JPS5855232B2 - 4、4′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法 - Google Patents

4、4′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法

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JPS5855232B2
JPS5855232B2 JP56011913A JP1191381A JPS5855232B2 JP S5855232 B2 JPS5855232 B2 JP S5855232B2 JP 56011913 A JP56011913 A JP 56011913A JP 1191381 A JP1191381 A JP 1191381A JP S5855232 B2 JPS5855232 B2 JP S5855232B2
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dinitrodiphenyl
sulfone
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electrolytic
producing
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実 戸田
郁三 西口
仁 内匠
恒亮 平島
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Wakayama Seika Kogyo Co Ltd
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Wakayama Seika Kogyo Co Ltd
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は4,4′−ジニトロジフェニルスルホンの製造
方法に関し、詳しくは、4,4′−ジニトロジフェニル
スルフィド又は4,4−ンニトロジフェニルスルホキシ
ドを電解酸化して選択的に4゜4′−ジニトロジフェニ
ルスルホンを製造する方法に関する。
4.4′−ジニトロジフェニルスルホンを還元すれば4
,4′−ジアミノジフェニルスルホンが得うれ、これは
耐熱性樹脂原料、医薬や農薬の中間体として広く用いら
れている。
4.4’−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法とし
ては、従来、4,4′−ジニトロジフェニルスルフィド
を酢酸中、クロム酸で酸化する方法が知られているが、
(W、R,Waldronら、J。
Chem、 Soc、、 45 、2399(1923
) )、反応廃棄物や廃水が所謂クロム公害を起こすお
それがあるため、工業的に採用することは困難である。
一方、核置換基を有しないジフェニルスルフィドを電解
酸化してジフェニルスルホンを得る方法も知られており
、F、Fichterらは、塩化水素を支持電解質とす
る酢酸水溶液、即ち、塩酸−酢酸混合水溶液を溶剤とし
てジフェニルスルホンを電解酸化するに際して、電流密
度が小さい場合には、ジフェニルスルホンを収率よく得
ることができないが、10 A / dm”という大電
流密度にて電解酸化することにより、反応終了後、溶剤
を留去し、残渣をアルコールから再結晶すれば、収率よ
くジフェニルスルホンを得ることができると報告してい
る( Chem、Ber、、43,3422(1910
)1しかし、このように、置換基を有しないジフェニル
スルホンの場合でさえ、大電流密度を必要とするうえに
、電子吸引性が大きいニトロ基のようなメタ配向性基は
、芳香族化合物の半波電位を高めることが知られている
から(例えば、J、 C05uatoniら、Anly
tical Chemistry、33 。
1894(1961))、電解酸化のための活性化エネ
ルギーに比例する半波電位の高いジニトロ置換芳香族化
