JPS5862818A - 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS5862818A JPS5862818A JP16070081A JP16070081A JPS5862818A JP S5862818 A JPS5862818 A JP S5862818A JP 16070081 A JP16070081 A JP 16070081A JP 16070081 A JP16070081 A JP 16070081A JP S5862818 A JPS5862818 A JP S5862818A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドに係り、
磁気シールド体のうち少なくとも一方の磁気シールド体
の少なくともヘッド面近傍部の厚さを最短記録波長程度
とすることにより、不要な磁束を磁気抵抗素子へ導入せ
ず、ノイズ発生を防止し、短波長を効率良く再生し得る
磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目
的とする。
磁気シールド体のうち少なくとも一方の磁気シールド体
の少なくともヘッド面近傍部の厚さを最短記録波長程度
とすることにより、不要な磁束を磁気抵抗素子へ導入せ
ず、ノイズ発生を防止し、短波長を効率良く再生し得る
磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目
的とする。
ド(MRヘッド)は、コイル形ヘッドに比べ周波数特性
が良好であること、薄膜技術により製造し得ること等の
理由により高密度記録の再生ヘッドとして注目されてい
る。
が良好であること、薄膜技術により製造し得ること等の
理由により高密度記録の再生ヘッドとして注目されてい
る。
この磁気抵抗効果ヘッドの原理は、第1図に示す如く、
端子1a、lbに接続された強磁性体からなる磁気抵抗
素子1の両端間の2軸方向に定電流を流し、磁気テープ
2をX軸方向に相対的に移動させると、磁気抵抗素子1
を貫通するX軸方向の信号磁界(水平記録)の変化又は
y軸方向の信号磁界(垂直記録)の変化に伴って磁気抵
抗素子1の電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果により、
端子1a、lb間に電圧変化として再生信号を得るもの
である。
端子1a、lbに接続された強磁性体からなる磁気抵抗
素子1の両端間の2軸方向に定電流を流し、磁気テープ
2をX軸方向に相対的に移動させると、磁気抵抗素子1
を貫通するX軸方向の信号磁界(水平記録)の変化又は
y軸方向の信号磁界(垂直記録)の変化に伴って磁気抵
抗素子1の電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果により、
端子1a、lb間に電圧変化として再生信号を得るもの
である。
従来、上記原理を実用化した磁気抵抗効果ヘッドの構造
は、磁気抵抗素子を非磁性材の電気絶縁層を介在させて
高透磁率材料からなる磁気シールド体で挾持してなり、
ヘッド面近傍部の磁気シールド体の厚みは大きく、最短
記録波長の数十〜数この種の磁気抵抗効果ヘッドの再生
時におけるヘッド面側を考察するに、第2図に示す如く
、ギャップ2のエツジe、 、 e2に対向する磁気テ
ープ2の磁極82. N2からの磁束φ、が磁気シール
ド体3により導かれ磁気抵抗素子1を貫通し、この磁束
φ1のみが本来的な再生信号であるが、しかるに、シー
ルド体3のヘッド面3a近傍の厚みは最短記録波長の数
十〜数千倍程度で、非常に大きいため、シールド体(高
透磁率)3のヘッド面3aは磁極S2.N2以外の磁極
に対し同時に臨み、これにより、不要な磁束φ2.φ、
が磁気抵抗素子1へ導入貫通して、本来的な再生信号た
る磁束φ1に磁束φ2.φ3が重畳した形となり、した
がって再生信号にはノイズ成分が多く、短波長を効率良
く再生し得ないという欠点があった。
は、磁気抵抗素子を非磁性材の電気絶縁層を介在させて
高透磁率材料からなる磁気シールド体で挾持してなり、
ヘッド面近傍部の磁気シールド体の厚みは大きく、最短
記録波長の数十〜数この種の磁気抵抗効果ヘッドの再生
時におけるヘッド面側を考察するに、第2図に示す如く
、ギャップ2のエツジe、 、 e2に対向する磁気テ
ープ2の磁極82. N2からの磁束φ、が磁気シール
ド体3により導かれ磁気抵抗素子1を貫通し、この磁束
φ1のみが本来的な再生信号であるが、しかるに、シー
ルド体3のヘッド面3a近傍の厚みは最短記録波長の数
十〜数千倍程度で、非常に大きいため、シールド体(高
透磁率)3のヘッド面3aは磁極S2.N2以外の磁極
に対し同時に臨み、これにより、不要な磁束φ2.φ、
が磁気抵抗素子1へ導入貫通して、本来的な再生信号た
る磁束φ1に磁束φ2.φ3が重畳した形となり、した
がって再生信号にはノイズ成分が多く、短波長を効率良
