JPH01172934A - 非線形光学素子 - Google Patents
非線形光学素子Info
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- JPH01172934A JPH01172934A JP33196787A JP33196787A JPH01172934A JP H01172934 A JPH01172934 A JP H01172934A JP 33196787 A JP33196787 A JP 33196787A JP 33196787 A JP33196787 A JP 33196787A JP H01172934 A JPH01172934 A JP H01172934A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザを応用した光情報処理、光加工及び光
応用計測制御分野に使用する非線形光学素子に関するも
のである。
応用計測制御分野に使用する非線形光学素子に関するも
のである。
従来の技術
従来の非線形光学素子としては、例えば、浅見義弘二
″レーザ工学” 、電機大出版局P311〜P316に
示されている。
″レーザ工学” 、電機大出版局P311〜P316に
示されている。
第4図はこの従来の非線形光学素子の基本的構成図を示
すものであり、1,2はレーザ光源、3は反射鏡、4は
レーザ光源1,2からの出射光を合波する半透明鏡、6
は非線形光学結晶である。
すものであり、1,2はレーザ光源、3は反射鏡、4は
レーザ光源1,2からの出射光を合波する半透明鏡、6
は非線形光学結晶である。
以上のように構成された従来の非線形光学素子において
は、レーザ光源1,2から出射された光を半透明鏡4に
よって合波し、非線形光学結晶6内を透過させる。非線
形光学結晶6は、2つのレーザ光が入射されると、光の
電磁界成分によって非線形光学効果を起し、和周波を発
生する。
は、レーザ光源1,2から出射された光を半透明鏡4に
よって合波し、非線形光学結晶6内を透過させる。非線
形光学結晶6は、2つのレーザ光が入射されると、光の
電磁界成分によって非線形光学効果を起し、和周波を発
生する。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、非線形光学効果を
起こすには、光波の位相整合をとる必要があるため、非
線形光学結晶6の温度を制御する必要があり安定性に欠
る。非線形光学結晶6内を通る光波のエネルギー密度を
上げることができないため、和周波の発生効率を高くで
きない。和周波の発生効率が低いため、高出力のレーザ
光源1゜2が必要となり、非線形光学素子の小型化が図
れない等の問題点を有していた。
起こすには、光波の位相整合をとる必要があるため、非
線形光学結晶6の温度を制御する必要があり安定性に欠
る。非線形光学結晶6内を通る光波のエネルギー密度を
上げることができないため、和周波の発生効率を高くで
きない。和周波の発生効率が低いため、高出力のレーザ
光源1゜2が必要となり、非線形光学素子の小型化が図
れない等の問題点を有していた。
本発明はかかる点に鑑み、小型、安定でかつ高効率の非
線形光学素子を提供することを目的とする0 問題点を解決するための手段 本発明は非線形光学効果をもつ基板上に形成されたY分
岐導波路と波長の異なる複数のレーザ光源を備えた非線
形光学素子である。
線形光学素子を提供することを目的とする0 問題点を解決するための手段 本発明は非線形光学効果をもつ基板上に形成されたY分
岐導波路と波長の異なる複数のレーザ光源を備えた非線
形光学素子である。
作用
本発明は前述した構成によフ、波長の異なる複数のレー
ザ光源からの光波を!分岐導波路によって合波する。合
波された光波は、その電磁界によって基板及び導波路内
に非線形光学効果を誘起し、基板側よりそれぞれの光波
の第2高調波、及び、和周波を発生する。導波路を用い
ると、光波の位相整合をとる必要がなく、素子は安定に
動作する。
ザ光源からの光波を!分岐導波路によって合波する。合
波された光波は、その電磁界によって基板及び導波路内
に非線形光学効果を誘起し、基板側よりそれぞれの光波
の第2高調波、及び、和周波を発生する。導波路を用い
ると、光波の位相整合をとる必要がなく、素子は安定に
動作する。
また導波路によフ伝搬する光波のエネルギー密度を上げ
ることが可能となり、素子の高効率化、及び小型化が可
能になる。
ることが可能となり、素子の高効率化、及び小型化が可
能になる。
実施例
第1図は、第1の実施例における非線形光学素子の構成
図を示すものである。
図を示すものである。
第1図において、10は波長o、84μmの半導体レー
ザ、11は波長1.3μmの半導体レーザ、12はレン
ズを2枚組み合わせた集光光学系、13は非線形光学効
果をもつLiNbO3基板、14はプロトン交換により
作成したY分岐導波路、15は出射光である。
ザ、11は波長1.3μmの半導体レーザ、12はレン
ズを2枚組み合わせた集光光学系、13は非線形光学効
果をもつLiNbO3基板、14はプロトン交換により
作成したY分岐導波路、15は出射光である。
以上のように構成された本実施例の非線形光学素子につ
いて、以下その動作を説明する。波長0.84μmの半
導体レーザ10及び波長1.3μmの半導体レーザ11
は供に集光光学系12によって、Y分岐導波路14の導
波路端面に集光して、波長0.84μmの導波光と1.
