JPS5859818A - ポリエステルフイルムの製造方法 - Google Patents

ポリエステルフイルムの製造方法

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JPS5859818A
JPS5859818A JP56158616A JP15861681A JPS5859818A JP S5859818 A JPS5859818 A JP S5859818A JP 56158616 A JP56158616 A JP 56158616A JP 15861681 A JP15861681 A JP 15861681A JP S5859818 A JPS5859818 A JP S5859818A
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acid
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瀬川 泰彦
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    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
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    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はポリエステルフィルムの製造方法に謁する。更
に詳しくは均一な高ヤング率逮リエステルフィルムの製
造方法に関する。 従来から、光学異方性溶融物を形成する性質をもつポリ
エステルが繊維に成形すると特異な挙動を示すことは知
られている。即ちこのポリマーは、溶融紡糸するのみで
ポリエステル分子が繊維軸方向に高度に配向し、高(、
・ヤング率の繊維となる。一方、このポリニスデルを溶
融法で製膜すると、上述の挙動から、ダイスリットを通
過する際に押出方向に分子配向が生じるものと推定され
、機械軸方向に高度に配向したフィルムが得られる。例
えば従来法によってT −ダイを用いて押出し製膜した
フィルムは機械軸方向に対しては極めて高強度(例えば
30ゆ/−以上)及び高ヤング率(例えば70 oM/
lj以上)を呈するが、これと直角な幅方向では強度(
例えば2kl?/−)及びヤング率(例えば1ooky
/gd)共に極めて低くなる。この結果、かかるポリエ
ステルフィルムは実用性がないか、あってもこの性質が
実用上大きな障害となり
【′〆 いる。そこで該フィルムを幅方向に延伸しよ5としても
、伸びる部分と伸びない部分とが発生し厚み斑の極めて
大きい実用性に乏しいフィルムしか得ることができない
。 本発明者は、かかる欠点なもたない均一な二軸配向性の
あるポリエステルフィルムを、光学異方性溶融物を形成
する性質のあるポリエステルを用いて製造する方法につ
いて研究を重ねた結果、本発明に到達した。 即ち、本発明は光学異方性溶融物を形成する性質をもつ
ポリエステルをスリンFより溶融押出してフィルムを製
造するにあたり、該スリットに少なくとも吐出側に多数
の細隙を有する板状多孔体を内股し、かつ重板状多孔体
の少な(とも吐出@衆面を加熱しながら、成る細隙を通
じて押出される溶融物が隣接する細隙を通じて押出され
る溶融物と接合して連続層を形成するように該ポリエス
テルを溶融押出すことを特徴とするポリエステルフィル
ムの製造方法である。 本発明において光学異方性溶融物を形成する性質をもつ
ポリエステルとは、溶融状態にあるポリマーが90に交
差した偏光子を備える光学系において偏光を通過させる
性質をもつポリエステルを言う。 かかるポリエステルとしては、たとえば1)テレフタル
酸、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸、ジ
フェニル−1,4,4’−ジカルボン酸、ジフェノオキ
