JPS586783B2 - 方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法 - Google Patents
方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法Info
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- JPS586783B2 JPS586783B2 JP54149944A JP14994479A JPS586783B2 JP S586783 B2 JPS586783 B2 JP S586783B2 JP 54149944 A JP54149944 A JP 54149944A JP 14994479 A JP14994479 A JP 14994479A JP S586783 B2 JPS586783 B2 JP S586783B2
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- oriented silicon
- annealing
- steel sheet
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法に関し
、とくに均一性、密着性に優れ、しかも磁気特性の改善
にも有効なフオルステライト被膜を方向性珪素鋼板の表
面に有利に形成しようとするものである。
、とくに均一性、密着性に優れ、しかも磁気特性の改善
にも有効なフオルステライト被膜を方向性珪素鋼板の表
面に有利に形成しようとするものである。
一般に方向性珪素鋼板は、Ｓｉを４．０％以下程度含有
する珪素鋼素材を熱延し、必要に応じて行なう予備焼鈍
と１回ないし２回の冷延工程とにより最終成品厚の冷延
板とし、次に脱炭を兼ねた一次再結晶焼鈍を施し、さら
に最終焼鈍を施して（１１０）（００１）方位の二次再
結晶粒を発達させつつ有害不純物を除去するとともに併
せてフオルステライト系絶縁被膜を形成させる一連の工
程を経て製造される。
する珪素鋼素材を熱延し、必要に応じて行なう予備焼鈍
と１回ないし２回の冷延工程とにより最終成品厚の冷延
板とし、次に脱炭を兼ねた一次再結晶焼鈍を施し、さら
に最終焼鈍を施して（１１０）（００１）方位の二次再
結晶粒を発達させつつ有害不純物を除去するとともに併
せてフオルステライト系絶縁被膜を形成させる一連の工
程を経て製造される。
ところで磁束密度の高い方向性珪素鋼板の製造方法とし
て、特開昭５３−５０００８号公報においてＳｂとＳ及
び／又はＳｅとを析出分散相として利用し、１回の冷延
だけで最終板厚の冷延板とし、次いで脱炭と最終焼鈍を
施す方法が提案され、この方法によれば磁気特性の良い
方向性珪素鋼を得るには仕上焼鈍の際に焼鈍分離剤中に
Ｓ又はＳ化合物を添加することがきりわけ有効であるこ
とが開示されている。
て、特開昭５３−５０００８号公報においてＳｂとＳ及
び／又はＳｅとを析出分散相として利用し、１回の冷延
だけで最終板厚の冷延板とし、次いで脱炭と最終焼鈍を
施す方法が提案され、この方法によれば磁気特性の良い
方向性珪素鋼を得るには仕上焼鈍の際に焼鈍分離剤中に
Ｓ又はＳ化合物を添加することがきりわけ有効であるこ
とが開示されている。
しかし、磁気特性の改善を目指して焼鈍分離剤中に多量
のＳ又はＳ化合物を添加して最終焼鈍を行なうと、形成
されたフオルステライト系絶縁被膜には第１図に示した
ような点状の被膜欠損が現われやすい。
のＳ又はＳ化合物を添加して最終焼鈍を行なうと、形成
されたフオルステライト系絶縁被膜には第１図に示した
ような点状の被膜欠損が現われやすい。
これは単に外観上の欠陥として商品価値を失なうばかり
でなく、層間抵抗の低下を招くので変圧器等の鉄芯とし
ては致命的な欠陥となることもある。
でなく、層間抵抗の低下を招くので変圧器等の鉄芯とし
ては致命的な欠陥となることもある。
したがってかような点状被膜欠損の発生という欠点を完
全に克服しない限りは、磁気特性上は有利であるとして
も焼鈍分離剤中に多量のＳ化合物を添加することはでき
なかったのである。
全に克服しない限りは、磁気特性上は有利であるとして
も焼鈍分離剤中に多量のＳ化合物を添加することはでき
なかったのである。
本発明は、上述した如き従来法によって形成された方向
性珪素鋼板の絶縁被膜のもつ欠点を磁気特性を損うこと
