JPS5867066A - 絶緑ゲート型電界効果半導体装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 品質、以下単にＡｓという）、５〜２００Ａの大きさの
ショートレンジオーダの微結晶性を有するセミア方ルフ
ァス（半非晶質、以下単にＳＡＳという）および５０〜
５０００Ａの大きさの微結晶の集合体である多結晶（以
下単にＰｃｓまたはマイクロポリクリスタル　ＭＰＯと
いう）の構造を有する半導体であって、特に水素または
フッ素、塩素の如きハク７ン元素が０．０１〜１０モル
％またはりチューム、ナトリュームまたはカリュームの
如きアルカリ金属元素が１♂〜ｌＯ’ａ　ｍ’の濃度に
含有されて再結合中心を中和した非単結晶半導体（以下
Ｎ６１０Ｅｌという）を用いた絶縁ゲイト型電界効果半
導体装置、その作製方法およびその応用した集積化構造
に関する。

本発明はかかる基板上にプラズマＯＶＤ法等によシ蒸着
形成されるＮＳＣ！Ｓをその特性を利用して形成せんと
するもので、その構造においても特にその製造工程にサ
ポートされた構造において、従来の絶縁ゲイト型電界効
果半導体装置（以下単に工ＧＦＥＴという）Ｋ比べ、製
造のし易さ、特性の安定性がきわめてすぐれたものとな
っている。さらに本発明の如く同一基板上に複数ケをマ
トリックス構造にせしめたことによシイメージセンサ等
の光電変換装置を単位面積あたシ最大の理想的な構造、
アレーで配置させることを特徴としている。

本発明は非単結晶半導体であるすなわちＡｓＥＩＡＥＩ
、　Ｐ’Ｓを含むものであり、特にＥＩＡＳ　Ｋ関して
は、本発明人の出願になる特許願（セミ′アモ３出願、
半導体装置作製方法　特願昭５４−０５８８６３８５４
、５．１４出願）に記されている。

すなわち特にセミアモルファス半導体例えば珪素半導体
における単結晶性を有さ曹ラス性の状態において、１×
１０〜］−ＸＩＯＣＡｃｍ）を有する。これらの値は単
結晶珪素半導体の１７２〜１／１０ときわめてすぐれた
特性を有していることが実験的に本発明人によｐ見出さ
れたものでその内容はＡｐｐｌ、’Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ
　３Ｂ（３）、　１９８１１４２〜１４４または１９８
１年春季応用物理学会講演会１ａ８５　　微結晶を含む
ａ−８ｉの構造観察と光学的−電気的特性　４２２ペー
ジ、さらに１９８１年秋季第４２回応用物理学会学術講
演会’１ａ−Ａ−１、’１Ｆａ−Ａ−２４０３ページに
その一部が発表されている。

従来アモルファス半導体を用いた工ＧＦＥＴとして第１
図の如きたて断面図を有する構造力；知られている。第
１図において絶縁基板（１）上にゲイト電極（３）、α
→が耐熱性材料例えばモリプデ／により作られている。

さらにゲイト絶縁膜α力をＣＶＤ法によシ酸化珪素を０
．１〜０．５μの厚さに設ける。次にこの上面にＡｓを
形成し、（５）　（’ｏ）のチャネル型ゲイト上のみに
選択エッチをして形成する。さらにＮチャネルエＧＦＥ
Ｔ（Ｌｌ）ＫおけるＮ型の半導体層（６）、（’７）を
選択的にフォトエッチ法を用いて形成し、またＰチャネ
ル型工（）Ｆｌ！！Ｔ（２）に対しては、アルミニュー
ムを真空蒸着法で形成し、選択エッチをしてソース（９
）、）”レイン（８）を作シ、第１図の如（０／ＭＯ８
−１１ＰＥＴを完成させている。

