JPS5860693A - 封止剤 - Google Patents
封止剤Info
- Publication number
- JPS5860693A JPS5860693A JP15733881A JP15733881A JPS5860693A JP S5860693 A JPS5860693 A JP S5860693A JP 15733881 A JP15733881 A JP 15733881A JP 15733881 A JP15733881 A JP 15733881A JP S5860693 A JPS5860693 A JP S5860693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- sealing agent
- viscosity
- raw material
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電体封止引上は法（以下Ｌ＆Ｃ法）、■接合成
ＩＪｃ法などにより蒸気圧の＾い元本を言む原料＃ｌｌ
ｌ液を同化して結晶を殺造する方法において用いる封止
１＠に関するものであゐ＠ Ｇ＆ムＩを代表とする嵐−■族化合物千尋体の多Ｍ４本
科または単細晶捧Ｏ胃成においては、結晶棒やそのＭｌ
ｌｋからＯＶｂ族元凧の蒸気圧が向いため、その蒸発を
防ぐことが＾品貴な結晶のｔｌｒ成にとってに賛表間聰
となっている。このため、徊々の引き上り装置が！ＰＰ
Ｉ発されたか＊川に至らす、現代では主に加圧引色上は
装置を用い、８２０３等の刺止剤でメルト表面および育
成された結晶の表面を伽い、メルトｔ！ｅ曲および育成
結晶からのｖｂ族７ｃ索の蒸Ｊ！ｊ；ｈを防止するＩＪ
Ｃ法により幀昂會成が行なわれている。
ＩＪｃ法などにより蒸気圧の＾い元本を言む原料＃ｌｌ
ｌ液を同化して結晶を殺造する方法において用いる封止
１＠に関するものであゐ＠ Ｇ＆ムＩを代表とする嵐−■族化合物千尋体の多Ｍ４本
科または単細晶捧Ｏ胃成においては、結晶棒やそのＭｌ
ｌｋからＯＶｂ族元凧の蒸気圧が向いため、その蒸発を
防ぐことが＾品貴な結晶のｔｌｒ成にとってに賛表間聰
となっている。このため、徊々の引き上り装置が！ＰＰ
Ｉ発されたか＊川に至らす、現代では主に加圧引色上は
装置を用い、８２０３等の刺止剤でメルト表面および育
成された結晶の表面を伽い、メルトｔ！ｅ曲および育成
結晶からのｖｂ族７ｃ索の蒸Ｊ！ｊ；ｈを防止するＩＪ
Ｃ法により幀昂會成が行なわれている。
次に代表的な１ＳｚＯｓ ｔ−刺止剤として用いた時の
ＩＪＣ法の欠点についてＧａＡｓ粕晶肯成の育成につい
て１８１！Ｊを用いて説明する。
ＩＪＣ法の欠点についてＧａＡｓ粕晶肯成の育成につい
て１８１！Ｊを用いて説明する。
Ｍ１図祉省略された加圧容器内でのＧａＡｍ多結晶原料
の融解時の換弐図である。第１図において、１は石英ル
ツボ、２はＧａＡｍ多結晶原料、ｌまＢ２Ｏ５である。
の融解時の換弐図である。第１図において、１は石英ル
ツボ、２はＧａＡｍ多結晶原料、ｌまＢ２Ｏ５である。
Ｂ２Ｏ３３はガラス状物Ｘでその一点は約４５０℃であ
るが、波動してＧａＡｍ多結晶原料２（ｆ−光全に被徨
するためには、６００℃以上に抹たなけれはならない。
るが、波動してＧａＡｍ多結晶原料２（ｆ−光全に被徨
するためには、６００℃以上に抹たなけれはならない。
疵って室温から約６００’Ｃ”ｔでの舛−中にはＧａＡ
ｍ多結晶原料２からヒ素（以下ｈａ）が島発し続けるた
