JPS5856502A - 高周波共振装置 - Google Patents
高周波共振装置Info
- Publication number
- JPS5856502A JPS5856502A JP15388781A JP15388781A JPS5856502A JP S5856502 A JPS5856502 A JP S5856502A JP 15388781 A JP15388781 A JP 15388781A JP 15388781 A JP15388781 A JP 15388781A JP S5856502 A JPS5856502 A JP S5856502A
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- JP
- Japan
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- resonator
- screw
- frequency
- resonance frequency
- temperature
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波共振装置に係シ、特にマイクロ波やぼり
波回路にｐ電体共振器を応用した装置に関する。
波回路にｐ電体共振器を応用した装置に関する。
高周波共振装置は、マイクロ波集槓回路や建り波回路に
おいて、周波数フィルタや発振口として用いられるもの
であ）、セラミック基板上のストリッジ線路と磁界結合
する誘電体共振器のＱｌｌｋを尚〈すべく、誘電体共振
器を上部接地導体とセラミ、り基板下の下部接地導体の
間に適切に配置して構成されている。この高周波共振装
置内の誘電体共振器の共振周波数ｆは、外界の温度Ｔに
依らない一定＠ｋを持つことが請求される。ところが、
誘電体共振器の共振周波数ｆは、外界の温良Ｔと誘電体
共振器を取り囲む導体ハウジングの状態との２つの；臂
うメータに依存している。すなわち、誘電体共振器自体
は、その錦亀率与に応じて固有の共振Ｊｔｉｌ［数一温
度特性を持っておシ、一方、銹を体共振暮を堆シ囲む・
・ウジングを構成する上部および下部接地導体やセラミ
、り基板の線膨張率のちがいによシ外界温度の変化によ
りてハウジングの状態が変ってしまい、このハウジング
状態の変化が共振周波数に影響を与えゐ。
おいて、周波数フィルタや発振口として用いられるもの
であ）、セラミック基板上のストリッジ線路と磁界結合
する誘電体共振器のＱｌｌｋを尚〈すべく、誘電体共振
器を上部接地導体とセラミ、り基板下の下部接地導体の
間に適切に配置して構成されている。この高周波共振装
置内の誘電体共振器の共振周波数ｆは、外界の温度Ｔに
依らない一定＠ｋを持つことが請求される。ところが、
誘電体共振器の共振周波数ｆは、外界の温良Ｔと誘電体
共振器を取り囲む導体ハウジングの状態との２つの；臂
うメータに依存している。すなわち、誘電体共振器自体
は、その錦亀率与に応じて固有の共振Ｊｔｉｌ［数一温
度特性を持っておシ、一方、銹を体共振暮を堆シ囲む・
・ウジングを構成する上部および下部接地導体やセラミ
、り基板の線膨張率のちがいによシ外界温度の変化によ
りてハウジングの状態が変ってしまい、このハウジング
状態の変化が共振周波数に影響を与えゐ。
従来、高周波共振装置に設けられ＋ｐｔ体共体層振器振
周波数ｆを、外界温度Ｔに依らない一定値に胴整するた
めに、誘電体共振器の上部に設けられている上ｇし接地
導体を上下させて）１ウゾング状態を変化させて行なっ
ていた。このため、共振周波数−ＩｈＡ度特性を鯛整す
ることにより、ノ〜ウゾング状聰が変ってしまい、その
結果、共振周波数が変ってしまう。共振周波数を所望値
に調整するためには、中はシ上１１１接地導体を上下さ
せてハクソング状態を変えることにより行っていたが、
共振・周波数を調整することによシ、逆に共娠絢波数゛
一温度特性が狂ってしまう。このように、従来の高周波
共振器によれば、外界温度Ｔとハウソング状態という２
つの／４ラメータを持つ周波数一温度特性を単一の手段
すなわち上部接地導体を上下す数一温度特性を！１４整
しようとすれば、共振周波数が変ってしまい、共振周波
数を調整すれば共振鵬波数一温度特性が変ってしまうと
いう問題があった。
周波数ｆを、外界温度Ｔに依らない一定値に胴整するた