3μ縛導波光をそれぞれ励起する。2つの導波光は導波
路の分岐部分で合波し、−本の導波路を伝搬する。伝搬
する光波は、その電磁界によυ導波路及び基板において
非線形光学効果を誘起し、それぞれの導波光の第2高調
波である波長o、42μmと0.66μmの光を発生す
る。さらに2つの導波光の和周波である波長o、51μ
mの光も発生する。第2図に入射光と出射光のスペクト
ルを示す。これらの変換効率は波長0.84 、czl
llの1.3μm1の入射光バ’7−30mW。
いて、以下その動作を説明する。波長0.84μmの半
導体レーザ10及び波長1.3μmの半導体レーザ11
は供に集光光学系12によって、Y分岐導波路14の導
波路端面に集光して、波長0.84μmの導波光と1.
3μ縛導波光をそれぞれ励起する。2つの導波光は導波
路の分岐部分で合波し、−本の導波路を伝搬する。伝搬
する光波は、その電磁界によυ導波路及び基板において
非線形光学効果を誘起し、それぞれの導波光の第2高調
波である波長o、42μmと0.66μmの光を発生す
る。さらに2つの導波光の和周波である波長o、51μ
mの光も発生する。第2図に入射光と出射光のスペクト
ルを示す。これらの変換効率は波長0.84 、czl
llの1.3μm1の入射光バ’7−30mW。
40111Wに対し、第2高調波の出力1〜1.5チ和
周波の出力は約Q2%であった。また温度変化10°C
〜60℃に対する出力光強度の変化は8チ以下であった
。
周波の出力は約Q2%であった。また温度変化10°C
〜60℃に対する出力光強度の変化は8チ以下であった
。
以上のように本実施例によれば、非線形光学効果をもっ
LiNb05基板上にプロトン交換により!分岐導波路
を設けることにより、非線形光学効果による和周波発生
の高効率化及び素子の安定化を行うことができた。
LiNb05基板上にプロトン交換により!分岐導波路
を設けることにより、非線形光学効果による和周波発生
の高効率化及び素子の安定化を行うことができた。
第3図は本発明第2の実施例を示す非線形光学素子の構
成図である。同図において、13はLiNbO3,1a
はY分岐導波路、16は出射光で以上は第1図の構成と
同様のものである。第1図の構成と異なるのは、光源の
波長0.84μmの半導体レーザ10と、波長1.3μ
mの半導体レーザ11を前記のY分岐導波路の端面に直
接接続した点である。
成図である。同図において、13はLiNbO3,1a
はY分岐導波路、16は出射光で以上は第1図の構成と
同様のものである。第1図の構成と異なるのは、光源の
波長0.84μmの半導体レーザ10と、波長1.3μ
mの半導体レーザ11を前記のY分岐導波路の端面に直
接接続した点である。
前記のように構成された第2の実施例の非線形光学素子
について、以下その動作を説明する。
について、以下その動作を説明する。
半導体レーザ10,11をY分岐導波路の端面に直接接
続して、導波光を励起した。導波路と半導体レーザとの
結合効率は10チ程度であった。
続して、導波光を励起した。導波路と半導体レーザとの
結合効率は10チ程度であった。
以上のように、本実施例によれば、レーザ光源を直接Y
分岐導波路端面に接続することにより、素子を小型にす
ることができた。
分岐導波路端面に接続することにより、素子を小型にす
ることができた。
第3の実施例は、第1図、第3図のレーザに強度変調の
機能を持たせたものである。
機能を持たせたものである。
前記のように構成された第3の実施例の非線形光学素子
について、以下その動作について説明する0 波長0.84μmの半導体レーザ10と、波長1.3μ
mの半導体レーザ11の強度変調を行った。
について、以下その動作について説明する0 波長0.84μmの半導体レーザ10と、波長1.3μ
mの半導体レーザ11の強度変調を行った。
その結果、10の半導体レーザを点灯、11の半導体レ
ーザを消灯すると波長0.42μmの青色の光波が、ま
た半導体レーザ11を点灯、半導体レーザ10i消灯す
ると、波長085μmの赤色の光波が、さらに半導体レ
ーザを両方点灯すると波長0.61μmの緑色の光波が
観測された2つの半導体レーザの強度を変調すると、赤
から青まで、出射光の色度を連続的に変えることができ
た。
ーザを消灯すると波長0.42μmの青色の光波が、ま
た半導体レーザ11を点灯、半導体レーザ10i消灯す
ると、波長085μmの赤色の光波が、さらに半導体レ
ーザを両方点灯すると波長0.61μmの緑色の光波が
観測された2つの半導体レーザの強度を変調すると、赤
から青まで、出射光の色度を連続的に変えることができ
た。
以上のように、本実施例によれば、半導体レーザ10,
11に強度変調の機能をもたせることにより、出射光の
色度を連続的に変えることができた。
11に強度変調の機能をもたせることにより、出射光の
色度を連続的に変えることができた。
なお、第1.第2.第3の実施例において、基板14は
LiNb05としたが、基板14は他の非線形材質でも
よい。
LiNb05としたが、基板14は他の非線形材質でも
よい。
なお、第1.第2.第3の実施例において、!分岐導波
路13は、プロトン交換導波路とした力(Y分岐導波路
13は他の薄膜導波路作成方法により作成してもよい。
路13は、プロトン交換導波路とした力(Y分岐導波路
13は他の薄膜導波路作成方法により作成してもよい。
なお、第1.第3の実施例において、レーザ光源10.