この構造においてはゲイト絶縁物α１）７５：ＣＶＤ法
で形成・されるため、高密度でなく、結果としてゲイト
電極（３）と半導体（５）とがショート、リークしやす
く、そのため絶縁物０］）を０．３μ以上と厚くしなけ
ればならない。結果としてゲイト電圧は２０〜６０７と
大きな電圧となり、いわゆる１、５〜５ｖの低電圧駆動
が全く不可能である。

ゲイト電極（至）の両端と半導体（５）の両端とソース
（６）、ドレイン（マ）の一端を精密に位置合せするこ
とが工ＧＦＥＴでは必要である。しかし基板上に凹凸が
ある状態で合せ精度１μ以内の高精度にて位置合せする
ことは全く不可能である。結果として２０〜３０ｐもの
トレランスを作っておりその゛ためドレイン電圧も５０
〜７０Ｖと高くなシ、また製造バラツキも大きくなって
しまい実用不可能であった。さらに構造敏感性を有する
いわゆるチャネル形成領域と接する半導体（５）の表面
α力において、ＰまたはＮ型の導電型の不純物が０、ｆ
）〜２チもの多量にドープされた半導体が密着し、それ
を完全にエツチング除去しない隅゛シこの部分でソース
（６）　Ｉ　　ドレイン（７）がショートしてしまう０
しかしこれはその下側の半導体（５）と同−主成分であ
るため、選択エッチがきわめて困難になってしまった。

さらにこの裏面が完成された第１図の構造になっても空
気中に露呈するため、構造敏感性を有スる半導体主にＳ
ＡＳにおいては全く各頼性王おいて、また製造バラツキ
において工業的に実用不可能であった。このように第１
図の構造を用いることは全く不適当であった０ 他方本発明はゲイト電極として耐熱性を有する不純物が
ｆ量に添加されたＰまたはＮ型のｐｃｓを用い、その上
面側面を珪素の酸化物または窒化物よりなるゲイト絶縁
物でおおうこと―よシ、ゲイト絶縁物をち密な構造とし
たため、その厚さも１００〜’１００ＯＡとうすい厚さ
で十分である。またこの作製に基板に耐熱性を有する石
英ガラスまたはアルミナの如きセラミックスを用いたた
め、機械強度におい・ても、また光感度導度１〜１００
１００（ｎ’を有せしめることができ、このゲイト上面
とソース、ドレインを構成する半導体領域の上面とをな
めらかに連続させることによシプレナー構造としている
。

さらにこの構造によシタイト電極の両端とソース、ドレ
インの一端とが概略＝致したセルファライン構造を有せ
しめることは、これまでの薄膜トランジスタの構造では
全く提案されていない特徴である。かかる構造のため、
チャネル長も１〜１０μというきわめて短チャネルを形
成させることも可能となシ、ゲイト電圧、ドレイン電圧
とも従来の４ｏ〜ＳＯＶ駆動というのではなく、ゲイト
電圧、ドレイン電圧とも５〜ＩＯＶ駆る。

さらにこれらすべてを形成させてしまった後に、この上
面すなわちゲイトおよびソース、ドレイン上にチャネル
形成領域を有する構造敏感性を有するＮ５ＯＥ！特にＳ
ＡＳを０．０５〜５μ代表的には０．１〜１μの厚さに
形成せしめたことを他の特徴としている。このためこの
構造敏感性の真性またはＰ、Ｎの半導体特にＥＩＡＳは
その構造特性を半導体を作製する工程において熱処理等
により変質されることなく　、ｐｈ　ｆの特性を有せし
めることを他の特徴としている０ さらに本発明はかかる工ＧＦＫＴが集積化しやすい構造
を有するとともに、との工ＧＦＥＴをさらに高密度に集
積化してマトリックス構造を有せしめた。さらにこの構
造に加えて、基板に透光性の石英ガラスを用いることに
より、基板側での２先程度を検出するイメージセンサを
設けること、また基板としてしや光性のアルミナセラミ
ック基板を用い、この上面Ｋ（１ｔｒ＋キヤノ（シタ）
／セル構造を有せしめ、特にこのキャノ（シタを液晶を
用いることにより平面）（ネルディスプレーを構成せし
めた。また１ｔｒ／セルの不揮発性メモリのマトリック
スをも構成せしめた。

