JPS5866356A - 可制御型半導体装置 - Google Patents
可制御型半導体装置Info
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- JPS5866356A JPS5866356A JP16528281A JP16528281A JPS5866356A JP S5866356 A JPS5866356 A JP S5866356A JP 16528281 A JP16528281 A JP 16528281A JP 16528281 A JP16528281 A JP 16528281A JP S5866356 A JPS5866356 A JP S5866356A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタ或いはサイリスタの様な可制御半
導体装置の改良に係る。
導体装置の改良に係る。
比較的高速度で動作する従来の電力用トランジスタを第
１図に従って説明すると、比較的高い不純物’ｌｋ ｆ
Ｃ） ｎ＋型の半導体層を与える基板１上にエピタキ
シャル成長法などＫよシ形成された基板１０半導体層に
比べて不純物＃度の低い第１の導電型、ζこではｐ導電
型を有する第１の半導体層２と、この第１の半導体層２
ｙｃ影形成れ九第１の半導体層２に比べて高不純物濃
１でかつ導電型が反対の２２の半導体層５とを備えてお
シ、を九第１の半導体層２には電極付けを行うための高
不純物＃［のｐ＋型の領域４が形成されている。ここで
半導体層１．２、及び５が夫々トランジスタのコレクタ
層、ベース層、及びエミツタ層として作用することは明
らかであや、またこれら半導体層１．６には夫々コレク
タ電極、エミッタ電極として作用する１電ｑＩＡ５．６
が形成されており、第１の半導体層２の領域４にはペー
ス電極として作用する制御Ｗ極７が形成されている。そ
して主電極５にはコレクタ端子Ｃが、主電極６にはエミ
ツタ端子Ｅが、及び制御電極７にはベース端子Ｂが接続
されている。斯かる構造を有するトランジスタがエミッ
タ端子ＥＫ対してベース端子Ｂｔ正極性とする電圧が印
加されて導通状１ｉＩＫある場合、領域４と第１の半導
体層２との間にはこれらの不純物濃度の差により第２０
半導体層２に比べて領域４會高電位とする電位障壁が形
成される。この電位障壁は、制御電極７から領域４を介
して第１の半導体層２に供給される多数キャリアである
正孔に対しては実質的に障壁として作用しないので、領
域４は多数キャリアの供給作用を行うが、第２の半導体
層５１つまシエミツタ層から第１の半導一層２、つまシ
ベース層に注入された少数キャリアである電子に対して
は萌配電位障壁が実質的に障壁として作用するので、電
子が第１の半導体層２と領域４との境界に蓄積されてし
まう、従ってこの様な従来のトランジスタはそのベース
層２の少数キャリアの蓄積が低いとは言えず、ベース層
における少数キャリアの蓄積が従来のトランジスタのタ
ー／オフ速度の高速化を阻んでいた。このことは、説明
を省くが、サイリスタについてもほばｌ同様である。
１図に従って説明すると、比較的高い不純物’ｌｋ ｆ
Ｃ） ｎ＋型の半導体層を与える基板１上にエピタキ
シャル成長法などＫよシ形成された基板１０半導体層に
比べて不純物＃度の低い第１の導電型、ζこではｐ導電
型を有する第１の半導体層２と、この第１の半導体層２
ｙｃ影形成れ九第１の半導体層２に比べて高不純物濃
１でかつ導電型が反対の２２の半導体層５とを備えてお
シ、を九第１の半導体層２には電極付けを行うための高
不純物＃［のｐ＋型の領域４が形成されている。ここで
半導体層１．２、及び５が夫々トランジスタのコレクタ
層、ベース層、及びエミツタ層として作用することは明
らかであや、またこれら半導体層１．６には夫々コレク
タ電極、エミッタ電極として作用する１電ｑＩＡ５．６
が形成されており、第１の半導体層２の領域４にはペー
ス電極として作用する制御Ｗ極７が形成されている。そ
して主電極５にはコレクタ端子Ｃが、主電極６にはエミ
ツタ端子Ｅが、及び制御電極７にはベース端子Ｂが接続
されている。斯かる構造を有するトランジスタがエミッ
タ端子ＥＫ対してベース端子Ｂｔ正極性とする電圧が印
加されて導通状１ｉＩＫある場合、領域４と第１の半導
体層２との間にはこれらの不純物濃度の差により第２０
半導体層２に比べて領域４會高電位とする電位障壁が形
成される。この電位障壁は、制御電極７から領域４を介
して第１の半導体層２に供給される多数キャリアである
正孔に対しては実質的に障壁として作用しないので、領
域４は多数キャリアの供給作用を行うが、第２の半導体
層５１つまシエミツタ層から第１の半導一層２、つまシ
ベース層に注入された少数キャリアである電子に対して
は萌配電位障壁が実質的に障壁として作用するので、電
子が第１の半導体層２と領域４との境界に蓄積されてし
まう、従ってこの様な従来のトランジスタはそのベース
層２の少数キャリアの蓄積が低いとは言えず、ベース層
における少数キャリアの蓄積が従来のトランジスタのタ
ー／オフ速度の高速化を阻んでいた。このことは、説明
を省くが、サイリスタについてもほばｌ同様である。
本発明は従来のｃＩＴ制御半導体装置の前述の様な欠点
