相のドープ剤、キャリアガス）を供給する
ための原料供給系（４）が配管手段によシ連結されてお
り、 一方、ガラス戸ぐイブ（１）および筒状体（２
）の他端にはこれらの内部を所定の減圧状態にするため
真空ポンプ等を備えた真空吸引系＋５）１５＋’が上記
と同様に連結されている０ さらに上記筒状体（２）の外周には、ガラスパイプ（１
）内でプラズマを発生させ、かつ、筒状体１２）を誘導
加熱または誘電加熱するためのプラズマ発生器（６）が
所定の長子方向へ移動自在に設けられておシ、環状形態
を有しているこのプラズマ発生器（６）は図示しない高
周波ｔｌｉＩＩ１１を備えている０本発明では上記にお
いてプラズマＣＶＤ法を実施するのでアシ、これの１例
としては原料供給系（４）からガラスパイプ（１）内へ
所定の原料を供給し、さらに図示の左右方向へ移動する
プラズマ発生器（６）によフ、ガラスパイプ（り内にプ
ラズマＰを発生させるのでちる０ ここで原料ガスについて説明すると、気相のガラス原料
としては８ｉＣｔ４、ＳｉＢｒ４、ＳｉＨ４，８ｉＨＣ
ｔ３．５ｔ（ＯＣ２Ｈｓ ）などが用いられ、かつ、
該原料中にはこれをガラス化した際の所望屈折率、熱的
特性などを得るため、Ｇｅ、ＰｌＢ、Ｔ ｉ、Ｔａ、ｚ
ｒ、Ａｚ％ｓｂなどによる気相のドープ剤（化合物）が
用いられることもアフ、さらにこれら原料、ドープ剤の
キャリアガスとしてはＡ ｒ ｓ Ｈｅ ｓ Ｎ２ｆｘ
ど（Ｄ不活性ガス、あるいは０□ガス、モジくはこれら
の混合ガスが用いられる。
ラス原料、気相のドープ剤、キャリアガス）を供給する
ための原料供給系（４）が配管手段によシ連結されてお
り、 一方、ガラス戸ぐイブ（１）および筒状体（２
）の他端にはこれらの内部を所定の減圧状態にするため
真空ポンプ等を備えた真空吸引系＋５）１５＋’が上記
と同様に連結されている０ さらに上記筒状体（２）の外周には、ガラスパイプ（１
）内でプラズマを発生させ、かつ、筒状体１２）を誘導
加熱または誘電加熱するためのプラズマ発生器（６）が
所定の長子方向へ移動自在に設けられておシ、環状形態
を有しているこのプラズマ発生器（６）は図示しない高
周波ｔｌｉＩＩ１１を備えている０本発明では上記にお
いてプラズマＣＶＤ法を実施するのでアシ、これの１例
としては原料供給系（４）からガラスパイプ（１）内へ
所定の原料を供給し、さらに図示の左右方向へ移動する
プラズマ発生器（６）によフ、ガラスパイプ（り内にプ
ラズマＰを発生させるのでちる０ ここで原料ガスについて説明すると、気相のガラス原料
としては８ｉＣｔ４、ＳｉＢｒ４、ＳｉＨ４，８ｉＨＣ
ｔ３．５ｔ（ＯＣ２Ｈｓ ）などが用いられ、かつ、
該原料中にはこれをガラス化した際の所望屈折率、熱的
特性などを得るため、Ｇｅ、ＰｌＢ、Ｔ ｉ、Ｔａ、ｚ
ｒ、Ａｚ％ｓｂなどによる気相のドープ剤（化合物）が
用いられることもアフ、さらにこれら原料、ドープ剤の
キャリアガスとしてはＡ ｒ ｓ Ｈｅ ｓ Ｎ２ｆｘ
ど（Ｄ不活性ガス、あるいは０□ガス、モジくはこれら
の混合ガスが用いられる。
一方、間隙（３）内もＡｒあるいは０２などのガスで置
換され、さらにプラズマ発生時においてはガラスパイプ
＋１１内が真空吸引系（５）により所定圧力値に減圧さ
れるが、このとき間隙（３）内も真空吸引系（５）′を
介して同時に減圧されるのであシ、これによシ間隙（３
）内はガラスパイプ＋１）の内圧と大気圧との中間圧に
保持されたり、するいはガラスパイプ（１）の内圧とほ
ぼ等しい圧力に保持される。
換され、さらにプラズマ発生時においてはガラスパイプ
＋１１内が真空吸引系（５）により所定圧力値に減圧さ
れるが、このとき間隙（３）内も真空吸引系（５）′を
介して同時に減圧されるのであシ、これによシ間隙（３
）内はガラスパイプ＋１）の内圧と大気圧との中間圧に
保持されたり、するいはガラスパイプ（１）の内圧とほ