めに、誘電体共振器の上部に設けられている上ｇし接地
導体を上下させて）１ウゾング状態を変化させて行なっ
ていた。このため、共振周波数−ＩｈＡ度特性を鯛整す
ることにより、ノ〜ウゾング状聰が変ってしまい、その
結果、共振周波数が変ってしまう。共振周波数を所望値
に調整するためには、中はシ上１１１接地導体を上下さ
せてハクソング状態を変えることにより行っていたが、
共振・周波数を調整することによシ、逆に共娠絢波数゛
一温度特性が狂ってしまう。このように、従来の高周波
共振器によれば、外界温度Ｔとハウソング状態という２
つの／４ラメータを持つ周波数一温度特性を単一の手段
すなわち上部接地導体を上下す数一温度特性を！１４整
しようとすれば、共振周波数が変ってしまい、共振周波
数を調整すれば共振鵬波数一温度特性が変ってしまうと
いう問題があった。
本発明の目的は、前述の従来技術における間組にかんが
み、上記２つのパラメータに対応して２つの手段すなわ
ち上部接地導体の上下および下部接地導体の上下を行う
という摘想に基づき、高周波共振装置において、共振周
波数および共振周波数一温度判性をそれぞれ単独でＷ、
」整できるようにし、それにより所′望の共振周波数に
おける共振周波数一温度特性を改善することＫある。
み、上記２つのパラメータに対応して２つの手段すなわ
ち上部接地導体の上下および下部接地導体の上下を行う
という摘想に基づき、高周波共振装置において、共振周
波数および共振周波数一温度判性をそれぞれ単独でＷ、
」整できるようにし、それにより所′望の共振周波数に
おける共振周波数一温度特性を改善することＫある。
上記目的を達成するための本発明の要旨は、上面および
下向を有するｔｉｌｔ体共振器、誘電体共振器の下面に
セラミック基板を介して配置された下部接地導体、およ
び誘電体共振器の上面に−ｃ＝Ｊ変間隙を介して配置さ
れた上部接地導体をＡ偏する高周波共振装置において、
下部接地導体の表面と誘電体共振器の下面との鉋離を可
変にしたことを特徴とする高周波共振装置にある。
下向を有するｔｉｌｔ体共振器、誘電体共振器の下面に
セラミック基板を介して配置された下部接地導体、およ
び誘電体共振器の上面に−ｃ＝Ｊ変間隙を介して配置さ
れた上部接地導体をＡ偏する高周波共振装置において、
下部接地導体の表面と誘電体共振器の下面との鉋離を可
変にしたことを特徴とする高周波共振装置にある。
以下、本発明の実施例を添附の図面に基づいて従来例と
対比しながら説明する。
対比しながら説明する。
第１図は本発明に係る高周波共振装置を示す概略斜視［
シｊである。第１図において、銹亀体共振器社は、上面
にマイクロストリ、グ線２が配置され念セラミック基板
３の上に設置されている。セライック基板の下面には金
箔４が全面にメッキされてお）、金箔４に下部接地導体
５が牛田付けされている。誘電体共振器１の上面に間隙
を持って上部接地導体６の下向が対向している。
シｊである。第１図において、銹亀体共振器社は、上面
にマイクロストリ、グ線２が配置され念セラミック基板
３の上に設置されている。セライック基板の下面には金
箔４が全面にメッキされてお）、金箔４に下部接地導体
５が牛田付けされている。誘電体共振器１の上面に間隙
を持って上部接地導体６の下向が対向している。
第２図は第１図に示した高周波共振装置の平面図である
。誘電体共振器ＩＦｉマイクロストリップ！２を流れる
電流によりて発生する磁界と磁界軸合する。
。誘電体共振器ＩＦｉマイクロストリップ！２を流れる
電流によりて発生する磁界と磁界軸合する。
第３図は従来の高周波共振装置の１例を示す側面図であ
る。第３図に示されるように、上部接地導体６の一部が
ねじ７となりている。ねじ７の下面８Ｈｉ！ｉ！電体共
振器１の土面９に対向している。
る。第３図に示されるように、上部接地導体６の一部が
ねじ７となりている。ねじ７の下面８Ｈｉ！ｉ！電体共
振器１の土面９に対向している。
従来は、ねじ７を上下することＫよシ、ねじ７の下面８
と誘電体共振器１の上面９との間の距離８重を変え、そ
れにより、銹（体層振器１の共振周波数および共握周波
数一温度特性を調整していた。この調整動作を第４図お
よび第５図に基づいて説明する。
と誘電体共振器１の上面９との間の距離８重を変え、そ
れにより、銹（体層振器１の共振周波数および共握周波
数一温度特性を調整していた。この調整動作を第４図お
よび第５図に基づいて説明する。
