JPS6039183A - テレフタルアルデヒドの製造方法 - Google Patents
テレフタルアルデヒドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6039183A JPS6039183A JP58147327A JP14732783A JPS6039183A JP S6039183 A JPS6039183 A JP S6039183A JP 58147327 A JP58147327 A JP 58147327A JP 14732783 A JP14732783 A JP 14732783A JP S6039183 A JPS6039183 A JP S6039183A
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- JP
- Japan
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- terephthalaldehyde
- lower aliphatic
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテレフタルアルデヒドの製造方法に関し、さら
に詳しくは、p−トルアルデヒドジアルキルアセタール
の霜、&[化(二より高収率でテレフタルアルデヒドを
製造する方法シニ関する。
に詳しくは、p−トルアルデヒドジアルキルアセタール
の霜、&[化(二より高収率でテレフタルアルデヒドを
製造する方法シニ関する。
テレフタルアルデヒドは各柚のポリマー、染料。
農薬、医薬およびその他のファインケミカルズや工業薬
品の中間原料として有用であり、広汎な用途と大きな需
要をもっている。
品の中間原料として有用であり、広汎な用途と大きな需
要をもっている。
従来のテレフタルアルデヒドの製造方法には多くの方法
が知られているが、−いずれも重大々欠点があり、工業
的には必ずしも有利な方法とは云い難い。従来の方法と
I7ては例えば次のような方法がある。(1)p−キシ
レンの側鎖を直接酸化してテレフタルアルデヒドを得る
方法(米国特許第3,597、485号等)。これは液
相酸化法および接触酸化法のいずれの場合も、選択率お
よび収率が低く、実用性が乏しい。(2)テレフタル酸
ジクロライドをパラジウム系の触媒で還元する方法。こ
れは塵、料および触媒が島価な上に収率も必ずしも冒く
ないので、経済的に廟利な方法とけいえない。(81p
−キシレンと臭累との反応により一旦α、α、α′。
が知られているが、−いずれも重大々欠点があり、工業
的には必ずしも有利な方法とは云い難い。従来の方法と
I7ては例えば次のような方法がある。(1)p−キシ
レンの側鎖を直接酸化してテレフタルアルデヒドを得る
方法(米国特許第3,597、485号等)。これは液
相酸化法および接触酸化法のいずれの場合も、選択率お
よび収率が低く、実用性が乏しい。(2)テレフタル酸
ジクロライドをパラジウム系の触媒で還元する方法。こ
れは塵、料および触媒が島価な上に収率も必ずしも冒く
ないので、経済的に廟利な方法とけいえない。(81p
−キシレンと臭累との反応により一旦α、α、α′。
α′−テトラブロムp−キシレンを得た後、硫にで加水
分解する方法(Organic 5ynthesis、
Co11.vo13 、788 (1955) )。こ
れは、最初の臭素化の収率が低い上に、両工程の操作は
煩雑であり、大規模な製造には不適である。同様にp−
キシレンを光塩素化して生成する塩素化キシレンを五酸
化バナジウムを触媒に用いて硝酸酸化する方法(特開昭
56−12332 、特開昭56−34653.特開昭
57−24321 )がある。こtl、け泥1工程の光
塩素化に高圧水鋏灯が必要であり、かつ有毒なcl2を
大量に用いなければ斤らない。また生成物の塩素化キシ
レン混合物は人体に極めて有害と考えられている。
分解する方法(Organic 5ynthesis、
Co11.vo13 、788 (1955) )。こ
れは、最初の臭素化の収率が低い上に、両工程の操作は
煩雑であり、大規模な製造には不適である。同様にp−
