JPS5856539A - 半導体レ−ザのｆｍ変調器 - Google Patents
半導体レ−ザのｆｍ変調器Info
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- JPS5856539A JPS5856539A JP56154970A JP15497081A JPS5856539A JP S5856539 A JPS5856539 A JP S5856539A JP 56154970 A JP56154970 A JP 56154970A JP 15497081 A JP15497081 A JP 15497081A JP S5856539 A JPS5856539 A JP S5856539A
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- Japan
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- optical
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザを用いたＦＭ変調器に関丁。更
に説明を加えるならば、該変調回路の負帰還回路にファ
ブリーペローエダロンヲ挿入して、光搬送波周波数を安
定した半導体レーザＦＭ変調器である。
に説明を加えるならば、該変調回路の負帰還回路にファ
ブリーペローエダロンヲ挿入して、光搬送波周波数を安
定した半導体レーザＦＭ変調器である。
従来、半導体レーザのＰＭ変ｌ１Ｉｌは光の振動数より
数ケタ低い副搬送波（８，Ｃ）８用いて行っている。第
１図は従来例のＦＭｌｅ＠万式のプロ、り図を示す・ 図１こ８いて、゛′入力信号１はＦＭ変１１４１）２に
て副搬送波（８，Ｃ）３を変調し、被変調ａｍ号は半導
体レーザ（以下レーザと記丁）４にてｊｔ（１号に変換
される。
数ケタ低い副搬送波（８，Ｃ）８用いて行っている。第
１図は従来例のＦＭｌｅ＠万式のプロ、り図を示す・ 図１こ８いて、゛′入力信号１はＦＭ変１１４１）２に
て副搬送波（８，Ｃ）３を変調し、被変調ａｍ号は半導
体レーザ（以下レーザと記丁）４にてｊｔ（１号に変換
される。
以上のＦＭ変調器において、光信号より数ケタ低い副搬
送波を使用Ｔるため、変調帯域が広くとｎない欠点や、
副搬送波を必要とするため、回路構成が複雑になる等の
難点がある。
送波を使用Ｔるため、変調帯域が広くとｎない欠点や、
副搬送波を必要とするため、回路構成が複雑になる等の
難点がある。
本発明は上記の難点を解決するために、ｆｔ、搬送波を
安定化し、入力信号で直接ＦＭ変調することｌこより、
従来の変調方式より副搬送波を除した新規な半導体レー
ザＦＭ変１ｌｌｌ器を提供する。
安定化し、入力信号で直接ＦＭ変調することｌこより、
従来の変調方式より副搬送波を除した新規な半導体レー
ザＦＭ変１ｌｌｌ器を提供する。
この目的のために、半導体レーザの光出力み−部を２分
割し、一方の光路にファプリーペローエタロンを挿入し
、両方の光路の光出力を夫々に対応した第１及びｉｉｇ
Ｚ光検波器で受光し、該纂ｌ及び第２光検波器の夫々の
出力は、夫々に対応したＩｇｌ差動増Ｉｌｉ！器の正或
いは反転端子に入力し、該第１差動増幅器の出力と入力
信号を第２差動増幅器に入力し、該増幅器の出力を入力
信号と共に直流バイアス信号が与えられているレーザに
負帰還して周波数の安定化を行った牛導体し−ザＦＭ変
銅器である。
割し、一方の光路にファプリーペローエタロンを挿入し
、両方の光路の光出力を夫々に対応した第１及びｉｉｇ
Ｚ光検波器で受光し、該纂ｌ及び第２光検波器の夫々の
出力は、夫々に対応したＩｇｌ差動増Ｉｌｉ！器の正或
いは反転端子に入力し、該第１差動増幅器の出力と入力
信号を第２差動増幅器に入力し、該増幅器の出力を入力
信号と共に直流バイアス信号が与えられているレーザに
負帰還して周波数の安定化を行った牛導体し−ザＦＭ変
銅器である。
以下、図面に基づいて本発明を説明する。ｌＩ２図はレ
ーザに直流バイアス１！ｃ流ＩＪＥ−流したときの光出
力を示すもので、バイアス電Ｋ１１において、レーザは
発振状態になり％７Ｃなる光信号を発振する。この条件
で、バイアス点（工、）に信号ｆｍを加えると、光信号
ｆｃは信号ｆｓによってＦＭ変調がかけられる。この場
合元信号ｆｃは温度。
ーザに直流バイアス１！ｃ流ＩＪＥ−流したときの光出
力を示すもので、バイアス電Ｋ１１において、レーザは
発振状態になり％７Ｃなる光信号を発振する。この条件
で、バイアス点（工、）に信号ｆｍを加えると、光信号
ｆｃは信号ｆｓによってＦＭ変調がかけられる。この場
合元信号ｆｃは温度。
電源の変動によって変動する。ＦＭ変１１Ｊこおいて光
消１ｃ（＝搬送波になる。）が変動するとＡ変ｔＪ４ｐ
Ｉｔ行うことが出来ない。
消１ｃ（＝搬送波になる。）が変動するとＡ変ｔＪ４ｐ
Ｉｔ行うことが出来ない。
この解決策として、レーザ発振部に負帰還回路をＳ成し
て、温度及び電源変動による信号の変動を抑圧下も◎ このために負珊ｆｆｉ回路の元信号をファプリーペロー
エタロン（平行に仕上げられたｍ折率一様なガラス等の
板）全通丁ことｌこよってその周波数変化を強度変化ｌ
こ変換する。
て、温度及び電源変動による信号の変動を抑圧下も◎ このために負珊ｆｆｉ回路の元信号をファプリーペロー
エタロン（平行に仕上げられたｍ折率一様なガラス等の
板）全通丁ことｌこよってその周波数変化を強度変化ｌ
こ変換する。
胤３図（ａｌは７丁ブリーベ口−エダロン１１の構成を
示すもので、平面平行板番こ仕上げられたガラス板等で
作られ、屈折率ｎ％ＪＩｌざｄｌのとき、波長λ（ラム
ダ）の元１Ｍ号が通過Ｔ心。ファプリーベローエタロン