めｈａが減少し、さらに、ＧａＡｓ （Ｄ一点を越えて
昇−した時に狗られるＧａ−Ａｓ融′＆はＡｓが減少し
た吃りとなる。このような、いわゆる化学′Ｍｋｉ的耐
成のずれた同数から紬ｌｉ′Ｂ育成を行なうと、得られ
る結晶の化字菫廁的組成がずれるとともに、Ａ農の＃兄
が著しい場合にｒｉ輌晶の育成が困麺となる。さらに蒸
発したＡＩは加圧容益内嫌に付着するが、Ａａやこれが
賊化された亜ヒ酸が廊ａｔ持つため、胃成恢のｈｕ圧炉
内のｆｆ借が非富に危険なものとなっている。
ｍ多結晶原料２からヒ素（以下ｈａ）が島発し続けるた
めｈａが減少し、さらに、ＧａＡｓ （Ｄ一点を越えて
昇−した時に狗られるＧａ−Ａｓ融′＆はＡｓが減少し
た吃りとなる。このような、いわゆる化学′Ｍｋｉ的耐
成のずれた同数から紬ｌｉ′Ｂ育成を行なうと、得られ
る結晶の化字菫廁的組成がずれるとともに、Ａ農の＃兄
が著しい場合にｒｉ輌晶の育成が困麺となる。さらに蒸
発したＡＩは加圧容益内嫌に付着するが、Ａａやこれが
賊化された亜ヒ酸が廊ａｔ持つため、胃成恢のｈｕ圧炉
内のｆｆ借が非富に危険なものとなっている。
上に説明したＬＥＣ法でケユ原料としてホリゾンタルプ
リツヂマン（以下ｋｌＢ法）により、ＧＩＬとＡｓから
合成し九ＧａＡｓ 虻結晶が用いられているが、鍛近Ｇ
ａ、Ａｓ およびＢ２Ｏ５を加圧谷益中で昇龜力０熱
し、封止剤融液下でＱａとＡｓを反応させＧａＡｓ融液
とした後、単結晶の製造を行なう直接合成法が蒸発され
、ＧｍＡｓ単鮎晶怜結１駈が行なわれている。直接合成
法でｔよＬＥＣ法と同体に蔓温からＢ２Ｏ５が軟化する
約６００°Ｃ１では、Ａｓ、ＵａともＢ２Ｏ５で横われ
ることｔよない。ＡｓからのＡｍの＃発はＧａＡｓから
の蒸発より渚しく多いため、直接合成法ではＬＥＣ法以
上にＡｓの蒸％が結晶ロ故ヤ加圧谷４清掃時における間
繕となっている。
リツヂマン（以下ｋｌＢ法）により、ＧＩＬとＡｓから
合成し九ＧａＡｓ 虻結晶が用いられているが、鍛近Ｇ
ａ、Ａｓ およびＢ２Ｏ５を加圧谷益中で昇龜力０熱
し、封止剤融液下でＱａとＡｓを反応させＧａＡｓ融液
とした後、単結晶の製造を行なう直接合成法が蒸発され
、ＧｍＡｓ単鮎晶怜結１駈が行なわれている。直接合成
法でｔよＬＥＣ法と同体に蔓温からＢ２Ｏ５が軟化する
約６００°Ｃ１では、Ａｓ、ＵａともＢ２Ｏ５で横われ
ることｔよない。ＡｓからのＡｍの＃発はＧａＡｓから
の蒸発より渚しく多いため、直接合成法ではＬＥＣ法以
上にＡｓの蒸％が結晶ロ故ヤ加圧谷４清掃時における間
繕となっている。
これらの欠点を房決する一つのあ休はＢ２Ｏ５に添加物
を加え、七のｈａを低下させる、すなわち粘度を低下さ
せることである。このような低粘度の封止剤を用いるこ
とにより、低温時にＧａＡｓ多鯖晶原料ないしはＡｓ
を封止剤−歌により仮覆することが町鶴とな抄、Ａｓの
蒸発つｔ ｌ） Ａｓの減少を防止することができる。
を加え、七のｈａを低下させる、すなわち粘度を低下さ
せることである。このような低粘度の封止剤を用いるこ
とにより、低温時にＧａＡｓ多鯖晶原料ないしはＡｓ
を封止剤−歌により仮覆することが町鶴とな抄、Ａｓの
蒸発つｔ ｌ） Ａｓの減少を防止することができる。
Ｂ２Ｏ５の粘＆全世下させる方法としては、アルカリ金
ｋＪ４臥化物、アルカリ金属フッ化物を冷加する方法力
；周知である。
ｋＪ４臥化物、アルカリ金属フッ化物を冷加する方法力
；周知である。
しかしこれらの維加物／Ｉ′ｉＧａＡｍ率結晶、特にＭ
ＥＳＦｈ；Ｔ等の基板結晶となる生絶琢性紹晶の有酸に