キシレンを光塩素化して生成する塩素化キシレンを五酸
化バナジウムを触媒に用いて硝酸酸化する方法(特開昭
56−12332 、特開昭56−34653.特開昭
57−24321 )がある。こtl、け泥1工程の光
塩素化に高圧水鋏灯が必要であり、かつ有毒なcl2を
大量に用いなければ斤らない。また生成物の塩素化キシ
レン混合物は人体に極めて有害と考えられている。
その上、第2工程の硝酸酸化も一般に反応のコントロー
ルが難しく、ときには反応が暴走するなど、工業的規模
での製造には安全性の問題で好ましくない面がある。
ルが難しく、ときには反応が暴走するなど、工業的規模
での製造には安全性の問題で好ましくない面がある。
本発明者らはこれら従来の製造方法の問題点を改善すべ
く種々検討の結果、無公害な電極反応により高収率でテ
レフタルアルデヒドを得ることに成功し、本発明をなす
に到った。
く種々検討の結果、無公害な電極反応により高収率でテ
レフタルアルデヒドを得ることに成功し、本発明をなす
に到った。
すなわち、本発明ij電極酸化反応を二よってp −ト
ルアルデヒドジアルキルアセタールがらテレフタルアル
デヒドを製造するものであって、該%L電極酸化反応炭
素1〜4の低級脂肪族アルコールからなる溶媒中、また
Fi該脂肪族アルコールに水または低級脂肪族カルボン
酸(脂肪族基の炭素数1〜4)を加えた混合溶媒中で、
支持電解質の存在下に行ない%該t&酸化反応後加水分
解することを特佑とするものである。
ルアルデヒドジアルキルアセタールがらテレフタルアル
デヒドを製造するものであって、該%L電極酸化反応炭
素1〜4の低級脂肪族アルコールからなる溶媒中、また
Fi該脂肪族アルコールに水または低級脂肪族カルボン
酸(脂肪族基の炭素数1〜4)を加えた混合溶媒中で、
支持電解質の存在下に行ない%該t&酸化反応後加水分
解することを特佑とするものである。
本発明C二おいて、出発物質として用いるp−トルアル
デヒドジアルキルアセタールけ、アルキル基の炭素数1
〜4のものが好ましく、トルアルデヒドをオルトギ酸ア
ルキルまたは対応するアルコールにより酸触媒下でアセ
タール化することによって、はぼ定量的収率で得ること
ができる0また。
デヒドジアルキルアセタールけ、アルキル基の炭素数1
〜4のものが好ましく、トルアルデヒドをオルトギ酸ア
ルキルまたは対応するアルコールにより酸触媒下でアセ
タール化することによって、はぼ定量的収率で得ること
ができる0また。
p−キシレンを低級脂肪族アルコール−酢酸混合溶媒中
で電極酸化反応させても好収率で得ることができる。
で電極酸化反応させても好収率で得ることができる。
本発明の電極酸化反応I:おいて使用する溶媒は、炭素
数1−4の低級脂肪族アルコールが好ましいが、それに
約20/Iチ以下の水または低級脂肪族カルボン酸(脂
肪族基の炭素数1〜4)を混和した混合溶媒も用いられ
る。低級脂肪族アルコールとしては、例えばメタノール
、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等が用い
られ、低級脂肪族カルボン酸としては酢酸、プロピオン
酸等が好適である。これらの溶媒中におけるp−トルア
ルデヒドジアルキルアセタールの濃度は、一般に0.0
5〜0.5モル/lでよく、好ましくは0.1〜0.3
モル/lである。
数1−4の低級脂肪族アルコールが好ましいが、それに
約20/Iチ以下の水または低級脂肪族カルボン酸(脂
肪族基の炭素数1〜4)を混和した混合溶媒も用いられ
る。低級脂肪族アルコールとしては、例えばメタノール
、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等が用い
られ、低級脂肪族カルボン酸としては酢酸、プロピオン
酸等が好適である。これらの溶媒中におけるp−トルア
ルデヒドジアルキルアセタールの濃度は、一般に0.0
5〜0.5モル/lでよく、好ましくは0.1〜0.3
モル/lである。
支持電解質は、カチオン部分がH+、アルカリ金R4は
例えばH9炭素数1〜6のアルキル基など)であり、ア
ニオン部分が過硫酸基5BoB−、スルホ7e基(例え
ばp−)ルエンスルホン酸基Ta0−″。