本発明はこれらの集積化構造において、それぞれの絶縁
ゲイト型電界効果半導体装置（以下単にｌＧ１１’１ｌ
ｉＴという）の周辺にアイソレーション領域がこれまで
あった。しかしこの領域はその回路構成を工夫し、さら
にＮ５Ｏ８の特性を利用すれ′ば不要であることが判明
した。そのため工ＧＦＥＴを対をなして構成せしめ、そ
のソースドレインを共通構成させることによシ集積密度
を向上せしめたことを他の特徴とする。

以下にその実施例を図面に従って説明する０第２図〜第
４図は本発明の工ＧＦＩ！！Ｔのたて断面図およびその
製造工程を示す０ 実施例１ 第２図に本発明の実施例を示す。これはゲイトを構成せ
しめる工程を示す。第２図（４）において基板（１）側
が絶縁性でちゃかつ透光性基板であるガラスまたはセラ
ミックス基板である。本発明はプラズマ気相法をその主
たるプロセスとして用いた。これは例えば被形成面上に
Ｎ５ＯＥＩ（イ）を０．１〜１μの厚さにプラズマ気相
法で形成した。

このＮ５Ｏ８はシラン（モノシランまたはポリシラン）
またはフッ化珪素をヘリュームまたは水素で希釈し、０
．０１〜１ｏｔｏｒｒ例えば０．３ｔｏｒｒの反応炉内
に導き、１００〜４００°０例えば３００℃に加熱され
た基板上に前記反応性気体に直流、高周波（５００ＪＺ
〜５０　Ｍ　ＨＺ例えば’１３．５６ＭＨ２）またはマ
イクロ波（１〜１０ＧＨｚ例えば２．４５ＧＨ２）の電
磁エネルギを５〜２００Ｗの出力を加えてグロー放電ま
たはアーク放電を行わしめ、これら反応性気体およびキ
ャリアガスをプラズマ化し、分解、反応せしめ、基板上
に微結晶性を有する真性または実質的に真１ｍＮ５ＯＢ
を形成させたものである。

第４図（０）よシ明らかな如く、この発明において、ソ
ース、ドレイン間を流れる電流は基板上面と平行方向で
ある。こ・のためこのＮ５Ｃ８の生成においてグローま
たはアーク放電の電極方向度が大きくなるように行った
。

このＮ５Ｏ８は同一反応炉において生成温度の依存性も
あるが、出力によシ例えば５〜２０ＷはＡＥ１１２０〜
５０Ｗは中間領域である微結晶性を有するＳＡＢ、８０
〜２００ＷはＰＣ＋日となシ、また温度が４００”Ｃ以
上でかつ５０Ｗ以上ではＦｏｓと本発明に用いたプラズ
マ’ＯＶＤ装置においては分類できたｅ 特にＡｓがショートレンジオーダのオーダリング（何ら
かの規則性）を有しているが結晶性を有さず、またＥＩ
ＩＡＳは５〜’１００Ａのショートレンジオーダの大き
さの格子歪を有する結晶性を有するものである。これら
は半導体である珪素の不対結合手を中和させる水素、フ
ッ素の如きハロゲン元素による再結合中心中和剤を０．
０１〜５モルチ添加されている。さらにこのＥＩＡＳの
これらの中和剤で相殺できていない不対結合手を１０〜
１０ｃｍの濃度に中和するためリチュームナトリューム
またはカリュームの如きアルカリ金属を１０〜１０　ｃ
　ｍ’の濃度に添加して耐放射線性周波数特性の改良を
してもよい。