用いることはできない。なぜならば１０６〜工０７Ωｃ
ｍ以上の比抵抗ｋｆｔ持つ半先材性ＧａＡｓ却組晶ｔ−
倚る為には、ＧａＡｓ多結晶原料中の不ｌ１ｌＩｉｉ物
や刺止剤、ルツボの＃ｓ勢によシ結晶中にとり込まれる
ＩＩｊ気的に粘性な不＃ｔｌ物、特に浅い不純物レベル
を持つ不純％Ｉを極力１ｍ友に卸えることか必資となる
が、アルカリ金属はＧａＡｓ中で電気的に粘性となるか
らでろる。
ＥＳＦｈ；Ｔ等の基板結晶となる生絶琢性紹晶の有酸に
用いることはできない。なぜならば１０６〜工０７Ωｃ
ｍ以上の比抵抗ｋｆｔ持つ半先材性ＧａＡｓ却組晶ｔ−
倚る為には、ＧａＡｓ多結晶原料中の不ｌ１ｌＩｉｉ物
や刺止剤、ルツボの＃ｓ勢によシ結晶中にとり込まれる
ＩＩｊ気的に粘性な不＃ｔｌ物、特に浅い不純物レベル
を持つ不純％Ｉを極力１ｍ友に卸えることか必資となる
が、アルカリ金属はＧａＡｓ中で電気的に粘性となるか
らでろる。
以上説明したことから明かなように′＋４気的に小ｉ古
株な晦加剤によ）粘度を低下賂せたＢ２Ｏ５が弛く′４
まれている。
株な晦加剤によ）粘度を低下賂せたＢ２Ｏ５が弛く′４
まれている。
本発明はこのような欠点′１！：味去することを目的と
する。評しくけ、蒸気圧の烏い元素を冨む多結晶あるい
は単結晶を製造するθ相いる刺止酌でめって、電気的に
不ｒ、４ｉ江でめり、しかも粘度の低い刺止剤を提供す
ることを目的とするものである１゜したがって本発明に
よる刺止剤は１．ｔ（気圧の尚いＩＩ：、Ａを含む多結
晶ないし単結晶を育成する除用いる封止剤であって、三
二酸化ホウ累を主成分とし、これにｕ＋ｂあるいはｖｂ
族冗ぷのｌ禮またｅよ２樒以上を竿体あるいはは化物寺
の形で冷加したことを％像とするものでおる。
する。評しくけ、蒸気圧の烏い元素を冨む多結晶あるい
は単結晶を製造するθ相いる刺止酌でめって、電気的に
不ｒ、４ｉ江でめり、しかも粘度の低い刺止剤を提供す
ることを目的とするものである１゜したがって本発明に
よる刺止剤は１．ｔ（気圧の尚いＩＩ：、Ａを含む多結
晶ないし単結晶を育成する除用いる封止剤であって、三
二酸化ホウ累を主成分とし、これにｕ＋ｂあるいはｖｂ
族冗ぷのｌ禮またｅよ２樒以上を竿体あるいはは化物寺
の形で冷加したことを％像とするものでおる。
本発明による円止創によれば、積度ρｉ麩＜、シたがっ
て刺止剤の一点が世＜、シかも電気的に他社な不純りが
′＃ｔＪ反さｎる結晶甲にと９込ま）Ｌるおそれがない
とｄう利点かめる。この九０１本８１による刺止ハリを
用いｉシば、／ことえぽ廖−Ｖ旅化曾切結晶を食紅する
に際し、諷気圧の高いＶ旅冗鎮の鈴％ｔ”＄ｉＥ米に比
して良好に防止しえると共に、＾−抗の結晶しえるとＮ
う効氷か倚られる。
て刺止剤の一点が世＜、シかも電気的に他社な不純りが
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とｄう利点かめる。この九０１本８１による刺止ハリを
用いｉシば、／ことえぽ廖−Ｖ旅化曾切結晶を食紅する
に際し、諷気圧の高いＶ旅冗鎮の鈴％ｔ”＄ｉＥ米に比
して良好に防止しえると共に、＾−抗の結晶しえるとＮ
う効氷か倚られる。
本発明を東に畦しく説明する。
本発明による刺止剤はＢ２Ｏ３を主体とし、これにＡ！
ｌｂ＆あるいＦＩＶｂ族元素早体あるいはこれらの献化
豐等の１−以上を添加するものである。岨す涙、ｖｂ＆
元系元系表体し皺化物寺の１釉以上をｋ１２’Ｊｓに冷
加するのは、これらの勧賞が肯成する結晶（九とえｔｆ