ぼ等しい圧力に保持される。
上述したごとく、ガラスパイプ＋１）内へ原料ガスを供
給しながら同パイプ（１）内にプラズマＰを発生させ、
かつ、同時に筒状体（２）を誘導加熱または誘電加熱状
態とした場合、原料ガスはプラズマＰの発生熱を介して
熱分解され、その反応生成物たるスート状のガラス微粉
末は上記加熱手段を介して高温化されたガラスパイプ１
１１の内周に堆積されると同時にガラス化されて同パイ
プ＋１１と融着状態になシ、これによフ所定のガラス層
（７）が形成される０ こうしたガラス層（７）は図示の左右方向へ移動するプ
ラズマ発生器（６）を介しガラスパイプ（１）の長手方
向にわたって形成され、しかも繰り返し行なわれるこの
プラズマＣＶＤ法により可能なかきゃその層厚が増大さ
れる。
給しながら同パイプ（１）内にプラズマＰを発生させ、
かつ、同時に筒状体（２）を誘導加熱または誘電加熱状
態とした場合、原料ガスはプラズマＰの発生熱を介して
熱分解され、その反応生成物たるスート状のガラス微粉
末は上記加熱手段を介して高温化されたガラスパイプ１
１１の内周に堆積されると同時にガラス化されて同パイ
プ＋１１と融着状態になシ、これによフ所定のガラス層
（７）が形成される０ こうしたガラス層（７）は図示の左右方向へ移動するプ
ラズマ発生器（６）を介しガラスパイプ（１）の長手方
向にわたって形成され、しかも繰り返し行なわれるこの
プラズマＣＶＤ法により可能なかきゃその層厚が増大さ
れる。
以下、所定のガラス層（７）が形成された後のガラスパ
イプ（１）はＭｅ体（２）からとり出され、酸水素炎な
どを介したコラプス処理によシその中空部が消去されて
棒状のガラス材となる。
イプ（１）はＭｅ体（２）からとり出され、酸水素炎な
どを介したコラプス処理によシその中空部が消去されて
棒状のガラス材となる。
本発明では上記の実施例においてガラスパイプ＋１１内
にプラズマＰを発生させるとき、筒状体（２）を誘導加
熱または誘□゛亀加熱し、この加熱手段によりガラスパ
イプ＋１１を高温化するようにしている。
にプラズマＰを発生させるとき、筒状体（２）を誘導加
熱または誘□゛亀加熱し、この加熱手段によりガラスパ
イプ＋１１を高温化するようにしている。
したがってガラスパイプ（１）内のスート状ガラス微粉
末は同パイプ（１）内のプラズマ発生熱だけでなく同パ
イプ＋ｕ外の上記加熱処理をも介してそのパイプ内周面
と完全に熱融着するようになり、この結果、不完全な融
着状態に起因したガラス層（７）のひび割れはなくなり
１充分高温な熱分解反応であることによシ残留塩素ガス
成分の低減すなわちガラス材の特性向上もはかれること
になる。
末は同パイプ（１）内のプラズマ発生熱だけでなく同パ
イプ＋ｕ外の上記加熱処理をも介してそのパイプ内周面
と完全に熱融着するようになり、この結果、不完全な融
着状態に起因したガラス層（７）のひび割れはなくなり
１充分高温な熱分解反応であることによシ残留塩素ガス
成分の低減すなわちガラス材の特性向上もはかれること
になる。
またガラスパイプ＋１１の外周に筒状体（２）があるこ
とによシその分だけ同パイプ（１）からの放熱が阻止で
きるとともに同パイプ＋１１内外から加熱していること
にもなるからプラズマ発生器（６）の移動速度を早めな
がら当該プラズマＣＶＤ法を高能率で実施し得る。
とによシその分だけ同パイプ（１）からの放熱が阻止で
きるとともに同パイプ＋１１内外から加熱していること
にもなるからプラズマ発生器（６）の移動速度を早めな
がら当該プラズマＣＶＤ法を高能率で実施し得る。
しかもプラズマの発生を容易にする目的でガラスパイプ
（１）内を減圧するとき、間隙（３）内の減圧によシ咳
パイプ（１）内外の差圧を小さくしたシ差圧なしにでき
るから、上記高温加熱時、パイプ外圧によってこれが潰
れるといったことも阻止でき、この際同時に真空吸引さ