なしに有利に除去、改善するものでかような目的達成の
ためには焼鈍分離剤中に、ＳまたはＳ化合物に併せてＳ
ｒを含む化合物、またはさらにはＴｉを含む化合物を複
合添加することが有効であるとの新規知見に立脚する。
性珪素鋼板の絶縁被膜のもつ欠点を磁気特性を損うこと
なしに有利に除去、改善するものでかような目的達成の
ためには焼鈍分離剤中に、ＳまたはＳ化合物に併せてＳ
ｒを含む化合物、またはさらにはＴｉを含む化合物を複
合添加することが有効であるとの新規知見に立脚する。
すなわちこの発明は、最終板厚に冷延した方向性珪素鋼
用薄板に脱炭焼鈍を施して表面にＳｉＯ２を含むサブス
ケールを形成する段階と、このサブスケール上にＭｇＯ
を主成分とする洗鈍分離剤を塗布して最終焼鈍を施す段
階とからなり、上記焼鈍分離剤中に、Ｓまたは１０００
℃以下で分解するＳを含む化合物をＳ換算で０．４〜２
重量％およびＳｒを含む化合物をＳｒ換算で０．２〜１
０重量％、さらには必要によりＴｉを含む化合物をＴｉ
換算で０．５〜５重量％の範囲で配合することにより、
上記最終焼鈍段階で密着性，均一性に優れしかも磁束密
度を高めるフオルステライト被膜を形成させることを特
徴とする方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法である。
用薄板に脱炭焼鈍を施して表面にＳｉＯ２を含むサブス
ケールを形成する段階と、このサブスケール上にＭｇＯ
を主成分とする洗鈍分離剤を塗布して最終焼鈍を施す段
階とからなり、上記焼鈍分離剤中に、Ｓまたは１０００
℃以下で分解するＳを含む化合物をＳ換算で０．４〜２
重量％およびＳｒを含む化合物をＳｒ換算で０．２〜１
０重量％、さらには必要によりＴｉを含む化合物をＴｉ
換算で０．５〜５重量％の範囲で配合することにより、
上記最終焼鈍段階で密着性，均一性に優れしかも磁束密
度を高めるフオルステライト被膜を形成させることを特
徴とする方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法である。
以下、本発明を実験データに基づいて具体的に説明する
。
。
Ｃ０．０４５％、Ｓｉ３．０５％、Ｍｎ０．０７％、Ｓ
ｂ０．０２％および８０．０２％を含む珪素鋼素材を２
．０ｍｍ厚に熱延後、９５０℃で３分間の予備焼鈍を施
し、さらに冷延して０．３５ｍｍの最終板厚とした。
ｂ０．０２％および８０．０２％を含む珪素鋼素材を２
．０ｍｍ厚に熱延後、９５０℃で３分間の予備焼鈍を施
し、さらに冷延して０．３５ｍｍの最終板厚とした。
次いで８２０℃で３分間湿水素中で脱炭焼鈍してＳ ｉ
０２を含むサブスケールを形成し、このサブスケール上
にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布して、１１８
０℃で５時間のＨ２における高温仕上焼鈍を施した。
０２を含むサブスケールを形成し、このサブスケール上
にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布して、１１８
０℃で５時間のＨ２における高温仕上焼鈍を施した。
このとき焼鈍分離剤中に添加物としてＳ換算で０〜２６
５重量％の範囲でＭｇＳ０４・７Ｈ２０を配合したとき
の磁束密度（Ｂ１０）および被膜表面性状について調べ
たところ、第３図に示したような結果が得られた。
５重量％の範囲でＭｇＳ０４・７Ｈ２０を配合したとき
の磁束密度（Ｂ１０）および被膜表面性状について調べ
たところ、第３図に示したような結果が得られた。
Ｓ化合物の添加量の増大にともない磁束密度は向上する
が、同時に点状被膜欠損も現われてくる。
が、同時に点状被膜欠損も現われてくる。
磁気特性的には０．４〜２重量％Ｓさらに好ましくは０
．７〜１．２重量％（以下単に％で表わす）Ｓが効果的
なＳ添加量であるが、点状被膜欠損も０．４％Ｓを越え
ると明瞭に現われるようになる。
．７〜１．２重量％（以下単に％で表わす）Ｓが効果的
なＳ添加量であるが、点状被膜欠損も０．４％Ｓを越え
ると明瞭に現われるようになる。
これに対し、Ｓｒ（ＯＨ）２・８Ｈ２０を１．０％のＭ
ｇＳ０４・７Ｈ２０とともに焼鈍分離剤中に複合添加し
たところ、第４図に示したように、磁束密度が向上する
だけでなく点状被膜欠損の発生も効果的に防止され得る
ことが見出された。
ｇＳ０４・７Ｈ２０とともに焼鈍分離剤中に複合添加し
たところ、第４図に示したように、磁束密度が向上する