例えばH9炭素数1〜6のアルキル基など)であり、ア
ニオン部分が過硫酸基5BoB−、スルホ7e基(例え
ばp−)ルエンスルホン酸基Ta0−″。
メタンスルホン酸基MsO−など)、フッ化ホウ素酸基
BF4−、過塩素酸基ClO4″″またはハロゲン基(
例えば、I”’、 Br−、cl−、p−)であるよう
な塩が用いられる。特に好ましいのけ、アニオン部分が
フッ化ホウ素酸基、過塩素酸基、またはフッ素基の場合
である。なかでも収率1反応率、危険性を勘案すると、
フッ化ホウ素酸基が最も好ましい。支持電解質は一般に
0.05〜0.5モル/1.好ましくは0.1〜0.2
モル/lの濃度で用いられる。
BF4−、過塩素酸基ClO4″″またはハロゲン基(
例えば、I”’、 Br−、cl−、p−)であるよう
な塩が用いられる。特に好ましいのけ、アニオン部分が
フッ化ホウ素酸基、過塩素酸基、またはフッ素基の場合
である。なかでも収率1反応率、危険性を勘案すると、
フッ化ホウ素酸基が最も好ましい。支持電解質は一般に
0.05〜0.5モル/1.好ましくは0.1〜0.2
モル/lの濃度で用いられる。
電極酸化反応の電檜材料としては、陽極として例えば炭
素(板状または棒状)、白金、または白金で表面被覆し
たもの(例えば白金で表面被偵したチタン)彦どが用い
られ、陰極として例えば炭素(板状または棒状)、銅、
ステンレス、亜鉛。
素(板状または棒状)、白金、または白金で表面被覆し
たもの(例えば白金で表面被偵したチタン)彦どが用い
られ、陰極として例えば炭素(板状または棒状)、銅、
ステンレス、亜鉛。
ニッケル、鉛々どが用いられる。
it極醗化汐応は通常は無隔膜の電1解セル中で行ガわ
れるが、隔膜をもつ電解セル中でも行なわれる。反応温
度は一般≦二5〜45℃の範囲であるが、好ましいのは
15〜35℃である。また電極の電流密度は0.1〜I
QA/dm2の範囲であるが、好ましいのはQ、5〜5
A/dm’である。
れるが、隔膜をもつ電解セル中でも行なわれる。反応温
度は一般≦二5〜45℃の範囲であるが、好ましいのは
15〜35℃である。また電極の電流密度は0.1〜I
QA/dm2の範囲であるが、好ましいのはQ、5〜5
A/dm’である。
上記の名条件で電極酸化反応を行なった後、加水分解を
行なうと、主生成物としてテレフタルアルデヒドが得ら
れ、副生成物としてそのモノアセタールおよびジアセタ
ールが得られる。電極酸化反応の段階ではテレフタルア
ルデヒドは殆んどモノ゛またはジアセタールを形成して
いるが、その後の加水分解処理により遊離のジアルデヒ
ドに移行するものと推定される。加水分解は酸性水溶液
との接触により行なわれる。
行なうと、主生成物としてテレフタルアルデヒドが得ら
れ、副生成物としてそのモノアセタールおよびジアセタ
ールが得られる。電極酸化反応の段階ではテレフタルア
ルデヒドは殆んどモノ゛またはジアセタールを形成して
いるが、その後の加水分解処理により遊離のジアルデヒ
ドに移行するものと推定される。加水分解は酸性水溶液
との接触により行なわれる。
本発明の電極酸化反応では、種々の反応条件のうち、特
に溶媒および支持電解質が王生成物の選択率、収率およ
び反応率に大きな影響を及ばずことが明らかになった。
に溶媒および支持電解質が王生成物の選択率、収率およ
び反応率に大きな影響を及ばずことが明らかになった。
例えば溶媒について述べると、フッ化ホウ素酸ナトリウ
ムを支持電解質として用いた場合、溶媒として氷酢酸を
用いると、通電量が3F1モル(理論量の2倍)に達し
ても電極酸化反応は全く進行せず、原料化合物のトルア
ルデヒドへの加水分解が進行するのみであるが、溶媒と
してメタノールを用いると、反応率80%で反応が進行
し、収率65%でテレ7タルアルデヒド。
ムを支持電解質として用いた場合、溶媒として氷酢酸を
用いると、通電量が3F1モル(理論量の2倍)に達し
ても電極酸化反応は全く進行せず、原料化合物のトルア
ルデヒドへの加水分解が進行するのみであるが、溶媒と
してメタノールを用いると、反応率80%で反応が進行
し、収率65%でテレ7タルアルデヒド。
収率8チでp−)ルイル酸メチル、収率2%でp−メト
