JPS5856340A - 半導体ウエハ浄化方法 - Google Patents
半導体ウエハ浄化方法Info
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- JPS5856340A JPS5856340A JP15373281A JP15373281A JPS5856340A JP S5856340 A JPS5856340 A JP S5856340A JP 15373281 A JP15373281 A JP 15373281A JP 15373281 A JP15373281 A JP 15373281A JP S5856340 A JPS5856340 A JP S5856340A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウェハ浄化方法−二係り、％（二薬品
鑑二よる表面浄化工程です＼ぎ処理以降の操作を規定す
るものである。
鑑二よる表面浄化工程です＼ぎ処理以降の操作を規定す
るものである。
例えばシリコンウェハ（二ついて半導体デバイスを形成
する際、各種工程仁かける前にウェハ表面を浄化し、所
望しない不純物を除くことは當に行われている。こ＼で
ウェハ表面は例えば半導体がシリコンである場合、基板
シリコン又はポリシリコン膜の露出面であって良く、或
いは選択拡散、選択酸化を施すためζ二これ尋表向が一
部を露出して残部を被覆するマスク用酸化膜、窒化膜を
おいているものであってよろしい。
する際、各種工程仁かける前にウェハ表面を浄化し、所
望しない不純物を除くことは當に行われている。こ＼で
ウェハ表面は例えば半導体がシリコンである場合、基板
シリコン又はポリシリコン膜の露出面であって良く、或
いは選択拡散、選択酸化を施すためζ二これ尋表向が一
部を露出して残部を被覆するマスク用酸化膜、窒化膜を
おいているものであってよろしい。
このような浄化工程は、基本的ζ二は有機物残渣を除き
表面を露呈させる脱脂処理、金属部無機質を除く酸処理
、処理中１：生成する酸化膜を除去する稀弗酸処理の二
操作と、引き続く乾燥操作とに分九れる。例えば良く知
られている浄化工程とし＋硝酸ｌ容：煮沸、（５）純水
：流水洗滌、（６）硝酸：煮沸、（７）純水：流水洗滌
、（８）稀フッ酸（例えば水２０容＋フツ酸１容）：２
０秒浸漬、（９）純水：洗滌、輪乾燥：遠心脱水或いは
高純度窒素ガス吹付けの各操作を順も二施すことが知ら
れている。この工程で（１）〜（３）の操作は脱脂を、
（４）、（５）の操作は有機物分解と酸処理を、（６）
、（７）の操作は完全な酸処理を、（８）％ （９）の
操作は酸化膜除去にあたる。尚（４）の操作Ｃ二代えて
アンモニヤ水と過酸化水素の混合液処理を、又（６１の
操作に代えて塩化水素水と過酸化水素の混合液処理を組
合わせて施すこともある。
表面を露呈させる脱脂処理、金属部無機質を除く酸処理
、処理中１：生成する酸化膜を除去する稀弗酸処理の二
操作と、引き続く乾燥操作とに分九れる。例えば良く知
られている浄化工程とし＋硝酸ｌ容：煮沸、（５）純水
：流水洗滌、（６）硝酸：煮沸、（７）純水：流水洗滌
、（８）稀フッ酸（例えば水２０容＋フツ酸１容）：２
０秒浸漬、（９）純水：洗滌、輪乾燥：遠心脱水或いは
高純度窒素ガス吹付けの各操作を順も二施すことが知ら
れている。この工程で（１）〜（３）の操作は脱脂を、
（４）、（５）の操作は有機物分解と酸処理を、（６）
、（７）の操作は完全な酸処理を、（８）％ （９）の
操作は酸化膜除去にあたる。尚（４）の操作Ｃ二代えて
アンモニヤ水と過酸化水素の混合液処理を、又（６１の
操作に代えて塩化水素水と過酸化水素の混合液処理を組
合わせて施すこともある。
このよう（：各種操作を繰返す代ｋ） ＜ニー操作で兼
ねさせる浄化工程としてトリアルキル（ヒドロキシアル
キル）アンモニウムハイドロキサイド（ＴＨＡＨ）を含
む溶液を用いるものも知られている。