だけでなく点状被膜欠損の発生も効果的に防止され得る
ことが見出された。
本発明で焼鈍分離剤中に添加したＳｒ化合物の主たる役
割は多量のＳ化合物を焼鈍分離剤中に添加した場合であ
っても生成フオルステライト被膜に点状被膜欠損を発生
させないことである。
割は多量のＳ化合物を焼鈍分離剤中に添加した場合であ
っても生成フオルステライト被膜に点状被膜欠損を発生
させないことである。
Ｓｒ量は０．２％以上でなければ、点状被膜欠損の発生
防止効果に乏しく、一方１０％を超えると磁気特性上不
利になるので、添加Ｓｒ量は０．２〜１０％に限定した
。
防止効果に乏しく、一方１０％を超えると磁気特性上不
利になるので、添加Ｓｒ量は０．２〜１０％に限定した
。
このように焼鈍分離剤中にＳｒの化合物を添加すること
によって、多量にＳないしＳ化合物を含む場合であって
も点状被膜欠損の発生を有効に防止できる機構について
はまだ明確には解明されていないが、次のように考えら
れる。
によって、多量にＳないしＳ化合物を含む場合であって
も点状被膜欠損の発生を有効に防止できる機構について
はまだ明確には解明されていないが、次のように考えら
れる。
すなわち分離剤中のＳ化合物は最終焼鈍の昇温過程で鋼
板面を硫化し、また鋼板面は脱炭焼鈍時に形成されるサ
ブスケールおよび最終焼鈍の昇温時に放出される分離剤
中の水和水による酸化を受けるので、これらに基因して
鋼板面上にはＦｅＳ−ＦｅＯが生成する。
板面を硫化し、また鋼板面は脱炭焼鈍時に形成されるサ
ブスケールおよび最終焼鈍の昇温時に放出される分離剤
中の水和水による酸化を受けるので、これらに基因して
鋼板面上にはＦｅＳ−ＦｅＯが生成する。
この系の共晶点は第２図に示したように９０８℃である
から、最終焼鈍の昇温過程で容易に溶融する。
から、最終焼鈍の昇温過程で容易に溶融する。
したがってかような共晶組織をそなえる部分では正常な
フオルステライト被膜を形成することができずに剥離す
る。
フオルステライト被膜を形成することができずに剥離す
る。
これが点状被膜欠損発生の原因と考えられる。
しかしながら焼鈍分離剤中にＳｒ化合物を共存させると
、フオルステライト形成反応がより低温で進行するよう
になり、したがって生成被膜の保護性は向上し、前述し
たようにＦｅＳ−ＦｅＯが溶融しても、凝集粗大化する
のを妨げるため、点状被膜欠損が発生しようとしても、
成長を抑制して極めて小さくするので、目視では確認で
きない存在になるものと考えられる。
、フオルステライト形成反応がより低温で進行するよう
になり、したがって生成被膜の保護性は向上し、前述し
たようにＦｅＳ−ＦｅＯが溶融しても、凝集粗大化する
のを妨げるため、点状被膜欠損が発生しようとしても、
成長を抑制して極めて小さくするので、目視では確認で
きない存在になるものと考えられる。
実際、赤外線反射スペクトルにより、最終焼鈍工程での
鋼板面上の生成酸化物を追跡したところ、ＳまたはＳ化
合物を含む焼鈍分離剤中にＳｒ化合物が共存すると、フ
オルステライト形成反応はより低温域で進行するように
なることが確められた。
鋼板面上の生成酸化物を追跡したところ、ＳまたはＳ化
合物を含む焼鈍分離剤中にＳｒ化合物が共存すると、フ
オルステライト形成反応はより低温域で進行するように
なることが確められた。
ところで焼鈍分離剤中にＳ又はＳ化合物を添加すると磁
束密度が向上するが、この理由は仕上焼鈍の初期段階に
Ｓが鋼板面に移行し、さらに鋼中に浸入して抑制剤の作
用を補完するためと考えられる。
束密度が向上するが、この理由は仕上焼鈍の初期段階に
Ｓが鋼板面に移行し、さらに鋼中に浸入して抑制剤の作
用を補完するためと考えられる。
とすれば、２次再結晶の進行する前に、Ｓの鋼板への移
行、すなわち分離剤中におけるＳ化合物の分解が進まな
ければ、分離剤中にＳ化合物を添加したとしても、有効
な磁気特性の改善は期待できない。
行、すなわち分離剤中におけるＳ化合物の分解が進まな
ければ、分離剤中にＳ化合物を添加したとしても、有効
な磁気特性の改善は期待できない。
そこでＳ化合物を添加する場合に、その分解温度がどの
程度であれば磁気特性の改善に有効に寄与するかにつき
、鋭意研究した結果、２次再結晶温度であるほぼ１００
０℃以下で分解するＳ化合物であれば所期した効果が得
られることを究明した。
程度であれば磁気特性の改善に有効に寄与するかにつき
