JPS5862622A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPS5862622A JPS5862622A JP16158581A JP16158581A JPS5862622A JP S5862622 A JPS5862622 A JP S5862622A JP 16158581 A JP16158581 A JP 16158581A JP 16158581 A JP16158581 A JP 16158581A JP S5862622 A JPS5862622 A JP S5862622A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- film
- amorphous
- crystal display
- display panel
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示パネルに関するものである。
さらに本発明は液晶表示パネル、！構成する一方の基！
に用いる半導体基板に関するもので、ある１本発明の目
的は半導体基板に外部、芥が照射された時の表示特性の
低下の防止、お工び液晶と液晶駆動用金属との化学的反
応の低減をすることＫある。
に用いる半導体基板に関するもので、ある１本発明の目
的は半導体基板に外部、芥が照射された時の表示特性の
低下の防止、お工び液晶と液晶駆動用金属との化学的反
応の低減をすることＫある。
最近、従来のＣＲＴに代る表示装置として薄層の表示装
＊ｅＭＮが盛今に進められて“る・薄竺表示装置の中で
も液晶表示値ｆｊＩは電力、駆動電圧、寿命の点て他を
凌駕しており今後の表示装置としての期待社大負帆。一
般に液晶表示値Ｗｌはダイナミック駆動方式とスタティ
ック駆動方式がＴｏの、後者の方が電力、駆動電圧の点
ですぐれている。
＊ｅＭＮが盛今に進められて“る・薄竺表示装置の中で
も液晶表示値ｆｊＩは電力、駆動電圧、寿命の点て他を
凌駕しており今後の表示装置としての期待社大負帆。一
般に液晶表示値Ｗｌはダイナミック駆動方式とスタティ
ック駆動方式がＴｏの、後者の方が電力、駆動電圧の点
ですぐれている。
スタティック駆動方式の液晶表示装置ＩＦｉ、一般に上
側ガラス基板と、下側半導体集積向路基ｆ１゜構成され
ており、前記半導体集積回路上にマトリックス状に配置
され７を液晶駆動用素子を外部選択回路にて選択し、液
晶に電圧を印加することに１の、任意の文字、グラフあ
るい＃ｉＩｍ像の表４示を行なう。その一般的な回路図
を第１図に示す。
側ガラス基板と、下側半導体集積向路基ｆ１゜構成され
ており、前記半導体集積回路上にマトリックス状に配置
され７を液晶駆動用素子を外部選択回路にて選択し、液
晶に電圧を印加することに１の、任意の文字、グラフあ
るい＃ｉＩｍ像の表４示を行なう。その一般的な回路図
を第１図に示す。
第１図はスタテイツタ駆動方式の液晶表示パネルに用い
る半導体集積回路基板上の液晶駆動素子のマトリックス
状配置図である。第１図のブロック１で囲まれた領域が
表示領域であ−・、その中に、液晶駆動用素子２がマト
リックス状に配置されている。３ａ〜３ａＦｉそれぞれ
液晶駆動用素子へのビデオ信号ライン、又４ａ〜４ｏは
それぞれ液晶駆動用素子へのタインンダ優号ラインであ
る。うイン３ａ及びライン４ａで選択された液晶駆動用
素子の回路図を菖２図に示す。
る半導体集積回路基板上の液晶駆動素子のマトリックス
状配置図である。第１図のブロック１で囲まれた領域が
表示領域であ−・、その中に、液晶駆動用素子２がマト
リックス状に配置されている。３ａ〜３ａＦｉそれぞれ
液晶駆動用素子へのビデオ信号ライン、又４ａ〜４ｏは
それぞれ液晶駆動用素子へのタインンダ優号ラインであ
る。うイン３ａ及びライン４ａで選択された液晶駆動用
素子の回路図を菖２図に示す。
第２図中の６はスイッチングトランジスタであ０、通常
Ｍｏ８タイプのトランジスタが用いられる。
Ｍｏ８タイプのトランジスタが用いられる。
６Ｆｉコンデンサーであり、データ信号の保持用として
用ｉられる。７は液晶表示パネルであり、７１は半導体
集積回路上の各液晶駆動素子に対応して形成された液晶
駆動電極であり、７２は上側ガラスパネルである。一般
に画像表示用（テレビ用）として本液晶表示パネルを用
偽る場合は線順次走査により、各走査線毎にタイミング
をかけ、各−素に対応したコンインず−に信号電圧をホ
ールト。
用ｉられる。７は液晶表示パネルであり、７１は半導体
集積回路上の各液晶駆動素子に対応して形成された液晶
駆動電極であり、７２は上側ガラスパネルである。一般
に画像表示用（テレビ用）として本液晶表示パネルを用
偽る場合は線順次走査により、各走査線毎にタイミング
