JPS5858729A - 半田デイツプ装置 - Google Patents

半田デイツプ装置

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JPS5858729A
JPS5858729A JP15849281A JP15849281A JPS5858729A JP S5858729 A JPS5858729 A JP S5858729A JP 15849281 A JP15849281 A JP 15849281A JP 15849281 A JP15849281 A JP 15849281A JP S5858729 A JPS5858729 A JP S5858729A
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JP
Japan
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wafer
speed
solder
carrier
soldering
Prior art date
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Pending
Application number
JP15849281A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaharu Yamanaka
山中 正治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP15849281A priority Critical patent/JPS5858729A/ja
Publication of JPS5858729A publication Critical patent/JPS5858729A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743Apparatus for manufacturing layer connectors

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  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半田ディ、グ装置に関する。
従来、半導体ウェハのディラグ半田付けは半導体ウェハ
を治具にて保持し、手作業で行なっていた。
しかしながら、このような手作業では、作業者の熟練度
が低いと、ウェハに割れ、半田厚不良、ブリッジ不良等
が発生し、製品にばらつきが生じ、歩留りが低下してい
た。このため、作業者の熟練度にかかわらず安定したデ
ィラグ半田のできる装置が要望されてい友。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、作業者の熟練度にもかかわらず安定したディラグ牛
用ができ、もって半導体ウェハの割れ、半田厚不良、ブ
リ、シネ良等の発生を防止できる半田ディッゾ装置を提
t、−ることにある。              ・
 ・以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明す
る・911図は半田デ4yノ装置の全体構成図である。
同図において、11は支持台であ〕、この支持台11に
社ガイドレール12a。
11bが固定支持されている。このガイトレーk 11
 m 、 1 j bは支持台11における上部固定板
111の1藺に沿りて水平に配設され、かつその途中か
ら上部固定板11mの下方における中部固定板11bに
固定支持された半田槽XZO*画に対して垂直になるよ
うに配設されている。上部固定板11&の下部には駆動
モータ14が配設されている。この駆動モータ140軸
には駆動スジロケ、トホイール15がガイドレール11
m、11bの間に位置するように取〉付けられている。
t+1.yイドレール11g、Ilbの間には第2図に
示すように、従動スゲロケ、トホイール16.11が配
設されてお〉、この従動スグロケツ)ホイール16゜1
1と駆動スゲロケットホイール15とは、L字形7ラン
ジ付きのチェーン18によ〉連動するようになっている
。チェーン18のフランジにはリンクホルダが固定され
、このリンクホルダには第2図及び第3図に示すように
リンク19の一端がねじ20によυ回動自在に取シ付け
られている。リンク1pの他端はガイドレール12m、
12b上を移動するキャリア21に固定され九すンタホ
ルダ22にねじ2Jにより回動自在に取シ付けられてい
る。なお、従動スゾロケ、トホイール16,11の間に
はチェーンI8に張力管与える九めの従動スジロフトホ
イール24が設けられている。
すなわち、駆動モータ14が回転すると、キャリア21
がガイドレールl1m、12b上を停止位置から半田槽
isiで任意速度で往復移動するようになっている。t
た、111図においてキャリア21にはアームを介して
チャック26が固定され、このチャック26によってイ
ンデックステーブル2rからチャック位置まで   。
持ち上げられてきた半導体ウェハ28を水平状態で保持
するようになっている。2#はチャック1#のチャック
ピンが開いたときに、ウェハ2Iとチャックピンとを確
実に分離し、落下させるためのウニ^落下装置、SOは
ディ、fの終了していないクエ^j8をインデックステ
ーブル2r上からチャ、り位置まで持ち上げるためのウ
ニ^ローディンダ装置、11は停止位置においてチャッ
ク2dのチャックピンを開閉させる九めのチャック開閉
装置、32は半田槽IJの液面の酸化膜を取)除くため
の酸化膜除去装置である。なお、ll112図において
