JPS5865679A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS5865679A JPS5865679A JP56164775A JP16477581A JPS5865679A JP S5865679 A JPS5865679 A JP S5865679A JP 56164775 A JP56164775 A JP 56164775A JP 16477581 A JP16477581 A JP 16477581A JP S5865679 A JPS5865679 A JP S5865679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- heating resistor
- thermal head
- nitrogen
- tantalum nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁体基板上に発熱抵抗体及び保護層を設は
友薄膜型サーマルヘッド及びこの様な薄膜型サーマルヘ
ッドの製造方法に関する。
友薄膜型サーマルヘッド及びこの様な薄膜型サーマルヘ
ッドの製造方法に関する。
熱印字方式において使用されるサーマルヘッドは、例え
ばグレーズド上５！ツクの如き電気的に絶縁された平坦
な基板上ＫＩｊ数個の点状発熱抵抗体を形成させており
、使用に際しては、記録すべき情報に応じて電気的導体
（電極）を通して必要な発熱抵抗体に電流を流して発熱
させ、これを感熱記録紙に接触させることにより、印字
を行なうものである０発熱抵抗体としては、薄膜型、厚
膜型、半導体型等の各種のものが存在するが、このうち
でも薄膜型発熱抵抗体は、一般にサーマルヘッドの応答
性を高め得る、消費電力が少ない、耐熱性に優れ、寿命
が長く、信頼性に優れている勢の利点を有しているので
、特に有用であるとされている。薄膜型抵抗発熱体とし
ては、窒化タンタル（ＴｔａＮ ） 、ニクロム等が知
られているが、耐熱性、信頼性、比抵抗の大きさ、製作
の容易さ等の点から前者が特に広く使用されている。こ
の様に広く使用されている窒化タンタル薄膜においても
、常温と高温とが繰返されるという過酷な使用条件の下
では、熱衝撃の為に窒化タンタルの劣化が比較的短時間
内に進行して抵抗値が増大し、感熱配帰紙に対するサー
マルヘッドの印字性能が低下することは避は難い。この
為、通常は窒化タンタル薄膜からなる抵抗発熱体上に５
ｔ０２等からなる熱劣化保護層を設け、必要ならば更に
その上方にＴａ２０５等の耐摩耗層を設けてサーマルヘ
ッドとして使用している。しかしながら、この様な構成
の薄膜型サーマルヘッドにおいて本、長時間使用時の抵
抗変化は満足すべきものとは言い難い。特に、最近では
サーマルヘッドの高速駆動に対する要求に応えて、通電
パルスを短くしつつ発色を良好に行なわせる為に、大電
流の使用による高温状態で印字上行なう様にな夛つつあ
る。しかるに、この場合には、発熱抵抗体の受ける熱衝
撃は更に大きくなるので、発熱抵抗体たるＴａ２Ｎと熱
劣化保護層たる５ ｓ ０２との間の熱膨張率の大きな
差が、両者の界面に大きな熱ひずみを生じさせることと
なり、その結果、両者が分離して発熱抵抗体の劣化が促
進され、抵抗値が増大することは防止し得ない。
ばグレーズド上５！ツクの如き電気的に絶縁された平坦
な基板上ＫＩｊ数個の点状発熱抵抗体を形成させており
、使用に際しては、記録すべき情報に応じて電気的導体
（電極）を通して必要な発熱抵抗体に電流を流して発熱
させ、これを感熱記録紙に接触させることにより、印字
を行なうものである０発熱抵抗体としては、薄膜型、厚
膜型、半導体型等の各種のものが存在するが、このうち
でも薄膜型発熱抵抗体は、一般にサーマルヘッドの応答
性を高め得る、消費電力が少ない、耐熱性に優れ、寿命
が長く、信頼性に優れている勢の利点を有しているので
、特に有用であるとされている。薄膜型抵抗発熱体とし
ては、窒化タンタル（ＴｔａＮ ） 、ニクロム等が知