ねさせる浄化工程としてトリアルキル（ヒドロキシアル
キル）アンモニウムハイドロキサイド（ＴＨＡＨ）を含
む溶液を用いるものも知られている。
何れの場合（二も浄化工程の各薬品処理ＲＮでは純水鴫
；よるす＼ぎ操作が行われている。この純水は、脱イオ
ン水として残留イオンを僅少にし九例えば１８ＭΩ級の
ものである◇しかしこのような純水もシリコン、ナトリ
ウム、カルシウム、銅等を品製造ＷＩ６貿９を左右して
いる０それ放生導体デバイスを量産する製造現場では、
これ等を除いた超純水を必要量確保しなければならない
。このため亀；逆浸透膜、イオン交換樹脂、精密フィル
タを組合わせた精製システムをウェハへの適用直前の純
水流路（＝配置して、超純水にすることが行われるよう
になっている。しかしこのようＣ＝配慮して得られる残
存イオン１ ｐｐｂ以下微粒子の殆どない超純水も、常
に水を動かし且つ殺菌灯の照射下（二置くのでないとき
（＝は、或いＦ１６０℃以上の殺菌温度に保つのでない
とき亀：は、精製フィン、送水ライン中で再び細菌を繁
殖させる。そしてこれ等細菌は粘質層を持っており、逆
浸透膜、イオン交換樹脂、精密フィルタを被覆して、精
製能力を損なわせること（二なる。
；よるす＼ぎ操作が行われている。この純水は、脱イオ
ン水として残留イオンを僅少にし九例えば１８ＭΩ級の
ものである◇しかしこのような純水もシリコン、ナトリ
ウム、カルシウム、銅等を品製造ＷＩ６貿９を左右して
いる０それ放生導体デバイスを量産する製造現場では、
これ等を除いた超純水を必要量確保しなければならない
。このため亀；逆浸透膜、イオン交換樹脂、精密フィル
タを組合わせた精製システムをウェハへの適用直前の純
水流路（＝配置して、超純水にすることが行われるよう
になっている。しかしこのようＣ＝配慮して得られる残
存イオン１ ｐｐｂ以下微粒子の殆どない超純水も、常
に水を動かし且つ殺菌灯の照射下（二置くのでないとき
（＝は、或いＦ１６０℃以上の殺菌温度に保つのでない
とき亀：は、精製フィン、送水ライン中で再び細菌を繁
殖させる。そしてこれ等細菌は粘質層を持っており、逆
浸透膜、イオン交換樹脂、精密フィルタを被覆して、精
製能力を損なわせること（二なる。
純水が含む微粒子は、除去されないとき、ウェハ表面Ｉ
：付着して積層欠陥発生の核とな９、或いは酸化膜形成
に際してｌ１ｌ（”：欠陥を発生させて絶縁耐圧を下げ
るような欠点を招く＠そして微生物はべ その無機質＆分例えば五酸化り／又は酸化アルカリがリ
ン又はナトリウム等の拡散源となる。このリンは例えば
０ＭＯ８のｐＨウェル領域をｎ１ｌｌ化し、又ナトリウ
ムは酸化膜中の可動イオンとなってデバイスを損ねるこ
とＣ二なる。それ放水を使用する＠抄、微生物を例えば
１慨ろ■以下ａ；おさえるように精製システムを要し、
殺菌灯照明を欠くことが出来ず、高額の投資を要する上
工程管理費用を積まなければならない。
：付着して積層欠陥発生の核とな９、或いは酸化膜形成
に際してｌ１ｌ（”：欠陥を発生させて絶縁耐圧を下げ
るような欠点を招く＠そして微生物はべ その無機質＆分例えば五酸化り／又は酸化アルカリがリ
ン又はナトリウム等の拡散源となる。このリンは例えば
０ＭＯ８のｐＨウェル領域をｎ１ｌｌ化し、又ナトリウ
ムは酸化膜中の可動イオンとなってデバイスを損ねるこ
とＣ二なる。それ放水を使用する＠抄、微生物を例えば
１慨ろ■以下ａ；おさえるように精製システムを要し、
殺菌灯照明を欠くことが出来ず、高額の投資を要する上
工程管理費用を積まなければならない。
はこの中性有機溶剤と水との混合液をす＼ぎ液としてす
＼ぎ、（→す−ぎ液（二よるす＼ぎを終了したときこの
半導体ウエノ・を清浄環境で乾燥し、（ハ）後段で施す
前記高温処理用の炉とは別の炉内で酸化性雰囲気僅；急
速に昇温し１０００℃未満礪二到らせて半導体ウニ八表
面から残存する有機質吸着膜を除去すると共ζ；極薄い
酸化膜を形成する０）乃至ヒラの各項操作を願Ｃ：施す
