JPS5858147A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5858147A JPS5858147A JP15641281A JP15641281A JPS5858147A JP S5858147 A JPS5858147 A JP S5858147A JP 15641281 A JP15641281 A JP 15641281A JP 15641281 A JP15641281 A JP 15641281A JP S5858147 A JPS5858147 A JP S5858147A
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- Japan
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- electrode
- gas
- potential
- ions
- plasma
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- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガスによるプラズマ中に被処理材を配置し、こ
のプラズマによって被Ｊ６ＩＩ材の＊ｍ処薯を行なうプ
ラズマ処理装置に関するものである。
のプラズマによって被Ｊ６ＩＩ材の＊ｍ処薯を行なうプ
ラズマ処理装置に関するものである。
この樋の表面処理装置は、真空魁塩童内にたとえばアル
ゴンガスやヘリウムガスなどのガスを供給するとともに
電極間に高周波電圧を印加してこの特定ガスのプラズマ
を尭生させ、そのプラズマ中に被処理材を配重しガスイ
オンをこの被処理材表−に入射させることによって表向
処理を行なう装置である。表向処理には耐水性を増大さ
せる姐瑞、！ＩＩＩＩ性を増大する処理、さら１こは表
向硬化処理などがある。
ゴンガスやヘリウムガスなどのガスを供給するとともに
電極間に高周波電圧を印加してこの特定ガスのプラズマ
を尭生させ、そのプラズマ中に被処理材を配重しガスイ
オンをこの被処理材表−に入射させることによって表向
処理を行なう装置である。表向処理には耐水性を増大さ
せる姐瑞、！ＩＩＩＩ性を増大する処理、さら１こは表
向硬化処理などがある。
このような表向処理において処理を均一に行なうために
は、特に被処理物が長い材料の場合これをプラズマ中で
回転させるのが効果的である。しかしながら、この槌の
材料を回転させながら処理璽内を真空状態に維持して挿
通（Ｓ送）するのは寮際上圃龜である。これは真空状態
を維持するためのシール機構をＩＩ−にし特殊な回転部
動機構を必要として＠置を複雑かつ大形化するからであ
る。
は、特に被処理物が長い材料の場合これをプラズマ中で
回転させるのが効果的である。しかしながら、この槌の
材料を回転させながら処理璽内を真空状態に維持して挿
通（Ｓ送）するのは寮際上圃龜である。これは真空状態
を維持するためのシール機構をＩＩ−にし特殊な回転部
動機構を必要として＠置を複雑かつ大形化するからであ
る。
また一時的にでもプラズマ処理により被処理材料の表面
の電位◆のムラが生じると処理が均一に行なわれない。
の電位◆のムラが生じると処理が均一に行なわれない。
本発明は、以上の点にかんがみ被処理物のＩｎにプテズ
マ尭生のための電極とは員なる１１Ｅ位の金網状電極を
設置し、ガスイオンがこの金網状亀極のメツシュを通過
して被感理材料表面に入射されることにより均一な表面
処理を可能にしたものである。
マ尭生のための電極とは員なる１１Ｅ位の金網状電極を
設置し、ガスイオンがこの金網状亀極のメツシュを通過
して被感理材料表面に入射されることにより均一な表面
処理を可能にしたものである。
以下図示東施例を説明する。
図においてｌは処理室で、その両端部には被処理材とし
ての長尺材料Ｗを処［１１１１内を気密にして矢印方向
に押通させるためのシール機構が設置されている。１５
は排気ポンプで排気５ｉｌｏを介して処理室１を高真空
たとえば１０−ＩＴｏｒｒｇ度までに排気する。排気Ｗ
１０は長尺材料Ｗがその中心を貫通できるように環状形
をなし、処１１１１１はその１１面に付設された排気ノ
ズルｌＯＭを介して排気される。
ての長尺材料Ｗを処［１１１１内を気密にして矢印方向
に押通させるためのシール機構が設置されている。１５
は排気ポンプで排気５ｉｌｏを介して処理室１を高真空
たとえば１０−ＩＴｏｒｒｇ度までに排気する。排気Ｗ
１０は長尺材料Ｗがその中心を貫通できるように環状形
をなし、処１１１１１はその１１面に付設された排気ノ
ズルｌＯＭを介して排気される。
４．５はこの排気によって一空とされる処ｌｉｔ寵ｌ内
において長尺材料Ｗをはさむ状態で配設された電極であ
り＾周波電源６より一定の高電圧が印加される。９はガ
ス源１１からの特定ガスたとえばアルゴンガスをこの処
１１１ｉ［１内に供給するガス供給器で、排気＠１０と
同様環状形をなし１その中心部を長尺材料Ｗが貫通でき
る形となっている。
において長尺材料Ｗをはさむ状態で配設された電極であ
り＾周波電源６より一定の高電圧が印加される。９はガ
ス源１１からの特定ガスたとえばアルゴンガスをこの処
１１１ｉ［１内に供給するガス供給器で、排気＠１０と
同様環状形をなし１その中心部を長尺材料Ｗが貫通でき
る形となっている。
真空室１内にガスが供給され真空度が１０″″２Ｔｏｒ
ｒないし数ＴＯｒｒになった伏動で電極４．５間に一定
の電圧が印加されると、プラズマが生成されガスイオン
が長尺材料Ｗの表１１ｋｌｔｃ入射されて表面処理が行
なわれる。
ｒないし数ＴＯｒｒになった伏動で電極４．５間に一定
の電圧が印加されると、プラズマが生成されガスイオン
が長尺材料Ｗの表１１ｋｌｔｃ入射されて表面処理が行
なわれる。
１２はガス流量コントローラである。また、１３．１４
はガス供給系および排ｇＩＬ系に介在されたベローズで
、処理室１をアース電位から浮かせるための絶縁スペー