く再生し得ないという欠点があった。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下その実施
例につき図面と共に説明する。
例につき図面と共に説明する。
つ3.J、よ本Q 、、K fl 6磁、′ア’−)L
−Ym磁2.抗効果ヘッドの第1実施例の一部切欠拡大
斜視図である。
−Ym磁2.抗効果ヘッドの第1実施例の一部切欠拡大
斜視図である。
5はセラミック、ガラス等の基板であり、このf=板5
上にはパーマロイ、センダスト、フェライト等の高透
磁率材の磁気シールド体6が蒸着等により形成されてお
り、その厚さtは最短記録波長の2/3以下である。磁
気シールド体6のよには石英、アルミナ、ガラス等の非
磁性材の電気絶縁層7が蒸着等により積層形成されてい
る。この電気絶縁層7上のヘッド面7a側には図中梨地
模様で示す磁気抵抗素子8が蒸着、フォトエツチング。
上にはパーマロイ、センダスト、フェライト等の高透
磁率材の磁気シールド体6が蒸着等により形成されてお
り、その厚さtは最短記録波長の2/3以下である。磁
気シールド体6のよには石英、アルミナ、ガラス等の非
磁性材の電気絶縁層7が蒸着等により積層形成されてい
る。この電気絶縁層7上のヘッド面7a側には図中梨地
模様で示す磁気抵抗素子8が蒸着、フォトエツチング。
電子ビーム加工等により形成さ几、その長辺側面両端よ
り電極層9a 、9bが延出している。lOは電気絶縁
層7と同様の電気絶縁層である。11は電気絶縁層10
上に蒸着等により形成されたパーマロイ、センダスト、
フェライト等の高透磁率材の磁気シールド体であり、そ
の厚みtは磁気シールド体の厚みtと同様に最短記録波
長の2/3以下としである◎ ill□ 以下、本実施例λツド12の再生特性につき説明する。
り電極層9a 、9bが延出している。lOは電気絶縁
層7と同様の電気絶縁層である。11は電気絶縁層10
上に蒸着等により形成されたパーマロイ、センダスト、
フェライト等の高透磁率材の磁気シールド体であり、そ
の厚みtは磁気シールド体の厚みtと同様に最短記録波
長の2/3以下としである◎ ill□ 以下、本実施例λツド12の再生特性につき説明する。
磁気シールド体6,11の厚みは最短記録波長の273
以下であり、また通常ギャップ長tは最短記録波長の2
倍椙度であるため、第4図に示す如くギャップエツジe
、 、 e、が磁気テープ2の磁極82. N2に対向
したとき、磁気シールド体6.11のヘッド面6 a
、 llaは他の磁極S、 、N183、N、に対向せ
ず、したがって磁気シールド体6.11内には磁極S2
. N2による磁束φ、のみが導入され、他の磁極S1
tNl l Sl lN3からの磁束は導入されず、
したがって本来的に再生信号となる磁束φ1のみが磁気
抵抗素子1を貫通する。
以下であり、また通常ギャップ長tは最短記録波長の2
倍椙度であるため、第4図に示す如くギャップエツジe
、 、 e、が磁気テープ2の磁極82. N2に対向
したとき、磁気シールド体6.11のヘッド面6 a
、 llaは他の磁極S、 、N183、N、に対向せ
ず、したがって磁気シールド体6.11内には磁極S2
. N2による磁束φ、のみが導入され、他の磁極S1
tNl l Sl lN3からの磁束は導入されず、
したがって本来的に再生信号となる磁束φ1のみが磁気
抵抗素子1を貫通する。
これにより、他の磁極S1.N1.83.N3からの磁
束の影響はなく、高81N比の再生信号を得ることがで
き、短波長における再生効率は著しく向上する。
束の影響はなく、高81N比の再生信号を得ることがで
き、短波長における再生効率は著しく向上する。
尚、本実施例において磁気シールド体6,11の厚さt
を共に最短記録波長の2/3以下にしであるが、一方の
磁気シールド体の厚さtのみを最短記録波長の2/3以
下となし他の磁気シールド体の厚さtは最短記録波長の
273以上にしてもよく、その理由は一方の磁気シール
ド体のヘッド面が所定の磁極のみに対向した場合には他
の磁気シールド体のヘッド面が不要な磁極に対向してい
ても、所定の磁極からの磁束のみが磁気抵抗素子8を貫
通して磁気ループを形成し、不要な磁極からの磁束は磁
気抵抗素子8を貫通しないからである。またこの変形例
によれば、一方の磁気シールド体の厚みは大きいため、
その磁気抵抗は小であり、所定の磁束をより多く磁気抵
抗素子8へ導入せしめることができるという利点がある
。
を共に最短記録波長の2/3以下にしであるが、一方の
磁気シールド体の厚さtのみを最短記録波長の2/3以
下となし他の磁気シールド体の厚さtは最短記録波長の
273以上にしてもよく、その理由は一方の磁気シール
ド体のヘッド面が所定の磁極のみに対向した場合には他
の磁気シールド体のヘッド面が不要な磁極に対向してい
ても、所定の磁極からの磁束のみが磁気抵抗素子8を貫
通して磁気ループを形成し、不要な磁極からの磁束は磁