、鋭意研究した結果、２次再結晶温度であるほぼ１００
０℃以下で分解するＳ化合物であれば所期した効果が得
られることを究明した。
かようなＳ化合物としてはＳｂ２Ｓ３，ＦｅＳ，ＴｉＳ
２，ＣｏＳ，ＢａＳ，ＺｎＳＯ４，Ａｌ２（ＳＯ４）３
，ＦｅＳＯ４，ＭｇＳ０４，ＭｎＳ０４およびＮｉＳＯ
，などが有利に適合する。
２，ＣｏＳ，ＢａＳ，ＺｎＳＯ４，Ａｌ２（ＳＯ４）３
，ＦｅＳＯ４，ＭｇＳ０４，ＭｎＳ０４およびＮｉＳＯ
，などが有利に適合する。
またＳｒ化合物の複合添加は上述したように点状被膜欠
損を防止して被膜の均一性を向上させるだけでなく、第
１表に示すように密着性の向上にも極めて有効である。
損を防止して被膜の均一性を向上させるだけでなく、第
１表に示すように密着性の向上にも極めて有効である。
このようなＳｒ化合物添加による密着性の向上および前
述した磁気特性の向上は第５図に示したようなフオルス
テライト被膜断面構造の変化、すなわち薄膜化、平滑化
も重要な要因になったと考えられる。
述した磁気特性の向上は第５図に示したようなフオルス
テライト被膜断面構造の変化、すなわち薄膜化、平滑化
も重要な要因になったと考えられる。
さらに上記したＳまたはＳ化合物とＳｒ化合物に加えて
Ｔｉ化合物を複合添加すると、被膜の均一性，密着性は
一層改善され、とくに繰返し曲げ特性が向上することが
知見された。
Ｔｉ化合物を複合添加すると、被膜の均一性，密着性は
一層改善され、とくに繰返し曲げ特性が向上することが
知見された。
このＴｉ化合物の添加量は、Ｔｉ換算で０．５％未満で
は繰返し曲げ特性の向上の寄与に乏しく、また５％を超
えると繰返し曲げ特性にとっては有利であるが、浸Ｔｉ
が生じ、磁気特性、特ｌこ鉄損の劣化を招くので好まし
くない。
は繰返し曲げ特性の向上の寄与に乏しく、また５％を超
えると繰返し曲げ特性にとっては有利であるが、浸Ｔｉ
が生じ、磁気特性、特ｌこ鉄損の劣化を招くので好まし
くない。
そこで焼鈍分離剤中に添加するＴｉ化合物はＴｉ換算で
０．５〜５％に限定した。
０．５〜５％に限定した。
なお繰返し曲げ特性について調べた結果を第１表に併せ
て示す。
て示す。
次に本発明を実施例について説明する。
実施例 １
Ｃ０．０４５％、Ｓｉ３．０５％、Ｍｎ０．０７％、８
０．０２％を含む珪素鋼素材を２．０ｍｍ厚に熱延後９
５０℃で３分間の予備焼鈍を施し、さらに冷延して０．
３５ｍｍの最終板厚とした。
０．０２％を含む珪素鋼素材を２．０ｍｍ厚に熱延後９
５０℃で３分間の予備焼鈍を施し、さらに冷延して０．
３５ｍｍの最終板厚とした。
次いで８２０℃で３分間潤水素中で脱炭焼鈍した後、３
％ＦｅＳ＋２％Ｓｒ（ＯＨ）２・８Ｈ２０＋１．５％Ｔ
ｉＯ２＋ＮｇＯの焼鈍分離剤を塗布し、Ｈ２中で１１８
０℃に５時間保持する最終焼鈍に供した。
％ＦｅＳ＋２％Ｓｒ（ＯＨ）２・８Ｈ２０＋１．５％Ｔ
ｉＯ２＋ＮｇＯの焼鈍分離剤を塗布し、Ｈ２中で１１８
０℃に５時間保持する最終焼鈍に供した。
焼鈍後の磁気特性、被膜特性および繰返し曲げ特性は次
の通りであった。
の通りであった。
磁性｛Ｂ１０：１．８４Ｔ
Ｗ１７／５０：１．４０Ｗ／ｋｇ
被膜特性｛密着性（剥離しない最小曲げ径）：
３０ｍｔφ 均一性：点状被膜欠損皆無 破断までの最小繰返し曲げ回数：２１回 （ＪＩＳ規格Ｃ２５５０−１９７５による）実施例 ２ Ｃ０．０３７％、Ｓｉ２．９８％、Ｍｎ０．０６％、Ｓ
ｂ０．０２５％、８０．０１８％を含む珪素鋼素材を１
．６ｍｍ厚に熱延後、１０００℃で１分間の予備焼鈍を
施し、さらに冷延して０．３５ｉｎの最終板厚とした。
３０ｍｔφ 均一性：点状被膜欠損皆無 破断までの最小繰返し曲げ回数：２１回 （ＪＩＳ規格Ｃ２５５０−１９７５による）実施例 ２ Ｃ０．０３７％、Ｓｉ２．９８％、Ｍｎ０．０６％、Ｓ
ｂ０．０２５％、８０．０１８％を含む珪素鋼素材を１
．６ｍｍ厚に熱延後、１０００℃で１分間の予備焼鈍を
施し、さらに冷延して０．３５ｉｎの最終板厚とした。
次いで８２０℃で３分間、湿水素中で脱炭焼鈍したのち
、３％ＭｇＳ０４・７Ｈ２０＋３％ＳｒＳＯ４＋１．５
％ＴｉＯ２＋ＭｇＯの焼鈍分離剤を塗布し、Ｈ２中で１
１８０℃に５時間保持する最終焼鈍に供した。
、３％ＭｇＳ０４・７Ｈ２０＋３％ＳｒＳＯ４＋１．５
％ＴｉＯ２＋ＭｇＯの焼鈍分離剤を塗布し、Ｈ２中で１
１８０℃に５時間保持する最終焼鈍に供した。
焼鈍後の磁気特性、被膜特性および繰返し曲げ特性は次
の通りであった。
の通りであった。