サ１６と同様の機能をもつ。
はガス供給系および排ｇＩＬ系に介在されたベローズで
、処理室１をアース電位から浮かせるための絶縁スペー
サ１６と同様の機能をもつ。
以上の構成において、ガスイオンの長尺材料Ｗへの入射
を均一に行なわしめるために、金網状の電１１７が被処
理材料の表面に近接しかつこれを包囲するように設置さ
れている。８はこの電１ｉ７に低電位を印加する直流電
源である。
を均一に行なわしめるために、金網状の電１１７が被処
理材料の表面に近接しかつこれを包囲するように設置さ
れている。８はこの電１ｉ７に低電位を印加する直流電
源である。
このような構成において、いま［＆４．５間に適当な高
周波電圧が印加されると、ガスイオンはある平均的電位
をもつことになり、処理室１もまたこれらイオンの入射
によっである電位にチャーｙ＃れる。このとき低電位電
極７の電位なガスイオンの平均的電位および処理１１１
の帯電電位の何れに対しても低い適当な値に設定すれば
ガスイオンはこの電＆７によって導びかれることになる
。
周波電圧が印加されると、ガスイオンはある平均的電位
をもつことになり、処理室１もまたこれらイオンの入射
によっである電位にチャーｙ＃れる。このとき低電位電
極７の電位なガスイオンの平均的電位および処理１１１
の帯電電位の何れに対しても低い適当な値に設定すれば
ガスイオンはこの電＆７によって導びかれることになる
。
この場合、もし電極７の電位を非常に低い電位に設定す
ればガスイオンはすべてこの電極）に入射されて長尺材
料Ｗの表面には入射されずプラズマ処理は行なわれなく
なる。した・かって、このよ５な與象が生じない程度の
造画な低電位に電−フの電位を設定すると、ガスイオン
は加速されるままに電極７のメツシュを通過して被処理
材料Ｗの表面に入射する。この場合、金網状の電極フの
メツシュを通過するとき、ガスイオンは均一に分布され
表面処理が均一に行なわれる。
ればガスイオンはすべてこの電極）に入射されて長尺材
料Ｗの表面には入射されずプラズマ処理は行なわれなく
なる。した・かって、このよ５な與象が生じない程度の
造画な低電位に電−フの電位を設定すると、ガスイオン
は加速されるままに電極７のメツシュを通過して被処理
材料Ｗの表面に入射する。この場合、金網状の電極フの
メツシュを通過するとき、ガスイオンは均一に分布され
表面処理が均一に行なわれる。
本発明においてプラズマ処理を効果的に行なうためには
、低電位電極フの電位の設定と電極フと被処理材料Ｗと
の間の距離の設定を適当に行なわなければならない。
、低電位電極フの電位の設定と電極フと被処理材料Ｗと
の間の距離の設定を適当に行なわなければならない。
本発明は図示例に限定されるものではない。たとえば図
示例ｔこおいてはプラズマを生成するための電極が処理
室内に設置されているが１富外に設置されてもよい。ガ
ス供給系および排気系も種々の構成が可能である。金網
状電極は、多孔板状のものでもよく、要は細かいメツシ
ュ状電極であればよい。被処理材としては長尺円棒状材
料、例えば電線を被覆したポリエチレン材料のみならず
角状あるいは他の形状であってもよい。特定ガスもアル
ゴンガスに限定されない。
示例ｔこおいてはプラズマを生成するための電極が処理
室内に設置されているが１富外に設置されてもよい。ガ
ス供給系および排気系も種々の構成が可能である。金網
状電極は、多孔板状のものでもよく、要は細かいメツシ
ュ状電極であればよい。被処理材としては長尺円棒状材
料、例えば電線を被覆したポリエチレン材料のみならず
角状あるいは他の形状であってもよい。特定ガスもアル
ゴンガスに限定されない。
以上のように本発明によれは被処纏物のプラズマ表面処
理を均一に行なうことかでｔ被処理材げ品質向上にきわ
めて有効なプラズマ処理装置が得られる。
理を均一に行なうことかでｔ被処理材げ品質向上にきわ
めて有効なプラズマ処理装置が得られる。
図は本発明の−＊施例の概略縦断面図である。
１・・・処理室、 ２．３・・・シール機構、４．
５・・・電極、 ６・・・ｉｉｍ周波電源、７・・・
金網状低電位電極、 ８・・・直流電源、 ９・・・ガス供給器、１０・・
Ｏ排気器、 １１・・・ガス源、１３．１４・・・ベ
ローズ、 １５・・ｅ排気ポンプ、１６・・・絶縁スペーサ。
５・・・電極、 ６・・・ｉｉｍ周波電源、７・・・
金網状低電位電極、 ８・・・直流電源、 ９・・・ガス供給器、１０・・
Ｏ排気器、 １１・・・ガス源、１３．１４・・・ベ
ローズ、 １５・・ｅ排気ポンプ、１６・・・絶縁スペーサ。
Claims (1)
- 電極間に一定の電位を印加して魁聰富内に特定ガスによ
るプラズマを生威し、その中に被処理材を配置し前記プ
ラズマによるガスイオンを前記被魁珈材表園に入射させ
ることによって表面ＩＩ＆場を行なう装置において、前
記電極よりも低電位に設定されかつ１紀被処珈材のｓ１
１！ｌに近接してこれを包囲する金網状電極を付設した
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641281A JPS5858147A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641281A JPS5858147A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858147A true JPS5858147A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15627177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15641281A Pending JPS5858147A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858147A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58193361A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-11 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS59193266A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-11-01 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0263992U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-14 | ||