11は波長が0.84μmと1.3μmの半導体レーザ
としたが、レーザ光源10.11は他のレーザでもよい
。
11は波長が0.84μmと1.3μmの半導体レーザ
としたが、レーザ光源10.11は他のレーザでもよい
。
なお、第1.第2.第3の実施例において、!分岐導波
路10は方向性結合器でもよい。
路10は方向性結合器でもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、波長の異なる複数
のレーザ光源と、非線形光学効果を持つ基板上のY分岐
導波路により、レーザの出力光を3つ以上の波長に変換
できる素子が作成でき、しかも素子は、小型、安定で、
かつ高い変換効率をもつため、その実用効果は大きい0
のレーザ光源と、非線形光学効果を持つ基板上のY分岐
導波路により、レーザの出力光を3つ以上の波長に変換
できる素子が作成でき、しかも素子は、小型、安定で、
かつ高い変換効率をもつため、その実用効果は大きい0
第1図は本発明の一実施例における非線形光学素子の斜
視図、第2図は入射光と出射光のスペクトルを示す図、
第3図は本発明の他の実施例の同素子の斜視図、第4図
は従来の非線形光学素子の基本構成図である。 1o・・・・・・レーザ光源、11・・・・・・レーザ
光源、12・・・・・・集光光学系、13・・・・・・
非線形光学効果をもつ基板、14・・・・・・Y分岐導
波路、16・・・・・・出射光0代理人の氏名 弁理士
中 尾 敏 男 ほか1名rD、Ij−−−1−ザ九
、冴、 +4−−− s−一− 第2図 人的“光ρZ1°りLiし 刊しに 比重Tた一ズヘ゛フトル 第3図 第4図
視図、第2図は入射光と出射光のスペクトルを示す図、
第3図は本発明の他の実施例の同素子の斜視図、第4図
は従来の非線形光学素子の基本構成図である。 1o・・・・・・レーザ光源、11・・・・・・レーザ
光源、12・・・・・・集光光学系、13・・・・・・
非線形光学効果をもつ基板、14・・・・・・Y分岐導
波路、16・・・・・・出射光0代理人の氏名 弁理士
中 尾 敏 男 ほか1名rD、Ij−−−1−ザ九
、冴、 +4−−− s−一− 第2図 人的“光ρZ1°りLiし 刊しに 比重Tた一ズヘ゛フトル 第3図 第4図
Claims (3)
- (1)非線形光学効果をもつ基板上に形成されたY分岐
導波路と、前記Y分岐導波路の2つの導波路に導波光を
励起する集光光学系と、波長の異なる複数のレーザ光源
を備えてなる非線形光学素子。 - (2)導波路端面に、直接、半導体レーザを接続する特
許請求の範囲第1項記載の非線形光学素子。 - (3)光源が強度変調機能をもつ特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の非線形光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33196787A JPH01172934A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 非線形光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33196787A JPH01172934A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 非線形光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01172934A true JPH01172934A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18249650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33196787A Pending JPH01172934A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 非線形光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01172934A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0395451A2 (en) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wavelength converting device |
JPH03226704A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Sharp Corp | レーザ光発振装置 |
JP2011039231A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Ngk Insulators Ltd | 電磁波発振素子 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5515104A (en) * | 1978-07-17 | 1980-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Non-linear optical device |
JPS6068321A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
JPS6155662A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 複写機の制御装置 |
JPS6172222A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換器 |
JPS61255111A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Nec Corp | オフセツト除去回路 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33196787A patent/JPH01172934A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0395451A2 (en) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wavelength converting device |
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JP2011039231A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Ngk Insulators Ltd | 電磁波発振素子 |
US8355197B2 (en) | 2009-08-10 | 2013-01-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Electromagnetic wave oscillating devices |
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