ｌｌの中の位相遅れδは、δ＝４＋／２１１ｎｄとなる
。この場合元信号ｆｃの透過は、第３図（ｂ）の如くな
る。
示すもので、平面平行板番こ仕上げられたガラス板等で
作られ、屈折率ｎ％ＪＩｌざｄｌのとき、波長λ（ラム
ダ）の元１Ｍ号が通過Ｔ心。ファプリーベローエタロン
ｌｌの中の位相遅れδは、δ＝４＋／２１１ｎｄとなる
。この場合元信号ｆｃの透過は、第３図（ｂ）の如くな
る。
ｆｂＪ図はλ（横軸）に対する透過光（縦軸）の強眞を
示Ｔもので、通過丁６元の強度はλに対して友化丁６゜
λＱ１こ動作点を持つようにファプリーペローニゲロン
ｔｎの厚さを選べば、波長λ（周波数）の変化に比例し
て光の強度が変化する。
示Ｔもので、通過丁６元の強度はλに対して友化丁６゜
λＱ１こ動作点を持つようにファプリーペローニゲロン
ｔｎの厚さを選べば、波長λ（周波数）の変化に比例し
て光の強度が変化する。
第４図は本＠明の実施例を示す。図蒼こおいて、レーザ
４Ｉｃ端子５より第２図に示した如き直流バイアスＤＣ
をかけ、この状態で信号８１と東帰還ｒレープの第２差
動増幅器６の出力と共に合成回路７に入力し、その出力
をレーザ４に人力する０これにより、信号８１の変化に
対応したＦＭ変調が行われる。
４Ｉｃ端子５より第２図に示した如き直流バイアスＤＣ
をかけ、この状態で信号８１と東帰還ｒレープの第２差
動増幅器６の出力と共に合成回路７に入力し、その出力
をレーザ４に人力する０これにより、信号８１の変化に
対応したＦＭ変調が行われる。
ここで、レーザ４の発振出力（光信号ｆＣ）を安定させ
るために、次の如き負帰還回路を構成する。即ちレーザ
４の出力の一部をレンズ８で集光し、＄１光ｗ１９！こ
ファプリーベローエタロン１１を挿入する。これにより
ＦＭ信号はファプリーベローエタロン１１によって周波
数変動に従りて党の強度が変化する。この透過光はレン
ズ１２を介して第１光検波器１３で検波され、その検波
信号は第１差動増幅４９１４の反転入力端子に入力する
０一方ＩＩ！２１３１０の元信号はレンズ１５を介して
第３検波器１６にて検波ざｎｌその検波信号は謳ｌ差動
増幅器１４の非反転入力端子に入力される。
るために、次の如き負帰還回路を構成する。即ちレーザ
４の出力の一部をレンズ８で集光し、＄１光ｗ１９！こ
ファプリーベローエタロン１１を挿入する。これにより
ＦＭ信号はファプリーベローエタロン１１によって周波
数変動に従りて党の強度が変化する。この透過光はレン
ズ１２を介して第１光検波器１３で検波され、その検波
信号は第１差動増幅４９１４の反転入力端子に入力する
０一方ＩＩ！２１３１０の元信号はレンズ１５を介して
第３検波器１６にて検波ざｎｌその検波信号は謳ｌ差動
増幅器１４の非反転入力端子に入力される。
第１光路９の光信号と＠２光路ＩＯの光信号の差に比例
した出力が第２差動増幅器６の非反転入力端子に入力さ
れ、該増幅器６の他のｆＬ＠入力端子５こは入力信号Ｓ
１’が入力されている。
した出力が第２差動増幅器６の非反転入力端子に入力さ
れ、該増幅器６の他のｆＬ＠入力端子５こは入力信号Ｓ
１’が入力されている。
ここで、温度変動、電源変動がない場合についリーベロ
ーエタロン１１を通って第１党検出器１３に入射するレ
ーザ光は信号Ｓ１の周波数及び振幅に従って強度が変化
している。一方案２光検出器１６出力は信号Ｓｌの振幅
に従って強度が変化している、従りて第１１第２光横出
器１３．１４の出力を第１差動増幅ｉｔ！１ｉ１４に入
力すると、第１差動増幅器１４からは、信号８にの周波
数成分に対応した強度変化分のみが出力される。この第
１差動増幅器１４の出力Ｓ、と信号Ｓ、／の振幅を等し
くして８くと、第２差動増幅器６からは、出力が得られ
ない。
ーエタロン１１を通って第１党検出器１３に入射するレ
ーザ光は信号Ｓ１の周波数及び振幅に従って強度が変化
している。一方案２光検出器１６出力は信号Ｓｌの振幅
に従って強度が変化している、従りて第１１第２光横出
器１３．１４の出力を第１差動増幅ｉｔ！１ｉ１４に入
力すると、第１差動増幅器１４からは、信号８にの周波
数成分に対応した強度変化分のみが出力される。この第
１差動増幅器１４の出力Ｓ、と信号Ｓ、／の振幅を等し
くして８くと、第２差動増幅器６からは、出力が得られ
ない。
一万第３図（ｂ）から明らかな如く、温度、電源変動等
でレーザ４の発振周波数がΔｆ増加するとファプリーベ
ローエタン１１により、光の強度が大きくなり、＠１元
検知＠１３からの出力が大きくはｊ１３光路、２０は第
４光路、２１．２２はレンズ、２３は纂３光検波器、２
４は第４党検波器、２５は＠３差差動幅器を示す＠ １１＠
でレーザ４の発振周波数がΔｆ増加するとファプリーベ
ローエタン１１により、光の強度が大きくなり、＠１元
検知＠１３からの出力が大きくはｊ１３光路、２０は第
４光路、２１．２２はレンズ、２３は纂３光検波器、２
４は第４党検波器、２５は＠３差差動幅器を示す＠ １１＠
Claims (1)
- 光導体レーザの光出力の一部を２分割して両方の光路に
入力し、一方の光路にファプリーベローエタロンを挿入
し、咳両方の光路の光出力は夫々に対応した第１光検波
器、第２党検波器に入力し、該１１１党検波器、＠２光
検波器の出力は夫々に対応したＮｌ差動増幅器の正端子
と反転端子に入力され、該１１ｘｌ差動増幅器の出力は
第２差動増幅器の正１子（或いは反転端子）に入力され
、番人力信号の１ｍは該第２差動増幅器の反転端子（或
いは正端子）に入力され、該第２差動増幅器の出力と前
記入力信号とは合成回路に入力され、骸合成回路の出力
は該半導体レーザに入力されることを特徴とした半導体