合物は極めて電解酸化され難いと予想される。
また、塩酸−酢酸混合溶剤は、ジフェニルスルフィドの
電解酸化によるジフェニルスルホンの製造の場合には、
上記したように生成物が溶剤に溶解するため、生成物を
単離するには、溶剤の除去及び残渣の精製を要し、後処
理が煩瑣であるうえに、熱経済上の不利益が大きいが、
本発明者らは、4.4′−ジニトロジフェニルスルホン
が塩酸−酢酸混合溶剤に殆ど溶解せず、従って、この混
合溶剤ヲ4,4′−ジニトロジフェニルスルフィド又は
4.4−ジニトロジフェニルスルホキシドの電解酸化の
溶剤として使用し得れば、後処理が著しく簡単になるこ
とを見出し、これを基礎として、塩酸−酢酸混合溶剤を
用いる電解酸化による4、47−ジニトロジフェニルス
ルホンの製造について鋭意研究した結果、全く予期し得
ないことに、4゜4′−ジニトロジフェニルスルフィド
又は4.4’−ジニトロジフェニルスルホキシドを低電
流密度で電解酸化することにより、4,4′−ジニトロ
ジフェニルスルホンを高選択率且つ高純度で得ることが
できることを見出して本発明に至ったものである。
従って、本発明の目的は4,4′−ジニトロジフェニル
スルフィド又は4,4′−ジニトロジフェニルスルホキ
シドを電解酸化して4,4′−ジニトロジフェニルスル
ホンを製造する方法を提供することである。
本発明による4、4′−ジニトロジフェニルスルホンの
製造方法は、炭素数1〜4の脂肪族カルボン酸と支持電
解質としてのハロゲン化水素を含む水溶液中で4,4′
−ジニトロジフェニルスルフィド及び/又は4,4′−
ジニトロジフェニルスルホキシドを0.2〜2. OA
/ dm2の電流密度にて電解酸化することを特徴とす
る。
本発明の方法において用いる溶剤は、好ましくは、炭素
数1〜4の脂肪族カルボン酸50〜90重量%と水5〜
35重量四と支持電解質としてのハロゲン化水素5〜1
5重量四とからなる水溶液である。
ここに、脂肪族カルボン酸の具体例としてギ酸、酢酸、
プロピオン酸等を挙げることができるが、好ましくは酢
酸が用いられる。
本発明によれば、4,4′−ジニトロジフェニルスルフ
ィドの電解酸化において、支持電解質としてハロゲン化
水素を用いることによって、はぼ100%近い選択率で
4,4′−ジニトロジフェニルスルホンを得ることがで
きる。
しかも、反応はほぼ定量的であって、且つ、純度も再結
晶を要しない程に純度が高い。
特に、酢酸60〜80重量%、水10〜25重量%及び
ハロゲン化水素5〜15重量四からなる混合溶剤が好ま
しい結果を与える。
ハロゲン化水素としては塩化水素、臭化水素又はヨウ化
水素が用いられるが、好ましくは、塩化水素が用いられ
る。
尚、4 、4’−ジニトロジフェニルスルフィドの電解
酸化において、支持電解質として硫酸、硝酸、過塩素酸
、過ヨウ素酸等の過ハロゲン化酸、有機スルホン酸等を
用いた場合には、通常、90%以上の選択率で4,4′
−ジニトロジフェニルスルホキシドが得られ、対応する
スルホンは痕跡程度しか生皮しない。
本発明の方法において、陽極と陰極は好ましくは素焼き
磁製材料、イオン交換膜等からなる既知の隔膜にて分離
して電解酸化が行なわれる。
陽極材料は白金や、白金被覆チタンのような白金被覆金
属、過酸化鉛等でもよいが、反応効率、経済性等の観点
から炭素が好ましく、例えば、板状、棒等の炭素電極が
好適である。
また、陰極材料も特に制限されることなく、銅、亜鉛、
ニッケル、鋼等も用いられるが、好ましくは炭素が用い
られる。
このようにして陰陽両極に炭素電極が好ましく用いられ
るが、この場合、従来の鉛電極や銅電極を用いる場合と
異なり、腐食やさびによる汚れがなく、耐久性にすぐれ
ているうえに、電解液や製品を汚染せず、更に、廃水処
理についても環境汚染の問題がない。
従ってまた、反応液は繰返し使用が可能であって、長時
間にわたって安定した運転が保証される。
本発明において、陽極液における4、4′−ジニトロジ
フェニルスルフィド又は4,4−ジニトロジフェニルス
ルホキシドの濃度は特に制限されないが、通常、0.0
5〜0.5モル/lであり、好ましくは、0.1〜0.