られているが、耐熱性、信頼性、比抵抗の大きさ、製作
の容易さ等の点から前者が特に広く使用されている。こ
の様に広く使用されている窒化タンタル薄膜においても
、常温と高温とが繰返されるという過酷な使用条件の下
では、熱衝撃の為に窒化タンタルの劣化が比較的短時間
内に進行して抵抗値が増大し、感熱配帰紙に対するサー
マルヘッドの印字性能が低下することは避は難い。この
為、通常は窒化タンタル薄膜からなる抵抗発熱体上に５
ｔ０２等からなる熱劣化保護層を設け、必要ならば更に
その上方にＴａ２０５等の耐摩耗層を設けてサーマルヘ
ッドとして使用している。しかしながら、この様な構成
の薄膜型サーマルヘッドにおいて本、長時間使用時の抵
抗変化は満足すべきものとは言い難い。特に、最近では
サーマルヘッドの高速駆動に対する要求に応えて、通電
パルスを短くしつつ発色を良好に行なわせる為に、大電
流の使用による高温状態で印字上行なう様にな夛つつあ
る。しかるに、この場合には、発熱抵抗体の受ける熱衝
撃は更に大きくなるので、発熱抵抗体たるＴａ２Ｎと熱
劣化保護層たる５ ｓ ０２との間の熱膨張率の大きな
差が、両者の界面に大きな熱ひずみを生じさせることと
なり、その結果、両者が分離して発熱抵抗体の劣化が促
進され、抵抗値が増大することは防止し得ない。
そこで、本発明者は、窒化タンタルを発熱抵抗体とする
薄膜型サーマルヘッドの前述の如き問題点を解決すべく
種々研究を重ねた結果、７ａＮｚ （但し０．４≦Ｘ≦
０．７）で示される窒化タンタルを発熱抵抗体とし、Ｔ
ｇＮｙ（但し１．０≦ｙ≦２．０）で示される窒化タン
タルを熱劣化保護層とする場合には、両者の界面には熱
ひずみが実質的に発生せず、従って大電流の使用による
高温状態においても両者の剥離による発熱抵抗体の劣化
を生じ難い薄膜型サーマルヘッドが得られることを見出
した。
薄膜型サーマルヘッドの前述の如き問題点を解決すべく
種々研究を重ねた結果、７ａＮｚ （但し０．４≦Ｘ≦
０．７）で示される窒化タンタルを発熱抵抗体とし、Ｔ
ｇＮｙ（但し１．０≦ｙ≦２．０）で示される窒化タン
タルを熱劣化保護層とする場合には、両者の界面には熱
ひずみが実質的に発生せず、従って大電流の使用による
高温状態においても両者の剥離による発熱抵抗体の劣化
を生じ難い薄膜型サーマルヘッドが得られることを見出
した。
本発明は、この様な新しい知見に基いて完成されたもの
である。
である。
第１図は、反応スパッタリンク法により絶縁体基板上に
窒化タンタル薄膜を形成させる場合の反応ガスである窒
素ガスの分圧と窒化タンタル薄膜の比抵抗（ρ：曲線■
）及び抵抗温度係数（ＴＣＲ二曲線■）との関係の一例
を示すクラフである。
窒化タンタル薄膜を形成させる場合の反応ガスである窒
素ガスの分圧と窒化タンタル薄膜の比抵抗（ρ：曲線■
）及び抵抗温度係数（ＴＣＲ二曲線■）との関係の一例
を示すクラフである。
この場合、窒素ガス分圧が１．０Ｘ１０ 〜４．０×１
０−’ Ｔｅｒｒである窒素−アル１ン混合ガス（１，
５Ｘ １０−３Ｔａｒｒ ）中でタンタルをターゲット
として反応スパッタリンク法により窒化タンタル薄膜を
形成させると、窒化タンタル結晶の組成は、Ｔａｇｓ（
但し０．４≦Ｘ≦０．７）に相当するものとする。
０−’ Ｔｅｒｒである窒素−アル１ン混合ガス（１，
５Ｘ １０−３Ｔａｒｒ ）中でタンタルをターゲット
として反応スパッタリンク法により窒化タンタル薄膜を
形成させると、窒化タンタル結晶の組成は、Ｔａｇｓ（
但し０．４≦Ｘ≦０．７）に相当するものとする。
この薄膜は、ρ＝２５０ｊｌΩ個程度、ＴＣＲ−ＯＰＰ
”／ｄａｙ程度であり、発熱抵抗体として優れた特性を
有している。窒素−アル１ン混合ガス（１，５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒ ）中の窒素分圧を増大させて窒化タンタル
薄膜を形成させると、薄膜中の窒素含有量が増加し、そ
の結果、比抵抗は増大し、抵抗温度係数は負側に大きく
