JPS585436B2 - ランニングヒヨウジセイギヨソウチ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表示装置にランニング表示をさせるランニング
表示制御装置に係り、多数のマトリクス配列された表示
素子からなる表示面を有する表示装置に紙テープ等の情
報源から得られた情報をランニング表示させるランニン
グ表示制御装置を提供することを目的とする。

従来、第１図に示すような＃１〜＃１５の複数チャンネ
ルの情報と＃１６のチャンネルのクロックが記録されて
いる紙テープ等の情報源から情報を読み取るには、第２
図に示すような情報読み取り装置が用いられる。

第２図において、１は第１図に示す情報源の黒くぬりつ
ぶした部分がさん孔されている紙テープでありエンドレ
スに接続されている。

２はランプ３により照射される光によって紙テープ１よ
り情報を読み取るフオＩＪ−ダであり、紙テープ１の情
報およびクロックを読み取るためには第１図に示すよう
に１６個のフォトリーグが必要である。

４はピンチローラ、５はキャプスタン、６はモータであ
り、紙テープ１はモータ６により駆動されるキャプスタ
ン５とピンチローラ４でもって送られる。

７は紙テープ１を位置規制するガイドである。

上記のような情報読み取り装置によって読み取られた情
報とクロックに従い表示装置に情報をランニング表示さ
せる本発明のランニング表示制御装置について、その実
施例を図面とともに説明する。

第３図は本発明の一実施例であるランニング表示制御装
置のブロック図であり、図において８は整形・増幅回路
で第２図に示す情報読み取り装置のフォトリーダ２によ
り紙テープ１から１列毎に読み取られた１５個のチャン
ネルの情報とクロックが加えられるとその加えられた情
報およびクロックを整形・増幅する。

９は並直列変換回路であり、整形・増幅回路８の並列出
力信号を直列信号に変換し、スイッチ回路１０を介して
メモリ１１に加える。

このメモリ１１はｍｘｎ個（ｍ、ｎは自然数）の表示素
子がマトリクス配置された表示装置の表示面と同じ配置
、同じ個数のメモリ素子からなり、本実施例においては
第４図に示すようにｍ＝１５．ｎ＝３０すなわち１５行
３０列のメモリ素子からなっている。

ここで１行１列のメモリ素子をＭ（ｉ、ｊ）（ｉ＝１〜
１５．ｊ＝１〜３０）で表わすこととする。

１２はメモリ素子Ｍ（ｉ、Ｄ）に記憶されている情報を
読み出す毎に、スイッチ回路１０を介してその読み出し
たメモリ素子Ｍ（ｉ。

ｊ）に隣接する列のメモリ素子Ｍ（ｉ、ｊ−１）に、読
み出された情報を再記憶させるための一時保持回路であ
る。

なお、スイッチ回路１０はメモリ１１に並直列変換回路
９の出力を加えるかあるいは一時保持回路１２の出力を
加えるか切換えるためのものである。

１３および１４は上記並直列変換された情報を所定のメ
モリ素子に記憶させる場合、あるいは所定のメモリ素子
から記憶された情報を読み出す場合にそのメモリ素子の
行と列の位置をそれぞれ指定するＸアドレス指定回路と
Ｘアドレス指定回路である。

１５は紙テープ１から読み取られたクロックと内部に有
する発振器や単安定マルチ、論理回路等により並直列変
換回路９、スイッチ回路１０、メモリ１１、一時保持回
路１２゜Ｘアドレス指定回路１３およびＸアドレス指定
回路１４を制御する信号と情報をランニング表示する表
示装置を走査する信号を発生する制御回路でぶある。

次に本実施例のランニング表示制御装置の動作について
、第５図イ〜ネの動作波形図を用いて説明する。

いま、整形・増幅回路８には前述のように情報読み取り
装置により紙テープ１から読み取られた＃１〜＃１５の
１５個のチャンネルの情報と＃１６のチャンネルのクロ
ックＣ８とが加えられている。

すなわち、第１図に示す紙テープ１が矢印入方向に送ら
れるとすると１６個のフォトリーダご２とよりＴ１．Ｔ
２．Ｔ３・・・・・・と１列毎に情報とクロックＣ８が
読み取られて、整形・増幅回路８に加えられる。