を除去するために、制御半導体層として作用する第１の
半導体層にこの半導体層に多数キャリアを供給する作用
を行う第１の領域を形成すると共に一記号１の半導体層
に注入される少数キャリアの拡散長内に前記第１の半導
体層からの少数キャリアを吸収する作用をなす第２の領
域を前記第１の半導体層に形成し、且つ前記第１の領域
と第２の領域とに亘って制御電極を形成することＫより
、ｆｔＩ記第１０半導体層にシける少数キャリアの蓄積
を低減させ、これによって可制御型半導体装置のターン
オフ特性の向上をなしたことを特徴としている。
を除去するために、制御半導体層として作用する第１の
半導体層にこの半導体層に多数キャリアを供給する作用
を行う第１の領域を形成すると共に一記号１の半導体層
に注入される少数キャリアの拡散長内に前記第１の半導
体層からの少数キャリアを吸収する作用をなす第２の領
域を前記第１の半導体層に形成し、且つ前記第１の領域
と第２の領域とに亘って制御電極を形成することＫより
、ｆｔＩ記第１０半導体層にシける少数キャリアの蓄積
を低減させ、これによって可制御型半導体装置のターン
オフ特性の向上をなしたことを特徴としている。
先ず第２図によって本発明によるトランジスタの一実施
例を説明すると、第１図のものに対応する部分について
は同一の符号で示してあり、４′が２１の半導体層２に
多数キャリアである正孔を°供給する作用をなし得る第
１の領域を示し、７が第２０半導体層５よシ注入され九
第１０半導体層２からの少数キャリアである電子を吸収
する作用をなし得る第２の傾城を示している。
例を説明すると、第１図のものに対応する部分について
は同一の符号で示してあり、４′が２１の半導体層２に
多数キャリアである正孔を°供給する作用をなし得る第
１の領域を示し、７が第２０半導体層５よシ注入され九
第１０半導体層２からの少数キャリアである電子を吸収
する作用をなし得る第２の傾城を示している。
半導体基板１は例えば２ Ｘ １０１８ａｔｏｍ備−３
１１蜜の不純物濃度と２００μ程度の厚さを有する１導
電型のコレクタ層を与え、この半導体基板１上にエピタ
中シャル成長法によって低い不純物濃度、例えばＩ Ｘ
１０ ａｔ「ｌ「種変の不純物濃度のｐ導電型の第
１０半導体層２を１５〜２０＃Ｉｌの厚さを有する様に
形成する。との第１の半導体層２はベース層とｆｋり、
エミツタ層となる第２の半導体Ｎ１５はｎ導電型の不純
物をドープすることにより形成される。この第２の半導
体層３の不純物濃度は第１ （ｔ）ｐ導体層２に比べて
高く、例えば５×１０１８ａｔｏｍａｍ ３程度である
。第１の領域４′はｐ導電型の不純物を第１の半導体層
２に１声乃至数−の深さでドープすることにより形成さ
れた５×１０１８ａｔｏｍ ａｔｔ−５６度以上の不純
物濃度を有するｐ＋型の領域であり、第２の領域８はｎ
導電型の不純物を第１の半導体層２に１μｍ乃至数μｍ
の深さでドープすることによシ形成され九２ Ｘ １０
ａｔｏｍ２−機１以上の不純−濃１を有する領域で
あり、この第２の領域８は第１の半導体層２と第２の半
導体層３とにより形成されるｐ−ｎ接合Ｊから少数キャ
リアである電子の拡散長以内の範囲に形成されている。
１１蜜の不純物濃度と２００μ程度の厚さを有する１導
電型のコレクタ層を与え、この半導体基板１上にエピタ
中シャル成長法によって低い不純物濃度、例えばＩ Ｘ
１０ ａｔ「ｌ「種変の不純物濃度のｐ導電型の第
１０半導体層２を１５〜２０＃Ｉｌの厚さを有する様に
形成する。との第１の半導体層２はベース層とｆｋり、
エミツタ層となる第２の半導体Ｎ１５はｎ導電型の不純
物をドープすることにより形成される。この第２の半導
体層３の不純物濃度は第１ （ｔ）ｐ導体層２に比べて
高く、例えば５×１０１８ａｔｏｍａｍ ３程度である
。第１の領域４′はｐ導電型の不純物を第１の半導体層
２に１声乃至数−の深さでドープすることにより形成さ
れた５×１０１８ａｔｏｍ ａｔｔ−５６度以上の不純
物濃度を有するｐ＋型の領域であり、第２の領域８はｎ
導電型の不純物を第１の半導体層２に１μｍ乃至数μｍ
の深さでドープすることによシ形成され九２ Ｘ １０
ａｔｏｍ２−機１以上の不純−濃１を有する領域で
あり、この第２の領域８は第１の半導体層２と第２の半
導体層３とにより形成されるｐ−ｎ接合Ｊから少数キャ
リアである電子の拡散長以内の範囲に形成されている。
そしてこれら第１の領域４′と第２０領域８とに亘って
餉御電１１７が形成されている。
餉御電１１７が形成されている。
斯かる構成のトランジスタが、そのペース端子１と工よ
ツタ端子ＥＭにベース端子側を正極性とする電圧が印加
されて導通状態にある場合、不純物＊ｔＣ１ｍ１によυ
第１０半導体層２と第１の領域４′との間に形成される
電位障壁は第１の半導体層２からの少数キャリアである
電子に対しては実質的に障壁として作用するが、制御電
極７側からの多数キャリアである正孔に対しては実質的
に障壁として作用しない。従って第１０領域４′は制御
電極７側からオＩＣ）半導体１１１２に多数キャリアを
供給する作用をなす。
ツタ端子ＥＭにベース端子側を正極性とする電圧が印加
されて導通状態にある場合、不純物＊ｔＣ１ｍ１によυ
第１０半導体層２と第１の領域４′との間に形成される
