JPH10101494A - 酸化物単結晶の製造方法および酸化物単結晶 - Google Patents
酸化物単結晶の製造方法および酸化物単結晶Info
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- JPH10101494A JPH10101494A JP8281679A JP28167996A JPH10101494A JP H10101494 A JPH10101494 A JP H10101494A JP 8281679 A JP8281679 A JP 8281679A JP 28167996 A JP28167996 A JP 28167996A JP H10101494 A JPH10101494 A JP H10101494A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇ
ｅ4 Ｏ14結晶構造を有する大型の酸化物単結晶を製造す
ることが可能である、酸化物単結晶の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中
で育成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、出発原料の組成として、化学量論組成にＧｅＯ
2 を１．０ｗｔ％以下過剰に加えた組成を用いること、
または、単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が２×１０
-1ａｔｍを超えるガスを用いることを特徴とする。
ｅ4 Ｏ14結晶構造を有する大型の酸化物単結晶を製造す
ることが可能である、酸化物単結晶の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中
で育成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、出発原料の組成として、化学量論組成にＧｅＯ
2 を１．０ｗｔ％以下過剰に加えた組成を用いること、
または、単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が２×１０
-1ａｔｍを超えるガスを用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は酸化物単結晶の製
造方法および酸化物単結晶に関し、特に、出発原料の融
液から単結晶育成雰囲気中で育成され、Ｇｅを構成元素
として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有し、
たとえば、それが有する圧電特性を利用した圧電応用デ
バイス用材料や固体レーザー用ホスト材料に用いられ
る、酸化物単結晶の製造方法および酸化物単結晶に関す
る。
造方法および酸化物単結晶に関し、特に、出発原料の融
液から単結晶育成雰囲気中で育成され、Ｇｅを構成元素
として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有し、
たとえば、それが有する圧電特性を利用した圧電応用デ
バイス用材料や固体レーザー用ホスト材料に用いられ
る、酸化物単結晶の製造方法および酸化物単結晶に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ビー・ブイ・ミル（Ｂ．Ｖ．Ｍｉｌｌ）
らによってＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14化合物が発見され、
同結晶構造中の各種陽イオン置換実験の結果、Ｃａサイ
トをＬａに置換し、ＧｅサイトをＧａおよびＳｉ、Ｇａ
およびＮｂ、ＧａおよびＴａ、あるいは、ＧａおよびＺ
ｒに置換することにより、Ｌａ3 Ｇａ5 ＳｉＯ14、Ｌａ
3 Ｇａ5.5 Ｎｂ0.5 Ｏ14、Ｌａ3 Ｇａ5.5 Ｔａ
0.5 Ｏ14、Ｌａ3 Ｇａ5 ＺｒＯ14をはじめとする、同構
造を有する多くの化合物が発見され、これらが、水晶よ
り大きな電気機械結合定数を有し、かつ、温度係数が０
の結晶方位を有することが判り、次世代の移動体通信用
圧電デバイスの重要な材料として有望視されている。特
に、Ｌａ3 Ｇａ5 ＳｉＯ14に関しては、チョクラルスキ
ー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法による単結晶化が容易
で、現在では直径３インチ程度までのインゴットの製造
が可能となっている。
らによってＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14化合物が発見され、
同結晶構造中の各種陽イオン置換実験の結果、Ｃａサイ
トをＬａに置換し、ＧｅサイトをＧａおよびＳｉ、Ｇａ
およびＮｂ、ＧａおよびＴａ、あるいは、ＧａおよびＺ
ｒに置換することにより、Ｌａ3 Ｇａ5 ＳｉＯ14、Ｌａ
3 Ｇａ5.5 Ｎｂ0.5 Ｏ14、Ｌａ3 Ｇａ5.5 Ｔａ
0.5 Ｏ14、Ｌａ3 Ｇａ5 ＺｒＯ14をはじめとする、同構
造を有する多くの化合物が発見され、これらが、水晶よ
り大きな電気機械結合定数を有し、かつ、温度係数が０
の結晶方位を有することが判り、次世代の移動体通信用
圧電デバイスの重要な材料として有望視されている。特
に、Ｌａ3 Ｇａ5 ＳｉＯ14に関しては、チョクラルスキ
ー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法による単結晶化が容易
で、現在では直径３インチ程度までのインゴットの製造
が可能となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇ
ｅ4 Ｏ14のＣａサイトがアルカリ金属イオン、あるい
は、アルカリ土類金属イオンで置換された化合物は、前
述のＬａＧａ系化合物に比較してさらに大きい電気機械
結合定数を有することが判っているにもかかわらず、融
点が１３００℃以上と出発原料であるＧｅＯ2 の揮発点
を超えるため、融解原料からのＧｅＯ2 の蒸発による出
発原料の組成ずれ、およびそれにともなう、結晶中の各
構成元素の組成ずれ、結晶内の気泡等の物質の混入、ク
ラックの発生、不純物相の出現等の品質の劣化が問題と
なり、大型の単結晶の製造が困難であるとされていた。
ｅ4 Ｏ14のＣａサイトがアルカリ金属イオン、あるい
は、アルカリ土類金属イオンで置換された化合物は、前
述のＬａＧａ系化合物に比較してさらに大きい電気機械
結合定数を有することが判っているにもかかわらず、融
点が１３００℃以上と出発原料であるＧｅＯ2 の揮発点
を超えるため、融解原料からのＧｅＯ2 の蒸発による出
発原料の組成ずれ、およびそれにともなう、結晶中の各
構成元素の組成ずれ、結晶内の気泡等の物質の混入、ク
ラックの発生、不純物相の出現等の品質の劣化が問題と
なり、大型の単結晶の製造が困難であるとされていた。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、Ｇ
ｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶
構造を有する大型の酸化物単結晶を製造することが可能
である、酸化物単結晶の製造方法を提供することであ
る。
ｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶
構造を有する大型の酸化物単結晶を製造することが可能
である、酸化物単結晶の製造方法を提供することであ
る。
【０００５】この発明の他の目的は、Ｇｅを構成元素と
して有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する大
型の酸化物単結晶を提供することである。
して有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する大
型の酸化物単結晶を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる酸化物
単結晶の製造方法は、上述の課題を解決するために、酸
化物単結晶の育成中に蒸発するＧｅＯ2 量を考慮して、
あらかじめ、出発原料の組成中にＧｅＯ2 を過剰に加え
ること、または、単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が
２×１０-1ａｔｍを超えるガスを用いることを特徴とす
る。
単結晶の製造方法は、上述の課題を解決するために、酸
化物単結晶の育成中に蒸発するＧｅＯ2 量を考慮して、
あらかじめ、出発原料の組成中にＧｅＯ2 を過剰に加え
ること、または、単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が
２×１０-1ａｔｍを超えるガスを用いることを特徴とす
る。
【０００７】すなわち、この発明にかかる酸化物単結晶
の製造方法は、出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中
で育成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、出発原料の組成として、化学量論組成にＧｅＯ
2 を１．０ｗｔ％以下過剰に加えた組成を用いることを
特徴とする、酸化物単結晶の製造方法である。
の製造方法は、出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中
で育成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、出発原料の組成として、化学量論組成にＧｅＯ
2 を１．０ｗｔ％以下過剰に加えた組成を用いることを
特徴とする、酸化物単結晶の製造方法である。
【０００８】また、この発明にかかる酸化物単結晶の製
造方法は、出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中で育
成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ
4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法におい
て、単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が２×１０-1ａ
ｔｍを超えるガスを用いることを特徴とする、酸化物単
結晶の製造方法である。
造方法は、出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中で育
成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ
4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法におい
て、単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が２×１０-1ａ
ｔｍを超えるガスを用いることを特徴とする、酸化物単
結晶の製造方法である。
【０００９】さらに、この発明にかかる酸化物単結晶
は、この発明にかかる上述の酸化物単結晶の製造方法に
よって製造され、構成元素としてＧｅを有するＣａ3 Ｇ
ａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する、酸化物単結晶であ
る。
は、この発明にかかる上述の酸化物単結晶の製造方法に
よって製造され、構成元素としてＧｅを有するＣａ3 Ｇ
ａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する、酸化物単結晶であ
る。
【００１０】この発明にかかる酸化物単結晶としては、
Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14のＣａサイトがアルカリ金属イ
オンまたはアルカリ土類金属イオンで置換されたものが
あり、たとえば、Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14がある。
Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14のＣａサイトがアルカリ金属イ
オンまたはアルカリ土類金属イオンで置換されたものが
あり、たとえば、Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14がある。
【００１１】
【作用】ＧｅＯ2 は、空気中（酸素分圧が２×１０-1ａ
ｔｍ）で１２５０℃以上で揮発が始まるが、Ｇｅを構成
元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有
する酸化物は、おおよそ、この温度以上の融点を有する
ために、その融点においてＧｅＯ2 の蒸発が避けられな
い。
ｔｍ）で１２５０℃以上で揮発が始まるが、Ｇｅを構成
元素として有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有
する酸化物は、おおよそ、この温度以上の融点を有する
ために、その融点においてＧｅＯ2 の蒸発が避けられな
い。
【００１２】そこで、この発明のように、あらかじめ出
発原料の組成をＧｅＯ2 過剰の組成としておき、ＧｅＯ
2 の不足を補正した出発原料の融液から単結晶が育成さ
れる。なお、単結晶育成中に出発原料の融液からは、１
ｗｔ％以下のＧｅＯ2 の蒸発が観察されるため、ＧｅＯ
2 の補正量は１ｗｔ％以下とされる。
発原料の組成をＧｅＯ2 過剰の組成としておき、ＧｅＯ
2 の不足を補正した出発原料の融液から単結晶が育成さ
れる。なお、単結晶育成中に出発原料の融液からは、１
ｗｔ％以下のＧｅＯ2 の蒸発が観察されるため、ＧｅＯ
2 の補正量は１ｗｔ％以下とされる。
【００１３】または、この発明のように、単結晶育成雰
囲気として、酸素分圧を空気中の酸素分圧（２×１０-1
ａｔｍ）よりも高い状態にすることにより、ＧｅＯ2 の