この加えられた情報信号とクロックＣＳは整形・増幅回
路８により整形・増幅される。

第５図イおよび口にこの整形・増幅された情報信号のう
ちチャンネル＃４の波形とクロックＣ８の波形をそれぞ
れ示す。

ここで第１図において黒くぬりつぶした部分がｕ１ｖ状
態にそれ以外は（１）状態に対応している。

また第５図ハに表示装置の表示面全面の走査を１回行な
う毎にその走査をリセットする表示リセット信号ＤＲを
示す。

この信号ＤＲはクロックＣ８の立下り時に動作する単安
定マルチ（コントロール回路１５に内蔵されている）に
より作成され、情報読み込み期間ＴＲとで１周期となっ
ている。

また第５図二は表示リセット信号ＤＲの時間軸を拡大し
て信号読み込み期間ＴＲの期間を示したものである。

並直列変換回路９には整形・増幅回路８より整形・増幅
された１５個の情報信号が並列に加わっており、第５図
ホに示す読み込み信号ＷＴが加わると、この情報信号を
読み込み、同図へに示す直列情報信号用クロックＣ８Ｉ
に同期して直列変換された情報信号を出力する。

第５図トこそのＴ１列における直列情報信号ＳＳＩを示
す。

Ｔ１列においてはチャンネル＃６のみ（１）情報が記録
されているので、直列情報信号用クロックＣ８Ｉの６番
目にのみｕ１ｖ信号が表われる。

スイッチ回路１０は表示リセット信号ＤＲと同じ信号で
ある第５図チに示すスイッチ信号ＧＳＷにより、情報読
み込み期間ＴＲの間は直列情報信号ＳＳＩをメモリ１１
に加え、情報処理期間ＴＰの間は一時保持回路１２の出
力をメモリ１１に加えるように動作する。

メモリ１１はＸおよびＸアドレス指定回路１２および１
３により情報を記憶するメモリ素子が指定され、書き込
み信号が加わると直列変換された情報を記憶する。

後述するように情報処理期間ＴＰが終了したときには、
Ｘアドレス指定回路１３はリセットされており、Ｘアド
レス指定信号ＸＡＤはメモリ１１の第１行メモリ素子を
指定している。

一方、Ｘアドレス指定回路１４はリセットされておらず
、Ｙアドレス指定信号ＹＡＤはメモリ１１の第３０列の
メモリ素子を指定している状態のままである。

このため、Ｙアドレス指定信号ＹＡＤをこの状態のまま
保ち、第５図りに示すＸシフトアップ信号ＸＳＵをＸア
ドレス指定回路１３に加えてＸアドレス指定信号ＸＡＤ
がメモリ１１の第１行から第１５行のメモリ素子を指定
するようにさせるとともに、同図ヌに示す書き込み信号
ｗＭをメモリ１１に加えると、直列信号ＳＳＩはメモリ
素子Ｍ（１，３０）からＭ（１５，３０）に順次記憶さ
れる。

なお、上記のように記憶された後のＸアドレス指定信号
ＸＡＤおよびＹアドレス指定信号ＹＡＤはメモリ素子Ｍ
（１５，３０）を指定している。

次に、このメモリ１１に記憶された情報は信号処理期間
ＴＰにおいて読み出される。

第５図ルは表示リセット信号り凡の時間軸を拡大し、信
号処理期間ＴＰの期間を示したものである。

ここで、メモリ１１に第４図に示すように紙テープ１の
Ｔ１列からＴ２Ｏ列までの情報が記憶されているとする
。

すなわち図において木印を付したメモリ素子に（１）情
報が記憶されており、それ以外のメモリ素子には（１）
情報が記憶されている。

いま、信号読み込み期間ＴＲが終了したときにはＸアド
レス指定信号ＸＡＤおよびＹアドレス指定信号ＹＡＤは
メモリ素子Ｍ（１５，３０）を指定している状態にある
ので、第５図才およびワにそれぞれ示すＸアドレスリセ
ット信号ＸＡＲおよびＹアドレスリセット信号ＹＡＲに
よりＸアドレス指定回路１３およびＸアドレス指定回路
１４をリセットし、Ｘアドレス指定信号ＸＡＤおよびＹ
アドレス指定信号ＹＡＤがメモリ素子Ｍ（１，１）を指
定するようにする。