電位障壁は第１の半導体層２からの少数キャリアである
電子に対しては実質的に障壁として作用するが、制御電
極７側からの多数キャリアである正孔に対しては実質的
に障壁として作用しない。従って第１０領域４′は制御
電極７側からオＩＣ）半導体１１１２に多数キャリアを
供給する作用をなす。
一方、第１の半導体層２と２２の領域との間には、これ
らの導電型の違いと不Ｎ物濃１の差とによって、第１の
半導体層２と第１の領域４′とによシ形成される電位障
壁とは逆方向の電位障壁が形成される。この電格障壁は
制御電極７＠から第１の半導体層２に供給される多数キ
ャリアに対しては実質的に障壁として作用するが、第２
の半導体層３から第１の半導体層２に″注入された少数
キャリアである電子に対しては実質的に障壁として作用
しない。従ってｐ −ｎ接合Ｊから少数キャリアの拡散
長内に位置せる第２の領域４′け第１０半導体層２にお
ける少数キャリアの吸収を行う作用をなす。
らの導電型の違いと不Ｎ物濃１の差とによって、第１の
半導体層２と第１の領域４′とによシ形成される電位障
壁とは逆方向の電位障壁が形成される。この電格障壁は
制御電極７＠から第１の半導体層２に供給される多数キ
ャリアに対しては実質的に障壁として作用するが、第２
の半導体層３から第１の半導体層２に″注入された少数
キャリアである電子に対しては実質的に障壁として作用
しない。従ってｐ −ｎ接合Ｊから少数キャリアの拡散
長内に位置せる第２の領域４′け第１０半導体層２にお
ける少数キャリアの吸収を行う作用をなす。
よって斯かる構造のトランジスタによれば、ペース層に
おける少数キャリアの蓄積を低減することが出来るので
、ターンオフ特性を向上できることが通解できよう。
おける少数キャリアの蓄積を低減することが出来るので
、ターンオフ特性を向上できることが通解できよう。
次に第５図により本発明Ｋ・よるトランジスタの別の一
実施例を説明する、 同図において第２図のものと対応する部分については同
一の符号金付してあり、基本的ＫＦｉｐ−型の第１０半
導体層２と７ヨツトキ接合を形成する金属層９を備える
と共に前記実施例における第２の領域８に代えて前記シ
ョットキ接合が形成された領域１０を備え死点が、前記
実施例と異なるだけであろう この領域１０はｐ−型のｆｌの半導体層２と７冒ットキ
接合を形成する金属、例えばクロム或いはアルミニウム
の金属層９を２０００ ｉｓｍの厚さだ秒第１の半導体
ｍ２に蒸着することＫよシ得られるショットキ接合が形
成され九領域を示し、領域１０は前記実施例における第
２の領域８と同様に第２の半導体層３から注入され九第
１０半導体層２における少数キャリアである電子を吸収
する作用を行う。
実施例を説明する、 同図において第２図のものと対応する部分については同
一の符号金付してあり、基本的ＫＦｉｐ−型の第１０半
導体層２と７ヨツトキ接合を形成する金属層９を備える
と共に前記実施例における第２の領域８に代えて前記シ
ョットキ接合が形成された領域１０を備え死点が、前記
実施例と異なるだけであろう この領域１０はｐ−型のｆｌの半導体層２と７冒ットキ
接合を形成する金属、例えばクロム或いはアルミニウム
の金属層９を２０００ ｉｓｍの厚さだ秒第１の半導体
ｍ２に蒸着することＫよシ得られるショットキ接合が形
成され九領域を示し、領域１０は前記実施例における第
２の領域８と同様に第２の半導体層３から注入され九第
１０半導体層２における少数キャリアである電子を吸収
する作用を行う。
従ってこの実施例では領域１０ｔ−第２の領域と舊う。
尚、第５図において制御電極７は金属層１０上に形成さ
れ、半導体基板１は為不純物濃度を有するｎ導電型の半
導体層１ ｂ’と蚊半導体層に比べて不純物１１１にの
低いｎ導電型の半導体層１ｂとからなる。
れ、半導体基板１は為不純物濃度を有するｎ導電型の半
導体層１ ｂ’と蚊半導体層に比べて不純物１１１にの
低いｎ導電型の半導体層１ｂとからなる。
次に第４図に示す本発明の一実施例は第２図に示し九冥
雄側において、半導体基板１として１×１０１５ａｔｏ
ｍ ｃｚｓ−３根度以下の不純物濃度のｎ導電型の半導
体基板１を用い、その半導体基板１の金属電極５が形成
される面に半導体基板１にお゛ける多数キャリアの供給
を行う作用をなす、＋ Ｈの牙３０領域１１と少数キャ
リアの吸収を行う作用をなすｐ” Ｍの第４の領域１２
とからなる電極性は用半導体鳩１５に備えたことを特徴
としている。
雄側において、半導体基板１として１×１０１５ａｔｏ
ｍ ｃｚｓ−３根度以下の不純物濃度のｎ導電型の半導
体基板１を用い、その半導体基板１の金属電極５が形成
される面に半導体基板１にお゛ける多数キャリアの供給
を行う作用をなす、＋ Ｈの牙３０領域１１と少数キャ
リアの吸収を行う作用をなすｐ” Ｍの第４の領域１２
とからなる電極性は用半導体鳩１５に備えたことを特徴
としている。
斯かる構造のトランジスタは、高速度のスインさい高耐
圧の電力用トランジスタに適している。
圧の電力用トランジスタに適している。
尚、同ＩＷにおいて第２図のものと対応する部分につい
ては同一の符朱で示している。
ては同一の符朱で示している。
次にオＳａＯは本発明による技術思想°をナイηスタに