シエタン−4,4′−ジカルボン酸、す7タレンー2,
6−ジカルボン酸。 トランスシクロ^キサンー1.4−ジカルボン酸等の如
き対称芳香族ジカルボン酸又は対称脂環族ジカルボン酸
;メチルテン7タル酸。 メトオキシテレフタル酸、クロルテレフタル酸、  7
’l=ムチレフタル酸、ジフェニルエーテル−2,2′
−ジメチル−4,4′−ジカルボン*。 ジフェノオキシエタン−2,2−ジクロル−4゜4′−
ジカルボン酸、トランスシクロヘキサン−1−メチル−
1,4−ジカルボン酸等の如き前記対称芳香族ジカルボ
ン酸又は脂環族ジカルボン酸の低級フルキル、低級アル
コキシ若しくはハロゲン核置換体などを主たる酸成分と
し、またハイドロキノン、4.4’−ジオキシジフェニ
ル、4.4’−ジオキシジフェニルエーテル、ビス(4
−オキシフェノオキシ)工、タン等の如き対称ジオキシ
芳香族化合物;クロルハイドロキノン、プpムノ飄イド
ロキノン。 メチルハイドロキノン、エチルノ翫イドpキノン、第3
級ブチルハイドロキノン、第3級アミルハイドルキノン
、フェニルノ\イドpキノン、2.2’−ジメチル−4
,4′−ジオキシジフェニル、3.3’−ジフトオキシ
−4,4′−ジオキシジフエニルエーテル、ビス(2−
クロル−4−オキシフェノオキシ)エタン等の如き前記
対称ジオキシ芳香族化合物の低級アルキル低級アルコキ
シ、アリール若しくはノ\pグン核置換体などを主たる
ジオール成分とするホモポリエステル又はフポリエステ
ル(以下ポリエステル■とする)、 2)p−オキシ安息香酸,4−オキ−797エ二ルー4
′−カルボン酸,3−クロル−4−オキシ安息香酸,3
−メトオキシ−4−オキシ安息香酸、3−エトオキシー
4−オキシ安局香酸、2−メチル−4−オキシ安息香酸
、3−メチル−4−オキシ安廖香酸、2−クロルー4−
オキシジフェニル−4′−カルボン酸吟の如き芳香族オ
キシカルボン酸及び/又はこれらの低級アルキル、低級
アルコヤシ若しくはハロゲン核置換体を主たる成分とし
て含むコポリエステル(以下ポリエステル■とする)を
あげることができる。 ここでポリエステル■に、共重合できる酸成呑としては
前記ポリエステル■の主たる成分となるオキシカルボン
酸類のほかにインフタル酸、ジフェニルエーテル−3,
3′−ジカルボン酸、ジフェノオキシエタン−3,3′
−ジカルボン酸、ナフタレン−1,6−ジカルボン酸。 m−オキシ安息香酸、5−メチルイソフタル酸、5−ク
ロルイソフタル酸、4−メチルインフタル酸、5−第3
級メチルイソフタル酸。 ジフェニルエーテル−4,4′−ジクロル−3,3′−
ジカルボン酸、ジフェニル−3,4′−ジメチル−4,
3′−ジカルボン酸、ジフェノオキシエタン−2,2′
−ジブロム−3,3′−ジカルボン酸。 ナフタレン−47−ジクロル−1,6−ジカルポン酸、
4−エトオキシ−3−オキシ安息香酸、炭酸、シクロヘ
キサン−1,3−ジカルボン酸などの芳香族ジカルボン
酸、芳香族オキシカルボン酸又は脂環族ジカルボン酸を
あげることができる。 一方、ポリエステル■に共重合する酸成分はポリエステ
ルIの前記主たる酸成分又は共重合成分となる前記酸成
分である。 また、ポリエステル■に共重合できるジオール成分とし
てはレゾルシン、3.3’−ジオキシジフェニル、3.
3’−ジオキシジフェニルエーテル、1.6−シオキシ
ナフタレン、ビス(3−ヒドロキシフェノオキシ)エタ
ン、2゜2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
、1.】−ビス(4−ヒト−キシフェニル)シクロヘキ
サン、4−クールレゾルシン、4−エトオキシレゾルシ
ン、4−ブロムレゾルシン t 4/−ジフトオキシ−
3,3′−ジオキシジフエニル <、 4/−ジメチル
−3,3′−ジオキシジフェニル t 4/−ジフトオ
キシ−3,3’−ジオキシジフエニルエーテル、2.4
/−ジクロル−3,3′−ジオキシジフェニルエーテル
、2゜5−ジクロル−1,6−ジヒドロ、キシナフタレ