なる。混合ガス中の窒素分圧が１．０ｘｌｏ ＴＯｒ
ｒｔ−上目ると、窒化５Ｍ１ｊ１４＋ａの組成は、ｒａ
ｘｙ （但し１．０≦ｙ≦２．０）に相当するものとな
る。この薄膜は、ρ＝６００μΩ国以上、ｒＣＪ−−１
０００””７ ｄａ １以下テロ ”、電流は実質上流
れ難くなる。従って、絶縁体基板上ＫＴｅｓｔｓ （但
し０．４≦Ｘ≦０．７）なる第一の窒化タンタル薄膜及
びＴｇＮｙ （但し！、０≦ｙ≦２．０）なる第二の窒
化タンタル薄膜を形成させる場合には、第一の窒化タン
タル薄膜が抵抗発熱体として優れた特性を発揮し、第二
の窒化タンタル薄膜が抵抗発熱体の劣化保護層としての
機能を発揮することに象る。
”／ｄａｙ程度であり、発熱抵抗体として優れた特性を
有している。窒素−アル１ン混合ガス（１，５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒ ）中の窒素分圧を増大させて窒化タンタル
薄膜を形成させると、薄膜中の窒素含有量が増加し、そ
の結果、比抵抗は増大し、抵抗温度係数は負側に大きく
なる。混合ガス中の窒素分圧が１．０ｘｌｏ ＴＯｒ
ｒｔ−上目ると、窒化５Ｍ１ｊ１４＋ａの組成は、ｒａ
ｘｙ （但し１．０≦ｙ≦２．０）に相当するものとな
る。この薄膜は、ρ＝６００μΩ国以上、ｒＣＪ−−１
０００””７ ｄａ １以下テロ ”、電流は実質上流
れ難くなる。従って、絶縁体基板上ＫＴｅｓｔｓ （但
し０．４≦Ｘ≦０．７）なる第一の窒化タンタル薄膜及
びＴｇＮｙ （但し！、０≦ｙ≦２．０）なる第二の窒
化タンタル薄膜を形成させる場合には、第一の窒化タン
タル薄膜が抵抗発熱体として優れた特性を発揮し、第二
の窒化タンタル薄膜が抵抗発熱体の劣化保護層としての
機能を発揮することに象る。
第２図及び第３図に会知の薄膜型サーマルヘッドと本発
明薄膜゛型サーマルヘッドとを対比して示す・ 公知の薄膜型サーマルヘッドの概要を示す第２図におい
て、ガラス、クレーズドセラミックの如き基板（１）に
は、Ａμ／Ｃｒ二層膜の如き電極（３）、Ｔα２Ｎ薄膜
等の発熱抵抗体（６）、５ｔＯ２等の発熱抵抗体劣化保
護層（７）及びＴａ２０５等の耐摩耗層（９）が順次設
けられている。これに対し本発明薄膜型サーマルヘッド
を示す第３図においては、電極Ｏ鴫を備えた基板０１）
上に厚さ５００〜２０００，４程度のＴａＮｘ （ｘは
前記の通り）なる組成の発熱抵抗体ａ＠、厚す５０００
，２〜１．５ ｔｔＭ＝８ＬＯＴａＮｙ （１は前記の
通シ）なる組成の発熱抵抗体劣化保護層（ｌη及び必要
に応じＴｉＮ、Ｔａ２０５等の耐摩耗層−が設けられて
いる。
明薄膜゛型サーマルヘッドとを対比して示す・ 公知の薄膜型サーマルヘッドの概要を示す第２図におい
て、ガラス、クレーズドセラミックの如き基板（１）に
は、Ａμ／Ｃｒ二層膜の如き電極（３）、Ｔα２Ｎ薄膜
等の発熱抵抗体（６）、５ｔＯ２等の発熱抵抗体劣化保
護層（７）及びＴａ２０５等の耐摩耗層（９）が順次設
けられている。これに対し本発明薄膜型サーマルヘッド
を示す第３図においては、電極Ｏ鴫を備えた基板０１）
上に厚さ５００〜２０００，４程度のＴａＮｘ （ｘは
前記の通り）なる組成の発熱抵抗体ａ＠、厚す５０００
，２〜１．５ ｔｔＭ＝８ＬＯＴａＮｙ （１は前記の
通シ）なる組成の発熱抵抗体劣化保護層（ｌη及び必要
に応じＴｉＮ、Ｔａ２０５等の耐摩耗層−が設けられて
いる。
上記の如く、発熱抵抗体上及び発熱抵抗体劣化保護層卸
が、ともに組成的に類似する窒化タンタルで構成されて
いる本発明薄膜型サーマルヘッドによれば、以下の如き
効果が構成される。
が、ともに組成的に類似する窒化タンタルで構成されて
いる本発明薄膜型サーマルヘッドによれば、以下の如き
効果が構成される。
（１） 発熱抵抗体と保護層との間の熱膨張率の相違
が小さいので、両者の界面に熱ひずみが集中することを
大巾に緩和することが出来る。
が小さいので、両者の界面に熱ひずみが集中することを
大巾に緩和することが出来る。
０） 窒化タンタル社、５ｉ０２に比して、熱伝導に優