こと−す、る半導体ウェハ浄化方法又は（２）中性有機
溶剤がｍ個アルコールである前記（１）項也：記載の半
導体ウェハ浄化方法を提供するものである。
＼ぎ、（→す−ぎ液（二よるす＼ぎを終了したときこの
半導体ウエノ・を清浄環境で乾燥し、（ハ）後段で施す
前記高温処理用の炉とは別の炉内で酸化性雰囲気僅；急
速に昇温し１０００℃未満礪二到らせて半導体ウニ八表
面から残存する有機質吸着膜を除去すると共ζ；極薄い
酸化膜を形成する０）乃至ヒラの各項操作を願Ｃ：施す
こと−す、る半導体ウェハ浄化方法又は（２）中性有機
溶剤がｍ個アルコールである前記（１）項也：記載の半
導体ウェハ浄化方法を提供するものである。
この発明で使用するす＼ぎ液はエタノール、イングロビ
ルアルコール、アセト／又はこれ等と水との混合液であ
って良い。何れも使用後蒸溜で純化出来、又イオン交換
（；よってイオンを除くことも出来る。１？１Ｃ二精密
フイルタＣ＝よって一過することは容易で、操作中感＝
汚染した微粒子が容易舊＝除かれる。従ってす＼ぎ操作
６二際して滉入する表面浄化用薬品を分離すれば、回収
して再び使用Ｃ：供し得る点で液自体の高価額を案する
ととはな９ｓ。
ルアルコール、アセト／又はこれ等と水との混合液であ
って良い。何れも使用後蒸溜で純化出来、又イオン交換
（；よってイオンを除くことも出来る。１？１Ｃ二精密
フイルタＣ＝よって一過することは容易で、操作中感＝
汚染した微粒子が容易舊＝除かれる。従ってす＼ぎ操作
６二際して滉入する表面浄化用薬品を分離すれば、回収
して再び使用Ｃ：供し得る点で液自体の高価額を案する
ととはな９ｓ。
浄化工程で用いた薬品が、重金属除去に対して有機強ア
ルカリ例えばトリアルキルヒドロキシルアル中ルアンモ
ニウムノへイドロキサイド、或％１％はテトラメチル水
酸化アンモニウムの何れかであり、又薬品処理の間で生
成した酸化膜除去に対してフッ酸であるとき、す＼ぎ液
櫨二はアルコールが適する。アルコールはす＼ぎ操作の
間（二午れ等薬品をとり込む。けれどもフッ酸し対し有
機強アルカリの使用量がはるかに多量であるので、す−
ぎ液中６＝は両者の塩と後者を含むことａ二なるＯこＮ
で混入濃度が高い時Ｉ：はとのす−ぎ液を蒸溜すること
６二より蒸発しにくいこれ等薬品を分離出来る。混入濃
度が低い時にはす＼ぎ液をイオン交換（二よって回収出
来る。
ルカリ例えばトリアルキルヒドロキシルアル中ルアンモ
ニウムノへイドロキサイド、或％１％はテトラメチル水
酸化アンモニウムの何れかであり、又薬品処理の間で生
成した酸化膜除去に対してフッ酸であるとき、す＼ぎ液
櫨二はアルコールが適する。アルコールはす＼ぎ操作の
間（二午れ等薬品をとり込む。けれどもフッ酸し対し有
機強アルカリの使用量がはるかに多量であるので、す−
ぎ液中６＝は両者の塩と後者を含むことａ二なるＯこＮ
で混入濃度が高い時Ｉ：はとのす−ぎ液を蒸溜すること
６二より蒸発しにくいこれ等薬品を分離出来る。混入濃
度が低い時にはす＼ぎ液をイオン交換（二よって回収出
来る。
す＼ぎ液としてアセトンは、例えばシリコン表面−二対
する付着の点で、アルプール類よに優れている。但し引
火性が強いから、蒸溜による回収は危険である・しかし
この場合（二は市販逆浸透膜とイオン交換の組合わせで
オンプロセスの回収が出来る。
する付着の点で、アルプール類よに優れている。但し引
火性が強いから、蒸溜による回収は危険である・しかし
この場合（二は市販逆浸透膜とイオン交換の組合わせで
オンプロセスの回収が出来る。
この発明で使用するす＼ぎ液は殺菌力を持っている丸め
、微生物を発生しないｏ４Ｉ（−アルコールは、 ７０
１１１のものが細胞膜に対する浸透圧の関係から殺菌力
を強＜Ｌ、３０１程度で４同和度に収繭す１ る◎又液の表面張力が水に比較してＩ−丁であるから、
α２μ以下のような疎水性の精密フィルタでも速い通過
速度で微粒子−過を効果的Ｃ二する。
、微生物を発生しないｏ４Ｉ（−アルコールは、 ７０