第４図は、ハウソングの影響を無視した場合のｌ！電体
共振器１自体が持つ共振周波数一温度特性を示すグラフ
である。第４図にボされるように１共條周波数ｆ＃′ｉ
温［Ｔの増大に比例して大きくなる。これは誘電体共振
器ｌのｇｉｓｕｃ ａ、が温度変化の影響を受けること
による。高周波共振装置においては、共振周波数が温度
に依存しない一定値となっていることが要求される。こ
のためには、綿ｔｍ共振器にハウジングの影響を及ばす
こトニょヤ、紡電体′共振器固有の共振周波数一温度特
性を相殺すればよいと考えられる。従来は、第３図に示
したねじを調整することにょシ、温度に依存しない一定
の共振周波数を得ていた。
共振器１自体が持つ共振周波数一温度特性を示すグラフ
である。第４図にボされるように１共條周波数ｆ＃′ｉ
温［Ｔの増大に比例して大きくなる。これは誘電体共振
器ｌのｇｉｓｕｃ ａ、が温度変化の影響を受けること
による。高周波共振装置においては、共振周波数が温度
に依存しない一定値となっていることが要求される。こ
のためには、綿ｔｍ共振器にハウジングの影響を及ばす
こトニょヤ、紡電体′共振器固有の共振周波数一温度特
性を相殺すればよいと考えられる。従来は、第３図に示
したねじを調整することにょシ、温度に依存しない一定
の共振周波数を得ていた。
第５図は第３図に示し六従来の高周波共振装置における
共珈埼波数一温度特性の例を示すグジ７゜である。上述
したようにねじ７を調整してｓ、 ａａＯ１３ｕとなり
九とき、共振周波数ｆ・は温度によらない一定値となっ
ている。ところが、誘電体共振器１の誘１！１．率与の
ばらつき等によシ、共振周波数ｆ０がＰＪ′ｒ望の共振
周波数と異なる場合があシ、このときは共振周波数の調
整を行う必要がある。
共珈埼波数一温度特性の例を示すグジ７゜である。上述
したようにねじ７を調整してｓ、 ａａＯ１３ｕとなり
九とき、共振周波数ｆ・は温度によらない一定値となっ
ている。ところが、誘電体共振器１の誘１！１．率与の
ばらつき等によシ、共振周波数ｆ０がＰＪ′ｒ望の共振
周波数と異なる場合があシ、このときは共振周波数の調
整を行う必要がある。
従来は、共振周波数のｐ４整も、第３図に示したねじ７
を上下することにょカ行なっていた。例え伏共振周波数
ｆ、が高すぎる場合、ねじ７を上にあげてＳｌを例えば
１ｗ５ｔと大きくすることにょル、ハウノング状外が変
って共振周波数が低くなる。
を上下することにょカ行なっていた。例え伏共振周波数
ｆ、が高すぎる場合、ねじ７を上にあげてＳｌを例えば
１ｗ５ｔと大きくすることにょル、ハウノング状外が変
って共振周波数が低くなる。
しかしながら、距離８．が変ると、第５図に示すように
共振周波数一温度特性が変ってしまい、温度によらない
一定の共振周波数ではなくなってしまう。このため、微
妙な温Ｊｆ灸化の影響を受けて共振周波数がずれ、その
Ｓ度、周波数調整を余儀なくされ九。
共振周波数一温度特性が変ってしまい、温度によらない
一定の共振周波数ではなくなってしまう。このため、微
妙な温Ｊｆ灸化の影響を受けて共振周波数がずれ、その
Ｓ度、周波数調整を余儀なくされ九。
第６図は本発明の一実施例による高周波共振装置を示す
側面図である。＄１！６図において、第３＃Ａと同一部
分には同一符号を付してあり、第３図と異なるところは
、下Ｓ接地導体５の一部を第２のねじ１０としたことで
ある。ね゛じ１６の上面１１は誘電体共振器１の下面１
２にセラミ、り基板８を介して対向している。ねじ１０
を下げることによｐ−ｋｚ）ｔ、り基板３とねじ１０の
上面１１との間の距離ｓ庶が変化する。ねじ７およびね
じ１０を＃Ｉ４整することによシ、距離Ｓ１ とＳ雪を
変えて共振周波数調整および共振周波数一温度特性を共
に調整する。
側面図である。＄１！６図において、第３＃Ａと同一部
分には同一符号を付してあり、第３図と異なるところは
、下Ｓ接地導体５の一部を第２のねじ１０としたことで
ある。ね゛じ１６の上面１１は誘電体共振器１の下面１
２にセラミ、り基板８を介して対向している。ねじ１０
を下げることによｐ−ｋｚ）ｔ、り基板３とねじ１０の
上面１１との間の距離ｓ庶が変化する。ねじ７およびね
じ１０を＃Ｉ４整することによシ、距離Ｓ１ とＳ雪を
変えて共振周波数調整および共振周波数一温度特性を共
に調整する。
第７図は第６図に示した本発明実施例の高周波共振装置
における共振周波数一温度特性の例を示すグラフである