このＳＡＳは暗伝導度ｌＸｌ０〜３Ｘ’ｌＯ（ｆＬｃｍ
）を有し、また光伝導度はＡＭＩの条件下にて１×１０
〜８×１０（ｆＬＣｍ）′を実験的に有していた。また
Ａｓは暗伝導度１０〜１０（ｎｃｍ）を有し、光伝導度
は１０〜３×１０（立ｃｍ）’を有していた。

とのＡｓ、　ＳＡＳは実用上において使い分ければよい
。

またＰまたはＮ型の半導体層を形成する場合は前記した
プラズマ気相法においてさらに１価またはｐｏｓとして
作製したとすると、それらは電気伝導度０．１〜１♂（
ｚｃｍ）’を有し、活性化エネルギ０．０２ｅＶとなり
、添加した不純物のすべてをアクセプタまたはドナーと
することができた。

本発明のＭＩＩＳＦＢＴを作製するのには減圧気相法を
用いてもよい。

第２図（４）においては石英ガラス基板（１）上にＰ゛
またはＮ７の導電型を有する半導体層（イ）を０．１〜
０．５μの厚さに前記した方法にょシ形成し、フォトエ
ツチング法にょシタイト巾を１〜３０μ代表的には５〜
１０μの巾に形成した。さらにこの後このゲイト電極と
なる半導体上・を公知の熱酸化またはプラズマ酸化法に
よｌ）　１ｏｏ〜１００ＯＡ　ノ膜厚に酸化珪素を作製
し、さらにこの酸化珪素の表面にマイクロ波で励起され
たアンモニア中で２００〜１１００°０にて加熱したせ
化珪素を２０〜５０Ａの厚かに生成した。

これらゲイト絶縁膜をすべて窒化珪素としてもよい。こ
れは半導体（イ）を直接窒化してもまた減圧気相法によ
？）　１００〜１５００Ａの厚さで窒化珪素を形成して
もよい。

さらにこの後この上面に減圧気相法により酸化珪素また
はＰＩＣｔ、＊（２）を０．５〜３μ代表的には１・０
〜１．５μの厚さに形成する。

次には第２図（Ｂ）に示す如く、負のフォトレジストを
全面に塗付した後、基板の下方向より紫外線に）を照射
した。するとゲイト電極−はマスクとして作用するため
、この上面のフォトレジスト（ハ）のみが残置し、他部
をその後の現像、リンスによシ除去することができた。

さらに第２図（Ｃ）に示す如く、このフォトレジストを
マスクとして、酸化珪素をフッ酸系の液によＬ　Ｐ工Ｑ
等の耐熱性ポリイミド樹脂にあってはヒドラジン系のエ
ツチング液にて選択的に溶去し、この後フォトレジスト
を除去して第２図（０）に示す構造を得た。

第２図（０）は基板上にゲイト電極とそれを囲んでゲイ
ト絶縁物を有し、このゲイト電極とその両端を該略一致
させた同一形状の層（イ）をこのゲイト上に設けた構造
としたことを特徴としている。０ 実施例２ 第３図は本発明の他の実施例を示す０ を作る際下方向からの露光を行った０ しかしこの実施例においては、基板の上方向からの露光
を利用して、１回のマスク合せによるフォトエツチング
法を用いている０ すなわち透光性またはセラミック等のしや光、の上面に
ゲイト絶縁膜となる絶縁膜を実施例１と同様に形成した
０ さらに層を形成するための酸化珪素またはＰ工Ｑ膜（２
）を積層した０この後この上面にフォトレジストを利用
して、第３図（Ｂ）に示す如く、ゲイト電極の大きさを
九工するマスク（ハ）を作シ、このマスクを利用してそ
の下の半導体層（イ）、絶縁膜（ハ）、層（イ）−を選
択的にエツチングして除去した。この後フォトレジスト
（ハ）を除去した後、ゲイート電極の側周辺を熱酸化ま
たはプラズマ酸化法によシ酸化珪素を作製した０ プラズマ酸化による酸化が’１００〜３００°ＯＫ６つ
ては、層（財）にＰ工Ｑを用いることができる。しかし
この温度が６００°Ｃ以上または１０００〜１１５０°
Ｃの熱酸化にあっては、耐熱性の関係で層（ハ）はＯＶ
Ｄ法によシ作られた酸化珪素が有効である０これらにお
いで、ゲイト絶縁物Ｑ１）は窒化珪素または酸化珪素と
窒化珪素の多層膜を用いた０さらに第３図（Ｃ）の構造
において、これらすべてをプラズマ窒化し、ゲイト電極
の側周辺（ハ）の表面を窒化してもよい。