破断までの最小繰返し曲げ回数：１８回
以上述べたようにこの発明によれば、ＭｇＯを主成分と
する焼鈍分離剤中に、ＳまたはＳ化合物に併せＳｒ化合
物、またさらには必要に応じＴｉ化合物とを複合添加す
ることにより、方向性珪素鋼板の磁束密度の向上が達成
できると共に、該分離剤中にＳまたはＳ化合物を多量に
含む場合に懸念された点状被膜欠損の発生を防止して絶
縁被膜の均一性および密着性を大幅に改善することがで
きる。
する焼鈍分離剤中に、ＳまたはＳ化合物に併せＳｒ化合
物、またさらには必要に応じＴｉ化合物とを複合添加す
ることにより、方向性珪素鋼板の磁束密度の向上が達成
できると共に、該分離剤中にＳまたはＳ化合物を多量に
含む場合に懸念された点状被膜欠損の発生を防止して絶
縁被膜の均一性および密着性を大幅に改善することがで
きる。
第１図は焼鈍分離剤中に多量のＳ化合物を含有させたと
きに、方向性珪素鋼板の絶縁被膜に現われる点状被膜欠
損の顕微鏡写真、第２図はＦｅＯ一ＦｅＳ系の液相線を
示す状態図、第３図は焼鈍分離剤中のＭｇＳＯ４・７Ｈ
２Ｏ添加量と磁気特性および点状被膜欠損の発生状況と
の関係を示す図、第４図は焼鈍分離剤中のＳｒ（ＯＨ）
２・８Ｈ２Ｏ添加量と磁気特性および点状被膜欠損の発
生状況との関係を示す図、第５図ａはＭｇ０を主成分と
する従来の焼鈍分離剤を用いた方向性珪素鋼板の絶縁被
膜断面の顕微鏡写真（Ｘ１０００）、ｂは従来の焼鈍分
離剤にＳｒとして１％のＳｒ（ＯＨ）２・８Ｈ２Ｏを添
加したときの方向性珪素鋼板の絶縁被膜断面の顕微鏡写
真（Ｘ１０００）である。
きに、方向性珪素鋼板の絶縁被膜に現われる点状被膜欠
損の顕微鏡写真、第２図はＦｅＯ一ＦｅＳ系の液相線を
示す状態図、第３図は焼鈍分離剤中のＭｇＳＯ４・７Ｈ
２Ｏ添加量と磁気特性および点状被膜欠損の発生状況と
の関係を示す図、第４図は焼鈍分離剤中のＳｒ（ＯＨ）
２・８Ｈ２Ｏ添加量と磁気特性および点状被膜欠損の発
生状況との関係を示す図、第５図ａはＭｇ０を主成分と
する従来の焼鈍分離剤を用いた方向性珪素鋼板の絶縁被
膜断面の顕微鏡写真（Ｘ１０００）、ｂは従来の焼鈍分
離剤にＳｒとして１％のＳｒ（ＯＨ）２・８Ｈ２Ｏを添
加したときの方向性珪素鋼板の絶縁被膜断面の顕微鏡写
真（Ｘ１０００）である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 最終板厚に冷延した方向性珪素鋼用薄板に脱炭焼鈍
を施して表面にＳｉＯ２を含むサブスケールを形成する
段階と、このサブスケール上にＭｇＯを主成分とする焼
鈍分離剤を塗布して最終焼鈍を施す段階とからなり、上
記焼鈍分離剤中に、Ｓまたは１０００℃以下で分解する
Ｓを含む化合物をＳ換算で０．４〜２重量％およびＳｒ
を含む化合物をＳｒ換算で０．２〜１０重量％の範囲で
配合するこさにより、上記最終焼鈍段階で密着性，均一
性に優れしかも磁束密度を高めるフオルステライト被膜
を形成させることを特徴とする方向性珪素鋼板の絶縁被
膜の形成方法。 ２ 最終板厚に冷延した方向性珪素鋼用薄板に脱炭焼鈍
を施して表面にＳｉＯ２を含むサブスケールを形成する
段階と、このサブスケール上にＭｇＯを主成分とする焼
鈍分離剤を塗布して最終焼鈍を施す段階とからなり、上
記焼鈍分離剤中に、Ｓまたは１０００℃以下で分解する
Ｓを含む化合物をＳ換算で０．４〜２重量％、Ｓｒを含
む化合物をＳｒ換算で０．２〜１０重量％およびＴｉを
含む化合物をＴｉ換算で０．５〜５重量％の範囲で配合
することにより、上記最終焼鈍段階で密着性，均一性に
優れしかも磁束密度を高めるフオルステライト被膜を形
成させることを特徴とする方向性珪素鋼板の絶縁被膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54149944A JPS586783B2 (ja) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | 方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54149944A JPS586783B2 (ja) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | 方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5675577A JPS5675577A (en) | 1981-06-22 |