、A(停止位置)、B、C,D、E、F、G(ディプ1
位t)の各位置にはそれぞれセンサが設けられてお夛、
これらO点くおいてウェハ21の位置を検出するように
なっている。
次に、こO半田ディ、!装置の動作を説明する・まず、
スタートスイッチ′がオンすると、インデックステーブ
ル21が1ステツブ回動すると共に、ウェハミーディン
グ装置3oが動作してウェハ21が上昇する。同時に、
チャック開閉装置31が動作してチャ、り26のチャッ
クピンが開くと共に、酸化膜除去装置j2が1ナイクル
動作して半田槽13の液面における酸化膜を除去する。
次に、チャック2#が上昇してきたウェハ28を保持し
た状態で閉じる。゛これによシ、ウェハミーディング装
置3#は下降する。次に、駆動モータ14が駆動して、
駆動スゲロケットホイール15が回転する。これによp
キャリア21がガイドレール11*、11b上を移動し
、ウェハ28が停止位置ムからム→B→C→n→E −
+ 7−+ Qへと搬送される。G′点まで搬送された
ウェハ28は半田槽IJの液面に対し垂直に浸漬される
。そして、一定時間ウェハ28を半田槽13の中に保持
した後、駆動モータ14が逆回転して、ウェハ2#を上
昇させる。ここで1各位置検出点Q −+ F−+ f
、 −+ p→C→B→ムにおいて、第4図及び第5図
に示すような速度制御が行なわれ、キャリア21を任意
速度に可変しながら停止位置へ戻すようになりている。
キャリア21が停止位置に戻ると、クエ八落下装置2#
が下降すると共にチャック開閉装fltsxが動作して
チャ、り2−のチャ、クピンが開き。
ディップ半田の終了したウェハ28をインテ。
クステーツル1r上に落下させる。最後にウェハ落下装
置1gが上昇して1サイクルが終了する。
次に、上記速度制御方法について説明する。
第4図線、各検出位置A−Gにおける駆動モータ14へ
O入力信号を示す4めである。ζこでとの駆動モータ1
4の速度は170■/S/Vであル、第6図はその各検
出位置におけるキャリア21の速度を示している。すな
わち、G点においては、半田槽IS内のウェハ28を半
田槽IJから完全に引き上げるまでの速度を設定するも
のて1この地点の速度により、第7図(a) K示し九
半田の厚み−が定まる。2点においては、ウェハIlt
半田槽13かも完全に引き上げた後、垂直状態での速度
を設定する。E点においては、垂直状態のウェハ28を
水平にするときの速度を設定するe D ”’ B点に
おいては、水平状態になりたウエノ1zgの速*1徐々
に遅く設定する一A点(停止位置)においては、チ+y
り26の開閉動作により、ウェハ2gの交換を行う。
このディラグ半田装置においては、以下に示す点に注意
しなければならない、すなわち、■ G点のディプ1位
置よシウエノ%28を引き上げる際第6図に示す半田液
面とウエノSogの上端との距離すが10−以内でキャ
リアz1の速度を任意速報(870■/8)にしないと
、ウェハ28に付着される半田の厚みのが変化する・従
うて、駆動モータ14には立ち上シ特性の良いものが必
要である。
■ A点(停止位置)においてキャリア11を停止させ
る際に、衝撃が生じると第7図(f)に示すようなブリ
、シネ良が発生するため、従動スプロケットホイール1
rの中心点、キャリア    121のリンクホルダ2
zの固定点及びチェーン18とリンク1gの固定点が、
ム点において、第2図に示すように一直線になるように
して衝撃を防止する$ ■ 第6図に示すようにチャックビン261゜!#b、
!gsは半田の付着しない材質、例えばカーーンとする
と共に、3本で保持する構造として、接触面積を少なく
シ、ウエノZXSとチ4ツクぎン2gm、1εb、jg
eとの接触部分に半田が溜シにくいようにする。
なお、第4図、第5図において、E点板後の駆動モータ
14への入力信号と、キャリア260速度が同期してい
ないのは、キャリア2dとリンクl#が同時にガイドレ
ール1 j a 、1!b上を走らないことと、A点に
おいて停止する際の衝撃を無くす丸めにスゲロケ、トホ
イー羨11.1fI間に水平方向に対して傾きが設けら
れているためである・ このディ、f中日装置においては、次のような効果が得
られる。
■ ウエノ、21を半田槽13へ垂直に浸漬又紘引き上
げることができるため、ウエノS2gの割れが減少する
(手作業では垂直に浸漬させるのが難しく、ウェハ28
の割れが多発する。)。
■ ウェハ28を半田槽13から引き上げる速度が一定
であるので、半田の厚さaが一定にな夛、半田厚不良(
第7図(e) 、 (d) )が減少する。
■ ガイドレール12m、12bに沿ってキャリア21
を移動させる九め、振動及び衝撃が少なく、半田盛シネ
良(第7図(・))、ツリ、シネ良(第7図(f))が
減少する。
■ ウェハ28の大息さ又はパターンを変更する際は、
引き上げ時の各位置検出点の速度を変更することによシ
追従できる。
従って、熟練度の低い作業者でも均一な製品が生産でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る半田rイッグ装置の
構成を一部切欠して示す斜視図、第2図は同じく断面図
、第3図は同じく一部正爾図、第4図は上記装置の壺検
出点における駆動モータへの入力信号波形図、第5図は
各検出点におけるキャリアの速度を示す図、第6図はチ
状態を示す図である。 11−・支持台、12h、12b=fイドレール、11
−・・半田槽、14・−駆動モータ、21−・・キャリ
ア、1g−・σチャyり、!’7−・・インデックスチ
ーツル、28・−半導体ウエノ、、!!−1エバ% 下
装置、j#−・・ウエノ・ローディング装置、11・・
・チャック開閉装置 出願人代理士  弁理土鈴 江 武 彦3IF4 図 検1[這 検出装置 :*61図 6 )