揮発を抑制することが可能となる。
囲気として、酸素分圧を空気中の酸素分圧（２×１０-1
ａｔｍ）よりも高い状態にすることにより、ＧｅＯ2 の
揮発を抑制することが可能となる。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、これまで育成が困難
であった、構成元素としてＧｅを有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇ
ｅ4 Ｏ14結晶構造を有する大型の酸化物単結晶を製造す
る際、問題となってきた出発原料の融液からのＧｅＯ2
の蒸発による出発原料の組成ずれの影響がなくなり、ま
たは、ＧｅＯ2 の蒸発を抑制することが可能となり、高
品質の構成元素としてＧｅを有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4
Ｏ14結晶構造を有する大型な酸化物単結晶を製造するこ
とが可能となる。
であった、構成元素としてＧｅを有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇ
ｅ4 Ｏ14結晶構造を有する大型の酸化物単結晶を製造す
る際、問題となってきた出発原料の融液からのＧｅＯ2
の蒸発による出発原料の組成ずれの影響がなくなり、ま
たは、ＧｅＯ2 の蒸発を抑制することが可能となり、高
品質の構成元素としてＧｅを有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4
Ｏ14結晶構造を有する大型な酸化物単結晶を製造するこ
とが可能となる。
【００１５】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】Ｇｅを構成元素として有するＣａ
3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶とし
て、Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14単結晶を、以下の実施例１
および実施例２のようにして製造し、それぞれの結果を
示した。
3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶とし
て、Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14単結晶を、以下の実施例１
および実施例２のようにして製造し、それぞれの結果を
示した。
【００１７】（実施例１）出発原料としてＳｒＣＯ3 、
Ｇａ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 をモル比が３：１：４となるよう
に秤量し、さらに、０．７５ｗｔ％のＧｅＯ2 を加え
る。これらを乾式混合後プレス成型し、直径５０ｍｍ、
高さ５０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍのＰｔ製坩堝に充填し、
高周波加熱によるチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌ
ｓｋｉ）法により、結晶引き上げ速度１ｍｍ／時間で、
直径２０ｍｍの単結晶を育成した。なお、単結晶の育成
は、単結晶育成雰囲気として酸素雰囲気（酸素分圧が２
×１０-1ａｔｍ）中で行われ、結晶引き上げ中は、結晶
を１０ｒｐｍで常に回転させた。
Ｇａ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 をモル比が３：１：４となるよう
に秤量し、さらに、０．７５ｗｔ％のＧｅＯ2 を加え
る。これらを乾式混合後プレス成型し、直径５０ｍｍ、
高さ５０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍのＰｔ製坩堝に充填し、
高周波加熱によるチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌ
ｓｋｉ）法により、結晶引き上げ速度１ｍｍ／時間で、
直径２０ｍｍの単結晶を育成した。なお、単結晶の育成
は、単結晶育成雰囲気として酸素雰囲気（酸素分圧が２
×１０-1ａｔｍ）中で行われ、結晶引き上げ中は、結晶
を１０ｒｐｍで常に回転させた。
【００１８】その結果、単結晶育成中、原料の融液より
少量のＧｅＯ2 の蒸発が認められたが、長さ６０ｍｍ
で、気泡およびクラックのない、高品質な単結晶が得ら
れた。この結晶について、粉末Ｘ線回折による構造解析
の結果、結晶引き上げ軸方向において、Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇ
ｅ4 Ｏ14の単一相のみが観察され、格子定数も一定値を
示した。
少量のＧｅＯ2 の蒸発が認められたが、長さ６０ｍｍ
で、気泡およびクラックのない、高品質な単結晶が得ら
れた。この結晶について、粉末Ｘ線回折による構造解析
の結果、結晶引き上げ軸方向において、Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇ
ｅ4 Ｏ14の単一相のみが観察され、格子定数も一定値を
示した。
【００１９】（実施例２）出発原料としてＳｒＣＯ3 、
Ｇａ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 をモル比が３：１：４となるよう
に秤量し、これらを乾式混合後プレス成型し、直径５０
ｍｍ、高さ５０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍのＰｔ製坩堝に充
填し、高周波加熱によるチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈ
ｒａｌｓｋｉ）法により、結晶引き上げ速度１ｍｍ／時
間で、直径２０ｍｍの単結晶を育成した。なお、単結晶
の育成は、単結晶育成雰囲気として酸素雰囲気中（酸素
分圧が１ａｔｍ）で行われ、結晶引き上げ中は、結晶を
１０ｒｐｍで常に回転させた。
Ｇａ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 をモル比が３：１：４となるよう
に秤量し、これらを乾式混合後プレス成型し、直径５０
ｍｍ、高さ５０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍのＰｔ製坩堝に充
填し、高周波加熱によるチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈ
ｒａｌｓｋｉ）法により、結晶引き上げ速度１ｍｍ／時
間で、直径２０ｍｍの単結晶を育成した。なお、単結晶
の育成は、単結晶育成雰囲気として酸素雰囲気中（酸素
分圧が１ａｔｍ）で行われ、結晶引き上げ中は、結晶を
１０ｒｐｍで常に回転させた。
【００２０】その結果、単結晶育成中、原料の融液より
少量のＧｅＯ2 の蒸発が認められたが、長さ６０ｍｍ