おいて具体化した一実施例を示す−であり、前記第２図
の実施例とはトランジスタ構造とサイリスタ構造との差
異はあるものの、制御半導体層である第１の半導体層２
に第２図に示した第１の領域４′に相当するｐ＋型の第
１の領域４′と第２の：領域８に相当するｎ＋ 型の領
ｔ４Ｒ８とを備え、これら第１、第２の領域に亘ってゲ
ート電極としての制御電１７Ｍ７を投砂るという本発明
の重要な構成要件については第２図の実施例と同じであ
り、第１０半導体層１における少数キャリアの蓄積を低
減できる。
おいて具体化した一実施例を示す−であり、前記第２図
の実施例とはトランジスタ構造とサイリスタ構造との差
異はあるものの、制御半導体層である第１の半導体層２
に第２図に示した第１の領域４′に相当するｐ＋型の第
１の領域４′と第２の：領域８に相当するｎ＋ 型の領
ｔ４Ｒ８とを備え、これら第１、第２の領域に亘ってゲ
ート電極としての制御電１７Ｍ７を投砂るという本発明
の重要な構成要件については第２図の実施例と同じであ
り、第１０半導体層１における少数キャリアの蓄積を低
減できる。
また図示していないが、第５図に示した実施例の様に第
２の領域８を形成せずにその代シにショットキ接合（メ
タルシリサイドによる〕を形成する構成としても良い。
２の領域８を形成せずにその代シにショットキ接合（メ
タルシリサイドによる〕を形成する構成としても良い。
以上述べた様に本発明によれば、制御半導体層における
少数キャリアの蓄積を低減することが出来、よってター
ンオフ特性の改善された可制御半導体装置を提供するこ
とが出来る。
少数キャリアの蓄積を低減することが出来、よってター
ンオフ特性の改善された可制御半導体装置を提供するこ
とが出来る。
尚、以上の実施例において本発明の精神を逸脱しない範
囲において導電型を反対にしたり、不純ｑＩＩＤ譲Ｉ＆
を変えたり、或いは他の柚々な変更をなし得るであろう
。
囲において導電型を反対にしたり、不純ｑＩＩＤ譲Ｉ＆
を変えたり、或いは他の柚々な変更をなし得るであろう
。
第１図は従来のトランジスタの路線的な縦断面を示す図
、第２図乃至第４図は本発明によるトランジスタの実施
例の一部分の路線的な縦断面を示す因、第５図は本発明
による実施例の一部分の略 Ｓ練的な縦断面を示す図で
ある。 １・・・半導体基板 ２・・・第１の半導体層６
・・・２２の半導体層 ４′・・・牙１の領域５．６
・・・主電極 ７・・・制御電極８．１０・・・
第２の領域 ９・・・金属屑１１．１３・・・第３、第
４０領域
、第２図乃至第４図は本発明によるトランジスタの実施
例の一部分の路線的な縦断面を示す因、第５図は本発明
による実施例の一部分の略 Ｓ練的な縦断面を示す図で
ある。 １・・・半導体基板 ２・・・第１の半導体層６
・・・２２の半導体層 ４′・・・牙１の領域５．６
・・・主電極 ７・・・制御電極８．１０・・・
第２の領域 ９・・・金属屑１１．１３・・・第３、第
４０領域
Claims (1)
- 複数の半導体層と、少くとも２ｓ類の主電極と１１１類
の制御電極とを偏え、前記複数の半導体層の内の前記制
御電極が形成され九第１の導ＩＥ型の第１０半導体層に
該第１の半導体層とは反対の導電型の第２０半導体層が
形成され、かつ該第２の半導体層に前記主電極の一方が
形成されてなる半導体装置において、前記第１の半導体
層に該第１の半導体層に多数キャリアを供給する作用を
行う第１０領域を形成すると共、に１前記第２の半導体
層から注入される前記第１の半導体層にシける少数キャ
リアＯＷｋ収作用を行う第２の領域を前記注入される少
数キャリアの拡散距離内圧形成し、−記号１０領域と第
２の領域とｔ実質的に短絡する様にこれら第１、第２の
領域に亘って前記制御電極を形成したことを４＋像とす
る町制御半導体装筺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16528281A JPS5866356A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 可制御型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16528281A JPS5866356A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 可制御型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866356A true JPS5866356A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15809362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16528281A Pending JPS5866356A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 可制御型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866356A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171932U (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | 凸版印刷株式会社 | ラベル |