れる筒状体（２）は二重構造による強度を有していると
ともにガラスパイプ（１）はどの加熱状態にならないか
ら潰れが起らない。
（１）内を減圧するとき、間隙（３）内の減圧によシ咳
パイプ（１）内外の差圧を小さくしたシ差圧なしにでき
るから、上記高温加熱時、パイプ外圧によってこれが潰
れるといったことも阻止でき、この際同時に真空吸引さ
れる筒状体（２）は二重構造による強度を有していると
ともにガラスパイプ（１）はどの加熱状態にならないか
ら潰れが起らない。
もちろんこれらガラスパイプ（１）、筒状体（２）は筒
管状であるからこれらの内部減圧が容易でらシ、シかも
筒状体（２）は大径であることを要せず、ガラスパイプ
（１）との間隙（３）もわずかで足シるから、プラズマ
発生器（６）を筒状体（２）の外周に位置決めしたとし
てもガラスパイプ（１）内でのプラズマ発生は問題なく
行なえる。
管状であるからこれらの内部減圧が容易でらシ、シかも
筒状体（２）は大径であることを要せず、ガラスパイプ
（１）との間隙（３）もわずかで足シるから、プラズマ
発生器（６）を筒状体（２）の外周に位置決めしたとし
てもガラスパイプ（１）内でのプラズマ発生は問題なく
行なえる。
なお、上記においてガラスパイプ（１１を誘導加熱手段
で加熱するか、誘電加熱手段で加熱するかはこれに使用
するプラズマ発生用高周波電源の周波数によって決まシ
、当然のこととして誘導加熱では筒状体（２）の内層部
（２）ｂを導電材料とし、誘電加熱では該内層部（２）
ｂを誘電材料とする０ さらに具体的に述べると３ Ｍ Ｈｚ以下の周波数のと
きは誘導加熱、３ＭＨｚ以上のときは誘電加熱となる。
で加熱するか、誘電加熱手段で加熱するかはこれに使用
するプラズマ発生用高周波電源の周波数によって決まシ
、当然のこととして誘導加熱では筒状体（２）の内層部
（２）ｂを導電材料とし、誘電加熱では該内層部（２）
ｂを誘電材料とする０ さらに具体的に述べると３ Ｍ Ｈｚ以下の周波数のと
きは誘導加熱、３ＭＨｚ以上のときは誘電加熱となる。
上記における誘導加熱は変圧器の鉄心等に生ずる渦電流
損失を積極的に利用し、この損失によって発熱させるも
のであってその発生電力は材料の抵抗率の平方根、なら
びに周波数の平方根に比例して増加するので、単位面積
あたりの発生量を稼ぐ場合、周波数の高い電源と導電性
のあまりよくない材料を用いるのが望ましい〇ただし、
周波数が高くなると表皮効果、近接効果などが影響して
取り扱いがむすかしくなるので最高でも５００ＫＨｚ程
度の電源を用いるのがよい。
損失を積極的に利用し、この損失によって発熱させるも
のであってその発生電力は材料の抵抗率の平方根、なら
びに周波数の平方根に比例して増加するので、単位面積
あたりの発生量を稼ぐ場合、周波数の高い電源と導電性
のあまりよくない材料を用いるのが望ましい〇ただし、
周波数が高くなると表皮効果、近接効果などが影響して
取り扱いがむすかしくなるので最高でも５００ＫＨｚ程
度の電源を用いるのがよい。
一方、誘電加熱の場合はその材質の比誘電率と誘電◆力
率との積に比例して損失係数（高周波エネルギが熱に変
換する割合）が大きくなるので、発熱効率を高めるには
なるべく損失係数の大きい材料を用いるのがよい。
率との積に比例して損失係数（高周波エネルギが熱に変
換する割合）が大きくなるので、発熱効率を高めるには
なるべく損失係数の大きい材料を用いるのがよい。
その他図示しない実施例として、全体を導電材料または
誘電材料とした筒状体（２）をガラスパイプ（１１の外
周に密接状態で被せておくこともちる０ 具体例１ ガラスパイプｆｌ）としては内径８薗、外径１０簡の石
・英ガラス製を用いた。
誘電材料とした筒状体（２）をガラスパイプ（１１の外
周に密接状態で被せておくこともちる０ 具体例１ ガラスパイプｆｌ）としては内径８薗、外径１０簡の石