この除屑（ハ）の側辺も窒化されるが、これは後工程に
おいて除去することができる。

この実施例においても、基板上にゲイト電極とこの電極
を囲んでゲイト絶縁物Ｑ１）、（ハ）を作る。

さらにゲイト電極と概略同一形状を有する層（ハ）をゲ
イト上に形成させている。この実施例においては第３図
（Ｂ）を得た後、今−炭層（イ）のみ少しスリムトイＮ
ドエツチを施しておき、後工程においてリフトオフしや
すくしている０ またこの実施例においては、ゲイト絶縁物カニ上面を薄
く１００〜１ｏｏｏＡとし、側周辺は第１オ↓の発生防
止のため２０００〜４００＆とすることができることが
他の特徴である。

実施例３ この実施例は実施例１．２の（０）に示されるたて断面
図の半導体装置を利用して工ＧＦＥＴとしたものである
。

すなわち基板（１）上にゲイト　（ゲイト電極−、ゲイ
ト絶縁物６’ＣＨ）を有し、さらにこのゲイトと概略一
致した形状を有して層勾が設けられている。

さらにこの後これらの上面をおおってＮチャネルまたは
ＰチャネルエＧＦＥＴにあってはＮ型またはＰ型の半導
体層（財）を実施例１に示した方法にて０．１〜０．５
μの厚さに形成した。さらにこの上面に第２のフォトマ
スク■を用いてフォトレジスト翰を選択的に形成した。

このフォトレジスト（ハ）は少くともソース、ドレイン
を構成する部分をおおい、さらに層翰上に穴（３′Ｑを
あけることが必要である。この後このフォトレジストを
マスクにして、半導体層（財）を選択的に除去した。さ
らにこのレジストを除去した後、穴（３１，によシエッ
チングされ形成された半導体液で除去すればよい。

するとこの層に）のあった部分は空孔となシ、半導体層
（社）のうちゲイト上部分に形成されているものは機械
的に強くなシ、このエツチングとともに軽くＩＣ４彼ｔ
〜ｊＬＹ−、すべて除去することができたいわゆるり７
トオフ法を用いた。

半導体層（財）はかくしてゲイトによって離間した一対
の不純物領域として設けることができ、その側面をゲイ
ト絶縁物（ハ）に隣接し、この隣接した一端とゲイト電
極の両端とは概略その位置を一致させることができた。

すなわちセルファライン構成をさせることができた。こ
のためこのゲイトとソース、ドレインの一端とは実質的
て４を起（４４たことがわかる。

かくして第４図（２）に示す如く、ゲイト絶縁物−、そ
れを囲むゲイト絶縁物ｅう（ハ）、さらにそれに隣接す
る一対のソース、ドレインを構成する半導体領域−ρＯ
）が基板上に設けられ、さらにこの後とれらを十分清浄
にした後、実施例１に示したプラズマ気相法によりチャ
ネル形成領域を構成する真性、実質的に真性またはＰま
たはＮ型の導電型を有する構造敏感性を有する半導体層
−を形成せしめた。