れているので、発熱抵抗体で発生した熱がより速やかに
表面に到達する。従って、応答性に優れたサーマルヘッ
ドとなる。
れているので、発熱抵抗体で発生した熱がより速やかに
表面に到達する。従って、応答性に優れたサーマルヘッ
ドとなる。
（Ｋｌ） 保護層においては、窒素含有量の増大に伴
って結晶粒径が小さくなるので、保譲層上にＴａ２０５
、ＴｉＮ等の耐摩耗層を更に形成させる場合に、界面に
両者の混合層が形成され易い。従って、保護層と耐摩耗
層とのなじみが良く、両層は強力に付着する０で、熱ひ
ずみの集中が緩和され、耐熱衝撃性が向上する。
って結晶粒径が小さくなるので、保譲層上にＴａ２０５
、ＴｉＮ等の耐摩耗層を更に形成させる場合に、界面に
両者の混合層が形成され易い。従って、保護層と耐摩耗
層とのなじみが良く、両層は強力に付着する０で、熱ひ
ずみの集中が緩和され、耐熱衝撃性が向上する。
本発明の薄膜型サーマルヘッドは、通常次の様にして製
造される。クレーズドセラミック等の公知の絶縁体基板
上Ｋ Ａｍ ／ Ｃｒ二層膜の如き公知の電極部材を設
けた状態で、常法に従って窒素−アルコン混合ガス雰囲
気中でタンタルをターゲットとして反応スバツタリ、７
り法を行ない、発熱抵抗体としての窒化タンタル薄膜を
形成させる。窃素−アルｊシ混合ガスの圧力は、通常６
．０Ｘ１０”〜６−ＯＸ １０” Ｔａｒｔ程度であり
、より好ましくは１、ｏｘ Ｉｏ −２，Ｏｘ ｔｏ
Ｔｏｒｒ程度とするのが良い。又窒素の分圧は、通
常１．ＯＸ ｌ Ｏ〜４．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ程
度、好ｔＬ＜は１．５ｘ １０−５〜２．５ Ｘ １０
”−’程度とする。次いで、窒素−アルコガス台ガス中
の窒素分圧を高めて上記と同様の反応スパッタリンクを
行ない、ＴａＮｘ （ｚは上記に同じ）なる発熱抵抗体
上にＴａＮｙ （ｙは上記に同じ）なる組成の保護層を
形成させる。との保護層形成時の窒素−アル：ｊ：Ｊ混
合ガスの圧力は、上記と同様であるが、窒素の分圧は、
通常ｔ、ｏｘ＋。
造される。クレーズドセラミック等の公知の絶縁体基板
上Ｋ Ａｍ ／ Ｃｒ二層膜の如き公知の電極部材を設
けた状態で、常法に従って窒素−アルコン混合ガス雰囲
気中でタンタルをターゲットとして反応スバツタリ、７
り法を行ない、発熱抵抗体としての窒化タンタル薄膜を
形成させる。窃素−アルｊシ混合ガスの圧力は、通常６
．０Ｘ１０”〜６−ＯＸ １０” Ｔａｒｔ程度であり
、より好ましくは１、ｏｘ Ｉｏ −２，Ｏｘ ｔｏ
Ｔｏｒｒ程度とするのが良い。又窒素の分圧は、通
常１．ＯＸ ｌ Ｏ〜４．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ程
度、好ｔＬ＜は１．５ｘ １０−５〜２．５ Ｘ １０
”−’程度とする。次いで、窒素−アルコガス台ガス中
の窒素分圧を高めて上記と同様の反応スパッタリンクを
行ない、ＴａＮｘ （ｚは上記に同じ）なる発熱抵抗体
上にＴａＮｙ （ｙは上記に同じ）なる組成の保護層を
形成させる。との保護層形成時の窒素−アル：ｊ：Ｊ混
合ガスの圧力は、上記と同様であるが、窒素の分圧は、
通常ｔ、ｏｘ＋。
” ６．ＯＸ Ｉ ０−３Ｔｏｒｒ程度、好ましくは２
．ＯＸ １０−〜１．５ Ｘ Ｉ ＯＴｏｒｒ程度とス
ル。
．ＯＸ １０−〜１．５ Ｘ Ｉ ＯＴｏｒｒ程度とス
ル。
尚、本発明においては、発熱抵抗体及びその保護層の夫
々を全体として同一の組成とする必要はない。例えば、
Ｔａｇｓ （ｘは前記に同じ）なる組成範囲内において
発熱抵抗体中の窒素含有量を下方から上方に向けて漸次
連続的に又祉不連続的に増大させたり、又ｒａｘｙ （
ｙは前記に同じ）なる組成範囲内において保護層中の窒
素含有量を下方から上方に向けて連続的又は不連続的に
増大させても良い。この様な薄膜型サーマルヘッドを製
造する場合には、窒素−アル１シ混合ガス中の窒素分圧
を必要に応じ増大させれば良い。
々を全体として同一の組成とする必要はない。例えば、