| US4959703A (en) * | 1987-02-26 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Turn-on/off driving technique for insulated gate thyristor |
| WO2000067330A1 (fr) | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur dote de transistors bipolaires |
| WO2001020683A1 (fr) | 1999-09-09 | 2001-03-22 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a semiconducteur |
| EP1429390A2 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-16 | Micrel, Inc. | Bipolar junction transistor |
| US6885082B2 (en) * | 2001-12-13 | 2005-04-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with built in zener diode and resistor |
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| EP2908346A1 (en) * | 2014-02-14 | 2015-08-19 | Nxp B.V. | Pair of transistors with reduced parasitic thyristor |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16528281A patent/JPS5866356A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| EP1193766A4 (en) * | 1999-04-30 | 2007-05-30 | Rohm Co Ltd | SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BIPOLAR TRANSISTORS |
| US6897546B1 (en) | 1999-09-09 | 2005-05-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device including a functional element having a PN junction |
| JP2001085443A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2001020683A1 (fr) | 1999-09-09 | 2001-03-22 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a semiconducteur |
| JP4707203B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2011-06-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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| EP1429390A2 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-16 | Micrel, Inc. | Bipolar junction transistor |
| EP1429390A3 (en) * | 2002-12-09 | 2005-11-09 | Micrel, Inc. | Bipolar junction transistor |
| EP1684356A2 (en) * | 2002-12-09 | 2006-07-26 | Micrel, Inc. | Bipolar junction transistor |
| EP1684356A3 (en) * | 2002-12-09 | 2006-11-29 | Micrel, Inc. | Bipolar junction transistor |
| US7145206B2 (en) | 2002-12-09 | 2006-12-05 | Micrel, Inc. | MOS field effect transistor with reduced parasitic substrate conduction |
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