次に第５図力に示すＸシフトアップ信号Ｘ８ＵをＸアド
レス指定回路１３に加え、同図ヨおよび夕にそれぞれ示
すＹシフトアップ信号ＹＳＵとＹシフトダウン信号ＹＳ
ＤをＸアドレス指定回路１４に加えると、Ｘアドレス指
定信号ＸＡＤとＹアドレス指定信号ＹＡＤはメモリ素子
Ｍ（１，ｌ）からますＹシフトダウン信号ＹＳＤにより
、メモリ素子Ｍ（１，Ｏ）を指定し、次にＹシフトアッ
プ信号ＹＳＤが２回加わることによりメモリ素子Ｍ（１
，２）を指定する。

次にまたＹシフトダウン信号ＹＳＤが加わることにより
メモリＭ（１，１）を指定し、Ｙシフトアップ信号ＹＳ
Ｕが２回加わることによってメモリ素子Ｍ（１，３）を
指定する。

以下、同様にメモリ素子Ｍ（１，２）、Ｍ（１，４）。

Ｍ（Ｌ３）・・・・・・、Ｍ（１，３０）、Ｍ（１，２
９）と指定する。

メモリ１１は常にアドレス指定されているメモリ素子に
記憶されている情報を出力しており、一時記憶回路１２
へは、第５図しに示す一時記憶用クロックＣ８Ｍに同期
してメモリ１１の情報読み出し出力ＳＲＯが一時記憶さ
れる。

すなわち、一時記憶回路１２にはメモリ素子Ｍ（１，１
）からＭ（１，３０）に記憶されていた情報が順次一時
記憶される。

この一時記憶された情報は、Ｙシフトダウン信号ＹＳＤ
により、情報を読み出したメモリ素子Ｍ（１，Ｄ（ｊ二
１〜３０）より１列毎のメモリ素子Ｍ（１，ｊ−Ｉ）（
ｊ二１〜３０）をＹアドレス指定信号ＹＡＤが指定した
ときに第５図ソに示す書き込み信号ＷＭがメモリ１１に
加わることにより記憶される。

すなわち、例えばメモリ素子Ｍ（１，１０）に記憶され
ていた情報は、メモリ素子Ｍ（１，９）に記憶されるこ
とになる。

なお、メモリ素子Ｍ（１，１）に記憶されていた情報は
再記憶の場合にはメモリ素子Ｍ（１，０）に記憶される
ことになるが、零列にはメモリ素子は存在しないので、
この情報は記憶されず消去されることになる。

上記の如く、メモリ素子Ｍ（１，２）からＭ（１゜３０
）に記憶されている情報が読み出されるとともに、その
読み出された情報はそれぞれメモリ素子Ｍ（１，１）か
らＭ（１，２９）に再記憶される。

そしてメモリ１１の第１行の情報読み出しと再記憶が終
了すると、Ｘシフトアップ信号Ｘ８ＵをＸアドレス指定
回路１３に加えてＸアドレス指定信号ＸＡＤがメモリ１
１の第２行を指定するようにするとともにＹアドレスリ
セット信号ＭＡＲを加えてＸアドレス指定回路１４をリ
セットしＹアドレス指定信号ＹＡＤが第１列を指定する
ようにする。

そして前述と同様の手順によりメモリ素子Ｍ（２，２）
からＭ（２，３０）に記憶されている情報を読み出すと
ともに、その読み出された情報をそれぞれメモリ素子Ｍ
（２，１）からＭ（２，２９）に再記憶する。

以下、同様にメモリ１１の第１５行まで情報読み出しと
再記憶を行なう。

以上の処理によりメモリ１１に記憶されていた情報は水
平および垂直方向に走査されて読み出されるとともに、
１列分、第４図においては矢印Ｂ方向に移動する。

この読み出された情報に従い、第５図ツおよびネにそれ
ぞれ示す水平走査信号Ｈ８と垂直走査信号Ｖｓにより走
査される表示装置の各表示素子を点滅させることにより
紙テープ１に記録されていた情報を表示することができ
る。