Ｔａｇｓ （ｘは前記に同じ）なる組成範囲内において
発熱抵抗体中の窒素含有量を下方から上方に向けて漸次
連続的に又祉不連続的に増大させたり、又ｒａｘｙ （
ｙは前記に同じ）なる組成範囲内において保護層中の窒
素含有量を下方から上方に向けて連続的又は不連続的に
増大させても良い。この様な薄膜型サーマルヘッドを製
造する場合には、窒素−アル１シ混合ガス中の窒素分圧
を必要に応じ増大させれば良い。
実施例 １
プラズマスパッタ装置を使用し、窒素ガス分圧２、ＯＸ
１０−’ Ｔａｒｒの窒素−アルコシ混合ガス雰囲気
（１，５Ｘ １０−’ Ｔｅｒｒ ）中で、厚さ０．３
ｍのガラス基板上に反応スバツタリシクにより約１０
０ＯＡのＴａＮ５ｅ （ｘ−約０．５）を主とする結晶
構造の９化タンタル薄膜発熱抵抗体を形成させる。次い
で、窒素分圧を２−ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒとして約
１０００ノの７ａＮｙ （’Ｉ−約１）を主とする窒化
タンタル保護層を形成させ、更に窒素ガス雰囲気（１，
５ｘ１０−’ Ｔｏｒｒ ）中で約８０００ノのＴａＮ
ｙ（ｙ−約２）を主とする窒化タシタル保饅層を形成さ
せる。
１０−’ Ｔａｒｒの窒素−アルコシ混合ガス雰囲気
（１，５Ｘ １０−’ Ｔｅｒｒ ）中で、厚さ０．３
ｍのガラス基板上に反応スバツタリシクにより約１０
０ＯＡのＴａＮ５ｅ （ｘ−約０．５）を主とする結晶
構造の９化タンタル薄膜発熱抵抗体を形成させる。次い
で、窒素分圧を２−ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒとして約
１０００ノの７ａＮｙ （’Ｉ−約１）を主とする窒化
タンタル保護層を形成させ、更に窒素ガス雰囲気（１，
５ｘ１０−’ Ｔｏｒｒ ）中で約８０００ノのＴａＮ
ｙ（ｙ−約２）を主とする窒化タシタル保饅層を形成さ
せる。
上記の如くして得られた試料（ｒ−１とする）に６０
＃ｚ 、 ５ ｗ＋ ａｇｅのパルス電力を印加し。
＃ｚ 、 ５ ｗ＋ ａｇｅのパルス電力を印加し。
３０分毎Ｋ Ｏ，５Ｆ ／−ずつ電力を増大させ、発熱
抵抗体の抵抗変化率を調べた。結果は、第４図に示す通
りである。
抵抗体の抵抗変化率を調べた。結果は、第４図に示す通
りである。
比較例 ！
実施例１と同様にして厚さ０．３ Ｍのガラス基板上に
厚さ約１０００Ａｔ）’ｒｔＮｘ （ｚ−約０．５ ＞
する組成の窒化タンタル薄膜発熱抵抗体を形成させた
後、その上に約９０００，４の５ｉｎ２からなる保護層
を形成させ、試料（Ｓ−１とする）を得る。
厚さ約１０００Ａｔ）’ｒｔＮｘ （ｚ−約０．５ ＞
する組成の窒化タンタル薄膜発熱抵抗体を形成させた
後、その上に約９０００，４の５ｉｎ２からなる保護層
を形成させ、試料（Ｓ−１とする）を得る。
実施例１と同様にしてパルス電力を印加した場合の発熱
抵抗体の抵抗変化率Ｆ１．％第４図に示す通シである。
抵抗体の抵抗変化率Ｆ１．％第４図に示す通シである。
第４図から明らかな如く、本発明薄膜型サーマルヘッド
は、熱ひずみの集中が少ない為、耐熱衝撃性に著るしく
優れている。
は、熱ひずみの集中が少ない為、耐熱衝撃性に著るしく
優れている。
第１図は、窒化タンタル薄膜形成時の窒素ガス分圧と該
薄膜の比抵抗及び抵抗温度係数との関係を示すクラブ、
第２図は、公知の薄膜型サーマルヘッドの概要を示す断
面図、第３図は、本発明薄膜型サーマルヘッドの概要を
示す断面図、第４図は、実施例１及び比較例１で夫々得
られた薄膜型サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗変化率
を示すＪｊクラブある。 ｉｔｌ、＜１１）・・・・・絶縁体基板 （３）、
−・・・・・電極（６）、参瞬・・・・・発熱抵抗体
（７）、０−／Ｉ・・・・・保護層（９）、−・・
・・・耐摩耗層 （以 上） 第１図 Ｖ東η・スイ〜’１（Ｔｏｒｒ） 第２図 ミ 乙 １１３！１ 第４図 １ｐ方ａノマル又亀力（Ｗン