１１１のものが細胞膜に対する浸透圧の関係から殺菌力
を強＜Ｌ、３０１程度で４同和度に収繭す１ る◎又液の表面張力が水に比較してＩ−丁であるから、
α２μ以下のような疎水性の精密フィルタでも速い通過
速度で微粒子−過を効果的Ｃ二する。
す−ぎ液上よるす＼ぎを終了し九ら乾燥させる。
このとき最終Ｃ二使用したす＼ぎ液の中性有機溶剤が、
例えば単分子層ウェハ表面に残留して本、以後空気中で
このウェハ表面で成長する自然生成酸化物１二と９込ま
れるものになる。この溶剤は、後続する酸化、拡散等の
各工程で炭化シリコンを形成し、０８Ｐ（ｏｘｉｄｉｚ
ｉｎｇ ｓｔａｃｋｉｎｇ ｆａｕｌｔ） と称され
る積層欠陥を発生させる核とする欠点がある。
例えば単分子層ウェハ表面に残留して本、以後空気中で
このウェハ表面で成長する自然生成酸化物１二と９込ま
れるものになる。この溶剤は、後続する酸化、拡散等の
各工程で炭化シリコンを形成し、０８Ｐ（ｏｘｉｄｉｚ
ｉｎｇ ｓｔａｃｋｉｎｇ ｆａｕｌｔ） と称され
る積層欠陥を発生させる核とする欠点がある。
０８Ｆは酸化膜形成時に成長し、デバイス性能を確実に
不良−二する。又この炭化シリコンはＭＯ８構造で酸化
膜の耐圧を低下させるものとなる。それ故す＼ぎ７液は
ウェハ表面に残貿させてはならない。
不良−二する。又この炭化シリコンはＭＯ８構造で酸化
膜の耐圧を低下させるものとなる。それ故す＼ぎ７液は
ウェハ表面に残貿させてはならない。
このためウェハを昇温して溶剤を飛ばすこと６；なる。
一般にはウェハの昇温は、ボートＣ二数１０枚を収納し
て高温炉に送り込んでする。このときウェハが反９、こ
のことが原因となってフォトレジストの露光工程でピン
トズレを生じるなどのことのないよう（−１炉内へのボ
ート０搬入は極めて徐々にしてＣする・しかしこの発明
−二あっては、このような昇温方式を踏襲することは避
けなければならない。何故ならばボート内の先頭位置を
占めて炉内（二送）込まれたウェハでは表面の溶剤吸着
層が酸化して除かれ易いが、後続するウェハでは、溶剤
層は除かれないうちに炭素に化して残）ウェハ表面酸化
膜４：＊ｃ込まれ欠陥を作るからである。
て高温炉に送り込んでする。このときウェハが反９、こ
のことが原因となってフォトレジストの露光工程でピン
トズレを生じるなどのことのないよう（−１炉内へのボ
ート０搬入は極めて徐々にしてＣする・しかしこの発明
−二あっては、このような昇温方式を踏襲することは避
けなければならない。何故ならばボート内の先頭位置を
占めて炉内（二送）込まれたウェハでは表面の溶剤吸着
層が酸化して除かれ易いが、後続するウェハでは、溶剤
層は除かれないうちに炭素に化して残）ウェハ表面酸化
膜４：＊ｃ込まれ欠陥を作るからである。
それ故この発明Ｃ二あっては最終のす＼ぎ液を使用し九
あと、まずクリーン環境でスピンナを用い、キャリアに
収容したウェハを毎分数千回転で遠心脱水（二より直ち
１；乾燥する・そして酸化、拡散−二使用する炉とは別
の急速昇温出来る炉（；ボートを入れ、全ウェハを同時
６二酸化性雰囲気で１０００℃未満に急速Ｃ＝昇温する
。処理温度は１０００℃では溶剤の有機質が炭化シリコ
ンを形成するので１０００℃未満であることが必要であ
る０レジスト用プラズマ焼却炉はこの場合の炉に兼用出
来る。この結果ウェハ表面溶剤層は酸化され分解されて
除かれる〇このとき同時にウェー表面（二１０〜１５Ｘ
程度の熱酸化膜が形成される。常温で形成された自然生
成酸化物は、８ｉ−Ｑの結合エネルギーが１２ｅＶ ４
度に不安定で、空気中の炭酸ガスを吸着し易い。
あと、まずクリーン環境でスピンナを用い、キャリアに
収容したウェハを毎分数千回転で遠心脱水（二より直ち
１；乾燥する・そして酸化、拡散−二使用する炉とは別
の急速昇温出来る炉（；ボートを入れ、全ウェハを同時
６二酸化性雰囲気で１０００℃未満に急速Ｃ＝昇温する
。処理温度は１０００℃では溶剤の有機質が炭化シリコ