2モル/lである。
また、反応温度は一般に10〜80℃であり、好ましく
は30〜60℃である。
本発明の方法においては、予期し得ないことに陽極の電
流密度は小さくてよく、通常、0.2〜2、 OA /
dm2の範囲にわたって選択されるが、好ましくは0
.3〜1. OA / dm”、特に好ましくは0、4
〜0.7 A / dm2である。
陽極電圧は、勿論、陰陽両極間の距離や電極の表面積に
もよるが、通常、2〜5Vの低い電圧である。
また、通電量は、4.4−ジニトロジフェニルスルフィ
ドから4゜4′−ジニトロジフェニルスルホンへの!解
酸化(D場合には、反応温度によって若干具なるが、3
0〜600Cの反応温度では、通常、理論量(4フアラ
デ一1モル)の150〜200%の通電量で反応はほぼ
完結する。
4,4′−ジニトロジフェニルスルホキシドから4,4
′−ジニトロジフェニルスルホンへの電解酸化の場合も
同様に30〜600Cの反応温度で、通常、理論量(2
フアラデ一1モル)の150〜200%の通電量で反応
はほぼ完結する。
本発明の方法において、電解溶剤に対する溶解度は4,
4′−ジニトロジフェニルスルホキシド、対応するスル
フィド及び対応するスルホンの順に減少し、前記した電
解条件のこれら濃度範囲では前二者は通常、電解溶剤に
完全に又はかなり溶解しているが、4,4−ジニトロジ
フェニルスルホンは電解溶剤に殆ど溶解しない。
従って、支持電解質としてハロゲン化水素を用いた場合
には、生成するスルホンはほぼ全量で電解溶剤から析出
するので、本発明の方法によれば、所定量の通電後、電
解溶剤から濾別、水洗、乾燥すれば直ちに4゜4′−ジ
ニトロジフェニルスルホンを高収率で単離することがで
きる。
マf、=、4 * 4’−ジニトロジフェニルスルホン
への電解酸化において、反応轟初には4,4′−ジニト
ロジフェニルスルフィドは電解溶剤に完全に溶解させる
ことを必ずしも要しない。
本発明による電解酸化においては、先ず、4,4′−ジ
ニトロジフェニルスルフィドが対応する4、4′−ジニ
トロジフェニルスルホキシドに酸化され、次いで、この
スルホキシドがスルホンに酸化されるのであるが、スル
ホキシドの電解溶剤への溶解性が高いために、反応当初
にスルフィドが一部電解溶剤に溶解していなくとも、溶
解しているスルフィドがスルホキシドを経てスルホンに
酸化される間に、結局、すべてのスルフィドが順次電解
溶剤に溶解するからである。
従って、本発明の4,4′−ジニトロジフェニルスルホ
ンへの電解酸化においては、原料としては4,4−ジニ
トロジフェニルスルフィドを用いてもよく、対応するス
ルホキシドを用いてもよく、或いはこれらの混合物を用
いてもよい。
マタ、本発明の4,4′−ジニトロジフェニルスルホン
への電解酸化においては、上記したように、生成物スル
ホンは電解溶剤から析出するので、これを濾別した溶剤
は繰返し使用することができ、しかも、この場合にも高
純度のスルホンが高収率で得られる。
必要ならば、繰返し使用の過程でハロゲン化水素、酢酸
及び/又は水を補充し、電解溶剤の量や各成分の濃度を
調整してもよい。
本発明の方法によれば、一般には電解酸化が困難とみら
れていた4、4′−ジニトロジフェニルスルフィド及び
/又は4,4′−ジニトロジフェニルスルホキシドを支
持電解質としてハロゲン化水素を含有する脂肪族カルボ
ン酸水溶液中で低電流密度で電解酸化し、析出物を濾別
すれば直ちに高純度の4,4′−ジニトロジフェニルス
ルホンが高収率で得られる。
更に、電解溶剤は繰返し使用が可能であり、特に、陰陽
両電極に炭素電極を用いた場合には、電極の腐食や発錆
のおそれがなく、電解溶剤を汚染しないので、電解溶剤
は10回以上にわたって繰返し使用しても、生成物の純
度や収率はほとんど影響を受けない。
以下に本発明の実施例を挙げるが、本発明はこれら実施
例により何ら限定されるものではない。
実施例 1 100ml容量のビーカー型電解セルに温度計と、陽極
室としての容量31m1の素焼き円筒とを取付け、素焼
き円筒とビーカー壁との間の陽極室に3個の陽極(炭素
丸棒、各長さ15.3mm、断面積50m7?t)を、
また、陽極室に上と同じ炭素丸棒1本を陰極として取付
け、電解酸化装置とした。
陽極室及び陰極室に酢酸64重量%、塩化水素13重量
渉及び水23重重量角らなる電解溶剤を容量比7二2で
入れた後、陽極室に4,4′−ジニトロジフェニルスル
フィド2.30g(0,0083モル)を溶解させた。
電解セルを外部より加熱し、液温を50℃に保ち、陽極
液を攪拌機にて攪拌しつつ、極間電圧3〜4V、定電流
値0.2A、電流密度約0.6 A / d m2の条
件下に8フアラデ一1モル(理論通電量4フアラデ一1
モル)を8時間56分要して通電し、電解酸化を行なっ
た。
反応終了後、反応液を常温まで冷却し、生成析帝来出し
た4、4′−ジニトロジフェニルスルホンヲ濾別し、十
分に水洗した後、乾燥させた。
また、濾液を大量の水中に加え、析出したスルホンを濾
別、水洗、乾燥した。
それぞれに得た4、4′−ジニトロジフェニルスルホン