気抵抗素子8を貫通しないからである。またこの変形例
によれば、一方の磁気シールド体の厚みは大きいため、
その磁気抵抗は小であり、所定の磁束をより多く磁気抵
抗素子8へ導入せしめることができるという利点がある
。
更にまた、他の変形例として、磁気シールド体6.11
のヘッド面6 a 、 lla近傍の厚さのみを最短記
録波長の2/3以下になし、他の部分はこれよりも可成
り厚く形成してもよく、この場合、へ1崖気シールド休
6,11全体の磁気抵抗を小とず15ことができ、上記
利点は更に一1顕著なものとlfる。
のヘッド面6 a 、 lla近傍の厚さのみを最短記
録波長の2/3以下になし、他の部分はこれよりも可成
り厚く形成してもよく、この場合、へ1崖気シールド休
6,11全体の磁気抵抗を小とず15ことができ、上記
利点は更に一1顕著なものとlfる。
尚、磁気シールド体6,11の間にバイアス磁界用の導
体又は永久磁束を蒸着静により形成することもできる。
体又は永久磁束を蒸着静により形成することもできる。
第5図は本発明の第2実施例の一部切欠拡大斜視図であ
る。尚第3図中の部分と同一部分には同−参照符号を附
しその駅、明を省略する。このヘッド13は第1宥施例
ヘッド12のシールド体11上に接着剤により付備され
たセラミック、ガラス等の非磁性の基板14を有し下側
の基板5と共に磁気ンールド体6,11、絶縁1’17
,10、磁気抵抗素子8等を侠侍しており、ヘッド13
は磁気抵抗素子8を中心とした対称構造となり、これに
より、極薄の磁気シールド体6.11等を保護し、この
ヘッド13fti械的強度が上がり、耐久性に富む。尚
、本実施例ヘッド13は第1実施例ヘッド12と同等の
効果を有することは勿論である。
る。尚第3図中の部分と同一部分には同−参照符号を附
しその駅、明を省略する。このヘッド13は第1宥施例
ヘッド12のシールド体11上に接着剤により付備され
たセラミック、ガラス等の非磁性の基板14を有し下側
の基板5と共に磁気ンールド体6,11、絶縁1’17
,10、磁気抵抗素子8等を侠侍しており、ヘッド13
は磁気抵抗素子8を中心とした対称構造となり、これに
より、極薄の磁気シールド体6.11等を保護し、この
ヘッド13fti械的強度が上がり、耐久性に富む。尚
、本実施例ヘッド13は第1実施例ヘッド12と同等の
効果を有することは勿論である。
尚、上記各実施例における磁気シールド体6゜11の厚
みtは最短記録波長の2/3以下と設定したか、再生信
号とtfる磁束を出す磁極に隣接する他の磁極に対し磁
気シールド体6,11のへ・7ド面が臨まない範囲であ
ればよく、概ね最短記録波長程度の厚みである。更にま
た、本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドは
水平記録方式に限らず、垂直記録方式にも適用し得る。
みtは最短記録波長の2/3以下と設定したか、再生信
号とtfる磁束を出す磁極に隣接する他の磁極に対し磁
気シールド体6,11のへ・7ド面が臨まない範囲であ
ればよく、概ね最短記録波長程度の厚みである。更にま
た、本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドは
水平記録方式に限らず、垂直記録方式にも適用し得る。
上述の如く、本発明になる磁気シールド型磁気抵抗効果
ヘッドは、磁気抵抗素子を磁気シールド体で挾持してな
る磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該磁気
シールド体のうち少なくとも一方の磁気シールド体の少
なくともヘッド面近傍部の厚さを最短記録波長程度とな
しであるため、再生信号となる磁束を出す磁極のみに磁
、気シールド体のヘッド面が対向し、他の不要な磁極に
は該ヘッド面は臨まず、したがって上記所定の磁束のみ
が磁気抵抗素子を貫通することになり、これによりノイ
ズ発生が防止し得、高8/N比であり、短波長を効率良
く再生し得るという特長を有する。
ヘッドは、磁気抵抗素子を磁気シールド体で挾持してな
る磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該磁気
シールド体のうち少なくとも一方の磁気シールド体の少
なくともヘッド面近傍部の厚さを最短記録波長程度とな
しであるため、再生信号となる磁束を出す磁極のみに磁
、気シールド体のヘッド面が対向し、他の不要な磁極に
は該ヘッド面は臨まず、したがって上記所定の磁束のみ
が磁気抵抗素子を貫通することになり、これによりノイ
ズ発生が防止し得、高8/N比であり、短波長を効率良
く再生し得るという特長を有する。
第1図は磁気抵抗効果ヘッドの原理を示す概略斜視図、
第2図は従来の磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドのヘ
ッド面側を示す拡大縦断面図、第3図は本発明になる磁