：、ｎ＋−ｖ族化合物結晶）中において、電気的に不活
性であり、かつ封止剤自体の粘度低下を生じしめるから
である。これらの添加物の形態は賊定されるものではな
く、フ〔累卑体、潅化物めるいは他の化合物の形態で旬
加しえる。粘度の低下ＦｉＢｚＵｉＫ■ｂ族、■ｂ族の
元素混入により生ずるものであるからである。
ｌｂ＆あるいＦＩＶｂ族元素早体あるいはこれらの献化
豐等の１−以上を添加するものである。岨す涙、ｖｂ＆
元系元系表体し皺化物寺の１釉以上をｋ１２’Ｊｓに冷
加するのは、これらの勧賞が肯成する結晶（九とえｔｆ
：、ｎ＋−ｖ族化合物結晶）中において、電気的に不活
性であり、かつ封止剤自体の粘度低下を生じしめるから
である。これらの添加物の形態は賊定されるものではな
く、フ〔累卑体、潅化物めるいは他の化合物の形態で旬
加しえる。粘度の低下ＦｉＢｚＵｉＫ■ｂ族、■ｂ族の
元素混入により生ずるものであるからである。
脩加物として杜、Ｂ２ＣＪＳ中に浴解口ｊｎにでおり、
帖匿を低下せしめるものであれはいかなるものでもよい
。具体例としては、竹に、Ａｌ５ＧＬＰｓム１の単体な
いし鍍化ｑＩＩＪＩＩｊを挙けることができる。
帖匿を低下せしめるものであれはいかなるものでもよい
。具体例としては、竹に、Ａｌ５ＧＬＰｓム１の単体な
いし鍍化ｑＩＩＪＩＩｊを挙けることができる。
−ｔ７＋、ｔｉｉｂ族わるいはｖｂ旅の元糸、化付物早
独である必要はなく、２ｉ以上炉加してよいのは四ンノ
ーで−ｋ）４）。
独である必要はなく、２ｉ以上炉加してよいのは四ンノ
ーで−ｋ）４）。
以下、本兜ゆｊの東施例について欧明する。
大識例Ｉ
Ａｌ ２（Ｊ３ をＢ２Ｏ５に対して１．５モル−の
比率で混合し、臼鈑ルツボ［］で幻１２５０℃ にて俗
′ＰＩ＋さイｆｃｏＡ１２０３１．５モル９ｏ ｋｔｉ
υ１１シたＢ２Ｏ５の１２５０℃ での粘鼓１よ３１ポ
アズでわった。これは辿ｎ用いられていゐＢ２Ｏ５の同
一１６Ｌｒ、、：おりる柘緩（４４ボアＸ）の豹７割で
ある。他の比率でＡ１２（Ｊ５ を鉛よ加した軸振、
０〜１．５モル−のｋｔｌｊ＝で粘度か似々に低下する
ことがわかった。壕だ、１．ｂモルチ以下の比相でも５
加したＢ２０ｂｔｉ無色坊９Ｊでめｐ１帖晶自りにに使
用−１」ｂピでめった。
比率で混合し、臼鈑ルツボ［］で幻１２５０℃ にて俗
′ＰＩ＋さイｆｃｏＡ１２０３１．５モル９ｏ ｋｔｉ
υ１１シたＢ２Ｏ５の１２５０℃ での粘鼓１よ３１ポ
アズでわった。これは辿ｎ用いられていゐＢ２Ｏ５の同
一１６Ｌｒ、、：おりる柘緩（４４ボアＸ）の豹７割で
ある。他の比率でＡ１２（Ｊ５ を鉛よ加した軸振、
０〜１．５モル−のｋｔｌｊ＝で粘度か似々に低下する
ことがわかった。壕だ、１．ｂモルチ以下の比相でも５
加したＢ２０ｂｔｉ無色坊９Ｊでめｐ１帖晶自りにに使
用−１」ｂピでめった。
狐施例２
第２図中の実極ｔよ、Ｇ ＊ ２ Ｌ） ５ をＢ２
ｃ）５ｉ（刈して０．５モル嘗の比率で舶力ＪＬ／こＢ
２Ｕｂｖ才自厩の一直仏仔ｔゎで４りる。ｂ中Ｖ点−Ｃ
よ奈鳶として測定した龍笛の１５２ Ｕ Ｓ ＋２Ｊ
ｋ ｋ ６ｉ！Ｉ ）Ｅ 結果でりゐｏ （ｙａ２０３
＋ｈｔｈ４により封止剤の粘度は約８ＩｌｉＦＩｌ
以Ｆ−に低下した。またＧａ２Ｏ３＃１Ｎ１４０．５モ
ル−までＢ２Ｏ５申にＭ屏しイｔら７するＢ２Ｏ３は無
色透明であった。
ｃ）５ｉ（刈して０．５モル嘗の比率で舶力ＪＬ／こＢ
２Ｕｂｖ才自厩の一直仏仔ｔゎで４りる。ｂ中Ｖ点−Ｃ
よ奈鳶として測定した龍笛の１５２ Ｕ Ｓ ＋２Ｊ