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 支持台と、この支持台の下方部に設けられ九半田槽と、
    前記支持台の上面の所定位置から水平方向に延在する水
    平部、及び前記半田槽の液−面に対して垂直方向に延在
    する垂直部を有するように配設され友ガイドレールと、
    半導体ウェハを、前記ガイドレールの水平部においては
    、水平状態、垂直部においては垂直状態に保持したまま
    、前記支持台上の所定位置と前記半田槽内との間を往復
    移動させるウェハ搬送手段と、この搬送手段に対し半導
    体ウェハを順次供給するウェハ供給手段と、前記ウェハ
    搬送手段の速度制御を行う速度制御手段とを具備したこ
    とを特徴とする半田ディ、グ装置。 (2)前記速度制御は、半導体ウェハを、半田槽に一定
    速度で垂直に浸漬させ、所定時間保持した後、一定速度
    で半田槽から引き上げ、所定時間内に水平KL、滑らか
    に減速して停止させるように行う特許請求の範囲第1項
    記載の半田デイツプ装置。
JP15849281A 1981-10-05 1981-10-05 半田デイツプ装置 Pending JPS5858729A (ja)

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JP15849281A JPS5858729A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 半田デイツプ装置

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JPS5858729A true JPS5858729A (ja) 1983-04-07

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JP15849281A Pending JPS5858729A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 半田デイツプ装置

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JP (1) JPS5858729A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5186719A (en) * 1990-04-23 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for conveying semiconductor lead frame strip using guide rails
US5264002A (en) * 1990-04-23 1993-11-23 Mitsubishi Danki Kabushiki Kaisha Method for conveying semiconductor lead frame strip with an apparatus having vertically movable guide rails
US6065950A (en) * 1993-11-30 2000-05-23 Spiess; Armin System for manufacturing molded articles and engineering mold cavities

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5186719A (en) * 1990-04-23 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for conveying semiconductor lead frame strip using guide rails
US5264002A (en) * 1990-04-23 1993-11-23 Mitsubishi Danki Kabushiki Kaisha Method for conveying semiconductor lead frame strip with an apparatus having vertically movable guide rails
US6065950A (en) * 1993-11-30 2000-05-23 Spiess; Armin System for manufacturing molded articles and engineering mold cavities

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