ン z、 21−ジブロム−3,3′−ジオキシジフェ
ノオキシエタンなどの如き芳香族ジオキシ化合物又はこ
れらの低級アルキル、低級フルコキシ若しくはハロゲン
核置換体勢をあげることができる。 つぎに、ポリエステル■に共重合するジオール成分はポ
リエステルIの前記主たるジオール成分又は共重合成分
となる前記ジオール成分である。 本発明における好ましいポリエステルの具体例としては
、 (1)p−オキシ安息香酸とテレフタル駿、イソフタル
酸、ジフェノオキシエタン−4,4′−ジカルボン酸、
ジフェニルエーテル−4,4′−ジカルボン酸、ナフタ
レン−2,6−ジカルボン酸、ナフタレン−2,7−ジ
カルボン酸よりなる群から選ばれた1種又は2種以上と
、ハイドロキノン、レゾルシン、りpルハイドpキノン
、メチルハイドロキノン、第3級ブチルハイドロキノン
、第3級アミルハイドロキノン、4.4’−ジオキシジ
フェニル及び4.4′−ジオキシジフェニルエーテルよ
りなる群から選ばれたジオキシ芳香族化合物の1種又は
2種以上とのエステルより構成されるコポリエステル; (2)  テレフタル酸、ジフェニルエーテル−4,4
′−ジカルボン酸、ジフェニル−4,4′−ジカルボン
酸、ジフェノオキシエタン−4,4′−ジカルボン酸、
ナフタレン−2,6−ジカルボン酸よりなる群から選ば
れた1種又は2種以上と、ハイドロキノン、りpルハイ
ドロキノン、メチルハイドロキノン、第3級ブチルハイ
ドロキノン、第3級7ミルハイドpキノン、フェニルハ
イドルキノン、4.4’−ジオキシジフェニル及ヒ4.
4’−ジオキシジフェニルエーテルよりなる群から選ば
れた1種又は2mとのエステルより構成されるホモポリ
エステル又はフポリエステル; (3)  テレフタル酸とイソフタル酸とクロルハイド
ロキノン、メチルハイドロキノン、第3級ブチルハイド
ロキノン、第3級7′ミルハイドpキノン、及びフェニ
ルハイドロキノンよりなる群から選ばれた1種又は2種
以上とのエステルより構成されるフポリエステル などを゛あげることができる。 本発明において特に好ましいポリエステルは下記式(A
)、 (B)及び(C)で表わされる反復単位より実質
的に構成されるポリエステルである。 −f−叶O→0雪啼雪    ・・・匝・(C)[ただ
し、式中x:y及びx:zはいずれも]前記式(A)で
表わされる反復単位はp−オキシ安息香酸残基であり、
また式(B)で表わされる反復単位はテレフタル酸又は
イソフタル酸の残基であり、また式(C)で表わされる
反復単位はハイドロキノン、レゾルシン、4.4’−ジ
オキシジフェニル、3.3’−ジオキシジフェニル、3
.4’−ジオキシジフェニルなどの芳香族ジオールの一
基である。本発明において、ポリエステルの特に好適な
具体例は、 (1−1)p−オキシ安息香酸、インフタル酸及びハイ
ドロキノンを主たる成分とす るポリエステル; (1−2)p−オキシ安息香酸、テレフタル酸及びレゾ
ルシンを主たる成分とするポ リエステル; (1−3)p、−オキシ安息香豪、イソフタル酸及び4
,4′−ジオキシシフ、二ニルな主たる成分とするポリ
エステル などである。 本発明のポリエステルのうち、最も好ましいポリエステ
ルは(1−1)のポリエステルである。 本発明のポリエステルは従来公知の方法で製造すること
ができる。たとえば、 I)芳香族ジカルボン酸及び(又は)脂環族ジカルボン
酸とジオキシ芳香族化合物の低級脂肪族エステル(たと
えば酢醒エステル等)とを必要に応じて芳香族オキシカ
ルボン酸の低級脂肪酸エステル(たとえば酢酸エステル
等)と共に加熱重合させる; 11)芳香族ジカルボン酸及び(又は)脂環族ジカルボ
ン酸の7リールエステル(たとえば)工二ルエステル等
)とジオキシ芳香族化合物を、必要に応じて芳香族オキ
シカルボン酸のアリールエステル(たとえばフェニルエ
ステル岬)及び(又は)ジアリールカーボネート(たと
えばジフェニルカーボネート等)と共に加熱させる などの方法である。 本発明において前記式(A)、 (B)及び(C)で表