キシメチルベンズアルデヒドがそれぞれ得られた。また
同条件で、溶媒としてメタノール10(チの酢酸を混和
した混合溶媒を用いた場合には、反応率は60q6であ
った。また支持電解質について述べると、溶媒として上
記と同じくメタノールを用い、支持電解質として酢酸ア
ンモン、トリエチルアンモニウムアセテートを用いた場
合、殆んど反応が進行せず、王生成物としてp−)ルイ
ル酸メチルまたは/およびp−メトキシメチルベンズア
ルデヒドが低収率で生成するのみである。
キシメチルベンズアルデヒドがそれぞれ得られた。また
同条件で、溶媒としてメタノール10(チの酢酸を混和
した混合溶媒を用いた場合には、反応率は60q6であ
った。また支持電解質について述べると、溶媒として上
記と同じくメタノールを用い、支持電解質として酢酸ア
ンモン、トリエチルアンモニウムアセテートを用いた場
合、殆んど反応が進行せず、王生成物としてp−)ルイ
ル酸メチルまたは/およびp−メトキシメチルベンズア
ルデヒドが低収率で生成するのみである。
本発明の好ましい態様としては、例えば低級アルコール
、特にメタノールを溶媒として用い、フッ化ホウ素酸塩
、好ましくけフッ化ホウ素酸ナトリウムを支持電解質と
して用いて、p−)ルアルデヒドジアキルアセタール、
好ましくはジメチルアセタールまたはエチレンアセター
ルを炭素陽極およびステンレス陰極で電極酸化するもの
である。
、特にメタノールを溶媒として用い、フッ化ホウ素酸塩
、好ましくけフッ化ホウ素酸ナトリウムを支持電解質と
して用いて、p−)ルアルデヒドジアキルアセタール、
好ましくはジメチルアセタールまたはエチレンアセター
ルを炭素陽極およびステンレス陰極で電極酸化するもの
である。
この態様において、テレフタルアルデヒドを60〜65
%の収率で早船することかできる。この際の反応率は8
F1モルの通電量で78〜85チ、消費された原料化合
物を基準にした収率Fi80〜85%であった。
%の収率で早船することかできる。この際の反応率は8
F1モルの通電量で78〜85チ、消費された原料化合
物を基準にした収率Fi80〜85%であった。
以上述べたように5本発明は入手容易なp−)ルアルデ
ヒドジアルキルアセクールから冒収率でテレフタルアル
デヒドを得ることができ、しかも無公害性でかつ工業的
規模での製造I:適したものである。
ヒドジアルキルアセクールから冒収率でテレフタルアル
デヒドを得ることができ、しかも無公害性でかつ工業的
規模での製造I:適したものである。
次に実施例により本発明を説明する。
実施例1
容愉1507!のビーカー型無隔膜電、解セル内に温度
計と炭素棒(直径7 ta 、長さ150m)4本をと
りつけ、炭素棒のうち3本を陽極に、残り1本を陰極に
する。
計と炭素棒(直径7 ta 、長さ150m)4本をと
りつけ、炭素棒のうち3本を陽極に、残り1本を陰極に
する。
メタノール100コ中にフッ化ホウ素酸ナトリウムi、
oty (0,01七ル)とp−)ルアルデヒドジメテ
ルアセタール3.249 (0,02モル)を加え、こ
れを電解セルに入れる。電解セルを水中で冷却して液温
を20〜25℃C保ち、反応液をマグネチツクスクラー
で攪拌しながら、極間電圧5〜15■、定電流値0.2
OA(k流密度1.OA/dm2)の条件下に、8F1
モルの電流量(理論電流1tの200%)を21時間2
4分通電する。
oty (0,01七ル)とp−)ルアルデヒドジメテ
ルアセタール3.249 (0,02モル)を加え、こ
れを電解セルに入れる。電解セルを水中で冷却して液温
を20〜25℃C保ち、反応液をマグネチツクスクラー
で攪拌しながら、極間電圧5〜15■、定電流値0.2
OA(k流密度1.OA/dm2)の条件下に、8F1
モルの電流量(理論電流1tの200%)を21時間2
4分通電する。
反応終了後、減圧下でメタノールを留去し、残留物を1
O3jiiチ硫酸水溶液約100dH注いで約1時間攪
拌を続ける。生成する白色固体を吸引r過し、冷水で洗
滌した後、呈温にて乾燥する。この固体は殆んどテレフ
タルアルデヒド(純度95〜98%)でおることを標準
品との比較により確認した。
O3jiiチ硫酸水溶液約100dH注いで約1時間攪