なお、水平走査信号Ｈｓは第１列から第３０列までの走
査が終るとリセットされ、また第１列から走査を開始す
る。

また、水平走査信号Ｈｓと垂直走査信号Ｖｓは表示リセ
ット信号Ｄ１４によりともにリセットされる。

次に、信号処理期間ＴＰが終了し、次の信号読み込み期
間ＴＲにおいて、紙テープ１のＴ３１列の情報がメモリ
１１の第３０列に前述と同様に記憶されるとメモリ１１
には紙テープ１の１２列からＴａ２列の情報が記憶され
ることになる。

この情報を次の信号処理期間ＴＰにおいて読み出し、こ
の読み出された情報に従い、表示装置の各表示素子を点
滅させることにより、前述の情報から１列分進んだ情報
を表示することができる。

以下、表示リセット信号ＤＲすなわち、クロックＣ８毎
に表示装置の表示面に表示される情報が１列ずつ移動し
、表示装置にランニング表示を行なわせることができる
。

なお、表示リセット信号ＤＲを加えなければ静止表示を
行なうこともできる。

以上、説明したように本発明は、クロックに同期して読
み込まれるｍ個のチャンネルの情報を上記クロック毎に
並直列変換する回路と、この並直列変換された情報を記
憶するマトリクス配列されたｍＸｎ個のメモリ素子から
なるメモリと、上記並直列変換された情報を所定の上記
メモリ素子に記憶し、所定のメモリ素子から記憶された
情報を読み出すために上記メモリ素子の行と列の位置を
それぞれ指定するＸアドレス指定回路およびＸアドレス
指定回路と、上記読み出された情報を上記メモリに再記
憶させるための一時保持回路とからなり、並直列変換さ
れた情報をメモリの第ｎ列のｍ個のメモリ素子にそれぞ
れ記憶し、メモリの第１行の第１番目のメモリ素子から
第ｍ行のｎ番目のメモリ素子まで順次走査して情報を読
み出すとともに、情報を読み出す毎に読み出したメモリ
素子に隣接する列のメモリ素子に読み出した情報を再記
憶するように構成したので、多数のマトリクス配列され
た表示素子からなる表示面を有する表示装置に紙テープ
等の情報源から得られた情報をランニング表示させるこ
とができるランニング表示制御装置を提供することがで
きるものであり、本発明の工業的価値は高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は紙テープの情報記録状態を示す図、第２図は従
来の情報読み取り装置の概略構成図、第３図は本発明の
一実施例であるランニング表示装置のブロック図、第４
図は同装置に用いられるメモリの記憶状態を示す図、第
５図イないしネは第３図の装置の各部の動作波形図であ
る。 ８・・・・・・整形・増幅回路、９・・・・・・並直列
変換回路、１０・・・・・・スイッチ回路、１１・・・
・・・メモリ、１２・・・・・・一時保持回路、１３・
・・・・・Ｘアドレス指定回路、１４・・・・・・Ｘア
ドレス指定回路、１５・・・・・・制御回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ クロックに同期して読み込まれるｍ個のチャンネル
   の情報を上記クロック毎に並直列変換する回路と、この
   並直列変換された情報を記憶するマトリクス配列された
   ｍＸｎ個のメモリ素子からなるメモリと、上記並直列変
   換された情報を所定の上記メモリ素子に記憶し所定の上
   記メモリ素子から記憶された情報を読み出すために上記
   メモリ素子の行と列の位置をそれぞれ指定するＸアドレ
   ス指定回路およびＸアドレス指定回路と、上記読み出さ
   れた情報を上記メモリに再記憶させるための一時保持回
   路とからなり、上記並直列変換された情報を上記メモリ
   の第ｎ列のｍ個のメモリ素子にそれぞれ記憶し、上記メ
   モリの第１行の第１番目のメモリ素子から第ｍ行のｎ番
   目のメモリ素子まで順次走査して情報を読み出すととも
   に、情報を読み出す毎に上記読み出したメモリ素子に隣
   接する列のメモリ素子に読み出した情報を再記憶するこ
   とを特徴とするランニング表示制御装置。