ンを形成するので１０００℃未満であることが必要であ
る０レジスト用プラズマ焼却炉はこの場合の炉に兼用出
来る。この結果ウェハ表面溶剤層は酸化され分解されて
除かれる〇このとき同時にウェー表面（二１０〜１５Ｘ
程度の熱酸化膜が形成される。常温で形成された自然生
成酸化物は、８ｉ−Ｑの結合エネルギーが１２ｅＶ ４
度に不安定で、空気中の炭酸ガスを吸着し易い。
−刃高温熱酸化膜は４．４ｅＶを示して安定である。
こ＼で形成された熱酸化膜の８ｉ−０結合エネルギーは
、後者６：近い。
、後者６：近い。
以下実施例ウェハ浄化方法Ｃニついて述べるＯこの例は
比抵抗３〜５０傷であるＭＯ８用ｐＨシリコンウェハを
酸化して表面（＝酸化膜を形成する工程に先立って施し
喪ものである。
比抵抗３〜５０傷であるＭＯ８用ｐＨシリコンウェハを
酸化して表面（＝酸化膜を形成する工程に先立って施し
喪ものである。
（１）２０枚のウェハを洗浄用キャリアＣ二収容する。
コリン０５−６二、浄化効果を高めるため商品名ＮＣＷ
６０１人非イオン人界イオン系界面活性剤えた水溶液で
４０℃±５℃、１０分の超音波洗浄の薬品処理を施す。
６０１人非イオン人界イオン系界面活性剤えた水溶液で
４０℃±５℃、１０分の超音波洗浄の薬品処理を施す。
この薬品処理の後エチルアルコール５０９６水溶液をす
＼ぎ洗として１０分間す＼ぐ。
＼ぎ洗として１０分間す＼ぐ。
（２）次に４９４フツ化水素、水１０％、エチルアルコ
ール８０％液弧；１分間浸漬する薬品処理を施す０この
処理によって前記（１）の処理の間直二自然生成した酸
化膜が除かれる。薬品がフッ化水素であるときこの処理
の後でウエノ・表面は疎水性を著しくシ、液外でウニＩ
・表向が瞬時に乾いてしまう◎このため液面の浮遊微粒
子を密着させ、以後のす＼ぎによってこれを除き難くす
る。それ故この段では％Ｃ二この薬品己アルコールを混
合し、又薬品処理のあと、ウエノ・をエチルアルコ−ル
９５哄（：数秒間浸漬することによって全面を濡らした
ま＼１二してフッ酸分を除く。この薬品処理（二ついで
、アルコールＳ＠水溶液をす＼ぎ液としてす−ぎ操作を
施す。このす＼ぎ操作は、３０秒Ｃニー回の割合で槽内
のす−ぎ液を新しくし乍ら浸漬させ、３分間経過させる
ものである。
ール８０％液弧；１分間浸漬する薬品処理を施す０この
処理によって前記（１）の処理の間直二自然生成した酸
化膜が除かれる。薬品がフッ化水素であるときこの処理
の後でウエノ・表面は疎水性を著しくシ、液外でウニＩ
・表向が瞬時に乾いてしまう◎このため液面の浮遊微粒
子を密着させ、以後のす＼ぎによってこれを除き難くす
る。それ故この段では％Ｃ二この薬品己アルコールを混
合し、又薬品処理のあと、ウエノ・をエチルアルコ−ル
９５哄（：数秒間浸漬することによって全面を濡らした
ま＼１二してフッ酸分を除く。この薬品処理（二ついで
、アルコールＳ＠水溶液をす＼ぎ液としてす−ぎ操作を
施す。このす＼ぎ操作は、３０秒Ｃニー回の割合で槽内
のす−ぎ液を新しくし乍ら浸漬させ、３分間経過させる
ものである。
仁のため（ニポンプを用いす＼ぎ用檜から蒸榴器、イオ
ン交換樹脂塔、濃度調整器を順番−経て再びす〜ぎ用槽
へとす＼ぎ液を循環させる。
ン交換樹脂塔、濃度調整器を順番−経て再びす〜ぎ用槽
へとす＼ぎ液を循環させる。
（３） 次Ｉ：直ちｄ：クリーンベンチ中のスピンド
ライヤーによって約１分間でウェハを乾燥させる。
ライヤーによって約１分間でウェハを乾燥させる。
（４）高速昇温可能な炉内の透明石英ガラス管内（二無
塵化した酸素を含む窒素ガスを毎分３０Ｚの速さで送〉
、この管内６二乾燥されたウェハを可及的シニ速やか（
二装填し、１分以内に６００″Ｇまで昇温し、１分３０
秒で９００℃唱；あけ１０分加熱して表面に熱酸化膜を
形成させる。
塵化した酸素を含む窒素ガスを毎分３０Ｚの速さで送〉
、この管内６二乾燥されたウェハを可及的シニ速やか（
二装填し、１分以内に６００″Ｇまで昇温し、１分３０