拌を続ける。生成する白色固体を吸引r過し、冷水で洗
滌した後、呈温にて乾燥する。この固体は殆んどテレフ
タルアルデヒド(純度95〜98%)でおることを標準
品との比較により確認した。
収量1.614(収率60%)。ついでf液を酢酸エチ
ルせたけエチルエーテルで抽1:11 L、 、抽出液
を合一して飽和炭酸水素ナトリウム水でよく洗滌し1ζ
後、硫1汐マグネシウム上で乾燥する。乾燥た1jを沢
別した後、溶媒を留去し、残漬を減圧蒸留する。蒸留留
分をガスクロマトグラフィーおよび各種の分光学的手段
により分析した結果、未反応原料化合物(p−)ルアル
デヒドおよびそのジメチルアセタール:回収率20 %
) 、テレフタルアルデヒド(収率5チ)、p−トル
イル醪メチル(1区率8饅)。
ルせたけエチルエーテルで抽1:11 L、 、抽出液
を合一して飽和炭酸水素ナトリウム水でよく洗滌し1ζ
後、硫1汐マグネシウム上で乾燥する。乾燥た1jを沢
別した後、溶媒を留去し、残漬を減圧蒸留する。蒸留留
分をガスクロマトグラフィーおよび各種の分光学的手段
により分析した結果、未反応原料化合物(p−)ルアル
デヒドおよびそのジメチルアセタール:回収率20 %
) 、テレフタルアルデヒド(収率5チ)、p−トル
イル醪メチル(1区率8饅)。
p−メトキシメチルベンズアルデヒド(1区率2%)が
含捷れ、その他若干損のテレフタルアルデヒドのジメチ
ルアセタールおよびテトラメチルアセタールが含擾れて
いることが確認さitだ01〜たがってテレフタルアル
デヒドの合計の収率け65%1反応率は80チ、消費さ
ね六原料化合物を基準とするjし率は81チであった。
含捷れ、その他若干損のテレフタルアルデヒドのジメチ
ルアセタールおよびテトラメチルアセタールが含擾れて
いることが確認さitだ01〜たがってテレフタルアル
デヒドの合計の収率け65%1反応率は80チ、消費さ
ね六原料化合物を基準とするjし率は81チであった。
実施例2
実施例1において、フッ化ホウ素酸ナトリウム0.01
モルの代りに、下記の第1表C:示さil、る化合物を
支持電解質に用いて、他は実施例1と同様な反応条件で
p−)ルアルデヒドジメテルアセタールを′0イ極酸化
し、同様な後処理をして生成物を単離した。反応率およ
び各生成物の収率は下記のとおりである。
モルの代りに、下記の第1表C:示さil、る化合物を
支持電解質に用いて、他は実施例1と同様な反応条件で
p−)ルアルデヒドジメテルアセタールを′0イ極酸化
し、同様な後処理をして生成物を単離した。反応率およ
び各生成物の収率は下記のとおりである。
第1表
A:テレフタルアルデヒド
B:p−)ルイル酸メチル
C:p−メトキシメチルベンズアルデヒド実施例3
実施例1において、メタノールの代りにメタノールにi
o%%の酢酸を混合したものを溶媒として用い、それ以
外は同様にして行なった。結果は、反応率60%、テレ
フタルアルデヒドの収率39%。
o%%の酢酸を混合したものを溶媒として用い、それ以
外は同様にして行なった。結果は、反応率60%、テレ
フタルアルデヒドの収率39%。
p−)ルイル酸メチルの収率7%、p−メトキシメチル
ベンズアルデヒドの収率10%であった。
ベンズアルデヒドの収率10%であった。
比較例
実施例1において、メタノールの代りに酢酸をM&とし
て用い、それ以外は同様にして行なった。
て用い、それ以外は同様にして行なった。
結果は、反応率0%であり、したがってテレフタルアル
デヒドも副生成物も全く生成しなかった。
デヒドも副生成物も全く生成しなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)p−)ルアルデヒドジアルキルアセタールな、炭
素数1〜4の低級脂肪族アルコール、−またけ該低級脂
肪族アルコールおよび水もしくは低級脂肪族カルボンC
M(脂肪族基の炭素数1〜4)からなる溶媒中で、支持
電解質の存在下に電極酸化し、ついで加水分解すること
を特徴とするテレフタルアルデヒドの製造方法。 (2)支持電解質は、カチオン部分が水素、アルカリ金
用または置換もしくは非置換アンモニウム基であり、ア
ニオン部分が過硫酸基、スルホン酸基、フッ化ホウ素酸