わされる反復単位より実質的に構成されるポリエステル
は具体的には、下記式(A’)、(B’)及び(C’)
でそれぞれ表わされるp−ヒドロキシ安息香酸及び/ま
たはその誇導体、ベンゼンジカルボン酸及び/またはそ
の誘導体並びにジオキシベンゼン及1/またはジオキシ
ジフェニル及び/またはそれらの誘導体を加熱重合させ
て得ることができる。 RrO+C−0−R露−−−(A’) RrO(H〇九0−Re      ・・・・・・・・
・(σ)上記式中、R1、&及びR・は水素原子、炭素
数7以下の低級アルカノイル基及びベンゾイル基よりな
る群からそれぞれ独立に選ばれ、R1,R8及びR1は
水素原子、炭素#16〜l?のアリール基及び炭素数6
以下の低級アルキ/l、基よりなる群からそれぞれ独立
に選ばれる。 本発明のポリエステルの製造は、従来公知の方法によっ
て行うことができるが、予めこれらの原料を重合温度が
たとえば320℃より低い温度で溶融重合(好ましくは
減圧下)し、ついで得られたプレポリマーを固相重合す
る方法の併用が好ましい。 このような方法によって見かけの溶融粘度が、すり速度
1oosec  (製膜温度)においてs、oo。 ポイズ以上、好ましくは10,00ボイズ以上、特に好
ましくは20. OOOボイズ以上である高重合度ポリ
エステルが得られる。ポリエステルの重合度があまり小
さいと得られるフィルムの強度用製膜して目的とするフ
ィルムを得ようとする際にフィルムがフィブリル化する
ので好ましくない。また、本発明のポリエステルは軟化
点が1jO〜380℃、好ましくは200〜350℃の
ものを選択する。 本発明においては前記ポリエステルの溶融物を少なくと
も吐出側に多数の細隙を有する板状多孔体を内股したス
リットから押出してフィルムを製造するが、その際蚊板
状多孔体の吐出側狭面を加熱しながら各細隙を通じて押
出される溶融物が接合してスリット横幅方向に連続層を
形成するように該ポリエステルを溶融押出す必要がある
。 前記板状多孔体は、更に具体的には、この吐出面が通常
使用されるフィルム用ダイスのスリット先端(リップ)
と同一面もしくはそれより好ましくは5■未満の内部に
位置するようK、該ダイスの溶融物通路に設けることが
好ましい。 板状多孔体として−は、金属もしくはこれと他の物体か
らなり、金網もしくは金網状のもの、多数の微小球が少
なくとも表層に密に充填もしくは配列され、焼結等によ
り固定された板状のもの、金属等の板状体に多数の細孔
をあけたものなどを例示することができる。板状多孔体
の各細隙は該板状体多孔体の内部でも、独立していても
良く、また該内部では隣接する細隙間を溶融ポリマーが
往来できる構造をとっていても良い。 場合によっては、往来できる構造をとるものが好ましい
ときもある。 板状多孔体の空隙率は15〜70%、特に20〜50チ
であることが好ましく、またこの厚さは0.01〜5 
M 、特に0.1−1 txであることが好ましい。更
にまた隣接する細隙間の平均距離は003〜2 m 、
特に0.06〜11111であることが好ましい。 スリットの幅は、目的とするフィルムの厚さによって適
宜選択することができるが、通常o、ot 〜1011
1、好ましくは0.1〜2 Illの範囲である。 本発明では前記ポリエステルの軟化点以上、好ましくは
軟化点より20’C以上高い温度で、%に好ましくは軟
化点より40’C以上高い温度で溶融押出しするが、そ
の際前記板状多孔体の少なくとも吐出@表面を加熱する
ことが必要である。加熱方法としては以下に述べる方法
が好ましい。 板状多孔体の吐出側表面を加熱するには該吐出側表面に
エネルギーを供給する必要があるが、その方法としては
例えば(1)該板状多孔体表面を自己発熱せしめる方法
、(I)伝熱により加熱する方法、 (IM)両者を併
用する方法郷がある。更に前記(1)の板状多孔体を自
己発熱せしめる方法としては、板、状多孔体表面を導電
体で構成し、これを直流又は交流電源と接続して通電せ
しめて、該板状多孔体表両に発生するジュール熱を利用