。第７図において、８部ｍ ０．３１ＥＩＩ ＃ｓ鵞”
ｏｉ＋ｔとすると、第５図に示し九共振周波数一温度特
性−整後のグ５７と冥質的に同じであシ、こめときの周
波数はｆ・である。このＪＩＩ１１波数ｆ０を低くする
ために８１” １ｉｕＩｌｓ ＢＢ −ＱＩＩＫとする
と、″第５図に示した周波数詞整後のグラフと実質的に
一同じであル、前述と同様の理由によシ共振周波数は温
度に依存して変るようになっている。そこて、Ｊ ｍｏ
、７５Ｍ＃ ８１ ＝０．１ｍｍとすることによシ、共
振周波数！、は温度に依存しない一定値となる。一般に
距離Ｓ、はＢ、 よル小士あシ、従って、ねじ１０の移
動の方がねじ７の移動よシも、１部電体共振器１に与え
る影響は大′きい。誘電体共振器１に対する境界条件の
この非対称性により、共振周波数と共振周波数一温度特
性が共に調整可能となった。
における共振周波数一温度特性の例を示すグラフである
。第７図において、８部ｍ ０．３１ＥＩＩ ＃ｓ鵞”
ｏｉ＋ｔとすると、第５図に示し九共振周波数一温度特
性−整後のグ５７と冥質的に同じであシ、こめときの周
波数はｆ・である。このＪＩＩ１１波数ｆ０を低くする
ために８１” １ｉｕＩｌｓ ＢＢ −ＱＩＩＫとする
と、″第５図に示した周波数詞整後のグラフと実質的に
一同じであル、前述と同様の理由によシ共振周波数は温
度に依存して変るようになっている。そこて、Ｊ ｍｏ
、７５Ｍ＃ ８１ ＝０．１ｍｍとすることによシ、共
振周波数！、は温度に依存しない一定値となる。一般に
距離Ｓ、はＢ、 よル小士あシ、従って、ねじ１０の移
動の方がねじ７の移動よシも、１部電体共振器１に与え
る影響は大′きい。誘電体共振器１に対する境界条件の
この非対称性により、共振周波数と共振周波数一温度特
性が共に調整可能となった。
第８図は本発明め他の実施例による高周波共振装置を示
す断面図である。第８図においては、誘電体共振器１が
周囲を導体壁５，６．．１３．１４で囲まれた空胴共振
器が示されている。この実施例においては、厚さの異な
る多数の導体壁を用意しておき、必１［応じて滴当な犀
さｔを持つ導体壁を下部接地導体５として利扇すること
によ）、距離Ｓ、を変化させる。ねじ７′は第６囚に示
し九 −ねじ７より細いものを用いている。第８図に示
し九空胴共振器によっても本発明の目的が達成されるこ
とが容易にわかるであろう。
す断面図である。第８図においては、誘電体共振器１が
周囲を導体壁５，６．．１３．１４で囲まれた空胴共振
器が示されている。この実施例においては、厚さの異な
る多数の導体壁を用意しておき、必１［応じて滴当な犀
さｔを持つ導体壁を下部接地導体５として利扇すること
によ）、距離Ｓ、を変化させる。ねじ７′は第６囚に示
し九 −ねじ７より細いものを用いている。第８図に示
し九空胴共振器によっても本発明の目的が達成されるこ
とが容易にわかるであろう。
以上説明したように、本発明によれば、外界温度とハウ
ジング状態という２つのノダラメータに対応して、１部
接地導体の上下および下部接地導体の上下という２つの
手段によシ、高周波共振装置の共振周波数および共振周
波数一温度特性をそれぞれ単独に調整することがてきる
ようになシ、所改善される。
ジング状態という２つのノダラメータに対応して、１部
接地導体の上下および下部接地導体の上下という２つの
手段によシ、高周波共振装置の共振周波数および共振周
波数一温度特性をそれぞれ単独に調整することがてきる
ようになシ、所改善される。
なお、本発明は前述の実施例に限定さ、れる４のではな
く、様々の変形が考えられる。例えば、ねである。
く、様々の変形が考えられる。例えば、ねである。
第１図は本発明に係る高周波共振装置を示す概略斜視図
、第２図は第１図に示した高周波共振装置の平面図、絹
３図は従来の高周波共ＩＪｉｔ装爾０１例を示す側面図
、第４図はハウジングの影ｗを無視した場合の訪電体共
振器自体が持つ共振周波数一温度特性を示すグラフ、第
５図Ｆｉ第３図に示した従来の高周波共振装置における
共振周波数一温度特性の例をボすグラフ、第６図は本発
明の一実施例による高周波共振装置を示す側面図、第７
図は第６図に示した本発明実施例の高周波共振装置にお
りる共振周波数一温度特性の例を示すグツ７、そして第
８図は本発明の他の実施例による高周波共振装置を２示
す断面図である。 ｌ・・・誘電体共振器、２・・・マイクロストリップ線