秒で９００℃唱；あけ１０分加熱して表面に熱酸化膜を
形成させる。
この例の浄化方法で浄化されたウェハにょ）、ＭＯＢダ
イオードを形成する。まず炉から取）出されたウェハを
、例えばクリーンルーム内に一ケ月１μ蒸着する０微細
加工を施してこのフェノ１全面６＝ゲート面積１ｍ”の
Ｍ０８ダイオードを形成する。
イオードを形成する。まず炉から取）出されたウェハを
、例えばクリーンルーム内に一ケ月１μ蒸着する０微細
加工を施してこのフェノ１全面６＝ゲート面積１ｍ”の
Ｍ０８ダイオードを形成する。
このダイオード（二ついてグー１耐圧分布を求め、次表
Ｃ；示す６尚この表にはす＼ぎを、純水（−代えて行っ
た比較例方法（：係るウェハ堪一つき、同様にＭ０８ダ
イオードを形成し、ゲート耐圧分布を求めて併示しであ
る。
Ｃ；示す６尚この表にはす＼ぎを、純水（−代えて行っ
た比較例方法（：係るウェハ堪一つき、同様にＭ０８ダ
イオードを形成し、ゲート耐圧分布を求めて併示しであ
る。
表で認められるよう６＝有意差はない。この他温度を上
げてＭｏａ ｃ−ｖ特性の変動を調べるＢＴ（Ｂｉａｓ
−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）試験や、ｐｎダイオード４
二よる電圧１ｉ流特性試験（二ついても両者の間で明ら
かな差異はない。。
げてＭｏａ ｃ−ｖ特性の変動を調べるＢＴ（Ｂｉａｓ
−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）試験や、ｐｎダイオード４
二よる電圧１ｉ流特性試験（二ついても両者の間で明ら
かな差異はない。。
ウェハはこの例のシリコンの他、ガリウムヒ素、インジ
ウムヒ素等化合物半導体であってもよい。
ウムヒ素等化合物半導体であってもよい。
このようなこの発明の方法４＝よると、複雑で大量（二
本処理しなければならない超純水精製システムを必要と
せず、洗浄効果を＾水準舊二容易橿二維持させる。超純
水精製システムでは微生物発生の危険を避けるため、監
視を常時必要とし、システム内配管の洗浄を要するのに
対し、この発明の方法では使用装置１係る保守上の配慮
を不要舊＝する。
本処理しなければならない超純水精製システムを必要と
せず、洗浄効果を＾水準舊二容易橿二維持させる。超純
水精製システムでは微生物発生の危険を避けるため、監
視を常時必要とし、システム内配管の洗浄を要するのに
対し、この発明の方法では使用装置１係る保守上の配慮
を不要舊＝する。
そして微生物汚染の懸念を除き、生体Ｃ二由来するリン
、ナトリウム汚染からまぬがれさせ、高性能デバイス例
えば超Ｌ８Ｉの製造歩留を高く維持させるＯ 代理人 弁理士 井 上 −男
、ナトリウム汚染からまぬがれさせ、高性能デバイス例
えば超Ｌ８Ｉの製造歩留を高く維持させるＯ 代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウェハ（：［！化、拡散等＾温処理を行う４
二先立って薬品によ）表面を浄化した後、（イ）水を溶
解し且つ殺菌性のある中性有機溶剤又は仁の中性有機溶
剤と水との混合液をす＼ぎ液としてす＼ぎ、（ロ）す＼
ぎ液Ｃ二よるす＼ぎを終了したときこの半導体ウェハを
清浄環境で乾燥し、（今後段で施す前記高温処理用の炉
とは別の炉内で酸化性雰囲気５二於いて半導体ウェハ表
面かＰ）残存する有機質吸着膜を急速に酸化除去すると
共Ｃ：極薄い酸化膜を形成する０）乃至（→の各項操作
を順（二施すこと−する半導体ウェハ浄化方法。 ２ 中性有機溶剤が一部アルコールであることを特徴と
する％＃！Ｆ請求の範囲＃Ｉ１項に記載の半導体ウェハ
浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15373281A JPS5856340A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体ウエハ浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15373281A JPS5856340A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体ウエハ浄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856340A true JPS5856340A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15568879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15373281A Pending JPS5856340A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体ウエハ浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136030A (ja) * | 1985-05-15 | 1987-06-19 | ワツカ−・ケミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | シリコンウエ−ハ−の研磨方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS51142980A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Hitachi Ltd | Photo resistance layer formation method |
| JPS52114276A (en) * | 1976-03-18 | 1977-09-24 | Ncr Co | Method of manufacturing semiconductor device |
| JPS5410999A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Toshiba Corp | Cleaning of single crystal wafer |
| JPS5443469A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15373281A patent/JPS5856340A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS51142980A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Hitachi Ltd | Photo resistance layer formation method |
| JPS52114276A (en) * | 1976-03-18 | 1977-09-24 | Ncr Co | Method of manufacturing semiconductor device |
| JPS5410999A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Toshiba Corp | Cleaning of single crystal wafer |
| JPS5443469A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136030A (ja) * | 1985-05-15 | 1987-06-19 | ワツカ−・ケミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | シリコンウエ−ハ−の研磨方法 |
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