ｋ ｋ ６ｉ！Ｉ ）Ｅ 結果でりゐｏ （ｙａ２０３
＋ｈｔｈ４により封止剤の粘度は約８ＩｌｉＦＩｌ
以Ｆ−に低下した。またＧａ２Ｏ３＃１Ｎ１４０．５モ
ル−までＢ２Ｏ５申にＭ屏しイｔら７するＢ２Ｏ３は無
色透明であった。
実施ｔ＝１３
弔３図中の実線はＰ２０ｂ ’ｋ Ｂ２０１Ｓに対して
５モル−〇１も串で重加し九Ｂ２Ｏ５粘度の′＃ＩＡ７
ｍ依存性である。１７Ｉ中の点線番よ、通冨のＢ２Ｏ５
の（，１式である。
５モル−〇１も串で重加し九Ｂ２Ｏ５粘度の′＃ＩＡ７
ｍ依存性である。１７Ｉ中の点線番よ、通冨のＢ２Ｏ５
の（，１式である。
Ｐ ２０ Ｓレカロにより粘度は約６割以下に低下した
。
。
Ｐ２Ｏ５はＢ２０６中にさらに＾ハ度に融加することρ
λでさる。５モルチ添加ｊ８０ｓ １よ無色透明でめっ
た。
λでさる。５モルチ添加ｊ８０ｓ １よ無色透明でめっ
た。
以上ｆｉ ’ｊｌＪ Ｌだように、Ａｌｚ０５．Ｇａｚ
Ｏｓ、ＰｚＵｓ 等のｆｆ１ｂ ｈ％ Ｖｂ ｋ！
１ｃｘＪｋｋ数−程度冷加した８２０５は、ｊｌＡ’１
ｇ’Ａ ７ＪｌｊのＢ２０６よシ粘縫が低下するととも
に無色透明であるから結晶育成時における、たとえばＧ
１Ａｇ ＠振作製時のＧａＡｓ多結晶原料であるＡ１〃
・らのＡｌの蒸発を防止する刺止ハリとして無添加Ｂ２
Ｕ３よシ効呆的でめるというＡす＾【〃・める。δらを
こ、ＡＩ、ら転Ｐ等かＧａＡｓ融取に混入しその結果、
すａＡｉｌ枯晶中にＡＩ％Ｇ転Ｐ吟がとｂＩれたとして
も、ｍｂＮｖｂ＆元本はＧａＡ ａ中で１よ電気的に不
１占性であるので、このＢ１晶を用いて素子を作表して
も素子の一気的瞬性には１瞥を４見ることはないという
利点がある。
Ｏｓ、ＰｚＵｓ 等のｆｆ１ｂ ｈ％ Ｖｂ ｋ！
１ｃｘＪｋｋ数−程度冷加した８２０５は、ｊｌＡ’１
ｇ’Ａ ７ＪｌｊのＢ２０６よシ粘縫が低下するととも
に無色透明であるから結晶育成時における、たとえばＧ
１Ａｇ ＠振作製時のＧａＡｓ多結晶原料であるＡ１〃
・らのＡｌの蒸発を防止する刺止ハリとして無添加Ｂ２
Ｕ３よシ効呆的でめるというＡす＾【〃・める。δらを
こ、ＡＩ、ら転Ｐ等かＧａＡｓ融取に混入しその結果、
すａＡｉｌ枯晶中にＡＩ％Ｇ転Ｐ吟がとｂＩれたとして
も、ｍｂＮｖｂ＆元本はＧａＡ ａ中で１よ電気的に不
１占性であるので、このＢ１晶を用いて素子を作表して
も素子の一気的瞬性には１瞥を４見ることはないという
利点がある。
ｔ′４ ＋１の１ｓ１５％な説明
；４Ｌ １ ＋ｄは［、ＥＣ法の入点を欣明するための
加圧谷７３．；内部の、μ式図％ ｚ４２１３ ｌ：Ｊ
は本％９１によるにａ２０ｓ ０．５ｍｏ １ ％６５
４ ）、、口封上ハリおよびＰ２０！＋５１ｆｌ（１１
％ Ｍ＞加Ｂ２Ｏ５封止剤の；箔ＬＩＬＱ−胤慎仔住を
示す凶で多る。
加圧谷７３．；内部の、μ式図％ ｚ４２１３ ｌ：Ｊ
は本％９１によるにａ２０ｓ ０．５ｍｏ １ ％６５
４ ）、、口封上ハリおよびＰ２０！＋５１ｆｌ（１１
％ Ｍ＞加Ｂ２Ｏ５封止剤の；箔ＬＩＬＱ−胤慎仔住を
示す凶で多る。
１・・・Ｘ１％ルツボ、２・・・ＧａＡｓ多結晶原料、
３・・・Ｂ ２０５．４−）８（Ｊｓの柘１ｊＬ （２
（ＪＯｐｐｍＱ水）、５− Ｇ ａ ２０５０．５ｍｏ
１％ Ｗ、’ａ ＪＪ＊ ｕ ２０！、の枯１ｉｊ、
６ ・＝ １’２（Ｊ５５ｎ＋ｏ１％ ｔ＞ｋＤ＋Ｊ
Ｂ２ｕｓり粘度。
３・・・Ｂ ２０５．４−）８（Ｊｓの柘１ｊＬ （２
（ＪＯｐｐｍＱ水）、５− Ｇ ａ ２０５０．５ｍｏ
１％ Ｗ、’ａ ＪＪ＊ ｕ ２０！、の枯１ｉｊ、