レーザＦＭ変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154970A JPS5856539A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体レ−ザのｆｍ変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154970A JPS5856539A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体レ−ザのｆｍ変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856539A true JPS5856539A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0117614B2 JPH0117614B2 (ja) | 1989-03-31 |
Family
ID=15595863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154970A Granted JPS5856539A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体レ−ザのｆｍ変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856539A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4652435A (en) * | 1984-12-13 | 1987-03-24 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Stabilized ferrous compound composition |
| EP1133034A2 (en) * | 2000-03-10 | 2001-09-12 | Nec Corporation | Wavelength stabilized laser module |
| EP1215777A2 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-19 | Nec Corporation | Wavelenght stabilizing unit and wavelenght stabilized laser module |
| JP2004247585A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 波長安定化ユニット及び波長安定化光送信モジュール |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56154970A patent/JPS5856539A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4652435A (en) * | 1984-12-13 | 1987-03-24 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Stabilized ferrous compound composition |
| EP1133034A2 (en) * | 2000-03-10 | 2001-09-12 | Nec Corporation | Wavelength stabilized laser module |
| EP1133034A3 (en) * | 2000-03-10 | 2003-11-12 | Nec Corporation | Wavelength stabilized laser module |
| US6788717B2 (en) | 2000-03-10 | 2004-09-07 | Nec Corporation | Wavelength stabilized laser module |
| EP1215777A2 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-19 | Nec Corporation | Wavelenght stabilizing unit and wavelenght stabilized laser module |
| EP1215777A3 (en) * | 2000-12-18 | 2003-11-26 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Wavelenght stabilizing unit and wavelenght stabilized laser module |
| US6711188B2 (en) | 2000-12-18 | 2004-03-23 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Wavelength stabilizing unit and wavelength stabilized laser module |
| JP2004247585A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 波長安定化ユニット及び波長安定化光送信モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117614B2 (ja) | 1989-03-31 |
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