基、過塩素酸基またはハロゲン基である化合物である特
許請求の範囲第1項記載のテレフタルアルデヒドの製造
方法。 (8) 支持電解質は、カチオン部分がアルカリ金属ま
たは置換もしくは非置換アンモニウム基であり、アニオ
ン部分がスルホン酸基、フッ化ホウ素酸基または湿地水
酸基である化合物である特許請求の範囲第2項記載のテ
レフタルアルデヒドの製造方法。 (4)混合溶媒中における水もしくは低級脂肪族カルボ
ン酸の割合は20V/Iチ以下である特許請求の範囲第
1項記載のテレフタルアルデヒドの製造方法0 (5)溶媒中におけるp−)ルアルデヒドジアルキルア
セタールの礫度は0.05〜05モル/lである特許請
求の範囲第1項記載のテレフタルアルデヒドの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58147327A JPS6039183A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | テレフタルアルデヒドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58147327A JPS6039183A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | テレフタルアルデヒドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6039183A true JPS6039183A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15427672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58147327A Pending JPS6039183A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | テレフタルアルデヒドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6039183A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100657744B1 (ko) | 2005-01-26 | 2006-12-13 | 주식회사 엘지화학 | 테레프탈알데히드의 정제방법 |
WO2008060107A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Lg Chem, Ltd. | Method for purifying terephthalaldehyde |
KR20210122091A (ko) | 2020-03-31 | 2021-10-08 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 가이드 레일 장치, 용접 장치 및 가이드 레일 장치의 분리 방법 |
-
1983
- 1983-08-13 JP JP58147327A patent/JPS6039183A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100657744B1 (ko) | 2005-01-26 | 2006-12-13 | 주식회사 엘지화학 | 테레프탈알데히드의 정제방법 |
WO2008060107A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Lg Chem, Ltd. | Method for purifying terephthalaldehyde |
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KR101040700B1 (ko) | 2006-11-16 | 2011-06-10 | 주식회사 엘지화학 | 테레프탈알데히드의 정제방법 |
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