| FR2683113A1 (fr) * | 1991-10-23 | 1993-04-30 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositif de traitement de surface par decharge couronne. |
| WO1994007680A1 (de) * | 1992-10-01 | 1994-04-14 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur oberflächenbehandlung von kunststoffteilen |
| KR100455428B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 연속표면처리장치의 가스플로우 구조 |
| DE19740097B4 (de) * | 1997-09-15 | 2012-03-29 | Kaco Gmbh + Co | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Teilen aus schwer aktivierbaren Kunststoffen sowie Anlage zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145435A (en) * | 1974-10-16 | 1976-04-17 | Toyota Auto Body Co Ltd | Shatsutaano boshinbosuisochi |
| JPS5676242A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Treating apparatus using gas plasma reaction |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15641281A patent/JPS5858147A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145435A (en) * | 1974-10-16 | 1976-04-17 | Toyota Auto Body Co Ltd | Shatsutaano boshinbosuisochi |
| JPS5676242A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Treating apparatus using gas plasma reaction |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58193361A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-11 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS59193266A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-11-01 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6151632B2 (ja) * | 1983-03-14 | 1986-11-10 | Stanley Electric Co Ltd | |
| JPH0263992U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-14 | ||
| FR2683113A1 (fr) * | 1991-10-23 | 1993-04-30 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositif de traitement de surface par decharge couronne. |
| WO1994007680A1 (de) * | 1992-10-01 | 1994-04-14 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur oberflächenbehandlung von kunststoffteilen |
| DE19740097B4 (de) * | 1997-09-15 | 2012-03-29 | Kaco Gmbh + Co | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Teilen aus schwer aktivierbaren Kunststoffen sowie Anlage zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
| KR100455428B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 연속표면처리장치의 가스플로우 구조 |
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