する方法(以下通電加熱法と呼ぶ);板状多孔体表面を
導電体で構成し、それに好適な周波数の誘導磁界を印加
し、うず電流を生成せしめ発熱せしめる所謂誘導加熱を
利用する方法;板状多孔体表面を誘導体で構成し、それ
に好適な周波数の電界を印加し、誘電損失を生じせしめ
発熱せしめる所謂誘電加熱を利用する方法等がある。ま
た前記(II)の板状多孔体表面を伝熱により加熱する
方法としては、板状多孔体表面自身又はその近傍を細管
で構成された組織体となし、該細管に加熱媒体を流して
該板状多孔体を加熱する方法(以下熱流体加熱法と呼ぶ
)等がある。 通電加熱法及び誘導加熱法に使用可能な素材としては、
白金、金、銀、銅、チタン、バナジウム、′タングステ
ン、イリジウム、モリブデン。 パラジウム、鉄、ニッケル、クローム、コバル)、鉛、
亜鉛、ヒスマス、スズ、アルミニウム等の金属単体;ス
テンレススチール、ニクロム。 タンタル、しんちゅう、りん青銅、ジュラルミン等の合
金;黒鉛、シリコーン、ゲルマニウム。 セレン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化鉄。 酸・化ニッケル等の主として半導体の性質を呈する無機
化合物;ポリアセチレン、ポリフェニレン等の半導体の
性質を呈する有機化合物等10−7〜10901程度の
比抵抗を有する物質を前記板状多孔体に形成したものが
有利に使用される。更に前記の導電、性物質の他、ガラ
ス球ビーズ表面を銀でコーティングし、−加圧接触せし
めて導電性とした構造体;アルミナ、ジルコニア等のセ
ラミックファイバーにアルミニウム等の導電性金属を蒸
着せしめ、加圧成形した導電性板状多孔体;多孔質セラ
ミック板を黒鉛粒子分散体に浸漬し、沈着せしめた導電
性板状多孔体構造等があげられ、その他加熱可能な構造
体も用いることができる。 上述の導電性板状多孔体を通電加熱する場合、通常0.
1〜数百V/αの電界、01〜数百7ンベ7の電流を印
加し、0.1〜数千w / cdのワット密度が用いら
れる。これらの値は使用目的に応じて変化し得るもので
あり、板状多孔体の材料の選定及び板状多孔体次面上 より所望の性質のものを得るこ、とができる。通電加熱
法の板状多孔体はダイスリットの先端(リップ)または
スリット途中に取付けられるが、該板状多孔体とダイス
本体の絶縁材は板状多孔体をどの温度まで昇温するかに
もよるが、通常芳香族ポリイミド、フッ素樹脂等の耐熱
性南機材料、セラミック板とシリカ、アルミナ。 ジルコニア等の無機接着剤の組みあわせ等が使用できる
。 一方、導電性板状多孔体表面を誘導加熱法で加熱する場
合、一般には板状多孔体表面とほぼ平行にコイルが配置
され、板状多孔体に対しほぼ垂直な磁界が印加され、板
状多孔体次面上にうず電流が生成され、ジュール熱が生
成する。 加熱周波数を高周波に選べば表皮効果のためうず電流の
浸透が浅くなり、表面のみの局部加熱が行なえる。成形
する前記ポリエステルの熱特性と装置の材料及び形状に
従い、コイルの配置。 磁界の弾さ2周波数を適当に組み合せて最適状態を得る
ことができる。 また、誘電加熱法に使用可能な板状多種体の表面材料は
、一般に誘電体損失を生じる物質であり、印加する電界
の周波数、成形する前記ポリエステルの性質にもよるが
、極性基を有するセラミックス郷が例示できる。板状多
孔体表面を誘電体特性の異なる材料で構成し、所定の周
波数の電界を印加して、局部的な温度分布を作ることが
可能である。 このような誘電性板状多孔体表面を誘電加熱法で加熱す
る時には通常、該板状多孔体表面と平行または垂直に電
極が配置される。板状多孔体表面に対し平行または垂直
な交番電界が印加され、誘電体損失を生じて発熱する。 熱流体加熱法に使用される細管は、好ましくは゛熱伝導
度の高いものであり、アルミニウム。 ステンレス鋼、鉄、鋼、しんちゅう、シリカ。 ニッケル、インコネル、タングステン、タンタル、モリ
ブデン、レニウム、チタン、ニオブ等の材料が使用され