・英ガラス製を用いた。
外層部（２１ａ 、内層部（２）ｂからなる筒状体（２
）は、その外層部（２）ａを内径１２ｍ、外径１４ｗｎ
の石英ガラスパイプとし、内層部（２）ｂは該石英ガラ
スパイプの内周に酸化錫がドーピングされた酸化インジ
ウムを多孔質状に蒸着させたものとした０ プラズマ発生器（６）はそのプラズマ発生用の高周波電
源として周波数４００ＫＨｚ、出力２ＫＷのものを用い
た。
）は、その外層部（２）ａを内径１２ｍ、外径１４ｗｎ
の石英ガラスパイプとし、内層部（２）ｂは該石英ガラ
スパイプの内周に酸化錫がドーピングされた酸化インジ
ウムを多孔質状に蒸着させたものとした０ プラズマ発生器（６）はそのプラズマ発生用の高周波電
源として周波数４００ＫＨｚ、出力２ＫＷのものを用い
た。
ガラスパイプ（１）内には原料供給用としたその一端か
ら５ｉｃｚ、（供給量３ ｃｃ ／ ｍ ）、ＧａＣｌ
２（供給量０．２ ｃｅｒ ／ ｍ ）、０□ （供給
量３０ ｃｔｒ／ｍ ）、Ａｒ（供給量２０ ｃａ ／
ｍ ）を供給し、該パイプ他端からの真空吸引により
当該パイプ［１）内を８Ｔｏｒｒ 程度に減圧保持した
。
ら５ｉｃｚ、（供給量３ ｃｃ ／ ｍ ）、ＧａＣｌ
２（供給量０．２ ｃｅｒ ／ ｍ ）、０□ （供給
量３０ ｃｔｒ／ｍ ）、Ａｒ（供給量２０ ｃａ ／
ｍ ）を供給し、該パイプ他端からの真空吸引により
当該パイプ［１）内を８Ｔｏｒｒ 程度に減圧保持した
。
上記ガラスパイプ＋１）と筒状体（２）との間隙（３）
は約１００ Ｔｏｒｒ程度となるように減圧保持しｆＣ
。
は約１００ Ｔｏｒｒ程度となるように減圧保持しｆＣ
。
上記においてプラズマ出力は４００ＫＨｚ。
高周波電源は４５０Ｗとし、これによるプラズマ発生熱
と高周波誘導加熱とにより前述のＣＶＤ法を約３時間実
施した。
と高周波誘導加熱とにより前述のＣＶＤ法を約３時間実
施した。
なお、この際におけるプラズマ発生器（６）の移動スト
ローク長は約５０ｃｒｎでラシ、その移動速度は５ｍ１
ｍである０ こうしてガラスパイプ（１）内に堆積されたガラス層（
７）を観察したところ、問題なく透明でアシ、亀裂の発
生もなく、もちろんガラスパイプ（１）の潰れも起こら
なかった。
ローク長は約５０ｃｒｎでラシ、その移動速度は５ｍ１
ｍである０ こうしてガラスパイプ（１）内に堆積されたガラス層（
７）を観察したところ、問題なく透明でアシ、亀裂の発
生もなく、もちろんガラスパイプ（１）の潰れも起こら
なかった。
つき゛にガラス層堆積後の上記パイプ（１）を酸水素炎
にニジコラプスして光ファイノ々用母材としたところ、
泡の発生のないものが得られ、さらにこの母材を光ファ
イバに加工したところ、伝送損失の低いものが得られた
。
にニジコラプスして光ファイノ々用母材としたところ、
泡の発生のないものが得られ、さらにこの母材を光ファ
イバに加工したところ、伝送損失の低いものが得られた
。
一般に、上記のごとき酸化物堆積時においてガラスパイ
プ（１）の加熱温度が低いと、そのガラス層（７）に多
量塩素が残留し、その後のコラプス処理時に泡を発生さ
せることになるが、この具体例のごとく泡の発生がない
ということはガラスパイプｆｌ）への加熱が充分高温で
適切でめった実証になる。
プ（１）の加熱温度が低いと、そのガラス層（７）に多
量塩素が残留し、その後のコラプス処理時に泡を発生さ
せることになるが、この具体例のごとく泡の発生がない
ということはガラスパイプｆｌ）への加熱が充分高温で
適切でめった実証になる。
また、筒状体（２）がガラスパイプ（１１の外周にあっ
たからこそ、同パイプ（１）の潰れ阻止が満足にはかれ
たといえる０ 具体例２ 筒状体（２）の内層部（２］ａをチタン酸バリウムの蒸
着物（多孔質状）としたこと、プラズマ発生器（６）の
プラズマ発生用高周波電源として周波数２４５０ＭＨｚ