をガスクロマトグラフィーにて分析したところ、純度は
共に99.9%以上であり、また、収率は全体で927
0であった。
実施例 2〜4 実施例1において、電解溶剤を第1表に示す組成の溶剤
に置き換え、且つ、反応温度を28℃として電解酸化を
行なった以外は、実施例1と全く同様に処理して第1表
の結果を得た。
実施例 5 酢酸78重重量角塩化水素8重量ぞ及び水14重重量角
らなる水溶液を電解溶剤に用い、定電流値1.OA、電
流密度約0.6 A/ dm2、通電量8フアラデ一1
モル、反応温度50℃の条件で4,4′−ジニトロジフ
ェニルスルフィドを実施例1と同様に電解酸化した。
反応終了後、反応液を常温まで冷却し、生成析出した4
、4′−ジニトロジフェニルスルホンを濾別し、水洗、
乾燥した。
純度99.9%、収率は85%。
この濾液をそのまま電解溶剤として、4,4’−ジニト
ロジフェニルスルフィドの電解酸化を繰返し、第2表に
示す結果を得た。
同様に反応終了後の濾液を電解溶剤として10回の繰返
し実験を行なった。
結果を第2表に示す。尚、第9回目及び第10回目の反
応実験では、濾液に濃塩酸2.2重量角を補充し、電解
溶剤とした。
このようにして、各回の電解酸化において純度99.9
%の4−.4’−ジニトロフェニルスルホンを得ること
ができ、また、収率は平均で90%であった。
実施例 6 実施例1と同じ電解溶剤を用い、4,4′−ジニトロジ
フェニルスルホキシド2.43g (0,0083モル)を極間電圧4■、定電流値0.2
人、電流密度約0.6 A / dm2、反応温度50
℃、通電量4フアラデ一1モルの条件で電解酸化した。
反応終了後、実施例1と同様に処理して純度99 %の
4,4′−ジニトロジフェニルスルホンを収率95%で
得た。
以下は、支持電解質として塩化水素とは異なる硫酸又は
過塩素酸を用いた場合の結果を示すための参考例である
参考例 1 酢酸70重重量法硫酸9重量法及び水21重量7oから
なる水溶液を電解溶剤として用い、4,4′−ジニトロ
ジフェニルスルフィド2.309(0,0O83モル)
を極間電圧3〜4v、定電流値0.2 A、電流密度約
0.6 A / dm2、通電量10ファラデー1モル
(理論通電量2フアラデ一1モル)、反応温度50°C
の条件で電解酸化した。
反応終了後、反応液を大量の水中に投じ、析出した4、
4′−ジニトロジフェニルスルホキシドを濾別、水洗、
乾燥した。
純度977o、収率49 %。参考例 2 酢酸81重量伝、過塩素酸13重量%及び水6重量法か
らなる水溶液を電解溶剤として用い、通電量を5.4フ
アラデ一1モルとした以外は、実施例6と同様にして4
,4′−ジニトロジフェニルスルフィドを電解酸化し、
純度99%の4,4′−ジニトロジフェニルスルホキシ
ドを収率67%で得た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 炭素数1〜4の脂肪族カルボン酸と支持電解質とし
    てのハロゲン化水素を含む水溶液中で4゜4′−ジニト
    ロジフェニルスルフィド及び/又は4゜4−ンニトロジ
    フェニルスルホキシドを0.2〜2、 OA / dm
    2の電流密度にて電解酸化することを%L!:する4、
    4′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法。 2 水溶液が脂肪族カルボン酸50〜90重量繁、水5
    〜35重量%及びハロゲン化水素5〜15重量%からな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の4,4
    ′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法。 3 ハロゲン化水素が塩化水素であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項又は第2項記載の4゜4′−ジニ
    トロジフェニルスルホンの製造方法。 4 脂肪族カルボン酸が酢酸であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項乃至第3項いずれかに記載の4,4
    ′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法。 5 陽極及び陰極が炭素電極であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項乃至第4項いずれかに記載の4,4
    ′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法。
JP56011913A 1981-01-28 1981-01-28 4、4′−ジニトロジフェニルスルホンの製造方法 Expired JPS5855232B2 (ja)

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