、３・・・セラミック基板、４・・・金箔、５・−下部
接地導体、６・・・上部接地導体、７・・・第１のねじ
、８・・・ねじ７の下面、９・・・Ｕ電体共振器１の上
面、１０・・・！２の゛ねじ、１１−＠２のねじ１０の
上面、１２・・・誘電体共振器の下面。 第３図 第４図 第５図
、第２図は第１図に示した高周波共振装置の平面図、絹
３図は従来の高周波共ＩＪｉｔ装爾０１例を示す側面図
、第４図はハウジングの影ｗを無視した場合の訪電体共
振器自体が持つ共振周波数一温度特性を示すグラフ、第
５図Ｆｉ第３図に示した従来の高周波共振装置における
共振周波数一温度特性の例をボすグラフ、第６図は本発
明の一実施例による高周波共振装置を示す側面図、第７
図は第６図に示した本発明実施例の高周波共振装置にお
りる共振周波数一温度特性の例を示すグツ７、そして第
８図は本発明の他の実施例による高周波共振装置を２示
す断面図である。 ｌ・・・誘電体共振器、２・・・マイクロストリップ線
、３・・・セラミック基板、４・・・金箔、５・−下部
接地導体、６・・・上部接地導体、７・・・第１のねじ
、８・・・ねじ７の下面、９・・・Ｕ電体共振器１の上
面、１０・・・！２の゛ねじ、１１−＠２のねじ１０の
上面、１２・・・誘電体共振器の下面。 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上面および下面を有する酵寛体共ｔｉ器、皺銹電体
共振器の下面にセラミ、り基板を介して配置された下ｌ
１１１ｉｉ地導体、および該誘電体共振器の上面に可変
間隙を介して配置され六上部接地導体を具備する高周波
共振ｉ＆置において、該下部接地導体の表面と該誘電体
共振器の下面との４離を司。 変にしたことを特徴とする高周波共振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15388781A JPS5856502A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 高周波共振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15388781A JPS5856502A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 高周波共振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856502A true JPS5856502A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15572280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15388781A Pending JPS5856502A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 高周波共振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748060A (en) * | 1994-10-05 | 1998-05-05 | Nokia Telecommunications Oy | Dielectric resonator having two planar surfaces with respective adjustment plates parallel thereto |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15388781A patent/JPS5856502A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748060A (en) * | 1994-10-05 | 1998-05-05 | Nokia Telecommunications Oy | Dielectric resonator having two planar surfaces with respective adjustment plates parallel thereto |
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