、出力１．３ＫＷのものを用いたこと、そしてプラズマ
出力を２００Ｗとしなから誘電加熱を実施した以外は前
記具体例１と同様にして所定のＣＶＤ法を実施し、光フ
アイバ加工までを行なった。
たからこそ、同パイプ（１）の潰れ阻止が満足にはかれ
たといえる０ 具体例２ 筒状体（２）の内層部（２］ａをチタン酸バリウムの蒸
着物（多孔質状）としたこと、プラズマ発生器（６）の
プラズマ発生用高周波電源として周波数２４５０ＭＨｚ
、出力１．３ＫＷのものを用いたこと、そしてプラズマ
出力を２００Ｗとしなから誘電加熱を実施した以外は前
記具体例１と同様にして所定のＣＶＤ法を実施し、光フ
アイバ加工までを行なった。
この具体例２の場合も具体例１と同等の好結果が確認で
きた０ 以上説明した通り、本発明の方法ではガラス成分等を含
む原料ガスをガラスパイプ内へ供給し、該ガラスパイプ
内の原料ガスをプラズマの発生熱によシ熱分解反応なら
びにガラス化してそのガラスパイプ内周にガラス層を堆
積させるプラズマＣＶＤ法において、上記ガラスパイプ
の外周には、導電材料または誘電材料による筒状体を、
被せておき、当該筒状体の外周には高周波電源を備えた
プラズマ発生器を配置し、該プラズマ発生器によりガラ
スパイプ内にプラズマを発生させるとともに筒状体をも
発熱状態としてそのガラスパイプを加熱するようにした
から、プラズマの発生を阻害させることなく上記パイプ
を高温に加熱することができ、したがってプラズマＣＶ
Ｄ法によるガラス材が高品質、低置設備、高能率の各要
件を満足させなから創造できることとなる。
きた０ 以上説明した通り、本発明の方法ではガラス成分等を含
む原料ガスをガラスパイプ内へ供給し、該ガラスパイプ
内の原料ガスをプラズマの発生熱によシ熱分解反応なら
びにガラス化してそのガラスパイプ内周にガラス層を堆
積させるプラズマＣＶＤ法において、上記ガラスパイプ
の外周には、導電材料または誘電材料による筒状体を、
被せておき、当該筒状体の外周には高周波電源を備えた
プラズマ発生器を配置し、該プラズマ発生器によりガラ
スパイプ内にプラズマを発生させるとともに筒状体をも
発熱状態としてそのガラスパイプを加熱するようにした
から、プラズマの発生を阻害させることなく上記パイプ
を高温に加熱することができ、したがってプラズマＣＶ
Ｄ法によるガラス材が高品質、低置設備、高能率の各要
件を満足させなから創造できることとなる。
図面は本発明方法の１実施例を示した略示説明図である
。 ＋１１ ・・・・・ガラスパイプ １２） ・・・・・筒状体 （２）ａ・・・・・外層部 （２）ｂ・・・・・内層部（導電材料または誘Ｎ材料）
（３） ・・・・−間隙 （４） ・・・・・原料供給系 ｆ５Ｊ ｆりｌ ’・・・・・真空吸引系（６） ・
・・・・プラズマ発生器 （７） ・・・・・ガラス層 Ｐ −＠・・・プラズマ 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
。 ＋１１ ・・・・・ガラスパイプ １２） ・・・・・筒状体 （２）ａ・・・・・外層部 （２）ｂ・・・・・内層部（導電材料または誘Ｎ材料）
（３） ・・・・−間隙 （４） ・・・・・原料供給系 ｆ５Ｊ ｆりｌ ’・・・・・真空吸引系（６） ・
・・・・プラズマ発生器 （７） ・・・・・ガラス層 Ｐ −＠・・・プラズマ 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ガラス成分等を含む原料ガスをガラスパイプ内へ
供給し、該ガラスパイプ内の原料ガスをプラズマの発生
熱によシ熱分解反応ならびにガラス化してそのガラスパ
イプ内周にガラス鳩を堆積させるプラズマＣＶＤ法にお
いて、上記ガラスパイプの外周には、導電材料または誘
電材料による筒状体を被せておき、当該筒状体の外周に