さらに図面ではこの半導体層を第３のフォトマスクにて
ゲイト、ソース、ドレイン上のみを残し他を除去した。

図面において半導体層■はＳＡＳを用いることが好まし
く１．高速動作もさせることができた。

また図面においてフォトエツチングを施す前にこの上面
に絶縁膜を形成しておいて、その特性劣化を防いでもよ
い。

さらにこのフォトマスクによシタイト電極上部のゲイト
絶縁膜０１）も端部において選択的に除去した後フォト
レジストを除去することによシンース（ハ）、ドレイン
（３０）に対しソース電極（３日）ドレイン電極（３リ
ゲイト電極の電極（３６）を形成させることができた。

これによシプレナー構造を有するとともに３まいのフォ
トマスクによシ基板上に工ＧＦＥＴを作ることができた
。

図面においてはかかる単層配線ではなく、この上面に層
間絶縁物例えばＰ工Ｑ（６５）をコーティングした後、
再び設計上必要な部分に電極穴（６６）をあけ、ソース
電極（６９）およびそのコンタクト部０１）ドレイン電
極（６′Ｑおよびそのコンタクト部（４０）ゲイト電極
用電極（６８）を設けた。

以上の第４図において明らかな如く、本発明は基板上に
ゲイト電極とそれを囲んでゲイト絶縁物を設ける工程、
このゲイトにセルファライン構成をして一対のソース、
ドレインを基板に密接してプレナー構成をして形成させ
たこと、さらにこの最終工程において最も構造敏感性を
有するチャネル形成領域を有する半導体層を形成せしめ
たことを特徴としている。

このため３まいのフォトマスクでプレナー構造の工ＧＦ
ＩＩＩ！’Ｉ’を得、さらに２１いのフォトマスクを加
えることによシ完全に独立した２層配線を得ることがで
きたことを大きな特徴としている０ この薄膜トランジスタにセルファライン構成を適用させ
ることができたため、従来よシもチャネル長を１〜１０
μと小さくでき、さらにチャネル形成領域にＳＡＳを用
い、横方向の電流を流すことができたため、その用４曳
特性は１１（のリングオシレータをＩ°作【１１０〜１
０１ＭＨｚの周波数を得ることができた。

実施例２４ 第５図（６）は本発明の他の実施例を示す。

この実施例は実施例１．３を用いたものである。すなわ
ち基板（１）上に１つの工ＧＦＫＴ（４０）他のエＧＦ
ＥＴ（４’ｌ）とが互いに隣合い、そのＦＥ’ｌ’同志
の間にはアイソレイション領域が設けられていないすな
わち最大−１忙４を有する。

図面において１つの工ａ　Ｆ　Ｅ　Ｔ（４０）はゲイト
電極（イ）ゲイト絶縁物（ハ）ソース（イ）ドレイン（
３０）チャネル形成領域を構成する半導体（財）層間絶
縁物（６５）を有し、他の工ＧＦＥＴ（４１）にとって
も同様にソース凶ドレイン（３０）　（これが工ＧＦＩ
Ｉ！Ｔα０のドレインと共通している）ゲイト關を有５
している。この実施例においては、さらに工Ｇ　Ｆ　Ｅ
　Ｔ　（４０）、　（４１）のソース＠、關はさらにそ
の隣シの工ＧＦＥＴ　（４＄、（４２）のソース＠、ｉ
と共通している。そしてゲイト電極（ホ）５品は図面で
前段方向にゲイト電極およびそのリードを形成し、また
ソース翰、凶もこのゲイト電極に平行に図面でＡ　４（
方向にソースおよびそのリードを構成している。他方ド
レイン（３０）はひとつの１列を成す工ＧＦＥＴ　、そ
の隣シの列を成す工ＧＦＩＴとは電気的に離れており、
このドレイン（３０）は図面で左右方向にリード（５０
）Ｋよスを構成させることができる。

第６図はその番号を対応させて得られた最密呪装配列を
したＩＧＦ’ｌ！！Ｔの集積化構造である。

第６図においてＸ方向（行）のデコーダ、ドライバ（７
＄、ｙ方向（列）のデコーダ、ドライバー　（’７４）
を有した３×４の１２セルのマトリックスを示す。破線
で囲んだＱつの領域のたて断面図が第５図に）に示され
ている。