| JPS586783B2 true JPS586783B2 (ja) | 1983-02-07 |
Family
ID=15485978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54149944A Expired JPS586783B2 (ja) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | 方向性珪素鋼板の絶縁被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586783B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3828688A1 (en) | 2019-11-29 | 2021-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus and control method |
| EP3859514A1 (en) | 2020-01-31 | 2021-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Program and information processing apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58117827A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-13 | Kawasaki Steel Corp | 優れた軟磁気特性を有する高珪素鋼薄帯の製造方法 |
| US4781769A (en) * | 1986-12-29 | 1988-11-01 | Allegheny Ludlum Corporation | Separating-agent composition and method using same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440227A (en) * | 1977-09-07 | 1979-03-29 | Nippon Steel Corp | Manufacture of oriented silicon steel sheet with very high magnetic flux density |
| JPS54143718A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Kawasaki Steel Co | Formation of insulating layer of directional silicon steel plate |
-
1979
- 1979-11-21 JP JP54149944A patent/JPS586783B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440227A (en) * | 1977-09-07 | 1979-03-29 | Nippon Steel Corp | Manufacture of oriented silicon steel sheet with very high magnetic flux density |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3828688A1 (en) | 2019-11-29 | 2021-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus and control method |
| EP3859514A1 (en) | 2020-01-31 | 2021-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Program and information processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5675577A (en) | 1981-06-22 |
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