る。熱媒体は使用温度、細管に適合するものが選ばれる
が、例えば水、アンモニア、メタノール、アセトン、フ
レオン11゜フレオン21.フレオン113 T C@
Fs +  1−ブタン、n−ペンタン、n−へブタン
、ベンゼン。 トルエン、ダウザム人、ダウサムB、DC200゜DC
209,モンサンドCP−9,ピリジン。 モアt7トCP−34,リチウム、ナトリウム。 カリウム、セシウム、水錯、鉛、インジウム。 錫等が液体又は気体で使用される。 かくして板状多孔体を加熱することにより、該板状多孔
体近傍の温度は一般的に′該近傍を囲むある範囲の領域
の温度よりも高くなる。このような温度の高い板状多孔
体をポリエステルの溶融物が通ること、により、以下に
述べるような効果が発現されるのである。 すなわち、本発明に用いるポリエステルは、ポリアルキ
レンテレフタレートやポリアルキレンナフタレンジカル
ボキシレートの製膜延伸の如く押出、冷却、加熱延伸、
冷却、第2軸延伸、熱処理などの方法の順序で製膜延伸
を施すことは至難である。例えば製膜稜−たん冷却した
のち、再加゛・熱して延伸すると均一に延伸できない場
合や均一な延伸が円滑にされなかったりし、11)伸配
向も低くなり、フィルムとしてヤング率して延伸しよう
とすると、延伸斑やひいてはフィルムの破損が生じ易く
、機械的性質や厚さに斑が生じ易い。 しかるに上述の方法によって押出したフィルムは一旦冷
却した後再加熱延伸しても均一に延伸でき、かつ高い強
度及びヤング率のフィルムとなすことができる。 スリットより押出された直後のポリエステルは溶融ポリ
エステルの押出された方向(以下機械軸方向と呼ぶ)に
多少配向しているが、そのままでは配向が不充分である
ので、延伸する必要が生じる。 本発明のフィルムは、機械的な方向及びこれと直角な方
向への延伸は同時に施すことができ、また逐次に二軸延
伸を施し得る。この延伸方法には、従来公知の技術が適
用できる。例えばスリットから出たフィルムを引取機で
引きとった後、まず機械軸方向に延伸し、次いで機械軸
と直角な方向に延伸する。また、スリットがら出たフィ
ルムを引取機(冷却ドラムなどを介して)で引取りなが
ら機械軸方向に分子配向せしめるように延伸する。次い
でフィルムの両端を金具で挾持し、機械軸に直角な方向
に伸張することができる。またインフレーション法や、
又例えばスリットから押出したフィルムの両端を金具で
挾み、金具が機械軸と直角な方向に動くとともに金具同
志の間隔が機械軸方向に伸びて機械軸方向にも延伸され
る、所謂同時二軸延伸法を用いることもできる。 かくして、強度及びヤング率の高い均一なフィルムが得
られる。 本発明では、機械軸方向に対し直角な方向における延伸
倍率は好ましくは12倍以上であり、特に好ましくは1
5〜10倍の範囲である。 本発明により得られるポリエステルフィルムは、高いヤ
ング率及び高い強度、すぐれたフィルム厚さの均−性及
び寸法安定性を有している。 更に寸法安定性や機械的強度を向上させる目的で、フィ
ルムをポリエステルの軟−死点以下の適当な温度域(た
とえば180〜300”(:、、好ましくは250〜3
00℃)で熱処理を施すことができる。この際0.01
〜lO分間緊張及び(又は)弛緩状態で熱処理するが、
またはポリエステルの固相重合条件下でポリエステルフ
ィルムを処理することによってヤング率1強度。 寸法安定性などを向上させることがでとる。 本発明の方法によれば、光学異方性溶融物を形成する性
質をもつポリエステルより溶融製膜法によりフィルムの
機械軸方向ばかりでな(、機械軸に対して直角な方向に
対してもすぐれた機械的性質をもつ均一なポリエステル
フィルムが得られる。 なお、本発明においてポリエステルの軟化点はポリエス
テル約lIIを直径ln、長さ5露のノズルを備えた高
化式フローテスターに仕込み、1ookg/dの圧力下
に室温より毎分10”Cの速度で昇温し、ポリマーが軟
化してノズルより流出を開始する温度であり、また、ポ
リエステルのすり速度(ra )及び見かけの溶融粘度