薄膜の比抵抗及び抵抗温度係数との関係を示すクラブ、
第２図は、公知の薄膜型サーマルヘッドの概要を示す断
面図、第３図は、本発明薄膜型サーマルヘッドの概要を
示す断面図、第４図は、実施例１及び比較例１で夫々得
られた薄膜型サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗変化率
を示すＪｊクラブある。 ｉｔｌ、＜１１）・・・・・絶縁体基板 （３）、
−・・・・・電極（６）、参瞬・・・・・発熱抵抗体
（７）、０−／Ｉ・・・・・保護層（９）、−・・
・・・耐摩耗層 （以 上） 第１図 Ｖ東η・スイ〜’１（Ｔｏｒｒ） 第２図 ミ 乙 １１３！１ 第４図 １ｐ方ａノマル又亀力（Ｗン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 絶縁体基板上に発熱抵抗体及び保護層を設けた薄膜
型サーマルヘッドにおいて、発熱抵抗体をＴｇＮｘ （
但し０．４≦Ｘ≦０．７）で示される窒化タンタルによ
多形成し且つ保護層をＴｔｘＮｙ（但し１．０≦ｙ≦２
．０）で示される窒化タンタルにより形成したことを特
徴とする薄膜型サーマルヘッド。 ■ タンタルをターゲットとして窒素ガスを含むアルコ
シ雰囲気中で反応スパツタリシク法により絶縁体基板上
にＴａＮｘ （但し０．４≦Ｘ≦０．７）で示される発
熱抵抗体を形成させ、次いで窒素分圧を増大させたアル
コシ雰囲気中で反応スパッタリンク法によシ上記発熱抵
抗体上ＫＴａＮｙ（但し１．０≦ｙ≦２．０）で示され
る保護層を形成させることを特徴とする薄膜型サーマル
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164775A JPS5865679A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164775A JPS5865679A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5865679A true JPS5865679A (ja) | 1983-04-19 |
| JPS6156111B2 JPS6156111B2 (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=15799697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56164775A Granted JPS5865679A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5865679A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286676B1 (en) | 1996-07-08 | 2001-09-11 | Sony Corporation | Cassette storage casing |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP56164775A patent/JPS5865679A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286676B1 (en) | 1996-07-08 | 2001-09-11 | Sony Corporation | Cassette storage casing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6156111B2 (ja) | 1986-12-01 |
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| EP0150579B1 (en) | Thermal head | |
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