で、気泡およびクラックのない、高品質な単結晶が得ら
れた。また、この結晶についても、粉末Ｘ線回折による
構造解析の結果、結晶引き上げ軸方向において、Ｓｒ3
Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14の単一相のみが観察され、格子定数も
一定値を示した。
少量のＧｅＯ2 の蒸発が認められたが、長さ６０ｍｍ
で、気泡およびクラックのない、高品質な単結晶が得ら
れた。また、この結晶についても、粉末Ｘ線回折による
構造解析の結果、結晶引き上げ軸方向において、Ｓｒ3
Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14の単一相のみが観察され、格子定数も
一定値を示した。
【００２１】なお、上述の実施例１において、単結晶育
成雰囲気として、酸素とともにＡｒやＮ2 などの不活性
ガスを主体として有することが好ましい。
成雰囲気として、酸素とともにＡｒやＮ2 などの不活性
ガスを主体として有することが好ましい。
【００２２】また、上述の各実施例では、Ｓｒ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14単結晶が例にして示されているが、この発明
は、その単結晶以外に、Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14のＣａ
サイトがアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イ
オンで置換された酸化物単結晶など、Ｇｅを構成元素と
して有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸
化物単結晶に適用され得る。
Ｇｅ4 Ｏ14単結晶が例にして示されているが、この発明
は、その単結晶以外に、Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14のＣａ
サイトがアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イ
オンで置換された酸化物単結晶など、Ｇｅを構成元素と
して有するＣａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸
化物単結晶に適用され得る。
Claims (8)
- 【請求項１】 出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中
で育成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、 前記出発原料の組成として、化学量論組成にＧｅＯ2 を
１．０ｗｔ％以下過剰に加えた組成を用いることを特徴
とする、酸化物単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の酸化物単結晶の製造方
法によって製造され、構成元素としてＧｅを有するＣａ
3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する、酸化物単結晶。 - 【請求項３】 Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14のＣａサイトが
アルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンで置
換された、請求項２に記載の酸化物単結晶。 - 【請求項４】 Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14である、請求項
３に記載の酸化物単結晶。 - 【請求項５】 出発原料の融液から単結晶育成雰囲気中
で育成され、Ｇｅを構成元素として有するＣａ3 Ｇａ2
Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、 前記単結晶育成雰囲気として、酸素分圧が２×１０-1ａ
ｔｍを超えるガスを用いることを特徴とする、酸化物単
結晶の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の酸化物単結晶の製造方
法によって製造され、構成元素としてＧｅを有するＣａ
3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14結晶構造を有する、酸化物単結晶。 - 【請求項７】 Ｃａ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14のＣａサイトが
アルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンで置
換された、請求項６に記載の酸化物単結晶。 - 【請求項８】 Ｓｒ3 Ｇａ2 Ｇｅ4 Ｏ14である、請求項
７に記載の酸化物単結晶。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28167996A JP3183192B2 (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | 酸化物単結晶の製造方法および酸化物単結晶 |
| EP97115850A EP0834605B1 (en) | 1996-10-02 | 1997-09-11 | Oxide single crystal and method of manufacturing thereof |
| DE69709018T DE69709018T2 (de) | 1996-10-02 | 1997-09-11 | Oxid-Einkristall und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US08/938,265 US5900054A (en) | 1996-10-02 | 1997-09-26 | Method of manufacturing oxide single crystal |
| CN97119363A CN1083498C (zh) | 1996-10-02 | 1997-09-30 | 氧化物单晶及其制备方法 |
| KR1019970050731A KR100220183B1 (en) | 1996-10-02 | 1997-10-01 | Oxide single crystal and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28167996A JP3183192B2 (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | 酸化物単結晶の製造方法および酸化物単結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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