をかけ、各−素に対応したコンインず−に信号電圧をホ
ールト。
させる訳である。この工うに液晶表示ノ（ネルをテレビ
として用いた場合には、液晶の応答も１（比較的良好な
画像が得られる。
として用いた場合には、液晶の応答も１（比較的良好な
画像が得られる。
半導体集積回路は一般に祉モールド等に工す外部光が直
接素子表面に到達しない状況下にで用いる訳であるが前
記した液晶表示〕くネルにおいては半導体集積回路表面
に直接外部光が照射されるためＰ−Ｍ接合１１１におけ
る光起電力効果に！ＩＩＰ−Ｍ接合にする菓子分離が不
完全とな０（リークが生ずる）、各種信号の波形の変化
、電圧の変化を壕ねき、正常な画像表示が不可能と攻る
。したがって外部光が半導体集積回路表面に照射されて
も光−起電力効果が生じな一工うな半導体集積回路構造
としなければならない。また、液晶と半導体集積回路基
板上の液晶駆動用金属電極との化学反応に工Ｑ−金属電
極表面の劣化および液晶自体の劣４ｔＪＥ生シ、コント
ラストの低下、液晶前会の低下をまね真、＊償表示装置
としての使用が不可能となる。したがって、液晶と液晶
駆動用金属電極との間に化学反応が起真ることを防止す
る保Ｓａを設けた半導体集積回路構造ともしなければな
らない０本発明は、かかる従来の液晶表示Ｉ（ネル用半
導体集積回路基板の欠点を変流駆動方式の場合について
除去するために発明されたものであり、以下具体的な実
施例を図面に基づ込て詳細に説明す：′ る。
接素子表面に到達しない状況下にで用いる訳であるが前
記した液晶表示〕くネルにおいては半導体集積回路表面
に直接外部光が照射されるためＰ−Ｍ接合１１１におけ
る光起電力効果に！ＩＩＰ−Ｍ接合にする菓子分離が不
完全とな０（リークが生ずる）、各種信号の波形の変化
、電圧の変化を壕ねき、正常な画像表示が不可能と攻る
。したがって外部光が半導体集積回路表面に照射されて
も光−起電力効果が生じな一工うな半導体集積回路構造
としなければならない。また、液晶と半導体集積回路基
板上の液晶駆動用金属電極との化学反応に工Ｑ−金属電
極表面の劣化および液晶自体の劣４ｔＪＥ生シ、コント
ラストの低下、液晶前会の低下をまね真、＊償表示装置
としての使用が不可能となる。したがって、液晶と液晶
駆動用金属電極との間に化学反応が起真ることを防止す
る保Ｓａを設けた半導体集積回路構造ともしなければな
らない０本発明は、かかる従来の液晶表示Ｉ（ネル用半
導体集積回路基板の欠点を変流駆動方式の場合について
除去するために発明されたものであり、以下具体的な実
施例を図面に基づ込て詳細に説明す：′ る。
第３図Ｃα１ Ｆｉ本弛明の一絵素につ論ての半導体集
積回路構造の千面翻であり、８３図１６１は第３図Ｃα
１のＸ−ＸＩ線に沿って切断した断面図である。説明を
簡単にするために！チャネルトランジスタについて説明
するが、当然のことなからＮチャネルトランジスタを用
＾でも原理的には同じである。
積回路構造の千面翻であり、８３図１６１は第３図Ｃα
１のＸ−ＸＩ線に沿って切断した断面図である。説明を
簡単にするために！チャネルトランジスタについて説明
するが、当然のことなからＮチャネルトランジスタを用
＾でも原理的には同じである。
第３図−１と第３図１６）とＫお−てＭ型半導体重板＋
２０１上部に、Ｐ拡散、層によるンース２０２（ライン
３６の一部）ドレイン２０３．お工びゲート酸化膜２０
４．ゲート電極２０５ 、（う、イン４ａ、の一部）ぷ
りなるＭＯ８を界効果トランジスタ５力（設けられてお
り、このＭＯｊｊ−ラン２．スタがｔｌ＆駆動用素子と
なる。ドレイン２０３はボ：リシリコン２０６．酸化膜
ｚ ｏ ７ ＃ −鉱散層ｘｏｓｘｏなるコンデンサー
６に金属電極２０９に１つ、テ接続されているｅ ＣＯ
：Ｉンデン！−６は、液晶上−に加わる電圧を、ＭＯ８
ｈ、□ランク１スタ、６がオフになった後も維持するた
めに用ηられゐ。、金属電極２０９扛入射光の反射板も
兼ねている。 。
３６の一部）ドレイン２０３．お工びゲート酸化膜２０
４．ゲート電極２０５ 、（う、イン４ａ、の一部）ぷ
りなるＭＯ８を界効果トランジスタ５力（設けられてお
り、このＭＯｊｊ−ラン２．スタがｔｌ＆駆動用素子と
なる。ドレイン２０３はボ：リシリコン２０６．酸化膜
ｚ ｏ ７ ＃ −鉱散層ｘｏｓｘｏなるコンデンサー
６に金属電極２０９に１つ、テ接続されているｅ ＣＯ
：Ｉンデン！−６は、液晶上−に加わる電圧を、ＭＯ８
ｈ、□ランク１スタ、６がオフになった後も維持するた
めに用ηられゐ。、金属電極２０９扛入射光の反射板も
兼ねている。 。
本妬−において特に重要な部分は電極上に形成された非
晶質の保験絶緻１［２１１であり、これがトランジスタ
部への光の進入の阻止、お工ヒ箪晶、□ と金属電極との化学反応の低減を図っている。