は高周波電源を備えたプラズマ発生器を配置し、該プラ
ズマ発生器によりガラスパイプ内にプラズマを発生させ
るとともに筒状体をも発熱状態としてそのガラスパイプ
を加熱するプラズマＣＶＤ法におけるガラスパイプの加
熱方法。 （２） ガラスパイプと筒状体との間には間隙が設定
されておシ、該ガラスパイプ内は減圧され、その間隙内
はガラスパイプ内圧と大気圧との間の中間圧に減圧され
ている特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ法に
おけるガラスパイプの加熱方法。 （３） 筒状体はプラズマの発生を妨げることのない
層厚−になっている特許請求の範囲第１項記載のプラズ
マＣＶＤ法におけるガラスパイプの加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16819181A JPS5869732A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | プラズマｃｖｄ法におけるガラスパイプの加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16819181A JPS5869732A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | プラズマｃｖｄ法におけるガラスパイプの加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5869732A true JPS5869732A (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=15863466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16819181A Pending JPS5869732A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | プラズマｃｖｄ法におけるガラスパイプの加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5869732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063220A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Draka Comteq Bv | 光学プリフォームの製造方法 |
| JP2008280238A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-20 | Draka Comteq Bv | プラズマ化学蒸着法を実行するための装置および光学的予備成形品を製造する方法 |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP16819181A patent/JPS5869732A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063220A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Draka Comteq Bv | 光学プリフォームの製造方法 |
| JP2008280238A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-20 | Draka Comteq Bv | プラズマ化学蒸着法を実行するための装置および光学的予備成形品を製造する方法 |
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