気シールド型磁気抵抗効果ヘッドの第1実施例の拡大斜
視図、第4図はそのヘッド面側を示す拡大縦断面図、第
5図は本発明の第2実施例の拡大斜視図である。 1.80・磁気抵抗素子、la、lb・・・端子、2・
・・磁気テープ、3,6.11Φ・・磁気シールド体、
3 a 、 6 a 、 lla・・・ヘッド面、5.
14轡・・基板、7,10・Φ・電気絶縁層、9a、9
b・・・電極、12.13・・・磁気シールド型磁気抵
抗効果ヘッド。 り 第1図 第2図
第2図は従来の磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッドのヘ
ッド面側を示す拡大縦断面図、第3図は本発明になる磁
気シールド型磁気抵抗効果ヘッドの第1実施例の拡大斜
視図、第4図はそのヘッド面側を示す拡大縦断面図、第
5図は本発明の第2実施例の拡大斜視図である。 1.80・磁気抵抗素子、la、lb・・・端子、2・
・・磁気テープ、3,6.11Φ・・磁気シールド体、
3 a 、 6 a 、 lla・・・ヘッド面、5.
14轡・・基板、7,10・Φ・電気絶縁層、9a、9
b・・・電極、12.13・・・磁気シールド型磁気抵
抗効果ヘッド。 り 第1図 第2図
Claims (1)
- 磁気抵抗素子を磁気シールド体で挾持してなる磁気シー
ルド型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該磁気シールド体
のうち少なくとも一方の磁気シールド体の少なくきもヘ
ッド面近傍部の厚さを最短記録波長程度になしたことを
特徴とする磁気シールド型磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16070081A JPS5862818A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16070081A JPS5862818A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862818A true JPS5862818A (ja) | 1983-04-14 |
| JPS6326452B2 JPS6326452B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=15720574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16070081A Granted JPS5862818A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 磁気シ−ルド型磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862818A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372038U (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-22 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065211A (ja) * | 1973-10-04 | 1975-06-02 | ||
| JPS51148411A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-20 | Ibm | Magnetic converter |
| JPS554722A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Magnetoresistance effect head |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP16070081A patent/JPS5862818A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065211A (ja) * | 1973-10-04 | 1975-06-02 | ||
| JPS51148411A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-20 | Ibm | Magnetic converter |
| JPS554722A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Magnetoresistance effect head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6326452B2 (ja) | 1988-05-30 |
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