晶質の保験絶緻１［２１１であり、これがトランジスタ
部への光の進入の阻止、お工ヒ箪晶、□ と金属電極との化学反応の低減を図っている。
本実施例においては非晶質の保護絶縁膜として非晶質Ｓ
＜（以下α−Ｓ＜と称する）を用込九。
＜（以下α−Ｓ＜と称する）を用込九。
ａ−ＢｉＦｉ光学的吸収係数が単結晶よりも１桁以上χ
き（、あるいは禁止帯幅が１０．６７１．８ ｍ Ｖと
単結晶の１．１１Ｖ ！すχキ（、可視領域の波長の光
に対し同一膜厚の単結晶に比し多鎗、、の光ｆ１吸収す
ることが知られている。オた、そ−）比抵抗は膜作成条
件を最適化することにＬすｌＯ＠！Ω−国以上となるこ
とも知られている。更１に−１８−２と液晶との化学反
応性は、通常使用の金属電極、例えばム！あるｔ−ｑム
Ｕと液晶との化学反応性に比し極めて低いこと□が賽−
的に確かめられて詰る。よって、α−８（を保護絶縁膜
とすることに１り膜厚が薄くとも通誉゛入射するーｉの
＊’＊ｆ＝＝に吸収し光に対して安定とな０１かつ液晶
Ｋｔ４しても安定なｉ導採集ｊｓｗｗｒ基−が得られる
ことが分かる。
き（、あるいは禁止帯幅が１０．６７１．８ ｍ Ｖと
単結晶の１．１１Ｖ ！すχキ（、可視領域の波長の光
に対し同一膜厚の単結晶に比し多鎗、、の光ｆ１吸収す
ることが知られている。オた、そ−）比抵抗は膜作成条
件を最適化することにＬすｌＯ＠！Ω−国以上となるこ
とも知られている。更１に−１８−２と液晶との化学反
応性は、通常使用の金属電極、例えばム！あるｔ−ｑム
Ｕと液晶との化学反応性に比し極めて低いこと□が賽−
的に確かめられて詰る。よって、α−８（を保護絶縁膜
とすることに１り膜厚が薄くとも通誉゛入射するーｉの
＊’＊ｆ＝＝に吸収し光に対して安定とな０１かつ液晶
Ｋｔ４しても安定なｉ導採集ｊｓｗｗｒ基−が得られる
ことが分かる。
非晶質膜の形成方法としてｉ蒸着゛、スイッチング、あ
るｖｈ ｉｊ ＣＶ ′Ｄ法等が可能であるが、本賽施
゛例にお論てはフロニ放電□にする゛歩ラズマＣ’ＶＤ
法を用い、８イＨ４ガスお工びＨ，ガスにより、半導体
集積回路基板上Ｋａ−８（膜を被着した。
るｖｈ ｉｊ ＣＶ ′Ｄ法等が可能であるが、本賽施
゛例にお論てはフロニ放電□にする゛歩ラズマＣ’ＶＤ
法を用い、８イＨ４ガスお工びＨ，ガスにより、半導体
集積回路基板上Ｋａ−８（膜を被着した。
この非晶質保護絶縁膜を形成する仁とにＬｏ５光の進入
を阻止することが可能となり、トランジスタの光による
リーク電流を十以下にすることができた。ｔた、液晶に
対しても安定で寿命ｔ−１，５倍以上伸ばすことができ
た。
を阻止することが可能となり、トランジスタの光による
リーク電流を十以下にすることができた。ｔた、液晶に
対しても安定で寿命ｔ−１，５倍以上伸ばすことができ
た。
劇に、光遮蔽も兼用したドレイン電極のみの場合ＫＦｉ
原理上、各絵素間間隙を無くすることが不可能であり、
その間隙工ｐ進入する光にする１」−タ電流が必然的に
存在したが、上述の工うにａ −８１膜の比抵抗は極め
て高込為半導体集積回路基板全面に被膜形成を行なって
も谷絵素間のクロスシータは皆無であり、かつ各絵素間
開ＷｉＫ光吸収、膜が形成されることになる為この間隙
からの光の進入を大幅に減少することもでき、かつその
膜形成工程が極めて簡単であるという一点もある。
原理上、各絵素間間隙を無くすることが不可能であり、
その間隙工ｐ進入する光にする１」−タ電流が必然的に
存在したが、上述の工うにａ −８１膜の比抵抗は極め
て高込為半導体集積回路基板全面に被膜形成を行なって
も谷絵素間のクロスシータは皆無であり、かつ各絵素間
開ＷｉＫ光吸収、膜が形成されることになる為この間隙
からの光の進入を大幅に減少することもでき、かつその
膜形成工程が極めて簡単であるという一点もある。
本実施例では非晶質保護絶縁膜ａしてａ−８（膜を用い
た場合につ論で述べたが、他の類似の材質の非晶質絶縁
膜の場合も同様である。またａ −８（膜は金属光沢を
持つ鏡面となるが、使用する液晶の種類に工す例えば全
反射面（白色面）が得たｉ場合には材料として例えばＢ
Ｍ等を吊込れば良い、また半導体基板としてｓ７基板に
ついて述べ′たが他の半導体基板を用いる場合も同じで
ある。
た場合につ論で述べたが、他の類似の材質の非晶質絶縁
膜の場合も同様である。またａ −８（膜は金属光沢を
持つ鏡面となるが、使用する液晶の種類に工す例えば全
反射面（白色面）が得たｉ場合には材料として例えばＢ
Ｍ等を吊込れば良い、また半導体基板としてｓ７基板に
ついて述べ′たが他の半導体基板を用いる場合も同じで
ある。
以上の説明かられかる工うに、低消費電力かつ長攪命の
交流駆動方式による液晶表示パネルを作る上で本発明の
利用価値は極めて大きいものである。
交流駆動方式による液晶表示パネルを作る上で本発明の