６ ・＝ １’２（Ｊ５５ｎ＋ｏ１％ ｔ＞ｋＤ＋Ｊ
Ｂ２ｕｓり粘度。
出緘人代粧人 絢 冨 止 Φ
第１図
第２図
川 冊
Claims (1)
- 蒸気圧の高い元素を含む多結晶あるいは隼紬晶を育成す
る動用いる刺止剤でわって、三改化ホウ木を主体とし、
これに崩すあるいはｖｂ ｍｘ隼の１株を九社２株以上
を単体あるいは緻化物勢の形で添加したことを％像とす
る封止剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15733881A JPS6018635B2 (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 封止剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15733881A JPS6018635B2 (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 封止剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860693A true JPS5860693A (ja) | 1983-04-11 |
| JPS6018635B2 JPS6018635B2 (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=15647498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15733881A Expired JPS6018635B2 (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 封止剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018635B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311599A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 液体カプセル引き上げ法用封止剤及び単結晶の成長方法 |
| JPH02120297A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Nippon Mining Co Ltd | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP15733881A patent/JPS6018635B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311599A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 液体カプセル引き上げ法用封止剤及び単結晶の成長方法 |
| JPH02120297A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Nippon Mining Co Ltd | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6018635B2 (ja) | 1985-05-11 |
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