(ηa)は、測定温度で上述と同じく高化式フローテス
ターにより測定され、次式により計算される。 7m = 4Q / r” ηa = pr’ / 81Q 更にまた、フィルムのヤング率及び強度は幅5111+
 試料+ 20 mのフィルムをインストロン引張り試
験機にかけ、引張り速度を毎分100チとじて測定して
求める。 以下、実施例により本発明を説明する。なお実施例中「
部」とあるところは重量部を意味する。 実施例1 p−オキシ安息香酸フェニル116部、イソフタル酸ジ
フェニル114部及びノhイドpキノン42部を酢酸第
1スズ0.13部の存在下温度250〜290’Cで常
圧反応を2時間行い、次いで徐々に減圧に移行すると同
時に320℃まで昇温し、20 tlHgの減圧下で2
0分間溶融重合した。 得られた溶融重合ポリエステルを粉砕し、これを250
℃0.3■Hgのもとで8時間、更に270℃03.鞠
のもとで10時間同相重合し、350℃ずり速度xoo
sec−1における溶融粘度60.000ボイズの高重
合度ポリエステルを得た。 幅0.5smのスリットのリップより内部へ2.0謡の
位置へ直径約0.2諺のステンレス・スチールワイヤー
で作った空隙率的31%、lclM当りの細隙数的59
0の平織金網をとりつけ、この金網に約14 W / 
cdの電力を与え加熱し、ダイを370℃に加熱した。 このスリットより前記ポリエステルを吐出線速度o、a
m/分で押出し、得られたフィルムを一旦冷却後フイル
ムの幅方向の両端をクランプではさみ、250℃におい
て機械軸に直角な方向へ3倍延伸した。得られたフィル
ムの機械的性能及び厚みは表−1の通りである。 比較例1 ★施例1で用いたのと同じポリエステルを幅0.5四の
スリットより370℃で押出し、一旦冷却後得られたフ
ィルムを実施例1と同様にして延伸した。得られたフィ
ルムの機械的性能及び厚みを表−1に示す。 実施例2 直径0.2mのクランプ・ワイヤーで作られたレベル織
70メツシュの金網を用い、これに27W/−の電力を
与えて加熱する以外は実施例1と同様にして押出し、延
伸した。得られたフィルムの機械的性能及び厚みは表−
1の通りである。 表−l 秦フィルムの最も厚い部分と最もうすい部分の厚みの差
°(μ)で示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 光学異方性溶融物を形成する性質をもつポリエス
    テルをスリットより溶融挿出してフィルムな製造するに
    あたり、該スリットに少なくとも吐出側に多数の細隙を
    有゛する板状多孔体を内設し、かつ該板状多孔体の少な
    くとも吐出側表面を加熱しながら、成る細隙を通じて押
    出される溶融物が隣接する細隙を通じて押出される溶融
    物と接合して連続層を形成するように該ポリエステルを
    溶融押出すことを特徴とするポリエステルフィルムの製
    造方法。 2、 ポリエステルが下記式(ム)、(B)及び(C)
    の反復単位よりなるポリエステル 1 +0−O−C入       ・・・・・・・・・(A
    )であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    ポリエステルフィルムの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4960552A (en) * 1986-02-15 1990-10-02 Basf Aktiengesellschaft Production of sheetlike preshapes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4910258A (ja) * 1972-04-10 1974-01-29

Patent Citations (1)

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