利用価値は極めて大きいものである。
第ｉ ａｒｔ従来の液晶表示バふルのマトリックス配倉
図、第２図は液晶用駆動素子の回路図である。 第３図ｍｌは本発明の一絵累の平面図、第３図１６１は
第３１１Ａ１ａｌのＸ−Ｘ−線に沿った断面図である。 １・−ブロック ２１１・・非晶質保護絶縁膜 ２０９・・ジレイン電極兼光遮蔽膜 出願人 株式会社第二楕工舎
図、第２図は液晶用駆動素子の回路図である。 第３図ｍｌは本発明の一絵累の平面図、第３図１６１は
第３１１Ａ１ａｌのＸ−Ｘ−線に沿った断面図である。 １・−ブロック ２１１・・非晶質保護絶縁膜 ２０９・・ジレイン電極兼光遮蔽膜 出願人 株式会社第二楕工舎
Claims (1)
- 表示パネルを構成する一方の基［Ｋ、複数個の液晶駆動
用素子をマトリックス状に配電した半導体基板を用りる
交流駆動方式の液晶表示パネルにおいて、該半導体基板
表面上に非晶質のＩ！ＩＩＩ体被膜を形成したことを特
徴とする液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16158581A JPS5862622A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16158581A JPS5862622A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862622A true JPS5862622A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15737917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16158581A Pending JPS5862622A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862622A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6061722A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置及び製造方法 |
| US4636038A (en) * | 1983-07-09 | 1987-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric circuit member and liquid crystal display device using said member |
| JPH07270827A (ja) * | 1994-12-21 | 1995-10-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| FR2779839A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-17 | Saint Gobain Vitrage | Systeme electrocommandable a proprietes optiques variables |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16158581A patent/JPS5862622A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4636038A (en) * | 1983-07-09 | 1987-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric circuit member and liquid crystal display device using said member |
| JPS6061722A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置及び製造方法 |
| JPH07270827A (ja) * | 1994-12-21 | 1995-10-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| FR2779839A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-17 | Saint Gobain Vitrage | Systeme electrocommandable a proprietes optiques variables |
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