図面は基板を透光性としてイメージセンサを示すもので
あシ、入射光に対し横方向にデコーダの信号にょシ移相
してその出方を検出することができるｏ（１＊ｌ）にお
いては（７５）ｃ７．＜）の如きン 信号を与えて光検出をし、（い〕にては（７へ（７メの
如くにして検出すればよい。

Ｎ５ｏｓの移動度が単結晶半導体はど大きくなイタメ、
工（）ＦＥＴ　（８０）　、α＊　２）　ト他ｏ　ｙｍ
Ｔ（２，２）　トの間にフィールド絶縁物を作る必要が
なく、その製造工程が容易であるばかシでなくひとつの
セルサイズを小さくできるという特徴を有する。

図面において光検出を行う場合は、その光は実施例５ 第５図（Ｂ）　Ｋ本発明の他の実施例を示す。

図面において基板（１）上に２つの工ＧＦ’ＥＴ（４０
）０１）が設けられている。これはドレイン（３０）を
互いに共通に用い、さらにソース鴫關はさらに隣シの工
Ｇ１１ｔ’ＥＴのソースに連結されて鼾シ、この構成は
実施例４と同様である。

この実施例はゲイト絶縁物としてこそ絶縁物用電荷補機
中心（９１）を有し、これを絶縁物（９０）、　（９２
）によシ上面、下面および側周辺もと夛囲んだ構ルマニ
ュームのクラスタまたは薄膜よシなシ、第６図に示した
工ＧＦＥＴが１ビツトを構成する不揮発性メモリである
−０ かくすることにょシ、単結晶珪素と同様に集積化された
不揮発性−メモリを得ることができた。

第５図ＣＢ）においてこの電荷補機中心層は第３図に示
された実施例２において第３図ＣＡ）にてゲイト絶縁物
に）のかゎシに第１の絶縁層（９０）、半導体層（９４
第２の絶縁層（９つを積層して形成せしめさらにこの半
導体層（９１）の側周辺を第３図（０）のｚ４ｅ、１’
酸。化して絶縁すればよい。

本発明は珪素を中心として記したが、Ｅ’にαＸ（０５
ｘ＜１）　、　Ｅ＋ｉ、Ｎ、、　（Ｏりｘ（４）であっ
てもまたゲルマニューム、ｌ−ｖ化合物に対しても応用
するととができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体装置のたて断面図である０ 第２．３図は本発明の半導体装置を作るためのたて断面
図である。 第４図は本発明の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置を示
し、第５図は本発明の他の絶縁ゲイト型電界効果半導体
装置を示す。 第６図は本発明の半導体装置を集積化してマ２！１　　
閣 ↑　　　　↑〜２３ １．２閃 賦３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に一導電型の非単結晶半導体または導体より
   なるゲイト型電極と、該電極を囲んでゲイト絶縁物と、
   該絶縁物に隣接して前記基板上に互いに離間してソース
   、ドレインを構成する一対の一導電型の半導体領域とが
   設けられ、該領域の少くとも一部に隣接して前記ゲイト
   絶縁物をおおってチャネル形成領域を構成する非単結晶
   半導体が設けられたことを特徴とする絶縁ゲイト型電界
   効果半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、チャネル領域を構
   成する非単結晶半導体はＰ、工またはＮ型よυなる５〜
   ”ｌ　ＯＯＡの大きさの微結晶性を有するセミアモルフ
   、アス半導体よりなることを特徴とする絶縁ゲイト型電
   界効果半導体装置。 ３、゛特許請求の範囲第１項において、ゲイト絶縁物上
   面とソース、ドレインを構成する一対の一導電型の半導
   体領域の上面とはなめらかな連続表面を有す、る平面状
   を有することを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体
   装置。